JPH05298761A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05298761A JPH05298761A JP11536892A JP11536892A JPH05298761A JP H05298761 A JPH05298761 A JP H05298761A JP 11536892 A JP11536892 A JP 11536892A JP 11536892 A JP11536892 A JP 11536892A JP H05298761 A JPH05298761 A JP H05298761A
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- recording
- magneto
- recording layer
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部磁界が小さくても良好な記録、消去、再
生が可能な交換結合力を利用した二層膜構造の光磁気記
録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層
４及び反射層５が順次形成され、記録層３は交換結合力
が働く再生用層３−１と記録用層３−２から成る。記録
用層３−２の構成材料として特定組成のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ非晶質合金膜を用い、再生用層３−１の構成材料とし
て特定組成のＧｄＦｅＣｏ非晶質合金膜を用いる。
生が可能な交換結合力を利用した二層膜構造の光磁気記
録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層
４及び反射層５が順次形成され、記録層３は交換結合力
が働く再生用層３−１と記録用層３−２から成る。記録
用層３−２の構成材料として特定組成のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ非晶質合金膜を用い、再生用層３−１の構成材料とし
て特定組成のＧｄＦｅＣｏ非晶質合金膜を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて情
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気
記録媒体に関するものであり、特に高感度かつ低磁界で
の高Ｃ／Ｎ化を目的とした技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレーザー光を用いて情
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記億容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。よって現在研究開発が活発に行われて
おり、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシステ
ム等への展開が急速に進んでいる。
報の記録、再生及び消去を行うため、従来からの光ディ
スクと同様に記億容量が大きく、しかも記録層に磁性体
を用いているため書き換えが可能である。又非接触で記
録、再生が出来、塵埃の影響も受けないことから信頼性
にも優れている。よって現在研究開発が活発に行われて
おり、又数年前に商品化されて以来、光ファイルシステ
ム等への展開が急速に進んでいる。
【０００３】この光磁気記録層（以下記録層と記す）の
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
材料としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ等の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）非晶
質合金が、粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いる
ことによって容易に垂直磁化膜が得られることから現在
最も多く用いられている。
【０００４】一方、光磁気ディスクを用いた光ファイル
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ)が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あることが要求される。
システムは今後さらに大容量化及び高速転送レート化が
進み、そのため記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角
（θｋ）が大きく、記録感度に影響が深いキュリー点
（Ｔｃ)が低く、かつ直径１μｍ以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
あることが要求される。
【０００５】これらの要求に対応すべく、本出願人は、
特開昭５９−６１０１１号公報においてＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ４元系非晶質合金の使用を提案した。この材料はそれ
まで主流であったＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べ
てより高感度であり、各元素の含有量（Ｔｂ，Ｄｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ）を調整することで、キュリー点（Ｔｃ）、保
磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることができる利
点を有している。特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁
力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成範囲が広
い。従って、このＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金は光磁気
記録媒体の記録層材料として非常に有用である。
特開昭５９−６１０１１号公報においてＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ４元系非晶質合金の使用を提案した。この材料はそれ
まで主流であったＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質合金に比べ
てより高感度であり、各元素の含有量（Ｔｂ，Ｄｙ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ）を調整することで、キュリー点（Ｔｃ）、保
