JPH03276970A - 閉ループ反対磁場装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＣＲＴの機能に関し、特にＣＲＴの動作への
外部磁場の劣化効果を緩和することに関する。

（従来技術とその課題） このような応用のために上記減衰効果はＣＲＴの収束、
純度とラスタ回転とに関係している。

現在のＣＲＴデイスプレィは、穏やかな外部磁界の中で
さえ耐えられないデイスプレィ劣化を起こす。ＣＲＴを
取り囲む磁気シールドすなわち高い透磁率の外被（ハウ
ジング）は、ＣＲＴの可視軸に垂直な外部磁場に対して
適切なシールドを形成する。しかしながら、ＣＲＴの可
視軸に平行な外部磁場に対してはあまり遮蔽しない。白
黒のデイスプレィの場合には、ＣＲＴの可視軸に平行な
外部磁場は、ラスタの真中（ゼロ偏向点）を中心として
ラスタを回転させ、ラスタの隅はベゼルのために暗くさ
れ、デイスプレィとベゼル基準点に表示ミスを起こす（
例えば、マツプオーバーレイや、ＣＲＴスイッチラベル
の可変ファンクションキースイッチなど）。カラーシャ
ドーマスクデイスプレィ（ＣＳＭ）は、さらに外部場に
影響される。ラスタ回転のほかに、カラーＣＲＴデイス
プレィはカラー純度と収束を失い、ビーム誤差を誘発す
る°外部磁場のために輝度変化が増加する。

外部電磁場の有害な影響は、ＣＲＴの回りをバッキング
フィールドで取り囲むことで弱められることはよく知ら
°れている。しかし、現在の装置ではＣＲＴデイスプレ
ィと外部場センサーの両方から矯正バッキングフィール
ドを適切に分離させることはできない。外部場を測定し
バッキングフィールドを調整する試みは、従って制限つ
きで成功し、デイスプレィの正常な機能の妨害をもたら
した。従来の装置による矯正バッキングフィールドはＣ
ＲＴデイスプレィを乱し、矯正されるべき外部場と区別
がつかないように検知され判断されてしまう。さらに従
来の装置は、ＣＲＴ外被とセンサーの磁化率が外部場の
強度と方向を正確に決定し、適切な矯正フィールドを発
生するのを考慮に入れなければならないという点で制限
されている。

ＣＲＴ若しくはセンサーの構造の進歩により、外部場と
適切なバッキングフィールド強度の評価が実質的になさ
れている。

本発明は、矯正されるべき外部場をバッキングフィール
ドから離れた位置で検知して、外部場を容易に分離し正
確に検出する装置と技術を提供することを目的とする。

さらに、検出されたフィールドが外被によりあまり遮蔽
されないようにするために、外部場の測定をＣＲＴシー
ルド外被の内側において行なう。結果として、矯正され
たバッキングフィールドは、外被の内側で外部磁場の影
響を緩和する必要があるものに制限される。本発明は、
類似した従来の装置の限界を取り除き、センサーとＣＲ
Ｔ装置の構造のバリエーションを容品に適応させる装置
と技術を提供する。

（課題を解決するだめの手段及び作用と効果）本発明に
よれば、ＣＲＴの機能を向上した装置が開示され、外部
磁場により生じる干渉が緩和される。前記装置は、ＣＲ
Ｔ磁気遮蔽外被を有するＣＲＴと、ＣＲＴ外被の内側に
接設された少なくとも１つの電磁気フィールドセンサー
からなる。

センサーは、基準磁場を発生し、外被内で検知されるよ
うに基準磁場と外部場の両方の検出に応答してセンサー
出力信号を発生する。バッキングフィールドコイル駆動
回路は、フィールドセンサーと電気的に通信するように
設けられ、フィールドセンサー出力信号に応答するバッ
キングフィールドコイル駆動信号を発生させるよう機能
する回路である。バッキングフィールドコイルは、ＣＲ
Ｔの回りに周設され、バッキングフィールドコイル駆動
信号により駆動される。バッキングフィールドコイルは
、検知した外部磁場に対抗してバッキング電磁場を発生
し、それによってＣＲＴデイスプレィの外部磁場の劣化
効果を妨害し、低弱させる。

