JPH03275585A - チタン酸バリウム単結晶の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム単結晶の製造方法Info
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- JPH03275585A JPH03275585A JP7527890A JP7527890A JPH03275585A JP H03275585 A JPH03275585 A JP H03275585A JP 7527890 A JP7527890 A JP 7527890A JP 7527890 A JP7527890 A JP 7527890A JP H03275585 A JPH03275585 A JP H03275585A
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- Japan
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- barium titanate
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は位相共役鏡、レーザ共振器及び光学画像解析機
器等の光学応用機器に使用されるチタン酸バリウム(B
aTiOa)単結晶の製造方法に関する。
器等の光学応用機器に使用されるチタン酸バリウム(B
aTiOa)単結晶の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、チタン酸バリウム単結晶は、フッ化カリウム(K
F)及び塩化バリウム(BaC7si )を7−7ツク
スとして育成されていた(P、Re5elka 等、J
、Am 、Chew+ 、Soc 、第76巻、18
54年発行、第940頁)。
F)及び塩化バリウム(BaC7si )を7−7ツク
スとして育成されていた(P、Re5elka 等、J
、Am 、Chew+ 、Soc 、第76巻、18
54年発行、第940頁)。
しかし、このフラックス法により得られるチタン酸バリ
ウム単結晶は、その厚さが0.5−1以下の薄片であり
、しかもフラックスに汚染されたものであるために、満
足できる光学的特性を得ることができなかった。
ウム単結晶は、その厚さが0.5−1以下の薄片であり
、しかもフラックスに汚染されたものであるために、満
足できる光学的特性を得ることができなかった。
その後、二酸化チタン(TiOa)及び酸化バリウム(
Bad)の混合物を原料とし、二酸化チタン高濃度側の
融液からチタン酸バリウム単結晶を引き上げる溶融引き
上げ法(TSSG法;丁0pSeeded 5olut
ion Growth法)が開発された(V。
Bad)の混合物を原料とし、二酸化チタン高濃度側の
融液からチタン酸バリウム単結晶を引き上げる溶融引き
上げ法(TSSG法;丁0pSeeded 5olut
ion Growth法)が開発された(V。
Be1russ、 J、KalnaJs and A、
LInz%TOP−SEEDEDSOLtlTION
GROfTHOF 0XIDE CRYSTALS F
ROII NON−STOICHIOMETRICNE
LTS、 Mat、 Res、 Bull、第6巻、1
971年発行、第899−908頁)。
LInz%TOP−SEEDEDSOLtlTION
GROfTHOF 0XIDE CRYSTALS F
ROII NON−STOICHIOMETRICNE
LTS、 Mat、 Res、 Bull、第6巻、1
971年発行、第899−908頁)。
この方法により製造されたチタン酸バリウム単結晶は、
その形状を所望のバルク状にすることが可能であると共
に、フラックス等からの不純物の汚集も少ないため、フ
ラックス法に比較して良好な光学的特性を有している。
その形状を所望のバルク状にすることが可能であると共
に、フラックス等からの不純物の汚集も少ないため、フ
ラックス法に比較して良好な光学的特性を有している。
このため、チタン酸バリウム単結晶を光学応用機器に利
用すべく研究が行われるようになった。
用すべく研究が行われるようになった。
第1図は上述のTSSG法にて使用するチタン酸バリウ
ム単結晶の育成装置を示す断面図である。
ム単結晶の育成装置を示す断面図である。