磁力（Ｈｃ）を自由にコントロールすることができる利
点を有している。特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を１３０℃前後まで低くでき、しかも保磁
力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られる組成範囲が広
い。従って、このＴｂＤｙＦｅＣｏ非晶質合金は光磁気
記録媒体の記録層材料として非常に有用である。
【０００６】一方、記録層を交換結合力を利用した２層
膜にすることがいろいろと提案されている。即ち、記録
層を二層にして記録用と再生用に機能を分離し、記録用
をキュリー点（Ｔｃ)が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大き
な材料とし、又再生用としてカー回転角（θｋ）が大き
くかつ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、高Ｃ／Ｎか
つ高感度化を図ることが一般に知られている。
膜にすることがいろいろと提案されている。即ち、記録
層を二層にして記録用と再生用に機能を分離し、記録用
をキュリー点（Ｔｃ)が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大き
な材料とし、又再生用としてカー回転角（θｋ）が大き
くかつ保磁力（Ｈｃ）の小さな材料を用い、高Ｃ／Ｎか
つ高感度化を図ることが一般に知られている。
【０００７】ところで、これら２層膜を構成する中の記
録を担う層（以下記録用層と記す）は高感度でかつ小さ
なビットを安定に存在させるために、キュリー点（Ｔ
ｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料であること
が必要である。この材料としては一般にＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ等が知られているが、本発明者らはより高感度
化を目的としてＴｂＤｙＦｅＣｏの使用を提案している
（特開平１−３１２７５６号公報）。
録を担う層（以下記録用層と記す）は高感度でかつ小さ
なビットを安定に存在させるために、キュリー点（Ｔ
ｃ）が低くかつ保磁力（Ｈｃ）の大きな材料であること
が必要である。この材料としては一般にＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ等が知られているが、本発明者らはより高感度
化を目的としてＴｂＤｙＦｅＣｏの使用を提案している
（特開平１−３１２７５６号公報）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界が３００Ｏｅ以上と大きくなければ十
分なＣ／Ｎが得られない。十分な記録、消去を行うため
に外部磁界を大きくすると、磁界発生装置が大きくなっ
てしまったり、或いは外部磁界の変動に対して十分な対
応がとれない光磁気記録媒体になってしまう。又磁界変
調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対してもこ
の外部磁界は小さい方が好ましい。
ｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や
消去時の外部磁界が３００Ｏｅ以上と大きくなければ十
分なＣ／Ｎが得られない。十分な記録、消去を行うため
に外部磁界を大きくすると、磁界発生装置が大きくなっ
てしまったり、或いは外部磁界の変動に対して十分な対
応がとれない光磁気記録媒体になってしまう。又磁界変
調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対してもこ
の外部磁界は小さい方が好ましい。
【０００９】本発明は上記のような実情に鑑みてなされ
たもので、高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を可能とする
２層膜タイプの光磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
たもので、高Ｃ／Ｎ、高感度な光磁気記録を可能とする
２層膜タイプの光磁気記録媒体を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】よって、本発明者らは、
上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、記録用層の
構成材料であるＴｂＤｙＦｅＣｏを特定の組成の範囲に
限定するとともに再生用層の構成材料としてやはり特定
の組成の範囲に限定したＧｄＦｅＣｏを用いた場合に、
ＴｂＤｙＦｅＣｏが低磁界にもかかわらず良好な記録、
消去及び再生が可能となるという特徴を持ったまま、よ
り高いＣ／Ｎが得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
上述の欠点を克服すべく鋭意検討した結果、記録用層の
構成材料であるＴｂＤｙＦｅＣｏを特定の組成の範囲に
限定するとともに再生用層の構成材料としてやはり特定
の組成の範囲に限定したＧｄＦｅＣｏを用いた場合に、
ＴｂＤｙＦｅＣｏが低磁界にもかかわらず良好な記録、
消去及び再生が可能となるという特徴を持ったまま、よ
り高いＣ／Ｎが得られることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【００１１】即ち、本発明によれば、基板上に、基板面
に対して垂直方向に磁化容易軸を有しかつ下記一般式化
１で表わされる非晶質合金薄膜からなる記録用層と、基
板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有しかつ下記一般
式化２で表わされる非晶質合金薄膜からなる再生用層と
の積層構成の記録層を設けてなることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。
に対して垂直方向に磁化容易軸を有しかつ下記一般式化
１で表わされる非晶質合金薄膜からなる記録用層と、基
板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有しかつ下記一般
式化２で表わされる非晶質合金薄膜からなる再生用層と
の積層構成の記録層を設けてなることを特徴とする光磁
気記録媒体が提供される。
【００１２】
【化１】
【化２】
【００１３】以下、本発明の光磁気記録媒体の構成につ
いて図１に沿って説明する。図１に示したように、本発
明の光磁気記録媒体は基本的にプリグルーブ付透明基板
