JPH10226589A - ダイヤモンドヒートシンクの製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドヒートシンクの製造方法Info
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- JPH10226589A JPH10226589A JP9030102A JP3010297A JPH10226589A JP H10226589 A JPH10226589 A JP H10226589A JP 9030102 A JP9030102 A JP 9030102A JP 3010297 A JP3010297 A JP 3010297A JP H10226589 A JPH10226589 A JP H10226589A
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- H10W70/02—Manufacture or treatment of conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. of metal plates
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- H10W40/20—Arrangements for cooling
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- Y10S257/93—Thermoelectric, e.g. peltier effect cooling
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 切断面のダメージ層が除去され、所定の絶縁
性が確保されたダイヤモンドヒートシンクの製造方法を
提供すること。 【解決手段】 その上下２面にそれぞれ金属膜が形成さ
れたダイヤモンド多結晶体を準備する。ダイヤモンド多
結晶体を、上下方向に切断し、それによって上面と下面
と、該上面と下面を結ぶ切断面を有するダイヤモンド多
結晶体片１を形成する。ダイヤモンド多結晶体片１の切
断面をプラズマ処理する。
性が確保されたダイヤモンドヒートシンクの製造方法を
提供すること。 【解決手段】 その上下２面にそれぞれ金属膜が形成さ
れたダイヤモンド多結晶体を準備する。ダイヤモンド多
結晶体を、上下方向に切断し、それによって上面と下面
と、該上面と下面を結ぶ切断面を有するダイヤモンド多
結晶体片１を形成する。ダイヤモンド多結晶体片１の切
断面をプラズマ処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般にダイヤモ
ンドヒートシンクの製造方法に関するものであり、より
特定的には、気相合成法により構成されたダイヤモンド
の表面に金属処理を施したダイヤモンドヒートシンクの
製造方法に関するものである。
ンドヒートシンクの製造方法に関するものであり、より
特定的には、気相合成法により構成されたダイヤモンド
の表面に金属処理を施したダイヤモンドヒートシンクの
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会の進展に伴い、その伝送
手段である半導体レーザーダイオード、インパットダイ
オード等の半導体素子の性能向上には目を見張るものが
ある。これらの半導体素子の性能を向上させるために
は、これらの素子から発生する熱エネルギを放散させ、
温度上昇を抑制することが必要である。ヒートシンク
は、このような放熱に用いるものである。ヒートシンク
の材料としては、天然のダイヤモンドのＩＩａ型が最も
優れたものとして使用されていた。
手段である半導体レーザーダイオード、インパットダイ
オード等の半導体素子の性能向上には目を見張るものが
ある。これらの半導体素子の性能を向上させるために
は、これらの素子から発生する熱エネルギを放散させ、
温度上昇を抑制することが必要である。ヒートシンク
