JPH03273543A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03273543A JPH03273543A JP7421190A JP7421190A JPH03273543A JP H03273543 A JPH03273543 A JP H03273543A JP 7421190 A JP7421190 A JP 7421190A JP 7421190 A JP7421190 A JP 7421190A JP H03273543 A JPH03273543 A JP H03273543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- recording
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光を用いて情報の記録、再生、消去を
行う光磁気記録媒体に関するものである。
行う光磁気記録媒体に関するものである。
光磁気ディスクはレーザー光を用いて情報の記録、再生
及び消去を行うため記憶容量が大きく。
及び消去を行うため記憶容量が大きく。
しかも記録膜に磁性体を用いているため書換えが可能で
ある。又非接触で記録、再生が出来、Ｊ！！埃の影響を
受けないことから安定性にも優れている。
ある。又非接触で記録、再生が出来、Ｊ！！埃の影響を
受けないことから安定性にも優れている。
この光磁気記録層（以下記録層と記す）に用いる材料と
してはＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−丁Ｍ）非晶質合金が
知られており、これらの非晶質合金は、粒界ノイズが無
く、スパッタリング等を用いることによって容易に垂直
磁化膜が得られることから盛んに開発が行われており、
現在一部では商品化の段階に至っている。
してはＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−丁Ｍ）非晶質合金が
知られており、これらの非晶質合金は、粒界ノイズが無
く、スパッタリング等を用いることによって容易に垂直
磁化膜が得られることから盛んに開発が行われており、
現在一部では商品化の段階に至っている。
この光磁気記録媒体の構成として、レーザー光の記録再
生効率を向上させるために記録層を２００〜３００人の
厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける方式が提案さ
れている（特公昭６２−２７４５８号公報等）。この場
合、反射層は反射率が高いことが望ましく、そのような
構成材料としてはＡｌ、 Ａｇ、 Ａｕ、Ｃｕ等の金属
が挙げられる。上記方式はカー効果とファラデー効果の
両方が利用できるためＣ／Ｎやジッタマージンが大きく
とれるという点で優れている。
生効率を向上させるために記録層を２００〜３００人の
厚さまで薄くし、その上に反射層を設ける方式が提案さ
れている（特公昭６２−２７４５８号公報等）。この場
合、反射層は反射率が高いことが望ましく、そのような
構成材料としてはＡｌ、 Ａｇ、 Ａｕ、Ｃｕ等の金属
が挙げられる。上記方式はカー効果とファラデー効果の
両方が利用できるためＣ／Ｎやジッタマージンが大きく
とれるという点で優れている。
しかしながら、上記従来技術には以下のような問題点が
あった。
あった。
反射層の材料としてＡｕ＝ Ａｇ、 Ａｌ、 Ｃｕ等の
ような記録再生光であるレーザー光に対して反射率の高
い材料を用いた場合、 Ｃ／Ｎ、特にキャリアレベルが
大きくなるが、Ａｕ、 Ａｇ、Ｃｕのように熱伝導率も
高い材料は、記録時に反射層においてレーザー光照射に
よる熱が拡散してしまい、反射層を用いない構成の媒体
に比べて記録感度が大幅に低下してしまうといった欠点
を有している。このため、反射率の高い上記の材料の中
でも比較的熱伝導率が小さいＡｌが現在一般に用いられ
ている。ところが、光磁気記録媒体の高速化に対応した
記録用レーザーパワーを考慮すると肝反射層では感度上
十分とは言えない、又、Ａ２反射層の場合、高温高湿度
な環境条件下において、酸化によって反射率が変化し、
Ｃハが低下したり、孔食の発生によってエラーレートが
増加したりしてしまうといった欠点がある。
ような記録再生光であるレーザー光に対して反射率の高
い材料を用いた場合、 Ｃ／Ｎ、特にキャリアレベルが
大きくなるが、Ａｕ、 Ａｇ、Ｃｕのように熱伝導率も
高い材料は、記録時に反射層においてレーザー光照射に
よる熱が拡散してしまい、反射層を用いない構成の媒体
に比べて記録感度が大幅に低下してしまうといった欠点
を有している。このため、反射率の高い上記の材料の中
でも比較的熱伝導率が小さいＡｌが現在一般に用いられ
ている。ところが、光磁気記録媒体の高速化に対応した
記録用レーザーパワーを考慮すると肝反射層では感度上
十分とは言えない、又、Ａ２反射層の場合、高温高湿度
な環境条件下において、酸化によって反射率が変化し、
Ｃハが低下したり、孔食の発生によってエラーレートが
増加したりしてしまうといった欠点がある。
本発明は以上のような従来技術の問題点を解決するため
になされたもので、記録感度及び再生Ｃ／Ｎが高く、か
つ経時安定性に優れた反射層タイプの光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