断熱材3にはその上面中央から下面に向けて鉛直方向に
貫通した加熱空間が設けられており、この加熱空間の周
囲にはヒータ2が断熱材3に埋め込まれて配設されてい
る。また、断熱材3にはその上面の周縁部の適所から前
記加熱空間の上下方向略中央に到達する観察用窓5が設
けられており、この窓5を介して単結晶育成状況を観察
できるよろになっている。
貫通した加熱空間が設けられており、この加熱空間の周
囲にはヒータ2が断熱材3に埋め込まれて配設されてい
る。また、断熱材3にはその上面の周縁部の適所から前
記加熱空間の上下方向略中央に到達する観察用窓5が設
けられており、この窓5を介して単結晶育成状況を観察
できるよろになっている。
断熱材3の加熱空間の下端近傍にはステージ12が配置
されており、このステージ12上にはマツフル10が断
熱材3内の前記加熱空間を押通するようにして配置され
ている。このマツフル10は石英ガラス等からなる有底
筒状の容器であり、その上端が石英ガラス等からなる蓋
11により閉塞されている。マツフル10内にはテーブ
ル13が載置されており、このテーブル13上には原料
融液6が貯留されるるつぼ1が載置されるようになって
いる。また、Mllの中央には種棒8が押通する孔が設
けられており、種棒8の下半部はこのff111に設け
られた孔を介してマツフル10内のるつぼ1の直上域に
位置される。種棒8は内管及び外管からなる2重管であ
り、その上端部は上昇・下降ヘッド9に固定されている
。そして、この種棒8においては外系から内管内に冷却
ガスが供給されるようになっており、この冷却ガスは内
管を通流した後、その下端から外管と内管との間隙に入
り、この間隙を通流して外管の上部に設けたガス排気口
8aから排出される。これにより、種棒8が冷却される
ようになっている。上昇・下降ヘッド9は駆動装置(図
示せず)により上下動し、このヘッド9の昇降に伴って
種棒8は上昇又は下降移動するようになっている。種棒
8の下端部には種結晶取付は部が設けられており、この
取付は部に種結晶7を白金線等により縛って取付けるよ
うになっている。更に、蓋11の縁部にはガス送風口4
が設けられており、このガス送風口4を介してマツフル
10内の単結晶の育成雰囲気を調整するようになってい
る。
されており、このステージ12上にはマツフル10が断
熱材3内の前記加熱空間を押通するようにして配置され
ている。このマツフル10は石英ガラス等からなる有底
筒状の容器であり、その上端が石英ガラス等からなる蓋
11により閉塞されている。マツフル10内にはテーブ
ル13が載置されており、このテーブル13上には原料
融液6が貯留されるるつぼ1が載置されるようになって
いる。また、Mllの中央には種棒8が押通する孔が設
けられており、種棒8の下半部はこのff111に設け
られた孔を介してマツフル10内のるつぼ1の直上域に
位置される。種棒8は内管及び外管からなる2重管であ
り、その上端部は上昇・下降ヘッド9に固定されている
。そして、この種棒8においては外系から内管内に冷却
ガスが供給されるようになっており、この冷却ガスは内
管を通流した後、その下端から外管と内管との間隙に入
り、この間隙を通流して外管の上部に設けたガス排気口
8aから排出される。これにより、種棒8が冷却される
ようになっている。上昇・下降ヘッド9は駆動装置(図
示せず)により上下動し、このヘッド9の昇降に伴って
種棒8は上昇又は下降移動するようになっている。種棒
8の下端部には種結晶取付は部が設けられており、この
取付は部に種結晶7を白金線等により縛って取付けるよ
うになっている。更に、蓋11の縁部にはガス送風口4
が設けられており、このガス送風口4を介してマツフル
10内の単結晶の育成雰囲気を調整するようになってい
る。
次に、上述したチタン酸バリウム単結晶育成装置を使用
したチタン酸バリウム単結晶の製造方法について説明す
る。
したチタン酸バリウム単結晶の製造方法について説明す
る。
先ず、市販の二酸化チタン(TiOa)及び炭酸バリウ
ム(BaCOa)を所定のモル比に混合し、これを80
0乃至1000℃に加熱して仮焼(脱炭酸)処理を行う
。
ム(BaCOa)を所定のモル比に混合し、これを80
0乃至1000℃に加熱して仮焼(脱炭酸)処理を行う
。
次に、この脱炭酸処理により得られたT i 02及び
BaOの混合原料粉末をるつぼ1に装入し、このるつぼ
