JPH03275597A - ダイヤモンド薄膜の被覆方法 - Google Patents
ダイヤモンド薄膜の被覆方法Info
- Publication number
- JPH03275597A JPH03275597A JP7419190A JP7419190A JPH03275597A JP H03275597 A JPH03275597 A JP H03275597A JP 7419190 A JP7419190 A JP 7419190A JP 7419190 A JP7419190 A JP 7419190A JP H03275597 A JPH03275597 A JP H03275597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- raw material
- thin film
- electron beam
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 9
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000012814 acoustic material Substances 0.000 description 1
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、物体表面の保護や表面のぬれ性の制御に用い
られ、さらに硬質材料や音響材料としても有用なダイヤ
モンド薄膜の被覆方法に関し、とりわけ大面積の基体に
均一に、かつ、大きい被覆速度でm暖できるダイヤモン
ドの薄膜の被覆方法に関する。
られ、さらに硬質材料や音響材料としても有用なダイヤ
モンド薄膜の被覆方法に関し、とりわけ大面積の基体に
均一に、かつ、大きい被覆速度でm暖できるダイヤモン
ドの薄膜の被覆方法に関する。
[従来の技術]
ダイヤモンドは、高硬度が大きい、熱伝導性が良好であ
る、などの物理特性を有しているので、各種の工業材料
として広く利用されている。しかしながら、超硬物質で
あるダイヤモンドは加工性に難点があり、このためダイ
ヤモンドの薄膜化の研究が行われている。ダイヤモンド
薄膜またはダイヤモンドに近似した特性を有するダイヤ
モンド状薄膜を基体表面に被覆する方法としては、特開
昭62−66997に開示されているような、マイクロ
波をプラズマ室に導入し、磁界をプラズマに印加して電
子のサイクロトロン共鳴を生起させるECRプラズvc
vo法や、特開昭64−33096に開示されているよ
うな、直流アーク放電により熱プラズマジェットを生起
させ、この熱プラズマジェットを基体に衝突させる方法
が開示されている。
る、などの物理特性を有しているので、各種の工業材料
として広く利用されている。しかしながら、超硬物質で
あるダイヤモンドは加工性に難点があり、このためダイ
ヤモンドの薄膜化の研究が行われている。ダイヤモンド
薄膜またはダイヤモンドに近似した特性を有するダイヤ
モンド状薄膜を基体表面に被覆する方法としては、特開
昭62−66997に開示されているような、マイクロ
波をプラズマ室に導入し、磁界をプラズマに印加して電
子のサイクロトロン共鳴を生起させるECRプラズvc
vo法や、特開昭64−33096に開示されているよ
うな、直流アーク放電により熱プラズマジェットを生起
させ、この熱プラズマジェットを基体に衝突させる方法
が開示されている。
【発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記した従来の被覆方法では、たとえば
建築用のガラスや自動車用のガラスのような大面積の基
体に均一に、かつ、大きい被覆速度でダイヤモンド薄膜
を被覆することが困難であるという問題があった。
建築用のガラスや自動車用のガラスのような大面積の基
体に均一に、かつ、大きい被覆速度でダイヤモンド薄膜
を被覆することが困難であるという問題があった。
本発明は、上記した問題を解決するためになされたもの
であって、とりわけ大きい面積の基体にダイヤモンド薄
膜を被覆するのに好適な方法を提供するものである。
であって、とりわけ大きい面積の基体にダイヤモンド薄
膜を被覆するのに好適な方法を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、減圧された雰囲気が調節可能な槽に、プラズ
マ電子ビーム発生装置と陽極とを対向させて設置すると
ともに、前記減圧された槽内に基体を設置し、不活性ガ
スと水素の少なくともひとつを含む放電用ガスを前記プ
ラズマ電子ビーム発生装置内に供給して、前記プラズマ
電子ビーム発生装置内にプラズマを発生させ、しかるの