１上に干渉層２、記録層３、保護層４を順次形成した構
成をとり、記録層３は再生用層３−１と記録用層３−２
からなる。以下各要素について詳述する。
いて図１に沿って説明する。図１に示したように、本発
明の光磁気記録媒体は基本的にプリグルーブ付透明基板
１上に干渉層２、記録層３、保護層４を順次形成した構
成をとり、記録層３は再生用層３−１と記録用層３−２
からなる。以下各要素について詳述する。
【００１４】（基板）本発明に用いる透明基板１として
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）等の樹脂からなる溝付き成形基板、又はアルミノケ
イ酸、バリウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬
化樹脂（エポキシアクリレート等）層を形成した基板等
が挙げられる。これらの基板はディスク形状をしてお
り、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度である。図１の１Ａ
はガラス基板、１Ｂは紫外線硬化樹脂層を示したもので
ある。
【００１５】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うにＲＥ金属の酸化により記録層３の腐食が起こりやす
いため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止する保護
膜としての役割も兼ね備えていなければならない。すな
わち基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐
食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さいことが必
要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，
Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚ
ｒ，Ｇｅ等との金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が
挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少なくとも
ＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＮ，
ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜であっ
てもよく、膜厚は屈折率を考慮し、通常トータルで５０
０〜２０００Åで好ましくは８００〜１２００Åであ
る。
と記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉層
２には屈折率の高い（１．８以上）透明な膜を用い、こ
の層における再生光の多重反射を利用してみかけのカー
回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、又反射率を小さくすることでＮ（ノ
イズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上させる
ことを目的としている。又、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のよ
うにＲＥ金属の酸化により記録層３の腐食が起こりやす
いため、この干渉層２は記録層３の腐食を防止する保護
膜としての役割も兼ね備えていなければならない。すな
わち基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、それ自身の耐
食性が高く、かつ記録層３との反応性が小さいことが必
要である。具体的な材料としては、ＳｉＯ，ＳｉＯ2，
Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ，Ａｌ，Ｚ
ｒ，Ｇｅ等との金属窒素化物、ＺｎＳ等の金属硫化物が
挙げられるが、特にＳｉ，Ｂ，Ｏ，Ｎのうち少なくとも
ＳｉとＮを含む化合物（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＢＮ，
ＳｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜であっ
てもよく、膜厚は屈折率を考慮し、通常トータルで５０
０〜２０００Åで好ましくは８００〜１２００Åであ
る。
【００１６】（記録層）本発明の特徴はこの記録層３に
ある。記録層３は交換結合力を利用した２層膜、すなわ
ち再生用層３−１及び記録用層３−２からなる。記録用
層３−２は下記の一般式化１で表わされるＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ膜である。
ある。記録層３は交換結合力を利用した２層膜、すなわ
ち再生用層３−１及び記録用層３−２からなる。記録用
層３−２は下記の一般式化１で表わされるＴｂＤｙＦｅ
Ｃｏ膜である。
【化１】 再生用層３−１は下記の一般式化２で表わされるＧｄＦ
ｅＣｏ膜である。
ｅＣｏ膜である。
【化２】
【００１７】キュリー点（Ｔｃ）が低くかつ保磁力（Ｈ
ｃ）が大きい記録用層３−２が上記ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
であり、又、カー回転角（θｋ）が大きくかつ保磁力
（Ｈｃ）が小さい再生用層３−１がＧｄＦｅＣｏ膜であ
る。再生用層３−１のカー回転角（θｋ）は０．３°以
上であるのが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において
１ｋＯｅ以下程度であるのが好ましい。また記録用層３
−２のキュリー点（Ｔｃ）は１４０〜１８０℃であるの
が好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において２ｋＯｅ以
上であるのが好ましい。再生用層３−１の膜厚は５０〜
５００Å、記録用層３−２の膜厚は１００〜８００Å、
記録層３全体の膜厚は２００〜１２００Å程度が好まし
い。
ｃ）が大きい記録用層３−２が上記ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
であり、又、カー回転角（θｋ）が大きくかつ保磁力
（Ｈｃ）が小さい再生用層３−１がＧｄＦｅＣｏ膜であ
る。再生用層３−１のカー回転角（θｋ）は０．３°以
上であるのが好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において
１ｋＯｅ以下程度であるのが好ましい。また記録用層３
