JPH03271200A - ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜のエッチング方法Info
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- JPH03271200A JPH03271200A JP2071672A JP7167290A JPH03271200A JP H03271200 A JPH03271200 A JP H03271200A JP 2071672 A JP2071672 A JP 2071672A JP 7167290 A JP7167290 A JP 7167290A JP H03271200 A JPH03271200 A JP H03271200A
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- Japan
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- etching
- diamond thin
- oxygen
- gas
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
- H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ダイヤモンド薄膜のエツチング方法に関し、
詳細には、半導体分野や光学分野等において新機能素子
や素材等として適用するダイヤモンド薄膜のエツチング
方法に関する。
詳細には、半導体分野や光学分野等において新機能素子
や素材等として適用するダイヤモンド薄膜のエツチング
方法に関する。
（従来の技術）
半導体分野や光学分野等への応用を目的としてダイヤモ
ンド薄膜のエツチング技術の確立が試みられている。従
来かかるダイヤモンド薄膜の工。
ンド薄膜のエツチング技術の確立が試みられている。従
来かかるダイヤモンド薄膜の工。
チング方法として、下記■■の如き方法が報告されてい
る。
る。
■ 第４図に示す如きダイヤモンドのマイクロ波プラズ
マ気相合成装置を借用し、その反応室（９）に基板ＯＤ
に付着させたダイヤモンド薄膜０■を配置し、１０〜４
０Ｔｏｒｒの圧力の酸素又は空気の雰囲気下で、マイク
ロ波により発生するプラズマを照射しエツチングする。
マ気相合成装置を借用し、その反応室（９）に基板ＯＤ
に付着させたダイヤモンド薄膜０■を配置し、１０〜４
０Ｔｏｒｒの圧力の酸素又は空気の雰囲気下で、マイク
ロ波により発生するプラズマを照射しエツチングする。
本性（以降、従来法１という）は、ＮＥＷ ＤＩＡＭＯ
ＮＤ、 Ｖｏｌ、５． Ｎｏ、１． Ｐ、１２ （１９
８９）に記載されている。
ＮＤ、 Ｖｏｌ、５． Ｎｏ、１． Ｐ、１２ （１９
８９）に記載されている。
■ 第５図に示す如く、円筒陽極（１２）の両端に陰極
（１３）０４）を配し、該陽極０２）の中心軸に平行に
磁場をかけ、圧カニ １０−”Ｐａのアルゴン雰囲気中
で直流放ｉｔ（ペニング放電）させ、イオンビームを発
生させ、陰極０３）に設けた穴０９を介してダイヤモン
ド薄膜αωに照射しエツチングする。尚、０力は基板、
０印はマスクである。本性（以降、従来法２という）は
、ＮＥＷ ＤＩＡＭＯＮＤ、 Ｖｏｌ、５． Ｎｏ、２
． Ｐ、４０ （１９８９）に記載されている。
（１３）０４）を配し、該陽極０２）の中心軸に平行に
磁場をかけ、圧カニ １０−”Ｐａのアルゴン雰囲気中
で直流放ｉｔ（ペニング放電）させ、イオンビームを発
生させ、陰極０３）に設けた穴０９を介してダイヤモン
ド薄膜αωに照射しエツチングする。尚、０力は基板、
０印はマスクである。本性（以降、従来法２という）は
、ＮＥＷ ＤＩＡＭＯＮＤ、 Ｖｏｌ、５． Ｎｏ、２
． Ｐ、４０ （１９８９）に記載されている。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、上記従来法１においては、マイクロ波放電を
