JPH0327544A - ワイヤボンディング装置のキャピラリ - Google Patents

ワイヤボンディング装置のキャピラリ

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JPH0327544A
JPH0327544A JP1162007A JP16200789A JPH0327544A JP H0327544 A JPH0327544 A JP H0327544A JP 1162007 A JP1162007 A JP 1162007A JP 16200789 A JP16200789 A JP 16200789A JP H0327544 A JPH0327544 A JP H0327544A
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JP
Japan
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capillary
wire
bonding
semiconductor element
oscillation
Prior art date
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Pending
Application number
JP1162007A
Other languages
English (en)
Inventor
Takasane Urasaki
貴実 浦崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
この発明は、基板と該基板上に接着された半導体素子と
をワイヤで接合するワイヤボンディング装置のキャビラ
リに関するものである。
【従来の技術】
第６図は、従来のキャピラリを用いて半導体素子とワイ
ヤとを接合したときの断面図であり、図において、１は
例えば、ルビー等を加工して形威したキャピラリ、２は
半導体端子を外部に取出すためのワイヤ、３は半導体素
子、４は前記ワイヤ２と半導体素子３とを超音波振動を
与えて互いにこすり合い界面に合金層を形成した接合面
である。 次に動作について説明する。まず、第６図に示す様に、
キャピラリ１は図示の如き断面形状をしており半導体素
子３上に熔融させたワイヤ２を加圧し該キャピラリ１に
超音波振動Ｃを印加する。 するとワイヤ２の接合面はワイヤ保持部１ｂを介して超
音波振動Ｃを受けるので、その時の摩擦抵抗により接合
面４の温度が上昇して、ついには界面に合金層が形威さ
れ接合が完了する。 また、第７図は従来のワイヤボンディングにおける超音
波振動伝達のメカニズムを図示したもので、キャピラリ
１を介しワイヤ２を半導体素子３上に押し付けネールヘ
ンドボンディングを実行しようとするとその時の衝撃等
によりキャピラリ１に上下方向の変化が発生したり、も
しくは半導体素子３に上下方向の変位が発生して、間隙
ａが生し、この間隙ａにより水平方向に間隙ｂが生ずる
。 従って接合面４に伝達される超音波振動の振幅は■ ｃ−ｂとなって振動の伝達効率が減衰することになり安
定した条件でのボンディングができなくなってワイヤボ
ンディングの歩留り低下を招く。また、同様の理由から
第８図に示す様に間隙ａが生ずるとワイヤ２においてキ
ャピラリ１のワイヤ保持部（円すい部）ｌｂによって保
持されている部分だけが振動してしまい、キャピラリ１
が円すい部で滑るためヘッドの形状が変形し接合面から
ワイヤ２を引剥してしまうこともある。
【発明が解決しようとする課題】
従来のワイヤボンディング装置のキャピラリは以上のよ
うに構成されているので、キャピラリ１によってワイヤ
２を半導体素子３上に押し付けた時の衝撃によるキャピ
ラリ１の僅かな上下方向の変位に対しても超音波振動の
伝達力が減衰されてホンディング不良を助長する原因と
なったり、又ワイヤ保持部１ｂの断面形状が円すい状で
あるため、上下方向の変位はキャピラリ１の滑りを発生
させ、半導体素子３へのワイヤ２の接合を不安定なもの
にする等の課題があった。 この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、キャピラリと半導体素子との間に間隙が発生し
た場合でも常に安定した超音波振動を接合面に伝達する
ことができるワイヤボンディング装置のキャピラリを得
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
この発明におけるワイヤボンディング装置のキャピラリ
はワイヤを半導体素子上に加圧接触させるキャビラリの
先端部内壁のワイヤ保持部形状を円すい部と円筒部とを
組合せた多段形状にしたものである。
【作用】
この発明におけるキャピラリは超音波振動をワイヤに与
え半導体素子と接合する振動伝達効率を高めるためにキ
ャビラリの先端内部のワイヤ保持部形状を円すい部と円
筒部とを組合せた多段形状とすることによりキャピラリ
接合時の衝撃によるキーｌ・ピラリ上下変位に対しても
効率よく超音波振動をワイヤに伝達する。
【発明の実施例】
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 図中、第６図と同一の部分は同一の符号をもって図示し
た第１図において１ａはワイヤ保持部（円筒部）、１ｂ
は同様にワイヤ保持部（円すい部）である。 次に動作について説明する。まず、第１図は従来の作用
と同様の原理で正常な状態で接合される場合である。 第２図は、本発明が効果を奏する場合の状熊断面図で、
キャピラリ１を介してワイヤ２を半導体素子３上に押し
付けた際にその衝撃によりキャピラリ１に上下方向の変
位が発生した場合、もしくは半導体素子３に上下方向の
変位が発生した場合、間隙ｂが生ずる。この間隙ｂがワ
イヤ保持部（円筒部）ｌａ以下であれば、キャピラリ１
に超音波振動Ｃを印加した際にその振動を肩の高さｄで
受けることになり半導体素子３との接合面４に効率良く