−２のキュリー点（Ｔｃ）は１４０〜１８０℃であるの
が好ましく、保磁力（Ｈｃ）は室温において２ｋＯｅ以
上であるのが好ましい。再生用層３−１の膜厚は５０〜
５００Å、記録用層３−２の膜厚は１００〜８００Å、
記録層３全体の膜厚は２００〜１２００Å程度が好まし
い。
【００１８】ＧｄＦｅＣｏは、ＴｂＤｙＦｅＣｏあるい
はＴｂＦｅＣｏに比べカー回転角が大きく、キュリー温
度が高く、保磁力が小さいことから、本発明に使用する
記録層であるＴｂＤｙＦｅＣｏと組み合わせることで、
高感度は言うまでもなくより高いＣ／Ｎを実現できる材
料になり、十分な記録再生用媒体となり得る。また、そ
の効果を発揮するためには、高感度、低い記録磁界で十
分なＣ／Ｎをもつ上記化１に示すＴｂＤｙＦｅＣｏ組成
と上記化２に示すＧｄＦｅＣｏ組成に限定することが必
要となる。
はＴｂＦｅＣｏに比べカー回転角が大きく、キュリー温
度が高く、保磁力が小さいことから、本発明に使用する
記録層であるＴｂＤｙＦｅＣｏと組み合わせることで、
高感度は言うまでもなくより高いＣ／Ｎを実現できる材
料になり、十分な記録再生用媒体となり得る。また、そ
の効果を発揮するためには、高感度、低い記録磁界で十
分なＣ／Ｎをもつ上記化１に示すＴｂＤｙＦｅＣｏ組成
と上記化２に示すＧｄＦｅＣｏ組成に限定することが必
要となる。
【００１９】（保護層）通常、記録層３上には保護層４
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
程度が好ましい。
を設ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれ
ない。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、又は
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素又はハロゲ
ン元素のように記録層３に有害な物質の侵入を防止し、
記録層３を保護する目的で設けられるため、干渉層２同
様それ自身の耐食性が高く、記録層３との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料は干渉層２として挙
げたものと同様である。この保護層４の膜厚はＣ／Ｎや
記録感度にも大きな影響を及ぼすが、通常０〜６００Å
程度が好ましい。
【００２０】（反射層）反射層５は保護層４上に設け
る。基板面から光を入射しカー回転角を信号として読み
出す際に、より大きな信号を読み出すことが必要となる
場合に、再生用層３−１で読み出された信号、すなわち
カー回転とそれに加えて記録用層３−２を透過しファラ
デー回転して出てきた光がここで反射され、再び基板側
に出てきて、これが重ね合わされ、見かけの回転角が大
きくなる。その意味から、この層の役割は大きい。膜厚
としては３００Å〜１０００Åが好ましい。
る。基板面から光を入射しカー回転角を信号として読み
出す際に、より大きな信号を読み出すことが必要となる
場合に、再生用層３−１で読み出された信号、すなわち
カー回転とそれに加えて記録用層３−２を透過しファラ
デー回転して出てきた光がここで反射され、再び基板側
に出てきて、これが重ね合わされ、見かけの回転角が大
きくなる。その意味から、この層の役割は大きい。膜厚
としては３００Å〜１０００Åが好ましい。
【００２１】基板１上に干渉層２、記録層３、保護層
４、反射層５を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
４、反射層５を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。
【００２２】又、層構成は図１に示した以外に、保護層
４上にさらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等
を設けたり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
４上にさらに５〜１０μｍの有機保護膜（カバー層）等
を設けたり、又それらの膜面どうしを接着剤によって貼
り合わせた構成でも本発明の効果はそこなわれない。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例を述べるが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
【００２４】（実施例１〜９）直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍのガラス上に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からな
るプリグルーブを形成した基板をスパッタ装置の真空槽
内にセットし、圧力が５×１０-7Ｔｏｒｒ以下になるま
で真空排気した。次いでＡｒとＮ2の混合ガスを真空槽
内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉ
をターゲットとして放電電力２ＫＷ（パワー密度４Ｗ／
ｃｍ2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行い、
干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。続いてＧ
ｄＦｅＣｏ合金とＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットと
して各々、直流マグネトロンスパッタリングによって再
生用と記録用の二層から成る記録層を形成した（組成、
膜厚は表１を参照）。更に保護層として干渉層と同様な
方法によってＳｉＮ膜を７００Å堆積し、さらに反射層
としてＡｌ膜を５００Å堆積して本発明の実施例となる
光磁気記録媒体を得た。記録用層と再生用層の磁気特性
を表１に併せて示す。
１．２ｍｍのガラス上に紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からな
るプリグルーブを形成した基板をスパッタ装置の真空槽
内にセットし、圧力が５×１０-7Ｔｏｒｒ以下になるま
で真空排気した。次いでＡｒとＮ2の混合ガスを真空槽
内に導入し、圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒに調整し、Ｓｉ
をターゲットとして放電電力２ＫＷ（パワー密度４Ｗ／
ｃｍ2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行い、
干渉層としてＳｉＮ膜を１０００Å堆積した。続いてＧ
ｄＦｅＣｏ合金とＴｂＤｙＦｅＣｏ合金をターゲットと
して各々、直流マグネトロンスパッタリングによって再
