JPH03275724A - 低熱膨張フレキシブルプリント回路用基板 - Google Patents
低熱膨張フレキシブルプリント回路用基板Info
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- JPH03275724A JPH03275724A JP7344790A JP7344790A JPH03275724A JP H03275724 A JPH03275724 A JP H03275724A JP 7344790 A JP7344790 A JP 7344790A JP 7344790 A JP7344790 A JP 7344790A JP H03275724 A JPH03275724 A JP H03275724A
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- low thermal
- aromatic
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、低熱膨張で耐熱性が優れたポリイミドフィル
ム及びこのフィルムと金属箔とを接着剤で貼合わせた線
膨弓艮係数の低いフレキシブルプリント回路用基板に関
するものである。
ム及びこのフィルムと金属箔とを接着剤で貼合わせた線
膨弓艮係数の低いフレキシブルプリント回路用基板に関
するものである。
(従来技術)
近年、電子電気工業の発展に伴い、通信用、民生用機器
の実装方式の簡略化、小型化、高信頼性が要求され、プ
リント回路板の使用が望まれている。特に軽量で立体的
に実装できるフレキシブルプリント回路板の使用が有利
であり、注目されている。
の実装方式の簡略化、小型化、高信頼性が要求され、プ
リント回路板の使用が望まれている。特に軽量で立体的
に実装できるフレキシブルプリント回路板の使用が有利
であり、注目されている。
従来のフレキシブルプリント回路用基板は、銅箔と線膨
張係数20x 1O−6(1/K)以上のポリイミドフ
ィルムとを接着剤で貼合わせたもので、高い線膨張係数
をもったフレキシブルプリント回路用基板であった。そ
のため、パターンの微細加工では寸法変化により不良と
なることが多かった。
張係数20x 1O−6(1/K)以上のポリイミドフ
ィルムとを接着剤で貼合わせたもので、高い線膨張係数
をもったフレキシブルプリント回路用基板であった。そ
のため、パターンの微細加工では寸法変化により不良と
なることが多かった。
また金属箔上に直接ポリアミック酸溶液を流延塗布し、
加熱硬化させて接着剤層のないフレキシブル回路用基板
を製造する方法があるが、耐熱性は確保できるものの、
格別の工夫がない限り充分小さな線膨張係数のフレキシ
ブルプリント回路用基板を得ることが困難であった。
加熱硬化させて接着剤層のないフレキシブル回路用基板
を製造する方法があるが、耐熱性は確保できるものの、
格別の工夫がない限り充分小さな線膨張係数のフレキシ
ブルプリント回路用基板を得ることが困難であった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、これまでにかかる欠点を克服すべくlIt意
検討した結果、接着剤を使用して、芳香族ジアミン1こ
ジアミノベンズアニリドを用いた線膨弓長係数の低いポ
リイミドフィルムと金属箔とを貼合わせることで、優れ
た低熱膨張のフレキシブル回路用基板が得られることを
見出し、本発明を完成するに至ったものである。
検討した結果、接着剤を使用して、芳香族ジアミン1こ
ジアミノベンズアニリドを用いた線膨弓長係数の低いポ
リイミドフィルムと金属箔とを貼合わせることで、優れ
た低熱膨張のフレキシブル回路用基板が得られることを
見出し、本発明を完成するに至ったものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジ
アミンとの重縮合反応によって得られるポリイミドフィ
ルムにおいて、酸無水物として芳香族テトラカルボン酸
二無水物(A)の中から選ばれた1種または2種以上の
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン(B
)として4,4′−ジアミノベンズアニリドおよび/ま
たは3,4′−ジアミノベンズアニリドと4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルの混合物からなり、かつ4,
4′−ジアミノベンズアニリドおよび/または3.4′
−ジアミノベンズアニリドが、芳香族アミン成分の30
〜100モル%からなる芳香族ジアミンからなる線膨張
係数が15X 1O−6(1,/K)以下である低熱膨
弓艮ポリイミドフィルム及びこの低熱膨張ポリイミドフ
ィルムを金属箔と接着剤で貼合わせることにより、金属
箔エツチング後の線膨張係数が15x jO−6(1/
K)以rである低熱膨弓長フレキシブルプリント回路板
である。
アミンとの重縮合反応によって得られるポリイミドフィ
ルムにおいて、酸無水物として芳香族テトラカルボン酸
二無水物(A)の中から選ばれた1種または2種以上の
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン(B