本好ましい実施例において、フィールドセンサーはＣＲ
Ｔシールドの内側に接設されたオーブンエンドを有する
複数のＥ字型コアセンサーからなる。さらにセンサーは
Ｅ字型コアの中心脚鉄に巻かれたセンサー駆動コイルと
、Ｅ字型コアの外側の脚鉄に巻かれた検出用コイルとか
らなる。検出用コイルは、好ましくは電気的に直列関係
にあったほうがよい。センサーは、好ましくは外部磁場
がないときはセンサー出力が最小になるよう設定されて
いるほうがよい。バッキングフィールドコイル駆動回路
は、外部磁場がないときセンサー出力に対応する可変オ
フセットを設定する電位差計を有する。ナル化されたセ
ンサー出力信号は、外部磁場に属性されており、外部磁
場に対抗するためバッキングフィールドを発生する。

（実施例） 以下の詳細な記述は、本発明の好ましい実施例の記述で
あり、本発明が構成され利用される形態だけを示しては
ない。以下の記述は、記述した実施例に関連して本発明
に用いられた信号のシーケンスを述べている。しかし、
同じか均等の機能又は信号シーケンスは本発明の本意と
目的をふまえた別の実施例により成し遂げられることは
当然である。

本発明が、新しいセンサー形状と装置形状を有すること
はもちろんのこと、それらの形状は単独でも有益である
が、本発明では協同して従来の装置の機能よりすぐれた
効果を達成している。第１図は、本発明に従ったセンサ
ー装置の構造を示している。そこに見られるように、セ
ンサー１１は、中心脚鉄１５と第１、第２それぞれの周
辺の脚鉄１７．１９からなるほぼＥ字型のコア１３から
なる。センサー駆動コイル２１は、中心脚鉄１５の回り
に巻かれている。検出用センサーコイル２３．２５はそ
れぞれ、周辺の脚鉄１７．１９の回りに巻かれている。

電気的センサー駆動信号は、センサー駆動ポート２７を
介してセンサー駆動巻線２１に供給される。検出用セン
サーコイル２３．２５は、電気的に直列関係に配置され
、センサー出カボート２９に出力する。

さらに第１図に見られるように、センサー１１は、セン
サーのオーブンエンドすなわちセンサーの脚鉄１５．１
７．１９の下面によって規定されるオーブンエンドは、
ＣＲＴシールド３０の内面３１に接するよう配置されて
いる。そのＣＲＴ可視軸は、内面３１にほぼ平行である
。

作動中、交番極性の一連のセンサー駆動信号は、センサ
ー駆動入力部２７に供給される。典型的なセンサー駆動
信号は、第１ｂ図に示されている。

電磁場は、センサー駆動パルスの結果として発生し、電
磁場方向はセンサー駆動パルス極性に依存している。第
１ａ図は、センサー駆動ポート２７に印加される正セン
サー駆動パルスの結果として発生されるフィールドパタ
ーンを示している。センサー駆動ポート２７へ負パルス
を印加すると、似通った形状だが異なる方向のフィール
ドパターンとなる。さらに第１ａ図に示されているよう
に、センサー１１は、シールド３０の内側に磁場を誘起
させる。第１図に示されているように、センサ−駆動信
号４０は、電磁場を発生させる。その電磁場は２つの磁
気回路Ｃｉｒ、１、Ｃｉｒ、２のように示され、２つの
磁気回路は外部磁界がないとき理想的にバランスを保つ
。第１の回路（Ｃｉｒ、１）は、センサー駆動コイル２
１と検出用コイル２３の間の磁気路からなる。第２の回
路（Ｃｉｒ、２）は、センサー駆動コイル２１と検出用
コイル２５の間の磁気路からなる。理論的には、センサ
ー出力信号５０は、ＣＲＴ外被の内側に外部磁界がない
とき、はぼゼロとなる。すなわち、両磁気回路は同−率
のほぼ同じフィールド強度を発生し、それらのコイルは
コイルに誘導される電流が互いに電流を打ち消すように
接続されている。

しかし実際問題として、外部磁場がないときでさえ、セ
ンサー出力信号は、コア表面とシールド材の間の不本意
な隙間と完全に平らにならない材質とのためにゼロには
ならない。外部磁場がないときのセンサー出力信号５０
は、実線で示されている。センサー出力信号５０は一般
的にスパイク信号であり、ピーク振幅５１を有し減少振
幅部５３に続いていく。正と負のピークは、はぼ同じで
ある。

外部磁場があるとき、おそらくセンサー出力信号の正と
負の各ピーク振幅は異なっている。その差異は、外部磁
場とセンサー駆動信号に対応する磁場とがセンサー駆動
信号の第１部（正駆動パルス）の間で加算され、第２部
（負駆動パルス）の間で減衰されることに起因している
。本発明は、外部磁場の存在するパルス振幅の変化を検
知し、適切なバッキングフィールドを生成するのに有益
な出力信号を発生させる機能がある。