は、このような放熱に用いるものである。ヒートシンク
の材料としては、天然のダイヤモンドのＩＩａ型が最も
優れたものとして使用されていた。
【０００３】また、合成ダイヤモンドで作られたヒート
シンクも開発されており、これは天然のダイヤモンドＩ
Ｉａ型と同等の高い熱伝導率を有し、しかも品質のばら
つきが小さいため、安定した放熱性能を発揮し、各種半
導体デバイスの性能・信頼性向上、長寿命化に寄与して
いる。
シンクも開発されており、これは天然のダイヤモンドＩ
Ｉａ型と同等の高い熱伝導率を有し、しかも品質のばら
つきが小さいため、安定した放熱性能を発揮し、各種半
導体デバイスの性能・信頼性向上、長寿命化に寄与して
いる。
【０００４】この発明は、このような合成ダイヤモン
ド、すなわち、気相合成法により合成されたダイヤモン
ドの表面に金属処理を施したダイヤモンドヒートシンク
の製造方法に関する。
ド、すなわち、気相合成法により合成されたダイヤモン
ドの表面に金属処理を施したダイヤモンドヒートシンク
の製造方法に関する。
【０００５】次に、従来のダイヤモンドのヒートシンク
の製造方法の５つの具体例について説明する。第１の従
来例においては、まず、ダイヤモンド多結晶体を、ダイ
ヤモンドソーによって切断する。所定の形状に切断され
たダイヤモンドを、互いに隙間なく並べて、金属化処理
をする。上下面に金属化処理を施すことによって、ダイ
ヤモンドヒートシンクは完成する。
の製造方法の５つの具体例について説明する。第１の従
来例においては、まず、ダイヤモンド多結晶体を、ダイ
ヤモンドソーによって切断する。所定の形状に切断され
たダイヤモンドを、互いに隙間なく並べて、金属化処理
をする。上下面に金属化処理を施すことによって、ダイ
ヤモンドヒートシンクは完成する。
【０００６】第２の従来法においては、ダイヤモンド多
結晶体をダイヤモンドソーによって所定の形状に切断す
る。さらに、全面に金属化処理を施した後、端面を砥石
で研削して、上下面のみに金属膜を残して、ダイヤモン
ドヒートシンクを完成させる。
結晶体をダイヤモンドソーによって所定の形状に切断す
る。さらに、全面に金属化処理を施した後、端面を砥石
で研削して、上下面のみに金属膜を残して、ダイヤモン
ドヒートシンクを完成させる。
【０００７】第３の従来法においては、ダイヤモンド多
結晶体の表面を金属化処理した後、ダイヤモンドソーに
よって所定の形状に切断し、それによりダイヤモンドヒ
ートシンクを完成させる。
結晶体の表面を金属化処理した後、ダイヤモンドソーに
よって所定の形状に切断し、それによりダイヤモンドヒ
ートシンクを完成させる。
【０００８】第４の従来法においては、特開平５−１１
４６７号公報に記載されているように、ダイヤモンド多
結晶体の表面を金属化処理した後、レーザーによりダイ
ヤモンドに溝入れを行ない、その後、機械的に分離し、
ダイヤモンドヒートシンクを完成させる。
４６７号公報に記載されているように、ダイヤモンド多
結晶体の表面を金属化処理した後、レーザーによりダイ
ヤモンドに溝入れを行ない、その後、機械的に分離し、
ダイヤモンドヒートシンクを完成させる。
【０００９】第５の従来法においては、まず最初に、レ
ーザーにより、ダイヤモンドを所定の形状に切断する。
さらに、端面の導電性部分を酸処理で除去し、その後、
互いに隙間なく並べて、金属化処理する。上下面の金属
化処理を施すことによって、ダイヤモンドヒートシンク
が完成する。
ーザーにより、ダイヤモンドを所定の形状に切断する。
さらに、端面の導電性部分を酸処理で除去し、その後、
互いに隙間なく並べて、金属化処理する。上下面の金属
化処理を施すことによって、ダイヤモンドヒートシンク
が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の、ダイヤモンド
ヒートシンクの製造は、上述のように行なわれていた。
ヒートシンクの製造は、上述のように行なわれていた。
【００１１】しかし、ダイヤモンドソーによる切断法で
は、精度よくダイヤモンド多結晶体を切断することが難
しく、また切断による切り代が大きいという問題点があ
った。