)として4,4′−ジアミノベンズアニリドおよび/ま
たは3,4′−ジアミノベンズアニリドと4,4′−ジ
アミノジフェニルエーテルの混合物からなり、かつ4,
4′−ジアミノベンズアニリドおよび/または3.4′
−ジアミノベンズアニリドが、芳香族アミン成分の30
〜100モル%からなる芳香族ジアミンからなる線膨張
係数が15X 1O−6(1,/K)以下である低熱膨
弓艮ポリイミドフィルム及びこの低熱膨張ポリイミドフ
ィルムを金属箔と接着剤で貼合わせることにより、金属
箔エツチング後の線膨張係数が15x jO−6(1/
K)以rである低熱膨弓長フレキシブルプリント回路板
である。
(作用)
本発明で使用するポリイミドフィルムの芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物は、1,2,4.5−ベンゼンテトラ
カルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスル
ホン−3,3’、4.4’−テトラカルボン酸二無水物
及び3.3’、4.4”−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物などであり、これらの1神または2種
類以上の混合物を用いることができる。中でも1,2,
4.5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物は剛直な成
分として作用し、3.3’、4.4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と3.3’ 、4.4’−ジフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸二無水物は屈曲性に富む
成分として作用する。本発明で芳香族ジアミン成分とし
て使用するジアミンは、分子内に屈曲性に富むエーテル
結合を持つ4,4′−ジアミノジフェニルエーテルと剛
直な結合を有するジアミノベンズアニリドの2または3
種類のジアミンの混合物である。
ルボン酸二無水物は、1,2,4.5−ベンゼンテトラ
カルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、3.3’、4.4’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスル
ホン−3,3’、4.4’−テトラカルボン酸二無水物
及び3.3’、4.4”−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物などであり、これらの1神または2種
類以上の混合物を用いることができる。中でも1,2,
4.5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物は剛直な成
分として作用し、3.3’、4.4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物と3.3’ 、4.4’−ジフェ
ニルエーテルテトラカルボン酸二無水物は屈曲性に富む
成分として作用する。本発明で芳香族ジアミン成分とし
て使用するジアミンは、分子内に屈曲性に富むエーテル
結合を持つ4,4′−ジアミノジフェニルエーテルと剛
直な結合を有するジアミノベンズアニリドの2または3
種類のジアミンの混合物である。
ジアミン成分の構成比は、ジアミノベンズアニリドが芳
香族ジアミンの30〜100モル%の範囲が好ましい。
香族ジアミンの30〜100モル%の範囲が好ましい。
ジアミノベンズアニリドが30モル%以下では、剛直な
分子+M造を導入する効果が発現しないため、線膨張係
数が大きくなる。
分子+M造を導入する効果が発現しないため、線膨張係
数が大きくなる。
芳香族テトラカルボン酸二無水物(A)と芳香族ジアミ
ン(B)との反応は、非プロトン性極性溶媒中で行われ
る。非プロトン性極性溶媒は、N、N−ジメチルホルム
アミド(DMF)、N、N−ジメチルアセトアミド(D
MAc)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、テ
トラヒドロフラン(T HF ) 、ジグライムなどで
ある。非プロトン性極性溶媒は、一種類のみ用いてもよ
いし、二種類以上を混合して用いてもよい。この時、L
記非プロトン性極性溶媒と相溶性がある非極性溶媒を混
合して使用しても良い。特にトルエン、キシレン、ソル
ベントナフサなどの芳香族炭化水素は、塗膜表面を平消
に仕上げる目的で良く使用される。混合溶媒における非
極性溶媒の割合は、30重量%以下であることが好まし
い。これは非極性溶媒が30重量%以上では溶媒の溶解
力が低下しポリアミック酸が析出するためである。本発
明においてもつとも好ましい溶媒は、DMFと比較的沸
点の高い芳香族炭化水素との組合わせである。
ン(B)との反応は、非プロトン性極性溶媒中で行われ
る。非プロトン性極性溶媒は、N、N−ジメチルホルム
アミド(DMF)、N、N−ジメチルアセトアミド(D
MAc)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、テ