ＣＲＴの回りの電磁気シールドは、ＣＲＴ軸に沿ってい
る磁界線のための低磁気抵抗分路を表わす。センサー駆
動磁場が外部磁場により増強される場所（すなわちセン
サー駆動磁場と外部磁場が加算される場所）では、検知
磁場は外部磁場がないときより強い。

センサー駆動コイル２１は、駆動コイルと各検出用コイ
ルの間の磁気路を形成する遮蔽物質を飽和状態にする十
分な電圧・秒の交番極性センサー駆動パルスにより駆動
される。遮蔽物質が飽和すると、その誘磁率は減少し、
磁気抵抗は増大し、検出用コイル２３．２５に誘起する
信号は減少する。

外部磁場がシールドに存在しないとき、各検出用コイル
に誘起される信号は一般的に等しく、センサー出力信号
を全くのゼロにする。実際には、Ｅ字型コア表面と遮蔽
材の間の不本意な隙間は、両磁気回路では完全には同じ
ではなく、外部磁場がないときのセンサー出力は全くの
ゼロにはならない。小さいがゼロでないセンサー出力は
、第１ｂ図のような交番極性スパイクパルスによって現
れる。

外部磁場が、ＣＲＴ可視軸に整列しているとき（Ｅ字型
コアの長辺と平行であるとき）、外部磁場は磁気回路の
１つに駆動センサー磁場を増強し他の磁気回路を妨害す
る。外部磁場により増強された磁気回路は、外部磁場に
より妨害された回路より急速に飽和し、その結果外部磁
場に妨害された回路より外部磁場によって増強された磁
気回路の出力巻線に誘導されるパルスの振幅をより急速
に縮小させる。その結果として、ネットの出力信号が生
成され、その信号は外部磁場の存在へのセンサーの応答
と結合した外部磁場がないシステムのゼロでない出力を
表現している。後述するように、センサーと電気的に通
信している処理回路は、実際の出力信号の２つの成分を
区別し、それによって外部磁場の影響を受けた出力信号
部を確認する。その処理回路は、バッキングフィールド
駆動信号を発生し、外部磁場の影響を受けたセンサー出
力成分により調整される。このようにして得られたバッ
キングフィールドは、ＣＲＴの内側に存在するとき、−
外部磁場を妨害するように機能する。

本好ましい実施例には、バッキングフィールド駆動信号
を発生させるために、駆動信号と同期して実際のセンサ
ー出力信号を積分する機能を有している。

第２図は、本発明のバッキングフィールド装置のブロッ
ク略図を表している。、その中に見られるように、−船
釣にシールド内のフィールドに比例する正味のセンサー
出力は、サーボループにより打ち消される。外部磁場３
７は、バッキングフィールドコイル４１によって生成さ
れたバッキングコイルフィールド３つと加算される。フ
ィールド３０内に設けられたセンサー１１は、打ち消さ
れていないフィールドかバッキングコイルフィールド３
９と外部磁場３７との加算により存在するかどうか決定
する機能がある。正味のセンサー出力信号は、バッキン
グフィールドコイル４１に伝えられる適切な駆動信号に
センサー１１の出力を基準化する増幅器４３に伝えられ
る。この回路は、バッキングコイルフィールド３９がＣ
ＲＴ外被内で外部磁場３７の影響を緩和調整するように
閉ループフィードバック装置として機能する。増幅器４
３は、外部磁場がないときその装置の機能にその装置（
任意の回路エラーとセンサーのオフセットエラーをナル
化する装置）を修正する調整部材を有している。それに
よって、その装置はその装置の特性機能にのみによって
起こる低レベルのセンサー出力に応答してバッキングフ
ィールドを発生するのを回避している。