ち前記プラズマ中の電子を前記陽極jこ向l夕て荊記絹
圧された槽内に電気的に加速して引出し、前記減圧され
た槽内に外部から炭化水素を含む原料ガスを導入して、
前記原料ガスと前記槽内に引出した電子とを含むプラズ
マを形成させて基体にダイヤモンドWINを被覆する方
法である。
マ電子ビーム発生装置と陽極とを対向させて設置すると
ともに、前記減圧された槽内に基体を設置し、不活性ガ
スと水素の少なくともひとつを含む放電用ガスを前記プ
ラズマ電子ビーム発生装置内に供給して、前記プラズマ
電子ビーム発生装置内にプラズマを発生させ、しかるの
ち前記プラズマ中の電子を前記陽極jこ向l夕て荊記絹
圧された槽内に電気的に加速して引出し、前記減圧され
た槽内に外部から炭化水素を含む原料ガスを導入して、
前記原料ガスと前記槽内に引出した電子とを含むプラズ
マを形成させて基体にダイヤモンドWINを被覆する方
法である。
本発明においては、プラズマ電子ビーム発生装置に導入
する放電用のガスは、プラズマ電子ビーム発生装置内の
圧力が数Paから数千Paとなるように!il整される
。そして、この放電用のガスは、より低圧力に維持され
ている槽内に引出される。
する放電用のガスは、プラズマ電子ビーム発生装置内の
圧力が数Paから数千Paとなるように!il整される
。そして、この放電用のガスは、より低圧力に維持され
ている槽内に引出される。
また陰極は高温に加熱され、熱電子を多量放出するので
、大電流のプラズマがプラズマ電子ビーム発生装置内に
つくられる。プラズマ電子ビーム発生装置内でつくられ
た電子は、電気的に加速されて、導入された原料ガスに
より0.1〜10Paの圧力に維持された槽内に引出さ
れる。槽内に5出された電子は、加速されて高いエネル
ギーを有しているので、原料ガスと衝突することにより
、原料ガスを効率よく分解するプラズマを形成する。
、大電流のプラズマがプラズマ電子ビーム発生装置内に
つくられる。プラズマ電子ビーム発生装置内でつくられ
た電子は、電気的に加速されて、導入された原料ガスに
より0.1〜10Paの圧力に維持された槽内に引出さ
れる。槽内に5出された電子は、加速されて高いエネル
ギーを有しているので、原料ガスと衝突することにより
、原料ガスを効率よく分解するプラズマを形成する。
そしてプラズマの近傍に設置された基体表面にダイヤモ
ンド薄膜が大きい被覆速度で被覆される。
ンド薄膜が大きい被覆速度で被覆される。
上記したプラズマ電子ビーム発生装置から引出された電
子ビームは、円柱状をしている。表面積が大きい板状の
基体に均一にダイヤモンド薄膜を被覆するためには、槽
内に引出された電子ビームの形状を磁界によりシート状
にして、シート面が基体表面に対してほぼ平行になるよ
うにし、すなわちプラズマを7−ト状にすることが好ま
しい。
子ビームは、円柱状をしている。表面積が大きい板状の
基体に均一にダイヤモンド薄膜を被覆するためには、槽
内に引出された電子ビームの形状を磁界によりシート状
にして、シート面が基体表面に対してほぼ平行になるよ
うにし、すなわちプラズマを7−ト状にすることが好ま
しい。
円柱状のプラズマをシート状に変形させる方法としては
、円柱状のプラズマの両側に磁石を配置して、プラズマ
を広げてシート状にする特開昭5927499に開示さ
れている方法を用いることができる。
、円柱状のプラズマの両側に磁石を配置して、プラズマ
を広げてシート状にする特開昭5927499に開示さ
れている方法を用いることができる。
/−ト状のプラズマ中の電子は、減圧された槽の内部に
設置または槽壁に設置されたプラズマ電子ビーム発生装
置から加速されて供給されるので、プラズマ中の電子の
エネルギーが高く、ダイヤモンド薄膜を大きな面積の基
体表面に形成するのに必叡な炭化水素を含む[1ガスを
効率よく励起、分解する。とりわけ原料ガスに水素が含
まれている現金は、水素が効率よく励起されて原子状水
素となり、この原子状水素は薄膜が堆積するときに、グ
ラファイト構造が成長するのを抑制する。上記した原子
状の水素をより効率よく生成するためには、槽内のプラ
ズマ中の電子のエネルギーは、5〜150eVにするこ
とが好ましく、とりわけ20〜80eVにすることが最
も好ましい。
設置または槽壁に設置されたプラズマ電子ビーム発生装
置から加速されて供給されるので、プラズマ中の電子の
エネルギーが高く、ダイヤモンド薄膜を大きな面積の基
体表面に形成するのに必叡な炭化水素を含む[1ガスを
効率よく励起、分解する。とりわけ原料ガスに水素が含
まれている現金は、水素が効率よく励起されて原子状水
素となり、この原子状水素は薄膜が堆積するときに、グ