は、精度よくダイヤモンド多結晶体を切断することが難
しく、また切断による切り代が大きいという問題点があ
った。
【００１２】また、研削を行なう場合は、削り代も考慮
する必要があった。レーザーによる切断では、精度よく
行なうことが容易であるが、レーザーのダメージによる
切断面に導電性の層（グラファイト層）ができる場合が
ある。そのため、導電性の層を除去するため酸処理を行
なう必要がある。そして、この場合、ダイヤモンド多結
晶体を所定の形状に切断した後、金属化処理を行なう必
要がある。しかしながら、所定の形状にダイヤモンド多
結晶体を切断した後では、フォトリソグラフィー等を用
いた複雑なパターンを持った金属化処理を施すことがで
きないという問題点があった。
する必要があった。レーザーによる切断では、精度よく
行なうことが容易であるが、レーザーのダメージによる
切断面に導電性の層（グラファイト層）ができる場合が
ある。そのため、導電性の層を除去するため酸処理を行
なう必要がある。そして、この場合、ダイヤモンド多結
晶体を所定の形状に切断した後、金属化処理を行なう必
要がある。しかしながら、所定の形状にダイヤモンド多
結晶体を切断した後では、フォトリソグラフィー等を用
いた複雑なパターンを持った金属化処理を施すことがで
きないという問題点があった。
【００１３】また、金属化処理を施した後の、レーザー
による上記溝入れ法では、最後の機械的な分離を施す際
に、端面に欠損部を生じるという問題点があった。
による上記溝入れ法では、最後の機械的な分離を施す際
に、端面に欠損部を生じるという問題点があった。
【００１４】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、精度よく、また効率よく加工
することができるように改良された、ダイヤモンドヒー
トシンクの製造方法を提供することを目的とする。
るためになされたもので、精度よく、また効率よく加工
することができるように改良された、ダイヤモンドヒー
トシンクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るダイヤモ
ンドヒートシンクの製造方法においては、まず、その上
下２面にそれぞれ金属膜が形成されたダイヤモンド多結
晶体を準備する。上記ダイヤモンド多結晶体を上下方向
に切断し、それによって上面と下面と、該上面と下面を
結ぶ切断面を有するダイヤモンド多結晶体片を形成す
る。上記ダイヤモンド多結晶体片の上記切断面をプラズ
マ処理する。
ンドヒートシンクの製造方法においては、まず、その上
下２面にそれぞれ金属膜が形成されたダイヤモンド多結
晶体を準備する。上記ダイヤモンド多結晶体を上下方向
に切断し、それによって上面と下面と、該上面と下面を
結ぶ切断面を有するダイヤモンド多結晶体片を形成す
る。上記ダイヤモンド多結晶体片の上記切断面をプラズ
マ処理する。
【００１６】ダイヤモンド多結晶体片の切断面をプラズ
マ処理するので、切断面のダメージが除去され、所定の
絶縁性が確保された、ダイヤモンドヒートシンクが得ら
れる。
マ処理するので、切断面のダメージが除去され、所定の
絶縁性が確保された、ダイヤモンドヒートシンクが得ら
れる。
【００１７】この発明の好ましい実施態様によれば、ダ
イヤモンド多結晶体の切断を、ＹＡＧレーザー、エキシ
マレーザーを用いるので、精度よく、また効率よく加工
することができる。
イヤモンド多結晶体の切断を、ＹＡＧレーザー、エキシ
マレーザーを用いるので、精度よく、また効率よく加工
することができる。
【００１８】また、この発明の好ましい実施態様によれ
ば、上記プラズマ処理を、酸素、ハロゲン、ハロゲン化
合物、不活性ガスを用いて行なう。これによると、清浄
な表面のダイヤが得られる。
ば、上記プラズマ処理を、酸素、ハロゲン、ハロゲン化
合物、不活性ガスを用いて行なう。これによると、清浄
な表面のダイヤが得られる。
【００１９】また、この発明の好ましい実施態様によれ
ば、上記プラズマ処理を、上記切断面以外の面を、上記
金属膜より柔らかい樹脂膜で保護して行なう。
ば、上記プラズマ処理を、上記切断面以外の面を、上記