第３図は、第１図で詳細に示している複数のセンサーを
搭載したＣＲＴの断面図を示している。

第３図のようにセンサー１１はシールド３０の内面３１
に近接して設置されている。従来のＣＲＴと同じく、偏
向ヨーク４５は、ＣＲＴ２０に光信号の像を調整する機
能がある。Ｅ字型コアセンサー１１は、横方向の外部磁
場に対しそのセンサーの感度を低下させるためＣＲＴシ
ールド３０の内側に設けられている。ＣＲＴシールドの
機能は、ＣＲＴ可視軸に直交する外部磁場から両センサ
ーを遮蔽する。その構造は、横方向の外部磁場の存在に
応答して矯正バッキングフィールドの発生を実質的に制
限している。結果として、本発明によれば、横方向の外
部磁場成分に対しセンサーの回りを遮蔽する必要がない
。前記センサーは、センサーノイズを偏向回路に、偏向
信号をセンサー回路内に誘起するのを防ぐため偏向ヨー
ク４５の十分後方に設けられている。さらに第３図に示
したように、本発明は、ＣＲＴシールド３０の内面３１
に沿って一定間隔て設けられた複数のセンサーを使用す
ることを包含している。後述の回路図は、ＣＲＴ可視軸
に対し放射状に対称的に設置された４つのセンサーを示
している。個々のセンサーの出力信号は、バッキングフ
ィールドコイル増幅器４３（第２図）を作動させるため
のエラー信号を形成するために平均化されていてもよい
。それによって、デイスプレィ性能は、より強いレベル
の外部磁場にも対応できる。さらに、複数のセンサーの
効果としては、ＣＲＴシールドの範囲を横切る磁界こう
配の影響を緩和する。実験によると、本発明を用いない
場合、ＣＲＴ可視軸に平行な外部磁場は、外部磁場強度
が１０ｅはどのときデイスプレィの歪みを受容できない
程度にする。本発明を用いると、デイスプレィ性能の受
容耐性は、外部磁場強度が５０ｅはどの範囲まで拡大さ
れた。

第４図は、本発明に従い形成された装置の機能ブロック
図を示している。第４図に見られるように、前記回路は
、第５Ｃ図で一般的に示したように、ＣＲＴの回りに設
置された４つのセンサーからなる。好ましくは、各セン
サーは、センタータップ（無誘導）コイルからなる方か
良く、そのセンタータップコイルは二重極性駆動信号の
発生と単一の駆動へのセンサーの並列関係を簡単化する
。

クロックフリップフロップ５３はクロック入力信号を受
信し、それによりクロック回路５１はトランジスタ５５
と５７を交互に活性化、非活性化する。この構成により
、交番極性を持たせたセンサー駆動信号４０を各センサ
ーコイル２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄに同時に伝え
ることができる。

各センサーの検出用コイルはコイル６１ａ、６１ｂ、６
１ｃ、６１ｄである。電位差計６３．６５．６６はセン
サー検出用コイルの出力を集め、外部磁場がないとき装
置の不安定さ（ＣＲＴ可視軸の回りの磁場こう配による
不安定）を効果的にナル化するために出力を安定させる
機能がある。

スイッチ６９は、集められた出力をクロックパルスと同
期に検出用センサー６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄか
らバッキングフィールド回路７１にゲートする機能があ
る。スイッチ６９の出力はりロックパルスがある開動作
する同期インチグレーターフ３に導かれる。この同期イ
ンチグレーターフ３は、バッキングフィールドコイル回
路７１におけるスパイクの影響を弱めさせ、検出された
信号の平均値に回路７１の応答を制限する。電位差計７
５は外部磁場がないときのセンサー出力信号によって表
わされるように装置の不安定さをなくすのに使用される
。センサー出力が振幅レベルのしきい値を超過するとき
、バッキングフィールドコイル回路７１はバッキングフ
ィールドコイル４１に導かれるバッキングフィールドコ
イル駆動信号を発生させる機能がある。これにより、バ
ッキングフィールドコイル４１は、ＣＲＴシールドの回
りに検知された外部磁場に対抗する電磁猟場を発生させ
る。センサー駆動回路７１は、検知された外部磁場に関
連してセンサー駆動信号を適当に制御する増幅回路を含
む。センサー駆動信号の振幅特性と他の特性は、予定し
た使用特定範囲に従って制御され、緩和される。

第５ａ図、第５ｂ図、第５Ｃ図はそれぞれ、本発明の特
徴を有するＣＲＴの平面図、側面図、正面図である。第
５ａ図は、ＣＲＴ３０の内側後方に設置されたセンサー
１１ａ、ｌｌｂを示して０る。バッキングフィールドコ
イル４１は、偏向ヨークの前方でＣＲＴ３０の回りに設
けられている。

第５ｂ図、第５Ｃ図は、センサー素子１１ａ、１１ｂ、
ｌｌｃ、ｌｉｄの位置と共にノく・ソキングフィールド
コイル４１の位置を示している。

第６ａ図と第６ｂ図は、Ｅ字型コアセンサー１１と適当
な巻線を形成するための典型的な技法を示している。第
６ａ図は、センサーの脚鉄にコイルを巻き付けるパター
ンを示している。実施例に示されたように、コイル２３
．２１．２５はそれぞれの脚鉄１７．１５．１９の上方
から巻き始める。第６ｂ図は、Ｅ字型コアの中心に巻か
れた巻線パターンの概略図を示している。Ｅ字型コアセ
ンサーはマグネチックス社（部品番号４４０２ＤＥＣ）
により販売されているコアを用いて形成された。１ミル
（０，００１″）の厚さのマイラーテープの層が、コイ
ルがＥ字型コアのフェライト素材から剥離しないように
するためにＥ字型コアの脚鉄の回りに巻かれた。＃３０
ＡＷＧの磁化線に１）がコイルを巻くのに用いられる。

