JPH0327590A - セラミック回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ＬＳＩペアチップ、受動素子等の電子部品が
配設されるセラミック回路基板に関する。

［従来の技術］ 近時、電子回路が形成される回路基板にあっては、抗折
強度、熱拡散率さらにアナログ／デジタル混戊回路にお
ける高い周波数およびパルス伝送特性に係る誘電率等の
優位性の観点からセラミック回路基板が多用される。

この種のセラミック回路基板に係る好例として特公昭６
３−４６５９５号公報のセラミック多層配線基板の製造
法を挙げることが出来る。

当該セラミック多層配線基板の製造法では、先ず、セラ
ミック基体上にＷまたはＭｏ等の高融点金属を主戊分と
する第１の導体層を形成し、さらに前記第１導体層の一
部を開口した絶縁層をスクリーン印刷で形戒する。また
開口部に酸化防止および濡れ性を考慮してニッケルメッ
キを施し、さらにニッケルメッキ上にＡｇおよびＡｕ等
の貴金属層を溶解して形戊する。次いで、ペアチップの
ＩＣあるいはＳＡＷ，受動素子等をリフロ半田法等で接
続するために前記絶縁層上に掛かりその面積が開口部の
直径より大なる値の厚膜の第２の導体層を印刷する。続
いて酸化雰囲気で焼或を行う。このようにしてセラミッ
ク回路基板が完威される。

［発明が解決しようとする課題］ 然しなから、上記の従来の技術に係るセラミック回路基
板においては、焼或後の取扱等で生起し易いクラックを
阻止すべく、すなわち、所望の強度を得られるようセラ
ミック基体表面から絶縁層の表面までの厚さが、例えば
、４０乃至７０μｍに形成されている。そのため開口部
が比較的深いものとなり、以降における前記貴金属層お
よび絶縁層の形成のための印刷の作業に困難を伴う不都
合を露呈する。

本発明は係る点に鑑みてなされ、開口部のレベリングを
行い、これにより厚膜導体パターンを形成するためのス
クリーン印刷工程の作業が容易になるセラミック回路基
板を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 前記の課題を解決するために本発明は、セラミック基体
と、 当該セラミック基体上に形成される第１の導体層と、 当該第１導体層上の所定部分に開口部を設けて形成され
る絶縁層と、 前記開口部に形成される第２の導体層と、当該第２導体
層上に形成されるメッキ層と、当該メッキ層上に形成さ
れる貴金属層と、当該貴金属層上に形成される第３の導
体層と、を具備し、 前記第２導体層の上面は前記絶縁層と少なくとも同一表
面か、それ以下に形成されることをを特徴とする。

［作用コ 本発明に係るセラミック回路基板においては、セラミッ
ク基体上に第１の導体層を形成した後、所定部分に開口
部を設けて第１導体層上に絶縁層を形成する。次に、前
記開口部に第２の導体層を形戊し、さらに第３の導体層
上にメッキ層を形成し、次に、前記メッキ層上に金およ
び白金からなる貴金属層を形成する。

このようにして、開口部のレベリングが比較的容易に行
われる。

［実施例］ 次に、本発明に係るセラミック回路基板の実施例を添付
の図面を参照して以下詳細に説明する。

第１図にセラミック回路基板の断面を示し、第２図にそ
の作製に係る工程を示す。

第１図に示される例は、グリーンシ一トＧと、当該グリ
ーンシ一トＧ上に形成され、Ｗ，Ｍｏの高融点金属から
なる第１の導体層１２と、当該第１導体層１２の一部に
形成される開口部ｐを有して前記第１導体層ｌ２上に形
成された絶縁層１８ａ，１８ｂを含む。また前記開口部
ｐをレベリングするために施される第２の導体層１６で
あるＭＯを主或分とする下層部１６ａと、当該第２導体
層１６のＷを主或分とする上層部１６ｂと、さらに、前
記第２導体層ｌ６の上層部１６ｂ上に形成されるニッケ
ルメッキ層２２とを有している。さらにニッケルメッキ
層２２に形成され、Ａｕ１Ａｇ系の貴金属層２４と、当
該貴金属層２４および前記絶縁層１８ｂ上に形成される
Ａｇ−Ｐｄ，ＡｇＰｔ系の第３の導体層２６とで構或さ
れている。

次いで、上記のセラミック回路基板の製造方法の一例を
説明する。

先ず、工程（ａ）において、未焼結の基体であるグリー
ンシ一トＧをドクタブレード法を用いて均一な厚さ、例
えば、５００μｍに形成し、この後、金型による打ち抜
きにおいて所定の寸法に切断する。

次に、工程（ｂ）において、グリーンシー１−　Ｇ上に
第１導体層１２を形成する。この場合、ＷまたはＭｏの
メタライズ或分に印刷助剤を加えたメタライズペースト
をスクリーン印刷を用いて行う。