金属膜より柔らかい樹脂膜で保護して行なう。
【００２０】この発明のさらに他の好ましい実施態様に
よれば、ハロゲン化合物としてＣＦ 4 を用い、ＣＦ4 ／
Ｏ2 比を最適化している。ＣＦ4 が７０％を超えると、
ダイヤモンドのダメージ層の除去の効果より、金属化処
理層にダメージを与える効果が増えるため、ＣＦ4 は７
０％以下が望ましい。金属膜のダメージを最小限にする
ためには、５０％以下が好ましい。
よれば、ハロゲン化合物としてＣＦ 4 を用い、ＣＦ4 ／
Ｏ2 比を最適化している。ＣＦ4 が７０％を超えると、
ダイヤモンドのダメージ層の除去の効果より、金属化処
理層にダメージを与える効果が増えるため、ＣＦ4 は７
０％以下が望ましい。金属膜のダメージを最小限にする
ためには、５０％以下が好ましい。
【００２１】また、酸素のみでもダイヤモンドのダメー
ジ層を除去できるが、望ましくは、ＣＦ4 ／Ｏ2 が５％
以上が好ましい。これによると、ダメージ層除去の後の
ダイヤモンド表面が平坦になる。
ジ層を除去できるが、望ましくは、ＣＦ4 ／Ｏ2 が５％
以上が好ましい。これによると、ダメージ層除去の後の
ダイヤモンド表面が平坦になる。
【００２２】また、ダイヤモンドヒートシンクの上下面
の電気抵抗が１×１０6 Ω以上になるようにダメージを
除去している。この値は、一般に半導体レーザーに必要
な絶縁抵抗値であり、これ以下の抵抗では、半導体レー
ザーの性能が低下する。
の電気抵抗が１×１０6 Ω以上になるようにダメージを
除去している。この値は、一般に半導体レーザーに必要
な絶縁抵抗値であり、これ以下の抵抗では、半導体レー
ザーの性能が低下する。
【００２３】またダイヤモンド多結晶体として、熱伝導
率が５ｗ／ｃｍＫ以上のものを用いているので、ヒート
シンクとして性能を十分に発揮することができるように
なる。
率が５ｗ／ｃｍＫ以上のものを用いているので、ヒート
シンクとして性能を十分に発揮することができるように
なる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態にお
けるダイヤモンドヒートシンクの製造方法を、概略的に
示す工程図である。まず、多結晶ダイヤモンド体を作製
する。多結晶ダイヤモンドの金属化処理を行ない、その
上下２面にそれぞれ金属膜（金属化処理層ともいうこと
がある）を形成する。金属膜のパターニングを行なう。
この金属膜のパターニングについては、後述する。ダイ
ヤモンド多結晶体を、上下方向に切断し、それによって
上面と下面と、該上面と下面を結ぶ切断面を有するダイ
ヤモンド多結晶体片を形成する。次にダイヤモンド多結
晶体片の切断面をプラズマ処理し、絶縁化する。
けるダイヤモンドヒートシンクの製造方法を、概略的に
示す工程図である。まず、多結晶ダイヤモンド体を作製
する。多結晶ダイヤモンドの金属化処理を行ない、その
上下２面にそれぞれ金属膜（金属化処理層ともいうこと
がある）を形成する。金属膜のパターニングを行なう。
この金属膜のパターニングについては、後述する。ダイ
ヤモンド多結晶体を、上下方向に切断し、それによって
上面と下面と、該上面と下面を結ぶ切断面を有するダイ
ヤモンド多結晶体片を形成する。次にダイヤモンド多結
晶体片の切断面をプラズマ処理し、絶縁化する。
【００２５】
【実施例】以下、この発明の実施例を、図について説明
する。
する。
【００２６】実施例１ ダイヤモンド多結晶体を、フィラメントＣＶＤ法により
合成した。このダイヤモンド多結晶体は、厚さが０．３
ｍｍ、縦横が２５．４ｍｍの寸法になるように形成され
た。この寸法の多結晶体は、研削加工により、０．２５
ｍｍの厚みに仕上げられた。
合成した。このダイヤモンド多結晶体は、厚さが０．３
ｍｍ、縦横が２５．４ｍｍの寸法になるように形成され
た。この寸法の多結晶体は、研削加工により、０．２５
ｍｍの厚みに仕上げられた。
【００２７】研削加工されたダイヤモンド多結晶体の上
下両面に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、金錫の順で、スパッタリ