になされたもので、記録感度及び再生Ｃ／Ｎが高く、か
つ経時安定性に優れた反射層タイプの光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は上記
目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、反射層をＧｅ
を含有する肝合金で構成することによって、記録感度が
高くかつキャリアレベルが高く、しかも経時安定性に優
れた光磁気記録媒体が得られることを見出し、本発明を
完成するに至った。
目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、反射層をＧｅ
を含有する肝合金で構成することによって、記録感度が
高くかつキャリアレベルが高く、しかも経時安定性に優
れた光磁気記録媒体が得られることを見出し、本発明を
完成するに至った。
即ち、本発明によれば、透明な基板上に少なくとも干渉
層、光磁気記録層および反射層が順次積層されてなる光
磁気記録媒体において、前記反射層がＧｅを含有する脚
台金薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
層、光磁気記録層および反射層が順次積層されてなる光
磁気記録媒体において、前記反射層がＧｅを含有する脚
台金薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明による反射層タイプの光磁気記録媒体の
一構成例を示す断面図である。この媒体はプリグループ
付の透明な基板１上に干渉層２、記録層３及び反射Ｎ４
を順次積層して構成されている。
一構成例を示す断面図である。この媒体はプリグループ
付の透明な基板１上に干渉層２、記録層３及び反射Ｎ４
を順次積層して構成されている。
本発明の光磁気記録媒体の構成上の特徴は、反射層４を
Ｇｅを含有する静合金で構成した点にある。
Ｇｅを含有する静合金で構成した点にある。
本発明の光磁気記録媒体を構成する材料及び各層の必要
特性について説明すると、先ず、透明基板１としてはポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＨＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等
の樹脂からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、
バリウム硼珪酸等のガラス上に溝付き樹脂を形成した基
板等が挙げられる。これらの基板はディスク形状をなし
、厚みが１、２ｍｍ程度のものが一般に使用される。
特性について説明すると、先ず、透明基板１としてはポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＨＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等
の樹脂からなるプラスチック基板、又はアルミノ珪酸、
バリウム硼珪酸等のガラス上に溝付き樹脂を形成した基
板等が挙げられる。これらの基板はディスク形状をなし
、厚みが１、２ｍｍ程度のものが一般に使用される。
記録層３としてはＴｂＦｅＣｏ、 ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
丁ｂＤｙＦｅｃ。
丁ｂＤｙＦｅｃ。
等の希土類金属と遷移金属との非晶質合金薄膜、ＢａＦ
ｅ、 、 ０□、、ＣｏＦｅ、Ｏ，、（Ｂｉ、Ｙ）、Ｆ
ｅ５０□２等の酸化物薄膜、ＭｎＢ１． ＣｏＰｔ等の
多結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有している。膜厚は合金薄膜の
場合、１００〜１０００入、好ましくは２００〜４００
Åである。酸化物薄膜の場合、多くは記録再生光に対し
て透光性が大きいので特に膜厚に制約はないが、１００
０〜５０００λが適当である。又記録層３は単層膜に限
らず多層膜でも良い。
ｅ、 、 ０□、、ＣｏＦｅ、Ｏ，、（Ｂｉ、Ｙ）、Ｆ
ｅ５０□２等の酸化物薄膜、ＭｎＢ１． ＣｏＰｔ等の
多結晶合金薄膜が挙げられ、これらはいずれも膜面に垂
直な方向に磁化容易軸を有している。膜厚は合金薄膜の
場合、１００〜１０００入、好ましくは２００〜４００
Åである。酸化物薄膜の場合、多くは記録再生光に対し
て透光性が大きいので特に膜厚に制約はないが、１００
０〜５０００λが適当である。又記録層３は単層膜に限
らず多層膜でも良い。
干渉層３は基板１と記録層３との間に設けられる。
干渉層３は、この層に屈折率の高い（１，８以上）透明
膜を用い、光の干渉効果によって磁気光学効果をエンハ
ンスメントさせ、又反射率を落とすことでノイズを低下
させ、Ｃ／Ｎを向上させることを目的として設けられる
。又、記録層３が希土類金属と遷移金属とからなる非晶
質合金薄膜により構成される場合には、酸化等の腐食を
防止する機能も兼ね備えていなければならない。即ち、
空気中や基板１からの水分や酸素の侵入を防ぎ、それ自
身の耐食性が高く、記録Ｆｒ１３との反応性が小さいこ
とが必要であり、具体的な材料としては、５ｉＯ１Ｓｉ
Ｏ２、Ａｌ２０３．Ｔａ２Ｏ，等の金属酸化物、８４Ｃ
，ＳｉＣ等の無機炭化物、ＺｒＳ等の金属硫化物が挙げ
られる。
膜を用い、光の干渉効果によって磁気光学効果をエンハ
ンスメントさせ、又反射率を落とすことでノイズを低下