利用するため、得られるプラズマの太きさは直径：約３
ＣＩｌにｉ＃ｌ限され、これ以上のエツチング加工積の
拡大化が困難であるという問題点がある。又、バターニ
ング等の微細力■工例は未だ報告されていない。
利用するため、得られるプラズマの太きさは直径：約３
ＣＩｌにｉ＃ｌ限され、これ以上のエツチング加工積の
拡大化が困難であるという問題点がある。又、バターニ
ング等の微細力■工例は未だ報告されていない。
従来法２においては、陽極近傍の放電を利用するため、
やはりエツチング面積の拡大化が困難である。又、ダイ
ヤモンド薄膜が陰極の近傍にあるため、陰極（金属）が
ＴｉｌＷｌ表面を汚染する可能性があり、不純物の混入
を極度に嫌う電子デバイスの分野へは適用し難いという
問題点がある。
やはりエツチング面積の拡大化が困難である。又、ダイ
ヤモンド薄膜が陰極の近傍にあるため、陰極（金属）が
ＴｉｌＷｌ表面を汚染する可能性があり、不純物の混入
を極度に嫌う電子デバイスの分野へは適用し難いという
問題点がある。
本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって
、その目的はエツチング面積を容易に拡大化し得、−そ
のため大面積の基盤上に形成されたダイヤモンド薄膜に
ついてエツチングをし得、又、ミクロンオーダのパター
ンや回路形成加工の如き極めて微細なエツチング加工を
し得るダイヤモンド薄膜のエツチング方法を提供しよう
とするものである。
、その目的はエツチング面積を容易に拡大化し得、−そ
のため大面積の基盤上に形成されたダイヤモンド薄膜に
ついてエツチングをし得、又、ミクロンオーダのパター
ンや回路形成加工の如き極めて微細なエツチング加工を
し得るダイヤモンド薄膜のエツチング方法を提供しよう
とするものである。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明に係るダイヤモン
ド薄膜Ｒ膜のエツチング方法は次のような構成としてい
る。
ド薄膜Ｒ膜のエツチング方法は次のような構成としてい
る。
即ち、請求項１に記載の方法は、酸素又は／及び水素を
含有するガスの雰囲気で電極間に電圧を印加し、直流放
電により発生する電子ビームをエツチング用マスクの孔
部を通してダイヤモンド薄膜に照射すると共に、前記電
子ビームにより生じるプラズマ化ガスを前記ダイヤモン
ド薄膜に接触させ、該薄膜の局部的ガス化反応により該
薄膜をエツチングすることを特徴とするダイヤモンド薄
膜のエツチング方法である。
含有するガスの雰囲気で電極間に電圧を印加し、直流放
電により発生する電子ビームをエツチング用マスクの孔
部を通してダイヤモンド薄膜に照射すると共に、前記電
子ビームにより生じるプラズマ化ガスを前記ダイヤモン
ド薄膜に接触させ、該薄膜の局部的ガス化反応により該
薄膜をエツチングすることを特徴とするダイヤモンド薄
膜のエツチング方法である。
請求項２に記載の方法は、前記ガスが酸素：５０ｖｏｌ
Ｘ以下の酸素ヘリウム混合ガス、酸素：５０シｏｌＸ以
下の酸素水素混合ガス、又は、水素ガスである請求項１
に記載のダイヤモンド薄膜のエツチング方法である。
Ｘ以下の酸素ヘリウム混合ガス、酸素：５０シｏｌＸ以
下の酸素水素混合ガス、又は、水素ガスである請求項１
に記載のダイヤモンド薄膜のエツチング方法である。
請求項３に記載の方法は、前記雰囲気を０．０１〜５
Ｔｏｒｒの圧力に調整する請求項１に記載のダイヤモン
ド薄膜のエツチング方法である。
Ｔｏｒｒの圧力に調整する請求項１に記載のダイヤモン
ド薄膜のエツチング方法である。
請求項４に記載の方法は、前記ダイヤモンド薄膜を２０
０〜１０００’Ｃの温度に調整する請求項１に記載のダ
イヤモンド薄膜のエツチング方法である。
０〜１０００’Ｃの温度に調整する請求項１に記載のダ
イヤモンド薄膜のエツチング方法である。