1をマツフル10内に載置する。そして、ヒータ2によ
り加熱して前記原料粉末を溶融させて、原料融液6とす
る。
BaOの混合原料粉末をるつぼ1に装入し、このるつぼ
1をマツフル10内に載置する。そして、ヒータ2によ
り加熱して前記原料粉末を溶融させて、原料融液6とす
る。
次に、その下端部に種結晶7が取付けられた種棒8を下
降させて、種結晶7を融液6に接触させる。次いで、ヒ
ータ2の通電電流を低下させて融液6の温度を0.!乃
至1.0℃/時の降温速度で降下させる。これにより、
種結晶7の表面上にチタン酸バリウム単結晶が晶出する
。そして、種棒8を所定の速度で上昇させて所望の直径
のチタン酸バリウムの単結晶を種結晶7の下方に育成す
る。
降させて、種結晶7を融液6に接触させる。次いで、ヒ
ータ2の通電電流を低下させて融液6の温度を0.!乃
至1.0℃/時の降温速度で降下させる。これにより、
種結晶7の表面上にチタン酸バリウム単結晶が晶出する
。そして、種棒8を所定の速度で上昇させて所望の直径
のチタン酸バリウムの単結晶を種結晶7の下方に育成す
る。
なお、結晶育成中は種棒8を20乃至1100ppで回
転させる。
転させる。
また、結晶の育成終了後は、種棒8を早送りで上昇させ
て結晶を融液6から分離し、この結晶をlO乃至100
℃/時の降温速度で冷却する。
て結晶を融液6から分離し、この結晶をlO乃至100
℃/時の降温速度で冷却する。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述した従来のチタン酸バリウム単結晶
の製造方法においては、融液6の降温速度及び種棒8の
回転速度等の結晶育成条件を調整しても、得られる結晶
が着色していたり、又は結晶中に多数のクラックが発生
してしまう。このため、この従来のTSSG法において
も、光学的特性が十分に満足できるチタン酸バリウム単
結晶を得ることができないという問題点がある。
の製造方法においては、融液6の降温速度及び種棒8の
回転速度等の結晶育成条件を調整しても、得られる結晶
が着色していたり、又は結晶中に多数のクラックが発生
してしまう。このため、この従来のTSSG法において
も、光学的特性が十分に満足できるチタン酸バリウム単
結晶を得ることができないという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
結晶の着色及びクラックの発生を防止でき、光学的特性
が優れたチタン酸バリウム単結晶を製造できるチタン酸
バリウム単結晶の製造方法を提供することを目的とする
。
結晶の着色及びクラックの発生を防止でき、光学的特性
が優れたチタン酸バリウム単結晶を製造できるチタン酸
バリウム単結晶の製造方法を提供することを目的とする
。
[課題を解決するための手段]
本発明に係るチタン酸バリウム単結晶の製造方法は、純
度が9919重量%以上の二酸化チタン及び純度が99
.95重量%以上の炭酸バリウムの混合粉末を出発原料
とし、この混合粉末を!300乃至1450℃に加熱し
て溶融させる工程と、この融液にチタン酸バリウムの種
結晶を接触させ前記融液の温度を下げて前記種結晶の表
面上に単結晶を育成する工程とを有し、前記単結晶の育
成雰囲気は酸素濃度が20.1体積%以上であることを
特徴とする。
度が9919重量%以上の二酸化チタン及び純度が99
.95重量%以上の炭酸バリウムの混合粉末を出発原料
とし、この混合粉末を!300乃至1450℃に加熱し
て溶融させる工程と、この融液にチタン酸バリウムの種
結晶を接触させ前記融液の温度を下げて前記種結晶の表
面上に単結晶を育成する工程とを有し、前記単結晶の育
成雰囲気は酸素濃度が20.1体積%以上であることを
特徴とする。
[作用]
本願発明者等は、出発原料となる試薬の純度又は結晶の
育成雰囲気を種々の条件に設定して多数の実験を行ない
、そのチタン酸バリウム単結晶の品質に与える影響を調
査した。本発明はその実験結果に基づいてなされたもの
である。
育成雰囲気を種々の条件に設定して多数の実験を行ない
、そのチタン酸バリウム単結晶の品質に与える影響を調
査した。本発明はその実験結果に基づいてなされたもの
である。
即ち、本発明においては、所定の純度の二酸化チタン及
び炭酸バリウムの混合粉末を、必要に応じて例えば加熱
により前記炭酸バリウム中の二酸化炭素を除去する仮焼
処理等を行なった後、この混合粉末を1300乃至14