ング法により、金属膜を形成した。このとき、Ｔｉが６
００Å、Ｐｔが８００Å、Ａｕが１００００Å、金錫が
３００００Åであった。
下両面に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、金錫の順で、スパッタリ
ング法により、金属膜を形成した。このとき、Ｔｉが６
００Å、Ｐｔが８００Å、Ａｕが１００００Å、金錫が
３００００Åであった。
【００２８】次に、金属膜上面に、スピンコーティング
により、フォトレジストを塗布して、フォトリソグラフ
ィー工程により、実装素子に適応したパターンをフォト
レジストに転写し、さらに、イオンビームエッチングに
より、金属膜のパターンを形成した。
により、フォトレジストを塗布して、フォトリソグラフ
ィー工程により、実装素子に適応したパターンをフォト
レジストに転写し、さらに、イオンビームエッチングに
より、金属膜のパターンを形成した。
【００２９】次に、金属膜のパターンが形成されたダイ
ヤモンド多結晶体を、ＹＡＧレーザーにより、格子状に
切断し、ダイヤモンド多結晶体ヒートシンク（多結晶体
片ともいうことがある）を形成した。得られたダイヤモ
ンド多結晶体ヒートシンクは、ＹＡＧレーザーによるダ
メージを受けて、ダイヤモンド切断面にグラファイト層
ができ、導電化して、上下面の抵抗が１０2 Ω以下であ
った。
ヤモンド多結晶体を、ＹＡＧレーザーにより、格子状に
切断し、ダイヤモンド多結晶体ヒートシンク（多結晶体
片ともいうことがある）を形成した。得られたダイヤモ
ンド多結晶体ヒートシンクは、ＹＡＧレーザーによるダ
メージを受けて、ダイヤモンド切断面にグラファイト層
ができ、導電化して、上下面の抵抗が１０2 Ω以下であ
った。
【００３０】次に、図２を参照して、ダイヤモンドヒー
トシンク１と、テフロン樹脂の緩衝材２とを重ねて、切
断面がプラズマに晒されるように、反応性イオンエッチ
ング装置（ＲＩＥ装置）に導入した。緩衝材２とヒート
シンク１を図のように重ねることにより、切断面のみが
プラズマに晒され、金属膜の面はプラズマに晒されない
ようになる。エッチング条件は、酸素５０ｓｃｃｍ、Ｃ
Ｆ4 ２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ、全圧５０ｍＴ
ｏｒｒに選び、１分間、処理を行なった。
トシンク１と、テフロン樹脂の緩衝材２とを重ねて、切
断面がプラズマに晒されるように、反応性イオンエッチ
ング装置（ＲＩＥ装置）に導入した。緩衝材２とヒート
シンク１を図のように重ねることにより、切断面のみが
プラズマに晒され、金属膜の面はプラズマに晒されない
ようになる。エッチング条件は、酸素５０ｓｃｃｍ、Ｃ
Ｆ4 ２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ、全圧５０ｍＴ
ｏｒｒに選び、１分間、処理を行なった。
【００３１】その結果、切断面のダメージ層が除去さ
れ、上下面の間の抵抗は５×１０9 Ωとなり、所定の絶
縁性が確保された。
れ、上下面の間の抵抗は５×１０9 Ωとなり、所定の絶
縁性が確保された。
【００３２】実施例２ まず、ダイヤモンド多結晶体を、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法により合成した。このダイヤモンド多結晶体は、
厚さが０．８ｍｍ、３０ｍｍφの寸法に形成された。次
に、このダイヤモンド多結晶体を、研削加工により、
０．６ｍｍの厚みに仕上げた。研削加工されたダイヤモ
ンド多結晶体の上下両面に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、金錫の
順で蒸着法により、蒸着させ、金属膜を形成した。それ
ぞれの厚みは、Ｔｉが５００Å、Ｐｔが４００Å、Ａｕ
が１００００Å、金錫が５００００Åであった。
ＶＤ法により合成した。このダイヤモンド多結晶体は、
厚さが０．８ｍｍ、３０ｍｍφの寸法に形成された。次
に、このダイヤモンド多結晶体を、研削加工により、
０．６ｍｍの厚みに仕上げた。研削加工されたダイヤモ