トラヒドロフラン(T HF ) 、ジグライムなどで
ある。非プロトン性極性溶媒は、一種類のみ用いてもよ
いし、二種類以上を混合して用いてもよい。この時、L
記非プロトン性極性溶媒と相溶性がある非極性溶媒を混
合して使用しても良い。特にトルエン、キシレン、ソル
ベントナフサなどの芳香族炭化水素は、塗膜表面を平消
に仕上げる目的で良く使用される。混合溶媒における非
極性溶媒の割合は、30重量%以下であることが好まし
い。これは非極性溶媒が30重量%以上では溶媒の溶解
力が低下しポリアミック酸が析出するためである。本発
明においてもつとも好ましい溶媒は、DMFと比較的沸
点の高い芳香族炭化水素との組合わせである。
ポリイミドの重縮合反応は、
(イ)全アミン成分を先に溶媒に溶解し、その後酸成分
を添加し反応させるランダム共重合的な方法と、 (ロ)特定の一種類のアミンと酸をまず反応させてアミ
ン末端または酸末端のポリマとし、しかる後にこの末端
を成長させ、残りのアミン成分と酸成分を添加して重合
を完結させるブロック共重合的な方法と、 (ハ)2種類以上の酸、アミンをそれぞれ別に反応させ
て得られたポリアミック酸を化学反応を伴わずに混合す
るブレンド的な方法がある。
を添加し反応させるランダム共重合的な方法と、 (ロ)特定の一種類のアミンと酸をまず反応させてアミ
ン末端または酸末端のポリマとし、しかる後にこの末端
を成長させ、残りのアミン成分と酸成分を添加して重合
を完結させるブロック共重合的な方法と、 (ハ)2種類以上の酸、アミンをそれぞれ別に反応させ
て得られたポリアミック酸を化学反応を伴わずに混合す
るブレンド的な方法がある。
本発明においては、ランダム共重合的な方法、あるいは
ブロック共重合的な方法、ブレンド的な方法とれでも充
分目的に叶う特性の優れたフレキシブル回路用組成物を
得ることができる。したがって本発明では、(イ)(ロ
)(ハ)のどの重合方法も採用することがで゛きる。こ
のようにして得たポリアミック酸溶液をガラス板、ステ
ンレス板等に流延、60°C”−150°Cの温度範囲
で1〜2時間乾燥する。
ブロック共重合的な方法、ブレンド的な方法とれでも充
分目的に叶う特性の優れたフレキシブル回路用組成物を
得ることができる。したがって本発明では、(イ)(ロ
)(ハ)のどの重合方法も採用することがで゛きる。こ
のようにして得たポリアミック酸溶液をガラス板、ステ
ンレス板等に流延、60°C”−150°Cの温度範囲
で1〜2時間乾燥する。
その後剥離し、鉄枠で固定した後150°C〜350°
Cの温度範囲で加熱することでポリイミドフィルムが得
られる。
Cの温度範囲で加熱することでポリイミドフィルムが得
られる。
本発明で使用される金属箔は、一般に銅箔が用いられる
が、アルミ箔、ニッケル箔、ステンレス箔、タングステ
ン箔なども用いることができる。
が、アルミ箔、ニッケル箔、ステンレス箔、タングステ
ン箔なども用いることができる。
金属箔に直接ポリアミック酸溶液を流延塗布した後、加
熱効果させて接着剤層のないフレキシブル回路用基板を
製造する方法があるが、耐熱性は確保できるものの格別
の工夫がない限り充分小さな線膨張係数のフレキシブル
ブ1ノント回路用基板を得ることが困難であった。そこ
で銅箔と低熱膨張のポリイミドフィルムの片面あるいは
両面に接着剤を塗布し、これらを貼合わせることにより
低熱膨張のプリント回路基板ができる。また、ガラスク
ロス等の基材に含浸してプリプレグとすることもできる
。
熱効果させて接着剤層のないフレキシブル回路用基板を
製造する方法があるが、耐熱性は確保できるものの格別
の工夫がない限り充分小さな線膨張係数のフレキシブル
ブ1ノント回路用基板を得ることが困難であった。そこ
で銅箔と低熱膨張のポリイミドフィルムの片面あるいは
両面に接着剤を塗布し、これらを貼合わせることにより
低熱膨張のプリント回路基板ができる。また、ガラスク
ロス等の基材に含浸してプリプレグとすることもできる
。
本発明で使用する接着剤は、NBR/フェノール樹脂、
フェノール樹脂/ブチラール樹脂、NBR/エポキシ樹
脂、ビスマレイミド/アクリル招脂、ポリイミド樹脂等
を挙げることができ、特に耐熱性が要求される用途に対
してはビスマレイミド/アクリル樹脂、ポリイミド樹脂
が望ましい。
フェノール樹脂/ブチラール樹脂、NBR/エポキシ樹
脂、ビスマレイミド/アクリル招脂、ポリイミド樹脂等
を挙げることができ、特に耐熱性が要求される用途に対
してはビスマレイミド/アクリル樹脂、ポリイミド樹脂
が望ましい。
以上の接着剤はそのまま使用してもかまわないが、三酸
化アンチモン、水酸化アルミニウム、ホウ酸バリウム、
臭素化エポキシ等の難燃剤あるいはシリカアルミナ、マ
イカ、酸化チタン、ジルコニア、酸化マグネシウム等の
無機フィラーを適当i添加してもかまわない。但し多量
に添加すると接着強度が低下する。
化アンチモン、水酸化アルミニウム、ホウ酸バリウム、
臭素化エポキシ等の難燃剤あるいはシリカアルミナ、マ
イカ、酸化チタン、ジルコニア、酸化マグネシウム等の
無機フィラーを適当i添加してもかまわない。但し多量
に添加すると接着強度が低下する。
以下本発明を合成例及び比較例によりさらに詳細に説明
する。
する。