ラファイト構造が成長するのを抑制する。上記した原子
状の水素をより効率よく生成するためには、槽内のプラ
ズマ中の電子のエネルギーは、5〜150eVにするこ
とが好ましく、とりわけ20〜80eVにすることが最
も好ましい。
基体はシート状のプラズマの偏平なシート面にほぼ平行
にプラズマの外側に設置され、適当な手段により固定す
ることができる。シート状プラズマのシート面に対して
平行にプラズマの外側を移動させる手段を設けることに
より、基体を移動させながら被覆してもよい。また本発
明に用いられる基体としては、ガラス板、金属などを用
いることができ、基体の加熱は、基体を劣化させない範
囲で加熱することができ、300℃の比較的低い加熱で
も硬いダイヤモンド薄膜を被覆することができる。
にプラズマの外側に設置され、適当な手段により固定す
ることができる。シート状プラズマのシート面に対して
平行にプラズマの外側を移動させる手段を設けることに
より、基体を移動させながら被覆してもよい。また本発
明に用いられる基体としては、ガラス板、金属などを用
いることができ、基体の加熱は、基体を劣化させない範
囲で加熱することができ、300℃の比較的低い加熱で
も硬いダイヤモンド薄膜を被覆することができる。
[作用]
本発明にかかるプラズマは、エネルギーが大きい電子を
含んでいるので、原料ガスの分解を効率よくおこなう。
含んでいるので、原料ガスの分解を効率よくおこなう。
とりわけ水素ガスに対する電離能率が高いので、槽内の
薄膜形成空間にダイヤモンド薄膜を形成するうえで有効
な、活性化された原子状水素を多く存在させることがで
きる。したがって、本発明にかかるプラズマは、薄膜の
被覆速度を大きくするとともに、薄膜の結晶構造をダイ
ヤモンドの四面体構造に発達させる。
薄膜形成空間にダイヤモンド薄膜を形成するうえで有効
な、活性化された原子状水素を多く存在させることがで
きる。したがって、本発明にかかるプラズマは、薄膜の
被覆速度を大きくするとともに、薄膜の結晶構造をダイ
ヤモンドの四面体構造に発達させる。
また、シート状に変形されたプラズマを、基体に平行し
て生成させることにより、基体表面の全体にわたって膜
厚の均一性が良い被覆をおこなうことができる。
て生成させることにより、基体表面の全体にわたって膜
厚の均一性が良い被覆をおこなうことができる。
[実施例1
以下、実施例に基いて本発明を説明する。第1図は本発
明の実施に用いられる被覆装置の概略断面図、第2図は
本発明にかかるシート状プラズマの特性および/−ト状
プラズマと基体との位置関係を示すための図、第3図は
本発明にかかるシート状のプラズマの電離能率を説明す
るための図である。
明の実施に用いられる被覆装置の概略断面図、第2図は
本発明にかかるシート状プラズマの特性および/−ト状
プラズマと基体との位置関係を示すための図、第3図は
本発明にかかるシート状のプラズマの電離能率を説明す
るための図である。
本発明に用いられる被覆装置は、第1図に示されるよう
に減圧された真空槽lにプラズマ電子ビーム発生装W5
と陽極6とが電気絶縁体+4を介して、対向するように
配置されるとともに、直流放電型ji15に接続されて
いる。プラズマ電子ビーム発生装M5は、タンタル製の
パイプ11. 硼化ランタン製のディスク状陰極12
を有するホロウカンード型の放電電極2と電子加速用電
極3とからなっている。そして、放電電極2と電子加速
用電極3とは電気絶縁材14により電気的に絶縁されて
いる。タンタル製パイプ11から不活性ガスまたは不活
性ガスと水素とからなる混合ガスを導入した後、放電電
極2に直流電力を放電基#15から供給して発生する電
子を放電電極2と電子加速用電極3との間に印加される
電位差によって真空槽内1のプラズマ生成空間4内に引
出すことにより、プラズマ電子ビーム発生装置115と
陽極6との間に低電圧・大電流プラズマを生起させる。
に減圧された真空槽lにプラズマ電子ビーム発生装W5
と陽極6とが電気絶縁体+4を介して、対向するように
配置されるとともに、直流放電型ji15に接続されて
いる。プラズマ電子ビーム発生装M5は、タンタル製の
パイプ11. 硼化ランタン製のディスク状陰極12
を有するホロウカンード型の放電電極2と電子加速用電
極3とからなっている。そして、放電電極2と電子加速
用電極3とは電気絶縁材14により電気的に絶縁されて
いる。タンタル製パイプ11から不活性ガスまたは不活
性ガスと水素とからなる混合ガスを導入した後、放電電
極2に直流電力を放電基#15から供給して発生する電
子を放電電極2と電子加速用電極3との間に印加される
電位差によって真空槽内1のプラズマ生成空間4内に引
出すことにより、プラズマ電子ビーム発生装置115と