請求項５に記載の方法は、前記工・ノチング用マスクが
、温度：２００〜１０００℃の酸素： ５０ｖｏｌ％以
下の酸素ヘリウム混合ガス、酸素： ５０ｖｏｌＸ以下
の酸素水素混合ガス、又は、水素ガスに対して耐食性及
び耐熱性を有する金属又はセラミックス材料よりなる請
求項１に記載のダイヤモンド薄膜のエツチング方法であ
る。
、温度：２００〜１０００℃の酸素： ５０ｖｏｌ％以
下の酸素ヘリウム混合ガス、酸素： ５０ｖｏｌＸ以下
の酸素水素混合ガス、又は、水素ガスに対して耐食性及
び耐熱性を有する金属又はセラミックス材料よりなる請
求項１に記載のダイヤモンド薄膜のエツチング方法であ
る。
（作 用）
本発明に係るダイヤモンド薄膜のエッチング方法は、前
記の如く、酸素又は／及び水素を含有するガスの雰囲気
で！横開に電圧を印加し、直流放電により発生する電子
ビームをエッチング用マスクの孔部を通してダイヤモン
ド薄膜に照射すると共に、前記電子ビームにより生じる
プラズマ化ガスをダイヤモンド薄膜に接触させるように
しているので、上記薄膜のビーム照射部は電子ビームに
よりグラファイト化され、該グラファイトが前記プラズ
マ化ガスと接触する。
記の如く、酸素又は／及び水素を含有するガスの雰囲気
で！横開に電圧を印加し、直流放電により発生する電子
ビームをエッチング用マスクの孔部を通してダイヤモン
ド薄膜に照射すると共に、前記電子ビームにより生じる
プラズマ化ガスをダイヤモンド薄膜に接触させるように
しているので、上記薄膜のビーム照射部は電子ビームに
よりグラファイト化され、該グラファイトが前記プラズ
マ化ガスと接触する。
このようにグラファイトがプラズマ化ガスと接触すると
、グラファイトのガス化反応が活発に進行し、該ガス化
反応により前記薄膜がエツチングされる。尚、該ガス化
反応は、酸素含有ガスの場合にはＣ＋０２→ＣＯ□等の
酸化反応、又、水素含有ガスの場合にはＣ＋２Ｈ２→Ｃ
Ｈａ等の水素添加反応により生じる。
、グラファイトのガス化反応が活発に進行し、該ガス化
反応により前記薄膜がエツチングされる。尚、該ガス化
反応は、酸素含有ガスの場合にはＣ＋０２→ＣＯ□等の
酸化反応、又、水素含有ガスの場合にはＣ＋２Ｈ２→Ｃ
Ｈａ等の水素添加反応により生じる。
かかる反応は前記照射部（エツチング用マスクの孔部を
通してビームがあたる部位）で起こるので、マスク孔部
に応した所定形状のエツチングをし得る。又、プラズマ
化ガスは活性であると共に、グラファイトはダイヤモン
ドに比し極めてガス化反応性に冨むので、上記ガス化の
反応速度を高くし得、そのため高速度でエツチングをし
得る。
通してビームがあたる部位）で起こるので、マスク孔部
に応した所定形状のエツチングをし得る。又、プラズマ
化ガスは活性であると共に、グラファイトはダイヤモン
ドに比し極めてガス化反応性に冨むので、上記ガス化の
反応速度を高くし得、そのため高速度でエツチングをし
得る。
尚、前記電子ビームは、ダイヤモンド薄膜を加熱し、上
記ガス化反応の高速度化にも寄与する。
記ガス化反応の高速度化にも寄与する。
又、電子ビームの口径は電極の直径を拡大することによ
り、大型化できる。従って、エツチング面積を容易に拡
大化し得、そのため大面積の基盤上に形成されたダイヤ
モンド薄膜についてもエツチングをし得るようになる。
り、大型化できる。従って、エツチング面積を容易に拡
大化し得、そのため大面積の基盤上に形成されたダイヤ
モンド薄膜についてもエツチングをし得るようになる。
更に、ダイヤモンド薄膜上に形成したマスクにより、ダ
イヤモンド薄膜は、電子ビームや反応ガスのプラズマよ
り保護され、マスクに覆われている部分はエツチングさ
れない。又、このマスク材料は、従来の半導体デバイス
作成技術により、微細加工が可能であり、ダイヤモンド
薄膜上にミクロンオーダのパターンを形成した場合、そ
のパターンに覆われている部分のみエツチングされずに
残すことができる。従って、ミクロンオーダのパターン