(合成例)
温度計、撹拌装置、環流コンデンサー及び乾燥窒素ガス
吹き込み口を備えた4つロセパラブルフラスコに精製し
た無水の4.4′−ジアミノベンズアニリド1..70
.4g (アミン成分の75モル%)をとり、これに無
水のN、N−ジメチルホルムアミド80重量%とキシレ
ン2 [1jfi i%の混合溶剤を、全仕込み原料中
の固形分割合が15重量%になるだけの量を加え、窒素
ガスを流しながら溶解した。
吹き込み口を備えた4つロセパラブルフラスコに精製し
た無水の4.4′−ジアミノベンズアニリド1..70
.4g (アミン成分の75モル%)をとり、これに無
水のN、N−ジメチルホルムアミド80重量%とキシレ
ン2 [1jfi i%の混合溶剤を、全仕込み原料中
の固形分割合が15重量%になるだけの量を加え、窒素
ガスを流しながら溶解した。
次いで精製した 1,2,4.5−ベンゼンテトラカル
ボン酸二無水物152.]、g (酸成分の75モル%
)を攪(↑しながら少量ずつ添加するが発熱反応である
ため、外部水槽に約15°Cの冷水を循環させてこれを
冷却した。添加後、内部温度を20°Cに設定し、5時
間反応した。
ボン酸二無水物152.]、g (酸成分の75モル%
)を攪(↑しながら少量ずつ添加するが発熱反応である
ため、外部水槽に約15°Cの冷水を循環させてこれを
冷却した。添加後、内部温度を20°Cに設定し、5時
間反応した。
次に精製した無水の4,4”−ジアミノジフェニルエー
テル50.1g (アミン成分の25モル%)を撹拌し
ながら少量ずつ添加し、更に続いて、精製した1、2,
4.5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物50.7g
(酸成分の25モル%)を撹拌しながら少量ずつ添加
した。添加後、内部温度を20°Cに設定し、5時間撹
拌し、反応を終rした。
テル50.1g (アミン成分の25モル%)を撹拌し
ながら少量ずつ添加し、更に続いて、精製した1、2,
4.5−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物50.7g
(酸成分の25モル%)を撹拌しながら少量ずつ添加
した。添加後、内部温度を20°Cに設定し、5時間撹
拌し、反応を終rした。
反応における酸/アミン(モル比)は0.93であリ、
N、N−ジメチルホルムアミド中0.5重量%溶液の固
有粘度は1.30 (at 30℃)であった。
N、N−ジメチルホルムアミド中0.5重量%溶液の固
有粘度は1.30 (at 30℃)であった。
このポリアミック酸溶液をガラス上にフィルムの厚みが
25μmになるように塗布し、80°Cで2時間乾燥さ
せ、その後ガラス上から剥離し、鉄枠で固定し、150
°Cから350°Cまで連続的に昇温加熱し、350°
Cで30分間加熱することにより、低熱膨張のポリイミ
ドフィルムが得られる。このポリイミド7 (/L4)
F?jl1141係数ハ5.5x 1O−6(1/K)
テアッた。
25μmになるように塗布し、80°Cで2時間乾燥さ
せ、その後ガラス上から剥離し、鉄枠で固定し、150
°Cから350°Cまで連続的に昇温加熱し、350°
Cで30分間加熱することにより、低熱膨張のポリイミ
ドフィルムが得られる。このポリイミド7 (/L4)
F?jl1141係数ハ5.5x 1O−6(1/K)
テアッた。
(実施例)
ビスマレイミド系接着剤溶液をプレス後の全体の厚みが
30μmとなるように25μmの低熱膨張ポリイミドフ
ィルム上に流延塗布した後、乾燥させ、接着剤を塗布し
た面に厚さ35μmの銅箔を重ね合わせ、フレキシブル
プリント回路用基板を得た。
30μmとなるように25μmの低熱膨張ポリイミドフ
ィルム上に流延塗布した後、乾燥させ、接着剤を塗布し
た面に厚さ35μmの銅箔を重ね合わせ、フレキシブル
プリント回路用基板を得た。
この片面銅張積層体の180°C引剥がし強さは2.0
kg/cmであり、エツチング後のポリイミドフィルム
の線膨張係数は、7.Ox 1O−6(1/K)であっ
た。
kg/cmであり、エツチング後のポリイミドフィルム
の線膨張係数は、7.Ox 1O−6(1/K)であっ
た。
(比較f(1)
上記の方法で合成したポリアミック酸溶液を銅箔上に流
延塗布した後、乾燥機に入れ、100℃で30分間、1
50°Cで30分間、200°Cで30分間、250°
Cで20分間、300°Cで10分間それぞれ加熱した
後、90mmφの円筒に巻き付け、300°Cから35
0°Cまで連続的に1時間かけて昇温し、アニールした
。このようにして製造されたフレキシブルプリント回路
用基板の180°C引き剥がし強さは0.7kg/am
であり、エツチング後のポリイミドフィルムの線膨張係
数i、t 20 x 1O−a(1/K) ”Cアラt
=。
延塗布した後、乾燥機に入れ、100℃で30分間、1
50°Cで30分間、200°Cで30分間、250°
Cで20分間、300°Cで10分間それぞれ加熱した
後、90mmφの円筒に巻き付け、300°Cから35
0°Cまで連続的に1時間かけて昇温し、アニールした
。このようにして製造されたフレキシブルプリント回路
用基板の180°C引き剥がし強さは0.7kg/am