陽極6との間に低電圧・大電流プラズマを生起させる。
放電に使用されるガスとしては水素ガス、アルゴン、ヘ
リウム、牛セノン、クリプトンの単一のガスのほか、そ
れらの混合ガスが好適に使用される。
リウム、牛セノン、クリプトンの単一のガスのほか、そ
れらの混合ガスが好適に使用される。
プラズマ生成空間4内に引出されたプラズマは、プラズ
マ誘導用コイル8aによる磁場と互いにN極が対向する
ように配置された一対のプラズマ圧縮用永久磁石8bの
磁場によって、プラズマ生成空間4内で厚みが薄く、大
きな面積にわたって均一に広がったシート状のプラズマ
7となる。シート状のプラズマ7と平行で、かつ、シー
ト状のプラズマの外側に配置された基体1G上にダイヤ
モンド薄膜を形成するためには、前記槽lに設けられた
原料ガス導入口9から炭化水素、−酸化炭素、二酸化炭
素のいずれかのガスかあるいはそれらのガスと水素ガス
との混合ガスをシート状のプラズマ7に供給し、シート
状のプラズマ7中で前記原料ガスの解離・反応を行わせ
る。
マ誘導用コイル8aによる磁場と互いにN極が対向する
ように配置された一対のプラズマ圧縮用永久磁石8bの
磁場によって、プラズマ生成空間4内で厚みが薄く、大
きな面積にわたって均一に広がったシート状のプラズマ
7となる。シート状のプラズマ7と平行で、かつ、シー
ト状のプラズマの外側に配置された基体1G上にダイヤ
モンド薄膜を形成するためには、前記槽lに設けられた
原料ガス導入口9から炭化水素、−酸化炭素、二酸化炭
素のいずれかのガスかあるいはそれらのガスと水素ガス
との混合ガスをシート状のプラズマ7に供給し、シート
状のプラズマ7中で前記原料ガスの解離・反応を行わせ
る。
シート状のプラズマ7の厚み方向のポテン/ヤル分布は
第2図で示されるように、3つの領域からなる層状#R
造になっており、中心部には抵抗16、■7.18によ
って任意に定められる放電電極2と電子加速用電極3と
の電位差に対応した電子エネルギーを有する高エネルギ
ープラズマ20が形成され、その両側には電子!!度に
して約IO数eVのホyトプラズマ21が形成され、さ
らに両外側には電子温度にして約数eVのコールドプラ
ズマ22が形成される。また、ダイヤモンド薄膜を被覆
する基体の表面10aは、シート状のプラズマ7の外側
にシート面と対向するように配置される。
第2図で示されるように、3つの領域からなる層状#R
造になっており、中心部には抵抗16、■7.18によ
って任意に定められる放電電極2と電子加速用電極3と
の電位差に対応した電子エネルギーを有する高エネルギ
ープラズマ20が形成され、その両側には電子!!度に
して約IO数eVのホyトプラズマ21が形成され、さ
らに両外側には電子温度にして約数eVのコールドプラ
ズマ22が形成される。また、ダイヤモンド薄膜を被覆
する基体の表面10aは、シート状のプラズマ7の外側
にシート面と対向するように配置される。
ダイヤモンド薄膜を基体に被覆するうえで水素原子の存
在は#1要であり、水素原子によってダイヤモンド構造
の膜が堆積すると同時にグラファイト状カーボンのみが
遺択的に除去される。すなわち、プラズマ反応によって
ダイヤモンド薄膜を形成させる際に要求されるプラズマ
の特性としては、原子状の水素を生成できることが重要
である。水素の電離能率は、第3図の電子エネルギーと
電離能率との関係に示したように、約40eVの電子エ
ネルギーの時に最大になる。上記から、本発明において
抵抗16、I7.18をIl!!することによって放電
電極2と電子加速用電極3との電位差を15〜160v
の範囲にする時に水素の電離が促進され、したがって薄
膜形成雰囲気中に多量の活性化された原子状水素が生成
される。したがって、シート状のプラズマを形成する電
子のエネル*−’)15〜150cVの範囲にすること
は、良質のダイヤモンド薄膜を大きい被覆速度で得るう
えで好ましい。また、シート状のプラズマは大面積にわ
たってプラズマ装置(プラズマ密度、電子温度、プラズ
マポテンシャル)が均一なプラズマであり、かつ磁場に
よって限られた空間内に閉じこめられた高密度むプラズ
マであるので、大面積の基体上に均一な膜厚で、かつ、
大きい被覆速度でダイヤそンド薄験を被覆することがで
きる。
在は#1要であり、水素原子によってダイヤモンド構造
の膜が堆積すると同時にグラファイト状カーボンのみが
遺択的に除去される。すなわち、プラズマ反応によって
ダイヤモンド薄膜を形成させる際に要求されるプラズマ
の特性としては、原子状の水素を生成できることが重要
である。水素の電離能率は、第3図の電子エネルギーと
電離能率との関係に示したように、約40eVの電子エ