次に、王程（Ｃ）において、前記第１導体層ｌ２の一部
分上に開口部ｐが形成された絶縁層１８ａをグリーンシ
一トＧと同一組戊をもってスグリーン印刷により形成す
る。

次に、工程（ｄ）において、第１導体層１２の開口部ｐ
にスクリーン印刷により第２導体層１６を形戊する。こ
の場合、予め、グリーンシ一トＧと熱収縮率が近似した
Ｍｏのメクライズ戊分に印刷助剤を加えたメタライズペ
ースとを用いて第２導体層１６の下層部１６ａを形戊す
る。

工程（ｅ）において、前記絶縁層１８ａ上に開口部ｐと
同一の開口部を画或するように絶縁層１８ｂをグリーン
シ一トＧと同一戊分をもって、スクリーン印刷により形
成する。

工程（ｆ）において、ＷまたはＭＯのメタライズ或分に
印刷助剤を加えたメクライズペースとを用いて開口部ｐ
に形成された第２導体層１６の上層部１６ｂを形戊する
。

さらに工程（ｇ）において、第１導体層１２と第２導体
層１６と絶縁層１８ａ，１８ｂとを形成したグリーンシ
一トＧを還元雰囲気中で焼結する。

次いで工程（５）において、前記第２導体層１６上に硼
素系の無電解メッキ法によりニッケルメッキ２２を厚さ
３μｍで形成する。

次に、工程（ｉ）において還元雰囲気中で９００℃、約
３０分の熱処理を行う。

さらに、工程（Ｊ）において、ＡｕおよびＡｇの貴金属
組威のペーストをニッケルメッキ２２上にスクリーン印
刷等により３０μｍの厚さをもって、貴金属層２４を形
成した後、非酸化雰囲気中９６０〜１１００℃で、Ａｕ
およびＡｇの組或に合わせて、例えば、約３０分間熱処
理を行い貴金属を溶解する。

工程（ｋ）において、厚膜導体ペーストであるＡｇ−Ｐ
ｔ系ペーストあるいはＡｇ−Ｐｄ系ペーストをスクリー
ン印刷において前記絶縁層上に掛かり開口部ｐの直径よ
り大なる表面積である第３の導体層２６を形成する。

工程（１）において、前記Ａｇ−Ｐｔ系ペーストが形成
されｔこ実施例にあっては、酸化雰囲気中８５０℃で１
０分間焼戊する。また、前記ＡｇＰｄ系ペーストが形成
された実施例にあっては酸化雰囲気中７５０℃で１０分
間焼或する。

以上のようなセラミック回路基板の製造方法においては
貴金属層および第３導体層の形成のための開口部のレベ
リングが比較的容易に行われる。

なお、当該実施例ではセラミック回路基板どしているが
、斯かるセラミック回路基板を積層して多層のセラミッ
ク回路基板を形戊することも可能である。

［発明の効果］ 以上のように、本発明のセラミック回路基板によれば、
セラミック基体と、当該セラミック基体上に形成される
第１の導体層と、当該第１導体層上の所定部分に開口部
を設けて形成される絶縁層と、前記開口部に形成される
第２の導体層と、当該第２導体層上に形成されるメッキ
層と、当該メッキ層上に形成される貴金属層と、当該貴
金属層上に形成される第３の導体層と、を具備し、前記
第２導体層の上面は前記絶縁層と少なくとも同一表面か
、それ以下に形戊され、これにより前記開口部のレベリ
ングが容易に行われて貴金属層および第３導体層を形成
するためのスクリーン印刷工程の作業が容易になる効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

第ｔ図は本発明に係るセラミック回路基板の９ １０ 構或を示す断面図、 第２図は本発明に係るセラミック回路基板の製造方法を
説明するための概略工程のフローチャートである。 Ｇ・・・グリーンシ一ト １６・・・第２導体層 ２２・・・ニンケルメッキ層 ２６・・・第３導体層 １２・・・第１導体層 １８ａ，１８ａ・・・絶縁層 ２４・・・貫金属層 １ １

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック基体と、 当該セラミック基体上に形成される第１の導体層と、 当該第１導体層上の所定部分に開口部を設けて形成され
   る絶縁層と、 前記開口部に形成される第２の導体層と、 当該第２導体層上に形成されるメッキ層と、当該メッキ
   層上に形成される貴金属層と、 当該貴金属層上に形成される第３の導体層と、を具備し
   、 前記第２導体層の上面は前記絶縁層と少なくとも同一表
   面か、それ以下に形成されることをを特徴とするセラミ
   ック回路基板。
2. （２）請求項１記載のセラミック回路基板において、第
   ２導体層のメッキ層側の上層部はタングステン層であり
   、一方、下層部はモリブデン層であることを特徴とする
   セラミック回路基板。