50℃の溶融温度に加熱して溶融する。その後、この融
液にチタン酸バリウムの種結晶を接触させた状態で前記
融液の温度を下げることにより前記種結晶の表面上に単
結晶を育成する。また、前記単結晶の育成雰囲気は所定
の酸素濃度にする。このように、二酸化チタン及び炭酸
バリウムの純度を所定の範囲に限定すると共に、結晶の
育成雰囲気の酸素濃度を適切なものに限定すると、クラ
ックが発生することがなく、シかも着色が少なくて透明
度が高いチタン酸バリウム単結晶を得ることができる。
び炭酸バリウムの混合粉末を、必要に応じて例えば加熱
により前記炭酸バリウム中の二酸化炭素を除去する仮焼
処理等を行なった後、この混合粉末を1300乃至14
50℃の溶融温度に加熱して溶融する。その後、この融
液にチタン酸バリウムの種結晶を接触させた状態で前記
融液の温度を下げることにより前記種結晶の表面上に単
結晶を育成する。また、前記単結晶の育成雰囲気は所定
の酸素濃度にする。このように、二酸化チタン及び炭酸
バリウムの純度を所定の範囲に限定すると共に、結晶の
育成雰囲気の酸素濃度を適切なものに限定すると、クラ
ックが発生することがなく、シかも着色が少なくて透明
度が高いチタン酸バリウム単結晶を得ることができる。
次に、出発原料である二酸化チタン及び炭酸バリウムの
純度並びに結晶の育成雰囲気における酸素濃度の範囲並
びにその限定理由について説明する。
純度並びに結晶の育成雰囲気における酸素濃度の範囲並
びにその限定理由について説明する。
出発原料となる二酸化チタンの純度が99.99重量%
未満であるか、又は炭酸バリウムの純度が99.95重
量%未満である場合は、得られるチタン酸バリウム単結
晶は原料中の不純物により濃褐色を呈する。このため、
二酸化チタンの純度を99.99重量%以上にし、炭酸
バリウムの純度を99.95重量%以上にする。これに
より、透明度が極めて高いチタン酸バリウム単結晶が得
られる。
未満であるか、又は炭酸バリウムの純度が99.95重
量%未満である場合は、得られるチタン酸バリウム単結
晶は原料中の不純物により濃褐色を呈する。このため、
二酸化チタンの純度を99.99重量%以上にし、炭酸
バリウムの純度を99.95重量%以上にする。これに
より、透明度が極めて高いチタン酸バリウム単結晶が得
られる。
一方、結晶の育成雰囲気の酸素濃度が20.1体積%未
満である場合には結晶中にクラックが発生する。例えば
、前記酸素濃度が20.05体積%である場合、即ち大
気中の酸素濃度(20体積%)より0゜05体積%だけ
高い場合には、結晶中にクラックが著しく発生する。こ
のため、結晶の育成雰囲気は酸素濃度が20」体積%以
上になるようにする。これにより、結晶中のクラックの
発生が抑制される。
満である場合には結晶中にクラックが発生する。例えば
、前記酸素濃度が20.05体積%である場合、即ち大
気中の酸素濃度(20体積%)より0゜05体積%だけ
高い場合には、結晶中にクラックが著しく発生する。こ
のため、結晶の育成雰囲気は酸素濃度が20」体積%以
上になるようにする。これにより、結晶中のクラックの
発生が抑制される。
なお、結晶の育成雰囲気は酸素濃度が201皿体積%以
上であれば良いが、高くし過ぎると経済的に好ましくな
い。
上であれば良いが、高くし過ぎると経済的に好ましくな
い。
[実施例]
次に、第1図に示す装置を使用して本発明の実施例方法
によりチタン酸バリウム単結晶を製造した場合について
、比較例と比較して説明する。
によりチタン酸バリウム単結晶を製造した場合について
、比較例と比較して説明する。
几紅髭上
先ず、出発原料として、純度が99.99重量%の二酸
化チタン(Ties’)粉末及び純度が9918重量%
の炭酸バリウム(BaCOa)粉末を用意した。そして
、このT i O2粉末とBaC0a粉末とを85 :
35のモル比に秤量して混合した。その後、この混合
粉末を仮焼処理することによりB a COG中の二酸
化炭素(CO2)を分解除去して原料粉末とした。
化チタン(Ties’)粉末及び純度が9918重量%
の炭酸バリウム(BaCOa)粉末を用意した。そして
、このT i O2粉末とBaC0a粉末とを85 :
35のモル比に秤量して混合した。その後、この混合
粉末を仮焼処理することによりB a COG中の二酸
化炭素(CO2)を分解除去して原料粉末とした。