ネルギーの時に最大になる。上記から、本発明において
抵抗16、I7.18をIl!!することによって放電
電極2と電子加速用電極3との電位差を15〜160v
の範囲にする時に水素の電離が促進され、したがって薄
膜形成雰囲気中に多量の活性化された原子状水素が生成
される。したがって、シート状のプラズマを形成する電
子のエネル*−’)15〜150cVの範囲にすること
は、良質のダイヤモンド薄膜を大きい被覆速度で得るう
えで好ましい。また、シート状のプラズマは大面積にわ
たってプラズマ装置(プラズマ密度、電子温度、プラズ
マポテンシャル)が均一なプラズマであり、かつ磁場に
よって限られた空間内に閉じこめられた高密度むプラズ
マであるので、大面積の基体上に均一な膜厚で、かつ、
大きい被覆速度でダイヤそンド薄験を被覆することがで
きる。
実施例
第1図の被覆装置の真空槽lの底面に取りつけられた基
体ホルダ+3に30cm角のフロートガラスをセットし
た。檜!内を排気口19から真空排気ポンプ(図示され
ない)で6.7X11M4Pa以下になるまで真空排気
すると同時に、ガラスを基体加熱ヒーターにより約30
0℃まで加熱した。その後、プラズマ電子ビーム発生装
置のタンクル製のパイプ11から水素ガスを約30se
cm導入し、放電電極2に4OAの電流を供給し、陰極
12を加熱することにより約65^/cm’の大電流を
取り出し、陽極6との間で水素ガスを含むプラズマを生
起させた。この時の放電電極2と電子加速用電極3との
電位差は46Vであり、シート状のプラズマ7は、プラ
ズマ誘導用コイル88とプラズマ圧縮用永久磁石8bの
磁場によって幅約40 c m、 長さ約80 c
m、厚み約2cmのノート状であった。次に、原料ガス
導入口9から、水素とメタンの混合ガス(メタンjll
[3%)からなる原料ガスを約25secm導入した。
体ホルダ+3に30cm角のフロートガラスをセットし
た。檜!内を排気口19から真空排気ポンプ(図示され
ない)で6.7X11M4Pa以下になるまで真空排気
すると同時に、ガラスを基体加熱ヒーターにより約30
0℃まで加熱した。その後、プラズマ電子ビーム発生装
置のタンクル製のパイプ11から水素ガスを約30se
cm導入し、放電電極2に4OAの電流を供給し、陰極
12を加熱することにより約65^/cm’の大電流を
取り出し、陽極6との間で水素ガスを含むプラズマを生
起させた。この時の放電電極2と電子加速用電極3との
電位差は46Vであり、シート状のプラズマ7は、プラ
ズマ誘導用コイル88とプラズマ圧縮用永久磁石8bの
磁場によって幅約40 c m、 長さ約80 c
m、厚み約2cmのノート状であった。次に、原料ガス
導入口9から、水素とメタンの混合ガス(メタンjll
[3%)からなる原料ガスを約25secm導入した。
この時の槽1内の圧力は、真空排気ポンプ前段に設置さ
れているフンダクタンスバルブ(図示せず〉によって0
.133Paになるように制御した。[4ガスを60分
導入し続け、基板上に薄膜を形成させた後、ガス導入を
停止し放電を終了させた。ダイヤモンド薄膜を被覆して
いるときの放電状態は、異常放電もなく非常に安定であ
った。ガラスの温度が下がるのを待って、槽口内を大気
圧に戻した後、ダイヤモンド薄膜が被覆されたガラスサ
ンプルを得た。
れているフンダクタンスバルブ(図示せず〉によって0
.133Paになるように制御した。[4ガスを60分
導入し続け、基板上に薄膜を形成させた後、ガス導入を
停止し放電を終了させた。ダイヤモンド薄膜を被覆して
いるときの放電状態は、異常放電もなく非常に安定であ
った。ガラスの温度が下がるのを待って、槽口内を大気
圧に戻した後、ダイヤモンド薄膜が被覆されたガラスサ
ンプルを得た。
膜厚計によりダイヤモンド薄膜の厚みを測定したところ
杓1.5μmであった。また、膜厚分布は30cm角内
において±5%以内であった。
杓1.5μmであった。また、膜厚分布は30cm角内
において±5%以内であった。
さらに、レーザーラマン分光法により得られた#Ii膜
のラマンスペクトルを測定したところ、1000cm−
1〜1700cm−’にブロードなピークが蚊察され、
非晶質のダイヤモンド状薄膜であると同定した。また、
ヌープ硬度計によって硬度を測定したところ、約320
0kg/mm’の高硬度の薄膜であった。また、この優
は用いた基体であるフロートガラスの約4倍の硬さであ
ることが判明した。
のラマンスペクトルを測定したところ、1000cm−
1〜1700cm−’にブロードなピークが蚊察され、
非晶質のダイヤモンド状薄膜であると同定した。また、
ヌープ硬度計によって硬度を測定したところ、約320