振動を伝達することができ常に安定した信頼性の高いボ
ンディングを行うことができる。 なお、上記実施例ではワイヤ保持部１ａが円筒状の場合
について説明したが第３図に示す様にワイヤ２とキャピ
ラリ１の分離性を向上させるために抜き勾配１ｃを設け
てもよい。 また、上記実施例ではキャピラリｌをルビーの棒材を削
り出して成形する例について示したが粉末を焼結させて
成形するセラξツクキャピラリであってもよく上記実施
例と同様の効果を奏する。 また、第４図または第５図に示す様にワイヤ２とキャピ
ラリ１の分離性をより向上させるために、直径の異なる
円筒や、傾斜の異なる円錐、つまり抜き勾配１ｃ，ｌｄ
等を、階段状に多段に設けてもよく上記実施例と同様の
効果を奏する。
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、キャピラリの先端内
部の形状を円すいと円筒とを組み合わせた多段の構造に
したので、ワイヤボンディング時のワイヤとキャピラリ
との分離性が向上し、また超音波振動の伝達効率が向上
して半導体素子との接合の信頼性が増大ずる効果がある
。 ５ ６
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の−・実施例によるワイヤボンディ
ング装置のキャピラリを用いた通常状態の断面図、第２
図は、この発明が効果を発揮する際の状態断面図、第３
図ないし第５図はこの発明の他の実施例を示す同様断面
図、第６図は従来のキャピラリを用いたときの通常状態
の断面図、第７図及び第８図は従来のキャビラリで接合
不良を発生する際の状態断面図である。 図において、１はキャピラリ、２はワイヤ、３は半導体
素子である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ワイヤを先端部に引出し溶融させて半導体素子上に加圧
    接触し、超音波振動を施して該ワイヤを接合するワイヤ
    ボンディング装置のキャピラリにおいて、前記キャピラ
    リの円すい形状の先端部内壁を階段状の円すい形状とし
    たことを特徴とするワイヤボンディング装置のキャピラ
    リ。
JP1162007A 1989-06-23 1989-06-23 ワイヤボンディング装置のキャピラリ Pending JPH0327544A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5938105A (en) * 1997-01-15 1999-08-17 National Semiconductor Corporation Encapsulated ball bonding apparatus and method
US6065667A (en) * 1997-01-15 2000-05-23 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for fine pitch wire bonding
US6165888A (en) * 1997-10-02 2000-12-26 Motorola, Inc. Two step wire bond process
US6213378B1 (en) 1997-01-15 2001-04-10 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for ultra-fine pitch wire bonding
US6499648B2 (en) * 2001-05-31 2002-12-31 Orient Semiconductor Electronics Limited Method and device for making a metal bump with an increased height
JP2007263532A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 風速分布調整装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5938105A (en) * 1997-01-15 1999-08-17 National Semiconductor Corporation Encapsulated ball bonding apparatus and method
US6065667A (en) * 1997-01-15 2000-05-23 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for fine pitch wire bonding
US6213378B1 (en) 1997-01-15 2001-04-10 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for ultra-fine pitch wire bonding
US6165888A (en) * 1997-10-02 2000-12-26 Motorola, Inc. Two step wire bond process
US6461898B1 (en) 1997-10-02 2002-10-08 Motorola, Inc. Two step wire bond process
US6499648B2 (en) * 2001-05-31 2002-12-31 Orient Semiconductor Electronics Limited Method and device for making a metal bump with an increased height
JP2007263532A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 風速分布調整装置

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