や回路形成加工の如き極めて微細なエッチング加工をし
得るようになる。
イヤモンド薄膜は、電子ビームや反応ガスのプラズマよ
り保護され、マスクに覆われている部分はエツチングさ
れない。又、このマスク材料は、従来の半導体デバイス
作成技術により、微細加工が可能であり、ダイヤモンド
薄膜上にミクロンオーダのパターンを形成した場合、そ
のパターンに覆われている部分のみエツチングされずに
残すことができる。従って、ミクロンオーダのパターン
や回路形成加工の如き極めて微細なエッチング加工をし
得るようになる。
前記酸素又は／及び水素を含有するガスとしては、■酸
素ヘリウム混合ガス、■酸素水素混合ガス、■水素ガス
等を使用することができる。■のガス中のヘリウムは放
電を安定化する作用効果があり、その効果を充分に発揮
するには酸素Ｉ：５０ｖｏｌ！以下にするとよい。■の
ガスは酸素＝５０ｖｏｌ％以下にすると放電をより安定
化し得る。
素ヘリウム混合ガス、■酸素水素混合ガス、■水素ガス
等を使用することができる。■のガス中のヘリウムは放
電を安定化する作用効果があり、その効果を充分に発揮
するには酸素Ｉ：５０ｖｏｌ！以下にするとよい。■の
ガスは酸素＝５０ｖｏｌ％以下にすると放電をより安定
化し得る。
前記雰囲気を０．０１〜５ Ｔｏｒｒの圧力に調整する
とよい、 ０．０ＩＴｏｒｒ未満ではプラズマが発生し
難くなり、５ Ｔｏｒｒ超では放電が不安定化する。
とよい、 ０．０ＩＴｏｒｒ未満ではプラズマが発生し
難くなり、５ Ｔｏｒｒ超では放電が不安定化する。
前記ダイヤモンド薄膜を２００〜１０００℃の温度に調
整することが望ましい。２００℃未満では前記ガス化反
応が生し難くなり、１０００″Ｃ超ではダイヤモンド薄
膜のエツチング速度が急激に増大し、制御不可能になる
。
整することが望ましい。２００℃未満では前記ガス化反
応が生し難くなり、１０００″Ｃ超ではダイヤモンド薄
膜のエツチング速度が急激に増大し、制御不可能になる
。
前記エツチング用マスクは、蒸着膜の如くダイヤモンド
薄膜に付着して設ける必要がある。前記エツチング用マ
スクとしては、上記温度： ２００〜１０００℃におい
て前記の、■又は■のガスに対して耐食性及び耐熱性を
有する金属又はセラくツクス材料よりなるものを使用す
るのがよい。
薄膜に付着して設ける必要がある。前記エツチング用マ
スクとしては、上記温度： ２００〜１０００℃におい
て前記の、■又は■のガスに対して耐食性及び耐熱性を
有する金属又はセラくツクス材料よりなるものを使用す
るのがよい。
尚、本発明に係るダイヤモンド薄膜のエツチング方法は
、前記の如く大面積をエツチングし得るので、全面的に
僅かにエツチングし、ダイヤモンド膜の表面改質を図る
場合の方法としても利用できる。
、前記の如く大面積をエツチングし得るので、全面的に
僅かにエツチングし、ダイヤモンド膜の表面改質を図る
場合の方法としても利用できる。
（実施例）
１施班上
実施例１に係るダイヤモンド薄膜のエツチング装置の概
要図を第１図に示す。基板上にダイヤモンド薄膜（４）
を密着して設け、これを第１図に示す如く、反応室（１
）に配し、酸素： １０ｖｏｌχ、残部：ヘリウムから
なる混合ガスの雰囲気（圧カニ０．９Ｔｏｒｒ）で、電
極（２） （５）間に電圧を印加し、直流放電により発
生する電子ビームをダイヤモンド薄膜（４）に照射した
。二のようにすると、前記電子ビームにより雰囲気のガ
スがプラズマ化し、前記照射部にも接触し、前述の作用
によりダイヤモンド薄膜（４）がエツチングされる。か
かるエツチングを、基板加熱用ヒータａ９により基板（
３）の温度を変化させて行い、該温度とエツチング！！
ｋ（ダイヤモンド薄膜の膜厚減少りとの関係を求めた。
要図を第１図に示す。基板上にダイヤモンド薄膜（４）
を密着して設け、これを第１図に示す如く、反応室（１
）に配し、酸素： １０ｖｏｌχ、残部：ヘリウムから
なる混合ガスの雰囲気（圧カニ０．９Ｔｏｒｒ）で、電