0kg/mm’の高硬度の薄膜であった。また、この優
は用いた基体であるフロートガラスの約4倍の硬さであ
ることが判明した。
【発明の効I!]
本発明によれば、ダイヤモンド薄膜を、大きい波型速度
で被覆することができる。とりわ1す建築用や自動重用
の窓ガラスの如き大きな面積の基体に対しても膜の厚み
を均一に被覆することができるので、ガラス板に被覆さ
れた熱線反射膜や断熱膜の最上層に保M膜として用いる
ことにより、摩托強度やスクラッチなどの機械的強度に
優れた窓ガラスを能率よく製造することができる。
で被覆することができる。とりわ1す建築用や自動重用
の窓ガラスの如き大きな面積の基体に対しても膜の厚み
を均一に被覆することができるので、ガラス板に被覆さ
れた熱線反射膜や断熱膜の最上層に保M膜として用いる
ことにより、摩托強度やスクラッチなどの機械的強度に
優れた窓ガラスを能率よく製造することができる。
第1図は、本発明を実施するのに用いた被覆装置の概略
断面図、第2図は本発明にかかるシート状のプラズマの
特性およびシート状のプラズマと基体との位置関係を示
す図、第3図は本発明にかかるシート状のプラズマの電
離能率を説明するための図である。 宜・・・真空槽、2・・・放電電極、3・・・電子加速
用電極、4・・・プラズマ生成空間、5・・・プラズマ
電子ビーム発生装置、6・・・陽極、7・・・ノート状
のプラズマ、8a・・・プラズマ誘導用コイル、8b・
・・プラズマ圧縮用永久磁石、9・・・原料ガス導入口
、lO・・・基体、11・・・パイプ、12・・・陰極
、13・・・基体ホルダ、14・・・電気絶縁体、+6
・・・放電基原、20・・・高エネルギーのプラズマ、
21・・・ホットプラズマ、22・・・コールドプラズ
マ。 1 第 電子エネルギー (eV) 第3
断面図、第2図は本発明にかかるシート状のプラズマの
特性およびシート状のプラズマと基体との位置関係を示
す図、第3図は本発明にかかるシート状のプラズマの電
離能率を説明するための図である。 宜・・・真空槽、2・・・放電電極、3・・・電子加速
用電極、4・・・プラズマ生成空間、5・・・プラズマ
電子ビーム発生装置、6・・・陽極、7・・・ノート状
のプラズマ、8a・・・プラズマ誘導用コイル、8b・
・・プラズマ圧縮用永久磁石、9・・・原料ガス導入口
、lO・・・基体、11・・・パイプ、12・・・陰極
、13・・・基体ホルダ、14・・・電気絶縁体、+6
・・・放電基原、20・・・高エネルギーのプラズマ、
21・・・ホットプラズマ、22・・・コールドプラズ
マ。 1 第 電子エネルギー (eV) 第3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)減圧された雰囲気が調節可能な槽に、プラズマ電子
ビーム発生装置と陽極とを対向させて設置するとともに
、前記減圧された槽内に基体を設置し、不活性ガスと水
素の少なくともひとつを含む放電用ガスを前記プラズマ
電子ビーム発生装置内に供給して、前記プラズマ電子ビ
ーム発生装置内にプラズマを発生させ、しかるのち前記
プラズマ中の電子を前記陽極に向けて前記減圧された槽
内に電気的に加速して引出し、前記減圧された槽内に外
部から炭化水素を含む原料ガスを導入して、前記原料ガ
スと前記槽内に引出した電子とを含むプラズマを形成さ
せて、基体にダイヤモンド薄膜を被覆する方法。 2)前記原料ガスを含むプラズマの形状を磁界によりシ
ート状にし、かつ、シート面が前記基体表面に対して平
行になるようにしたことを特徴とする特許請求範囲第1
項記載の方法。 3)前記原料ガスを含むプラズマが15〜150eVの
エネルギーを有する電子を含むことを特徴とする特許請
求範囲第1項または第2項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7419190A JPH03275597A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | ダイヤモンド薄膜の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7419190A JPH03275597A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | ダイヤモンド薄膜の被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03275597A true JPH03275597A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13540037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7419190A