であり、エツチング後のポリイミドフィルムの線膨張係
数i、t 20 x 1O−a(1/K) ”Cアラt
=。
(比較例2)
ビスマレイミド系接着剤溶液をプレス後の全体の厚みが
30μmとなるように25μm市販のポリイミドフィル
ム(カプトン、デュポン社製)上に流延塗布した後、乾
燥させ、接着剤を塗布した面に厚さ35μ黴の銅箔を重
ね合わせ、フレキシブルプリント回路用基板を得た。
30μmとなるように25μm市販のポリイミドフィル
ム(カプトン、デュポン社製)上に流延塗布した後、乾
燥させ、接着剤を塗布した面に厚さ35μ黴の銅箔を重
ね合わせ、フレキシブルプリント回路用基板を得た。
この片面m張積屠体の180°C引き剥がし強さは1.
5kg/cmであった。エツチング後のポリイミドフィ
ルムの線膨張係数は27x 1O−6(17K)であっ
た。
5kg/cmであった。エツチング後のポリイミドフィ
ルムの線膨張係数は27x 1O−6(17K)であっ
た。
(発明の効果)
本発明により、耐熱性、寸法安定性の優れたカールのな
いフレキシブル回路用基板を得ることができる。
いフレキシブル回路用基板を得ることができる。
手続補正書
平成2年 6月 14日
Claims (2)
- (1)芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミ
ンとの重縮合反応によって得られるポリイミドフィルム
において、 (A)酸無水物として芳香族テトラカルボン酸二無水物
の中から選ばれた1種または2種以上の混合物からなる
芳香族テトラカルボン酸二無水物と、 (B)ジアミンとして4,4’−ジアミノベンズアニリ
ドおよび/または3,4’−ジアミノベンズアニリドと
4,4’−ジアミノジフェニルエーテルの混合物からな
る芳香族ジアミンであり、かつ4,4’−ジアミノベン
ズアニリドおよび/または3,4’−ジアミノベンズア
ニリドが、芳香族アミン成分の30〜100モル%から
なる芳香族ジアミンとを反応させてなる線膨張係数が1
5×10^−^6(1/K)以下である低熱膨張ポリイ
ミドフィルム。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の低熱膨張ポリイミド
フィルムを、金属箔と接着剤で貼合わせることにより、
金属箔エッチング後の線膨張係数が15×10^−^6
(1/K)以下である低熱膨張を特徴とするフレキシブ
ルプリント回路用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344790A JPH03275724A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 低熱膨張フレキシブルプリント回路用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7344790A JPH03275724A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 低熱膨張フレキシブルプリント回路用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03275724A true JPH03275724A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13518486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7344790A Pending JPH03275724A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 低熱膨張フレキシブルプリント回路用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03275724A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043186A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-26 JP JP7344790A patent/JPH03275724A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012043186A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
| CN103119085A (zh) * | 2010-09-28 | 2013-05-22 | 东丽株式会社 | 树脂组合物及其制造方法 |
| JP5747822B2 (ja) * | 2010-09-28 | 2015-07-15 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物およびその製造方法 |
| CN103119085B (zh) * | 2010-09-28 | 2015-08-26 | 东丽株式会社 | 树脂组合物及其制造方法 |
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