次に、この原料粉末をるつぼ1内に装入し、このるつぼ
1をマツフル10内に載置した。そして、ヒータ2によ
り加熱して原料粉末を溶融させて原料融液6を得た。こ
の原料融液6はヒータ2により加熱して1400℃の温
度に維持した。
1をマツフル10内に載置した。そして、ヒータ2によ
り加熱して原料粉末を溶融させて原料融液6を得た。こ
の原料融液6はヒータ2により加熱して1400℃の温
度に維持した。
次に、8r!棒8の下端部にチタン酸バリウム(BaT
iOa)の種結晶7を白金線で取付けた。
iOa)の種結晶7を白金線で取付けた。
この種結晶7は縦が3ms+、横が30、長さが10m
5+であり、長手方向が<100>方向になるように切
り出したものである。
5+であり、長手方向が<100>方向になるように切
り出したものである。
次いで、上昇・下降ヘッド9を下降させてその種結晶7
を融液6に接触させた。そして、融液6の温度を5℃/
時で降下させ、種結晶7に結晶が晶出してくるのを確認
した後、融液6の温度降下速度を0.3℃/時に変更し
、種棒8を0.4mm/時の速度で上昇させた。
を融液6に接触させた。そして、融液6の温度を5℃/
時で降下させ、種結晶7に結晶が晶出してくるのを確認
した後、融液6の温度降下速度を0.3℃/時に変更し
、種棒8を0.4mm/時の速度で上昇させた。
なお、結晶育成中はガス送風口4からマツフル10内に
酸素及び窒素の混合ガスを57/分の流量で供給し、結
晶成長の雰囲気の酸素濃度を約30体積%にした。
酸素及び窒素の混合ガスを57/分の流量で供給し、結
晶成長の雰囲気の酸素濃度を約30体積%にした。
このようにして約80時間結晶を育成した後、この結晶
を100℃/時の温度降下速度で冷却した。
を100℃/時の温度降下速度で冷却した。
これにより、直径が.95mm、長さが.95mm+の
B a T i Oa単結晶を得た。
B a T i Oa単結晶を得た。
L艷虹上
出発原料として純度が99.9重量%のT i O2試
薬及び純度が99.9重量%のB a CO3試薬を使
用したこと以外は実施例1と同様にして B a T i 03単結晶を得た。
薬及び純度が99.9重量%のB a CO3試薬を使
用したこと以外は実施例1と同様にして B a T i 03単結晶を得た。
辻」え例」し
結晶育成中の結晶成長の雰囲気が大気(酸素濃度;20
体積%)であること以外は実施例1と同様にしてBaT
i0a単結晶を得た。
体積%)であること以外は実施例1と同様にしてBaT
i0a単結晶を得た。
L虹轟裏
出発原料として純度が99.9重量%のTiO2試薬及
び純度が99.9重量%のBaC0a試薬を使用し、結
晶育成中の結晶成長の雰囲気が大気であること以外は実
施例1と同様にしてBaTi0a単結晶を得た。
び純度が99.9重量%のBaC0a試薬を使用し、結
晶育成中の結晶成長の雰囲気が大気であること以外は実
施例1と同様にしてBaTi0a単結晶を得た。
その結果、実施例1に係るBaTiO3単結晶は、薄い
黄色を呈したものの、透明度が極めて高いものであった
。また、結晶中にクランクは全く発生していなかった。
黄色を呈したものの、透明度が極めて高いものであった
。また、結晶中にクランクは全く発生していなかった。
一方、出発原料であるT i 02及びBaconの純
度が低い比較例1に係るB a T i O3単結晶は
、透明度が低く、濃茶色を呈していると共に、結晶中に
小さなりラックが存在した。また、結晶成長の雰囲気が
大気である比較例2に係るBaTiO3単結晶は、淡い
黄色を呈し、結晶中に多数のクラックが存在した。更に
、出発原料であるTi0z及びBaCO3の純度が低く
、結晶成長の雰囲気が大気である比較例3に係るB a
T i Oa単結晶は、濃茶色を呈し、且つ結晶中に
多数のクラックが存在した。
度が低い比較例1に係るB a T i O3単結晶は
、透明度が低く、濃茶色を呈していると共に、結晶中に
小さなりラックが存在した。また、結晶成長の雰囲気が
大気である比較例2に係るBaTiO3単結晶は、淡い
黄色を呈し、結晶中に多数のクラックが存在した。更に
、出発原料であるTi0z及びBaCO3の純度が低く
、結晶成長の雰囲気が大気である比較例3に係るB a
T i Oa単結晶は、濃茶色を呈し、且つ結晶中に