ンド多結晶体の上下両面に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、金錫の
順で蒸着法により、蒸着させ、金属膜を形成した。それ
ぞれの厚みは、Ｔｉが５００Å、Ｐｔが４００Å、Ａｕ
が１００００Å、金錫が５００００Åであった。
【００３３】次に、実施例１と同様にフォトリソグラフ
ィー技術を用いて、上面に、金属膜のパターンを形成し
た。パターンが形成された金属膜を有するダイヤモンド
多結晶体を、ＹＡＧレーザーにより６ｍｍ×２ｍｍに切
断し、多結晶体片を得た。この多結晶体片には、ＹＡＧ
レーザーのダメージが存在しており、切断面が導電化し
ており、ダイヤモンド多結晶体片の上下面の抵抗は１０
3 Ω以下であった。
ィー技術を用いて、上面に、金属膜のパターンを形成し
た。パターンが形成された金属膜を有するダイヤモンド
多結晶体を、ＹＡＧレーザーにより６ｍｍ×２ｍｍに切
断し、多結晶体片を得た。この多結晶体片には、ＹＡＧ
レーザーのダメージが存在しており、切断面が導電化し
ており、ダイヤモンド多結晶体片の上下面の抵抗は１０
3 Ω以下であった。
【００３４】次に、図３を参照して、ダイヤモンド多結
晶体片１を立てて保持する開口部３ａを有する治具３を
準備する。治具３に、ダイヤモンド多結晶体片１を立て
て保持させる。このとき、多結晶体片１の切断面が露出
するように、治具３に固定する。図３中の右側の図は、
治具の開口部３ａにダイヤモンド多結晶体片１をセット
したときの平面図を示す。
晶体片１を立てて保持する開口部３ａを有する治具３を
準備する。治具３に、ダイヤモンド多結晶体片１を立て
て保持させる。このとき、多結晶体片１の切断面が露出
するように、治具３に固定する。図３中の右側の図は、
治具の開口部３ａにダイヤモンド多結晶体片１をセット
したときの平面図を示す。
【００３５】図４を参照して、治具３の上に、ダイヤモ
ンド多結晶体片１の切断面を露出させるためのスリット
６を有する金属膜マスク（厚さ５０μｍ）５を、治具３
の上に置く。金属マスク５は、ＲＩＥ中に、酸素イオン
が、ダイヤモンド多結晶体片４の上に設けられた金錫面
に回り込まないようにするためのものである。図４中
の、右側に小さく描かれた図面は、治具３の上に金属マ
スク５が置かれたときの、平面図の一部である。
ンド多結晶体片１の切断面を露出させるためのスリット
６を有する金属膜マスク（厚さ５０μｍ）５を、治具３
の上に置く。金属マスク５は、ＲＩＥ中に、酸素イオン
が、ダイヤモンド多結晶体片４の上に設けられた金錫面
に回り込まないようにするためのものである。図４中
の、右側に小さく描かれた図面は、治具３の上に金属マ
スク５が置かれたときの、平面図の一部である。
【００３６】図５を参照して、金属マスク５が固定され
た治具３を、ＲＩＥ装置に搬入し、ＲＩＥ処理を行な
う。エッチング条件は、全圧１０ｍＴｏｒｒ、Ｏ2 ５０
ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ３０分処理であった。
た治具３を、ＲＩＥ装置に搬入し、ＲＩＥ処理を行な
う。エッチング条件は、全圧１０ｍＴｏｒｒ、Ｏ2 ５０
ｓｃｃｍ、ＲＦパワー３００Ｗ３０分処理であった。
【００３７】図５を参照して、このＲＩＥ処理により、
酸素イオンのプラズマ７により、ダイヤモンド多結晶体
片１の、ＹＡＧレーザーのダメージによって形成された
グラファイト成分がエッチング除去され、上下面の抵抗
は４×１０9 Ωとなり、所定の絶縁性が確保された。
酸素イオンのプラズマ７により、ダイヤモンド多結晶体
片１の、ＹＡＧレーザーのダメージによって形成された
グラファイト成分がエッチング除去され、上下面の抵抗
は４×１０9 Ωとなり、所定の絶縁性が確保された。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、ダイヤモンド多結晶体片の切断面をプラズマ処理す
るので、切断面に形成されていたグラファイト成分がエ
ッチング除去され、所定の絶縁性が確保されるという効
果を奏する。