生用と記録用の二層から成る記録層を形成した（組成、
膜厚は表１を参照）。更に保護層として干渉層と同様な
方法によってＳｉＮ膜を７００Å堆積し、さらに反射層
としてＡｌ膜を５００Å堆積して本発明の実施例となる
光磁気記録媒体を得た。記録用層と再生用層の磁気特性
を表１に併せて示す。
【００２６】（比較例１〜４）実施例と同様な方法を用
いて干渉層、記録層、保護層及び反射層を形成したが、
記録用層に本発明で限定した組成の範囲外のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を用いたものを比較例として用意した（表１参
照）。
いて干渉層、記録層、保護層及び反射層を形成したが、
記録用層に本発明で限定した組成の範囲外のＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ膜を用いたものを比較例として用意した（表１参
照）。
【００２７】
【表１】
【００２８】以上のようにして作製した実施例及び比較
例の各光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界とＣ／
Ｎとの関係を図２、３に示す。尚、測定条件は以下の通
りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ３．７ＭＨｚ ・ディスク回転数 ３６００ｒｐｍ（ＣＡＶ） ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・記録レーザーパワー ６ｍＷ ・再生レーザーパワー １．３ｍＷ
例の各光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界とＣ／
Ｎとの関係を図２、３に示す。尚、測定条件は以下の通
りである。 ・記録半径 ３０ｍｍ ・記録周波数 ３．７ＭＨｚ ・ディスク回転数 ３６００ｒｐｍ（ＣＡＶ） ・レーザー波長 ７８０ｎｍ ・記録レーザーパワー ６ｍＷ ・再生レーザーパワー １．３ｍＷ
【００２９】図２、３より、比較例に比べて本発明の実
施例の方がいずれも３００Ｏｅより小さい低磁界でＣ／
Ｎが高くなっており、低磁界で良好な記録、消去、再生
が可能となることが確認された。さらに図４に反射層を
設けた場合と設けない場合の結果を比較して示す。
施例の方がいずれも３００Ｏｅより小さい低磁界でＣ／
Ｎが高くなっており、低磁界で良好な記録、消去、再生
が可能となることが確認された。さらに図４に反射層を
設けた場合と設けない場合の結果を比較して示す。
【００３０】
【発明の効果】以上、本発明によれば、記録層が交換結
合力を利用した二層膜からなる光磁気記録媒体におい
て、記録用層を特定の組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜にする
とともに再生用層を特定の組成のＧｄＦｅＣｏ膜とした
ので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化された光磁気記録
媒体が得られる。
合力を利用した二層膜からなる光磁気記録媒体におい
て、記録用層を特定の組成のＴｂＤｙＦｅＣｏ膜にする
とともに再生用層を特定の組成のＧｄＦｅＣｏ膜とした
ので、高感度かつ低磁界で高Ｃ／Ｎ化された光磁気記録
媒体が得られる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構造例を示す断面図
である。
である。
【図２】実施例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【図３】比較例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【図４】反射層を設けた場合と設けない場合の結果を比
較して示す図である。
較して示す図である。
１ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ３−１ 再生用層 ３−２ 記録用層 ４ 保護層 ５ 反射層
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構造例を示す断面図
である。
である。
【図２】実施例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【図３】比較例の光磁気記録媒体の記録／消去時の外部
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
磁界とＣ／Ｎとの関係を示す図である。
【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ３−１ 再生用層 ３−２ 記録用層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、基板面に対して垂直方向に磁
化容易軸を有しかつ下記一般式化１で表わされる非晶質
合金薄膜からなる記録用層と、基板面に対して垂直方向
に磁化容易軸を有しかつ下記一般式化２で表わされる非
晶質合金薄膜からなる再生用層との積層構成の記録層を
設けてなることを特徴とする光磁気記録媒体。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 最表面部に金属層又は合金層を設けたこ
とを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11536892A JPH05298761A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11536892A JPH05298761A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05298761A true JPH05298761A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14660799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11536892A Pending JPH05298761A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05298761A (ja) |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP11536892A patent/JPH05298761A/ja active Pending
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