極（２） （５）間に電圧を印加し、直流放電により発
生する電子ビームをダイヤモンド薄膜（４）に照射した
。二のようにすると、前記電子ビームにより雰囲気のガ
スがプラズマ化し、前記照射部にも接触し、前述の作用
によりダイヤモンド薄膜（４）がエツチングされる。か
かるエツチングを、基板加熱用ヒータａ９により基板（
３）の温度を変化させて行い、該温度とエツチング！！
ｋ（ダイヤモンド薄膜の膜厚減少りとの関係を求めた。
その結果、第２図に示す如く、基板温度が高い程、エツ
チング量が大きい。これは、ダイヤモンド薄膜の温度が
高い程、前記ガス化反応速度が高く、エツチングされ易
い事を示している。
チング量が大きい。これは、ダイヤモンド薄膜の温度が
高い程、前記ガス化反応速度が高く、エツチングされ易
い事を示している。
１箇班り
第３図に示す如く、先ずシリコン基板（８）上にダイヤ
モンド薄膜（７）を５μ園の厚さに被覆した後、通常の
フォトリソグラフィ技術によりマスクとして上記薄膜（
７）の上に５〜２０μｍ幅、４０００人厚の金の薄膜（
６）のパターンを形成した。次いで、実施例１と同様の
装置を用い、同様の方法によりエツチングを行った。但
し、基板温度は８００’Ｃにした。
モンド薄膜（７）を５μ園の厚さに被覆した後、通常の
フォトリソグラフィ技術によりマスクとして上記薄膜（
７）の上に５〜２０μｍ幅、４０００人厚の金の薄膜（
６）のパターンを形成した。次いで、実施例１と同様の
装置を用い、同様の方法によりエツチングを行った。但
し、基板温度は８００’Ｃにした。
上記エツチング後、金の薄膜（マスク）をエッチング溶
液で溶解除去した。その結果、金属膜のパターンにした
がって５〜２０μｍ幅を有するダイヤモンド薄膜パター
ンを得ることができた。
液で溶解除去した。その結果、金属膜のパターンにした
がって５〜２０μｍ幅を有するダイヤモンド薄膜パター
ンを得ることができた。
尖巌拠主
雰囲気ガスとして水素ガスを使用した。かかる点を除き
、実施例２と同様の方法によりエツチングを行った。そ
の結果、所要のパターンを有するダイヤモンド薄膜を得
ることができた。
、実施例２と同様の方法によりエツチングを行った。そ
の結果、所要のパターンを有するダイヤモンド薄膜を得
ることができた。
１蓋貫（
雰囲気ガスとして、酸素： １０ｖｏｌ＄、水素：９０
ｖｏｌ２からなる混合ガスを使用した。かかる点を除き
、実施例２と同様の方法によりエツチングを行った。そ
の結果、所要のパターンを有するダイヤモンド薄膜を得
ることができた。
ｖｏｌ２からなる混合ガスを使用した。かかる点を除き
、実施例２と同様の方法によりエツチングを行った。そ
の結果、所要のパターンを有するダイヤモンド薄膜を得
ることができた。
（発明の効果）
本発明に係るダイヤモンド薄膜のエツチング方法によれ
ば、エツチング面積を容易に拡大化し得、そのため大面
積の基板上に形成されたダイヤモンド薄膜についてエツ
チングをし得、又、ミクロンオーダのパターンや回路形
成加工の如き極めて微細なエツチング加工をし得るよう
になる。
ば、エツチング面積を容易に拡大化し得、そのため大面
積の基板上に形成されたダイヤモンド薄膜についてエツ
チングをし得、又、ミクロンオーダのパターンや回路形
成加工の如き極めて微細なエツチング加工をし得るよう
になる。
更には、エツチングの速度を高くし得、ダイヤモンド薄
膜のエツチング生産性を大幅に向上し得るようになると
いう効果もある。
膜のエツチング生産性を大幅に向上し得るようになると
いう効果もある。
第１図は、実施例１に係るダイヤモンド薄膜のエツチン
グ装置の概要図、第２図は、実施例１に係る基板温度と
ダイヤモンド薄膜の膜厚減少量との関係を示す図、第３
図は、実施例２に係る金の薄膜のパターンを有するダイ
ヤモンド薄膜及びシリコン基板の概要を示す断面−１第
４図は、従来法に使用されるマイクロ波プラズマ気相合
威装置の概要図、第５図は従来法に係るイオンビーム方