ば、ダイヤモンド多結晶体片の切断面をプラズマ処理す
るので、切断面に形成されていたグラファイト成分がエ
ッチング除去され、所定の絶縁性が確保されるという効
果を奏する。
【図１】ダイヤモンドヒートシンクの製造工程を示す図
である。
である。
【図２】実施例１に係るダイヤモンドヒートシンクの製
造方法の主要工程を示す図である。
造方法の主要工程を示す図である。
【図３】実施例２に係るダイヤモンドヒートシンクの製
造方法の主要部の第１の工程を示す図である。
造方法の主要部の第１の工程を示す図である。
【図４】実施例２に係るダイヤモンドヒートシンクの製
造方法の主要部の第２の工程を示す図である。
造方法の主要部の第２の工程を示す図である。
【図５】実施例２に係るダイヤモンドヒートシンクの製
造方法の主要部の第３の工程を示す図である。
造方法の主要部の第３の工程を示す図である。
１ ダイヤモンド多結晶体片 ２ 緩衝材 ３ 治具 ５ 金属マスク ６ スリット ７ 酸素プラズマ
Claims (9)
- 【請求項１】 その上下２面にそれぞれ金属膜が形成さ
れたダイヤモンド多結晶体を準備する工程と、 前記ダイヤモンド多結晶体を上下方向に切断し、それに
よって上面と下面と、該上面と下面を結ぶ切断面を有す
るダイヤモンド多結晶体片を形成する工程と、 前記ダイヤモンド多結晶体片の前記切断面をプラズマ処
理する工程と、を備えた、ダイヤモンドヒートシンクの
製造方法。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド多結晶体の切断は、Ｙ
ＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを用いて行なう、
請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方
法。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理は、酸素、ハロゲン、
ハロゲン化合物または不活性ガスを用いることによって
行なう、請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの
製造方法。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンド多結晶体片の前記切断
面のプラズマ処理は、前記切断面以外の面を、前記金属
膜より柔らかい樹脂でマスクして行なう、請求項１に記
載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンド多結晶体片の前記切断
面のプラズマ処理を、前記ダイヤモンド多結晶体片の前
記上面と前記下面に前記プラズマを回り込ませないよう
に、前記上面と前記下面をマスクする、金属マスクを用
いて行なう、請求項１に記載の、ダイヤモンドヒートシ
ンクの製造方法。 - 【請求項６】 前記上下２面の間の電気抵抗が１×１０
6 Ω以上になるまで、前記プラズマ処理を行なう、請求
項１に記載の、ダイヤモンドヒートシンクの製造方法。 - 【請求項７】 前記ダイヤモンド多結晶体として、熱伝
導率５ｗ／ｃｍＫ以上のものを用いる、請求項１に記載
の、ダイヤモンドヒートシンクの製造方法。 - 【請求項８】 前記ハロゲン化合物としてＣＦ4 を用
い、ＣＦ4 ／Ｏ2 が０％〜７０％になるようにして行な
う、請求項３に記載の、ダイヤモンドヒートシンクの製
造方法。 - 【請求項９】 前記ハロゲン化合物としてＣＦ4 を用
い、ＣＦ4 ／Ｏ2 が５％〜５０％になるようにして行な
う、請求項８に記載の、ダイヤモンドヒートシンクの製
造方法。
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| JP9030102A JPH10226589A (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | ダイヤモンドヒートシンクの製造方法 |
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