させ、Ｃ／Ｎを向上させることを目的として設けられる
。又、記録層３が希土類金属と遷移金属とからなる非晶
質合金薄膜により構成される場合には、酸化等の腐食を
防止する機能も兼ね備えていなければならない。即ち、
空気中や基板１からの水分や酸素の侵入を防ぎ、それ自
身の耐食性が高く、記録Ｆｒ１３との反応性が小さいこ
とが必要であり、具体的な材料としては、５ｉＯ１Ｓｉ
Ｏ２、Ａｌ２０３．Ｔａ２Ｏ，等の金属酸化物、８４Ｃ
，ＳｉＣ等の無機炭化物、ＺｒＳ等の金属硫化物が挙げ
られる。
これらの材料は複合して用いても良く（例えば、５ｉＡ
ｌＯＮ、 ５ｉＺｒＮ等）、また単層膜に限らず多層膜
であっても良い。膜厚は屈折率によって最適値が異なる
が、通常３００〜１５００Å、好ましくは８００〜１３
００Åである。
ｌＯＮ、 ５ｉＺｒＮ等）、また単層膜に限らず多層膜
であっても良い。膜厚は屈折率によって最適値が異なる
が、通常３００〜１５００Å、好ましくは８００〜１３
００Åである。
反射層４は本発明の特徴となるもので、前述したように
、Ｇｅを含有する静合金が構成材料として使用される。
、Ｇｅを含有する静合金が構成材料として使用される。
Ｇｅの含有量は０．１〜３０ａｔｏｍｉｃ％が好ましく
、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％が特に好ましい。本発明のＧ
ｅを含有する脚台全反射層４は反射率が記録再生光（波
長：８３０ｎｍ）に対して７０−９０％、熱伝導率が０
．３〜０．５ｃａＱ／ｃｖｓｅｃ・’Ｃであるため、み
かけ上のカー回転角を増大させ再生信号を大きくすると
ともに、記録時におけるレーザー光照射による熱の拡散
を小さくし記録感度を向上させるように作用する。
、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％が特に好ましい。本発明のＧ
ｅを含有する脚台全反射層４は反射率が記録再生光（波
長：８３０ｎｍ）に対して７０−９０％、熱伝導率が０
．３〜０．５ｃａＱ／ｃｖｓｅｃ・’Ｃであるため、み
かけ上のカー回転角を増大させ再生信号を大きくすると
ともに、記録時におけるレーザー光照射による熱の拡散
を小さくし記録感度を向上させるように作用する。
このＡｌ合金中にはさらに耐食性等の改善のため他の元
素（Ｃｕ、 Ｍｎ、 Ｍｇ等）を小量含有させても良い
。
素（Ｃｕ、 Ｍｎ、 Ｍｇ等）を小量含有させても良い
。
反射層４の膜厚は２００〜１０００Ａが好ましく、３０
０−８００Åが特に好ましい。膜厚が薄すぎた場合には
Ｃ／Ｎが低下し、厚すぎた場合には記録感度が低下する
。
０−８００Åが特に好ましい。膜厚が薄すぎた場合には
Ｃ／Ｎが低下し、厚すぎた場合には記録感度が低下する
。
基板１上に干渉層２、記録層３及び反射層４を形成する
手段としては、スパッタリング、イオンブレーティング
等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等
が用いられる。又層構成は第１図に示した構成以外に、
記録層３と反射層４との間にさらに第２の干渉層５を設
けたり（第２図）、反射層４の上に保護層を設けたり、
又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた両
面記録タイプの構成でも本発明の効果はそこなわれない
。
手段としては、スパッタリング、イオンブレーティング
等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法等
が用いられる。又層構成は第１図に示した構成以外に、
記録層３と反射層４との間にさらに第２の干渉層５を設
けたり（第２図）、反射層４の上に保護層を設けたり、
又それらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた両
面記録タイプの構成でも本発明の効果はそこなわれない
。
次に実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではない
。
本発明はここに例示の実施例に限定されるものではない
。
（実施例）
直径１３０＋ｗｍ、厚さ１、２ｍｍのプリグループ付ポ
リカーボネート基板をスパッタリング装置の真空槽内に
セットし、 ５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下になるまで真空
排気した。次にＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導
入し、圧力を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒに調整し、Ｓ
ｉをターゲットとして放電電力２ｋＷ（４ｗ／ｃｍ”）
で高周波スパッタリン、グを行い、基板上に干渉層とし
てＳｉＮ膜を１０００人堆積した。続いて記録層として
ＴｈｘｚＤｙｘｚＦｅｇｓＣＯ＊合金（添数字は組成（
ａｔｏｍｉｃ％）を示す）をターゲットとして同様にス
パッタリングによってＴｂＤｙＦｅＣ。
リカーボネート基板をスパッタリング装置の真空槽内に
セットし、 ５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ以下になるまで真空
排気した。次にＡｒとＮ２との混合ガスを真空槽内に導