多数のクラックが存在した。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、出発原料となる二
酸化チタン及び炭酸バリウムの純度を所定の範囲に限定
すると共に、結晶の育成雰囲気の酸素濃度を所定の範囲
に限定するから、結晶中にクラックが発生することを防
止できると共に、着色が少なくて透明度が高いチタン酸
バリウム単結晶を得ることができる。このため、光学的
特性が優れたチタン酸バリウム単結晶を製造することが
できる。
酸化チタン及び炭酸バリウムの純度を所定の範囲に限定
すると共に、結晶の育成雰囲気の酸素濃度を所定の範囲
に限定するから、結晶中にクラックが発生することを防
止できると共に、着色が少なくて透明度が高いチタン酸
バリウム単結晶を得ることができる。このため、光学的
特性が優れたチタン酸バリウム単結晶を製造することが
できる。
第1図はチタン酸バリウム単結晶の育成装置を示す断面
図である。 1;るつぼ、2;ヒータ、3;断熱材、4;ガス送風口
、5;観察用窓、6;融液、7;種結晶、8;種棒、8
a:ガス排気口、9;上昇・下降へラド、10;マツフ
ル、11;蓋、12:ステージ、13;テーブル
図である。 1;るつぼ、2;ヒータ、3;断熱材、4;ガス送風口
、5;観察用窓、6;融液、7;種結晶、8;種棒、8
a:ガス排気口、9;上昇・下降へラド、10;マツフ
ル、11;蓋、12:ステージ、13;テーブル
Claims (1)
- (1)純度が99.99重量%以上の二酸化チタン及び
純度が99.95重量%以上の炭酸バリウムの混合粉末
を出発原料とし、この混合粉末を1300乃至1450
℃に加熱して溶融させる工程と、この融液にチタン酸バ
リウムの種結晶を接触させ前記融液の温度を下げて前記
種結晶の表面上に単結晶を育成する工程とを有し、前記
単結晶の育成雰囲気は酸素濃度が20.1体積%以上で
あることを特徴とするチタン酸バリウム単結晶の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7527890A JPH03275585A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | チタン酸バリウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7527890A JPH03275585A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | チタン酸バリウム単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03275585A true JPH03275585A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13571605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7527890A Pending JPH03275585A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | チタン酸バリウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03275585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5366583A (en) * | 1991-10-08 | 1994-11-22 | Fujikura Ltd. | Process for preparing barium titanate single crystals |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7527890A patent/JPH03275585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5366583A (en) * | 1991-10-08 | 1994-11-22 | Fujikura Ltd. | Process for preparing barium titanate single crystals |
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