式のエツチング法を説明するための同である。 （１）−反応室 （２） （５）−電極 （３）（
１１１０カー基板（４）（７）００）０６）−？’イヤ
モントＦ４Ｎ （６）−４４＋ｆｆ膜（８）−シリ
コン基板 （９）−反応室ａ２）−円筒陽８ｉ０３
） ０４１−陰極０５）−穴 ０８）−
マスク０９）一基板加熱用ヒータ （２Ｉ−ヒータ用電
源第１図 真空排気
グ装置の概要図、第２図は、実施例１に係る基板温度と
ダイヤモンド薄膜の膜厚減少量との関係を示す図、第３
図は、実施例２に係る金の薄膜のパターンを有するダイ
ヤモンド薄膜及びシリコン基板の概要を示す断面−１第
４図は、従来法に使用されるマイクロ波プラズマ気相合
威装置の概要図、第５図は従来法に係るイオンビーム方
式のエツチング法を説明するための同である。 （１）−反応室 （２） （５）−電極 （３）（
１１１０カー基板（４）（７）００）０６）−？’イヤ
モントＦ４Ｎ （６）−４４＋ｆｆ膜（８）−シリ
コン基板 （９）−反応室ａ２）−円筒陽８ｉ０３
） ０４１−陰極０５）−穴 ０８）−
マスク０９）一基板加熱用ヒータ （２Ｉ−ヒータ用電
源第１図 真空排気
Claims (5)
- （１）酸素又は／及び水素を含有するガスの雰囲気で電
極間に電圧を印加し、直流放電により発生する電子ビー
ムをエッチング用マスクの孔部を通してダイヤモンド薄
膜に照射すると共に、前記電子ビームにより生じるプラ
ズマ化ガスを前記ダイヤモンド薄膜に接触させ、該薄膜
の局部的ガス化反応により該薄膜をエッチングすること
を特徴とするダイヤモンド薄膜のエッチング方法。 - （２）前記ガスが酸素：５０ｖｏｌ％以下の酸素ヘリウ
ム混合ガス、酸素：５０ｖｏｌ％以下の酸素水素混合ガ
ス、又は、水素ガスである請求項１に記載のダイヤモン
ド薄膜のエッチング方法。 - （３）前記雰囲気を０．０１〜５Ｔｏｒｒの圧力に調整
する請求項１に記載のダイヤモンド薄膜のエッチング方
法。 - （４）前記ダイヤモンド薄膜を２００〜１０００℃の温
度に調整する請求項１に記載のダイヤモンド薄膜のエッ
チング方法。 - （５）前記エッチング用マスクが、温度：２００〜１０
００℃の酸素：５０ｖｏｌ％以下の酸素ヘリウム混合ガ
ス、酸素：５０ｖｏｌ％以下の酸素水素混合ガス、又は
、水素ガスに対して耐食性及び耐熱性を有する金属又は
セラミックス材料よりなる請求項１に記載のダイヤモン
ド薄膜のエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071672A JP2763172B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
| GB9105709A GB2244958B (en) | 1990-03-19 | 1991-03-18 | Method for etching diamond films |
| US07/670,590 US5160405A (en) | 1990-03-19 | 1991-03-18 | Method of etching diamond thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2071672A JP2763172B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03271200A true JPH03271200A (ja) | 1991-12-03 |
| JP2763172B2 JP2763172B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=13467316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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