入し、圧力を５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒに調整し、Ｓ
ｉをターゲットとして放電電力２ｋＷ（４ｗ／ｃｍ”）
で高周波スパッタリン、グを行い、基板上に干渉層とし
てＳｉＮ膜を１０００人堆積した。続いて記録層として
ＴｈｘｚＤｙｘｚＦｅｇｓＣＯ＊合金（添数字は組成（
ａｔｏｍｉｃ％）を示す）をターゲットとして同様にス
パッタリングによってＴｂＤｙＦｅＣ。
膜を２５０入設けた。更にＧｅチップを配置したＡｌメ
タ−ットをスパッタリングし５００Ａ厚の反射層を形成
し、実施例の記録媒体とした。なお、反射層中のＧｅの
量はＮｉターゲット上のＡｌチップの数をかえてｇｆｆ
ｉ５した。
タ−ットをスパッタリングし５００Ａ厚の反射層を形成
し、実施例の記録媒体とした。なお、反射層中のＧｅの
量はＮｉターゲット上のＡｌチップの数をかえてｇｆｆ
ｉ５した。
（比較例１及び２）
上記実施例と同様にして記録層までの形成を行い、その
上に反射層として肋膜、Ｇｅ膜をスパッタリングによっ
て４００大形威し、それぞれ比較例１及び２の記録媒体
とした。
上に反射層として肋膜、Ｇｅ膜をスパッタリングによっ
て４００大形威し、それぞれ比較例１及び２の記録媒体
とした。
以上のようにして作製した各記録媒体のＣ／Ｎ及び記録
感度を測定した。その結果を第３図に示す。
感度を測定した。その結果を第３図に示す。
記録感度は２次歪みが最小になるときの記録パワーとし
た。なお、記録再生条件は以下の通りとした。
た。なお、記録再生条件は以下の通りとした。
記録条件： ＣＡＶ １８００ｒｐｍ、半径３０ｍｍの
記録位置。
記録位置。
記録周波数３．７ＭＨｚ
再生条件： ＣＡＶ １８００ｒｐｍ、再生パワー１ｍ
Ｗ第３図より、利合金中のＧｅ含有量が増加するに伴い
記録感度が向上し、一方Ｃ／ＮはＧｅ含有量が増加する
に伴い徐々に低下する傾向にあるが、Ｇｅ含有量が３０
ａｔｏｍｉｃ％まではそれほど減少しないことがわかる
。つまり肝合金中のＧｅ含有量が３０ａｔｏｍｉｃ瓢ま
ではＣ／Ｎを低下させることなく記録感度が向上するこ
とが確認された。又、実施例の媒体２枚の膜面どうしを
接着剤によって貼り合わせて両面記録タイプの記録媒体
を作威し、該記録媒体について８０℃、８５％ＲＨの条
件で環境試験を行った。その結果、この記録媒体では２
０００時間後においても初期に比べてピットエラーレー
トに変化がなく、経時安定性にも優れていることがわか
った。
Ｗ第３図より、利合金中のＧｅ含有量が増加するに伴い
記録感度が向上し、一方Ｃ／ＮはＧｅ含有量が増加する
に伴い徐々に低下する傾向にあるが、Ｇｅ含有量が３０
ａｔｏｍｉｃ％まではそれほど減少しないことがわかる
。つまり肝合金中のＧｅ含有量が３０ａｔｏｍｉｃ瓢ま
ではＣ／Ｎを低下させることなく記録感度が向上するこ
とが確認された。又、実施例の媒体２枚の膜面どうしを
接着剤によって貼り合わせて両面記録タイプの記録媒体
を作威し、該記録媒体について８０℃、８５％ＲＨの条
件で環境試験を行った。その結果、この記録媒体では２
０００時間後においても初期に比べてピットエラーレー
トに変化がなく、経時安定性にも優れていることがわか
った。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、反射率が
高く熱伝導率の小さい、Ｇｅを含有するＡｌ合金を用い
て反射層を構成したので、記録感度及び再生Ｃ／Ｎが高
く、かつ経時安定性に優れた光磁気記録媒体の提供が可
能となる。
高く熱伝導率の小さい、Ｇｅを含有するＡｌ合金を用い
て反射層を構成したので、記録感度及び再生Ｃ／Ｎが高
く、かつ経時安定性に優れた光磁気記録媒体の提供が可
能となる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の層構成例を示す
断面図、第２図は本発明による光磁気記録媒体の別の層
構成例を示す断面図、第３図はＣ／Ｎ及び記録感度の測
定結果を示すグラフである。 １・・・基板 ２，５・・・干渉層３・・・光
磁気記録層 ４・・・反射層
断面図、第２図は本発明による光磁気記録媒体の別の層
構成例を示す断面図、第３図はＣ／Ｎ及び記録感度の測
定結果を示すグラフである。 １・・・基板 ２，５・・・干渉層３・・・光
磁気記録層 ４・・・反射層
Claims (1)
- （１）透明な基板上に少なくとも干渉層、光磁気記録層
および反射層が順次積層されてなる光磁気記録媒体にお
いて、前記反射層がＧｅを含有するＡｌ合金薄膜からな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7421190A JPH03273543A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7421190A JPH03273543A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273543A true JPH03273543A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13540632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7421190A Pending JPH03273543A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03273543A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886969A (en) * | 1990-05-25 | 1999-03-23 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
| EP1146509A3 (en) * | 1997-03-27 | 2002-05-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| US8192905B2 (en) | 2006-04-20 | 2012-06-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus, and process cartridge |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7421190A patent/JPH03273543A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886969A (en) * | 1990-05-25 | 1999-03-23 | Hitachi, Ltd. | High-density information recording/reproducing method |
| EP1146509A3 (en) * | 1997-03-27 | 2002-05-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| US8192905B2 (en) | 2006-04-20 | 2012-06-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor, image forming apparatus, and process cartridge |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0325737A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03273543A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62239349A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| JP2527762B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03273544A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2507592B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3205921B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2829335B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62239347A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04219644A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2528188B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2955639B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2754658B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03122845A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2740814B2 (ja) | 光磁記録媒体 | |
| JP2959645B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH04337543A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04243038A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63291234A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62239350A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0231352A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0536132A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05225629A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05298761A (ja) | 光磁気記録媒体 |