Pending JPH03275597A (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | ダイヤモンド薄膜の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03275597A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252071A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7419190A patent/JPH03275597A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06252071A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6423383B1 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| JPH05275345A (ja) | プラズマcvd方法およびその装置 | |
| US5203959A (en) | Microwave plasma etching and deposition method employing first and second magnetic fields | |
| CN88101061A (zh) | 淀积碳的微波增强化学汽相淀积(cvd)方法 | |
| US5827613A (en) | Articles having diamond-like protective film and method of manufacturing the same | |
| JPH06275545A (ja) | ガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の 形成方法 | |
| JPH0380190A (ja) | ダイヤモンド様薄膜を形成する方法 | |
| JP3187487B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜の保護膜付き物品 | |
| JPH03275597A (ja) | ダイヤモンド薄膜の被覆方法 | |
| JP2687129B2 (ja) | ダイヤモンド状薄膜の製造方法及び装置 | |
| JP3205363B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜保護膜を有する金型 | |
| JP3056827B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素保護膜を有する物品とその製造方法 | |
| JPH05124825A (ja) | ダイヤモンド様薄膜保護膜を有する金型 | |
| Ikuno et al. | Structural characterization of randomly and vertically oriented carbon nanotube films grown by chemical vapour deposition | |
| JP2687156B2 (ja) | ダイヤモンド状薄膜の製造方法及び装置 | |
| JPH01279748A (ja) | 反応性プラズマビーム製膜装置 | |
| JPH01191779A (ja) | ハイブリッドプラズマによる薄膜合成法及び装置 | |
| JP2715277B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63475A (ja) | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 | |
| JPH03115561A (ja) | 膜を被覆する方法および被覆装置 | |
| JPS6187870A (ja) | コ−テイング膜の形成方法 | |
| JPS63107899A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2799414B2 (ja) | プラズマcvd装置および成膜方法 | |
| JP3683044B2 (ja) | 静電チャック板とその製造方法 | |
| JP2717853B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜、その製造法及び製造装置 |