示しているように、コイルの２つの層は中央脚鉄に巻か
れている。第１層は、無誘導電線（＃　３０）を２３回
巻き付けいる。その後、第１層は、マイラーテープの層
で覆われ、後の接続のためテープの外側に始めと終りを
持ってくる。電線の第２層は、中央脚鉄に巻かれている
。無誘導電線を２１回巻き付けて第２の層を形成してい
る。マイラーテープで電線を包んで第２層は完成する。

左右の足は、それぞれ電線を４４回巻き付けて形成され
、マイラーテープの１層で保護されている。この巻線は
第６ｂ図に示されたように接続されている。第６ａ図と
第６ｂ図に示された構成にしたがったセンサーの磁気パ
ラメータは以下の通りである。

コア Ａ　ｅ−１，８４ｓｑ、　　ｃｍ Ｌｅ−４，８２ｓｑ、　　ｃｍ Ｂｓａｔ＝４７００Ｇ Ａ　１　（Ｅ　Ｉ　）　＝　ｌ！１５０ｍＨ／１ｏｏｏ
ｓｑ、ｔｕｒｎｓシールド： Ａ　ｅ　＝　（０，６０８ｘ　Ｏ，６２）　　Ｘ　（２
，５４ｃＩＩｌ／１ｎ）＝０．２４３ｓｑ、ｃｍ Ｌｏ−０，０５２ｘ８１５０−２０．４ｍＨＢｓａｔ＝
１５ｋＧ 第９図は、第４図でさらに詳しく回路を示しているが、
センサー駆動回路の概略図である。前述したように、ク
ロック回路５３はクロックパルスを発生し、そのクロッ
クパルスはセンサーを作動させると共に同期インチグレ
ーターを動作させるのに使用されている。センサー駆動
回路５１は、クロックパルスを受信し、センサー駆動信
号を発生させる。本好ましい実施例において、センサー
は、パルス駆動信号極性を切替える二層整流変換器とし
て搭載されている。

第１０図は、センサー出力信号の処理回路の概略図であ
り、第４図にさらに一般的に示されている。センサーコ
イル６１ａ、６１ｂｓ　６１Ｃ％　６１ｄからのセンサ
ー出力は、電位差計６３．６５へＲＣフィルタネットワ
ークを介して導かれ、それらの電位差計は上下及び左右
のセンサーそれぞれのバランスを調整している。電位差
計６６は、対角のセンサーのバランスを調整している。

バランスされたセンサー出力信号は、トランジスタＱ４
へ導かれ、その信号はクロックＣＬＫ信号入力によりＱ
４へ送り込まれる。センサーゲインは、電位差計６８に
より調整される。送り込まれたセンサー出力信号は、同
期インテグレータへ導かれ、その同期インテグレータは
スプリアス信号に対する望ましくない応答をすることを
回避するため装置の動作をスムースにする。電位差計７
５は、外部磁場がないとき装置のゼロでない応答による
装置のエラーをなくすためオフセット調整する役割があ
る。本発明は、様々な異なるＣＲＴに応用できる。同期
インチグレータフ３からの出力は、バッキングフィール
ドコイル（図示せず）を作動させ、そのバッキングフィ
ールドコイルは干渉フィールドの影響を緩和するため対
抗磁場を発生させる。

同期インテグレータからの出力は、第１１図に示したよ
うに、増幅される。増幅回路７１の一部（第４図はさら
に一般的に示している）であるそこに示された増幅器回
路は、バッキングフィールドコイル４１を駆動させる高
電流駆動信号を調整するために同期インテグレータから
の出力を利用している。バッキングフィールドコイル電
流の強度は、特定の状況に従って選択される。さらに、
センサー出力とバッキングフィールドの強度の線形ある
いは非線形の関係は、特定の応用の要求によって決定さ
れる。例えば、ＣＲＴシールドはヒステリシス特性を示
すことか予期される。このヒステリシスは外部磁場の様
々なレベルに応答して発生させる最適なバッキングフィ
ールドを選定する前に、評価する必要がある。さらに、
外部磁場の周波数は、最適な矯正磁場の選定に影響を与
える。本好ましい実施例では、はぼ一定した外部磁場の
影響を矯正する最適な閉ループバッキングフィールド装
置を提示している。しかし、他の実施例か、変化する外
部磁場の矯正に使用できることは明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は、本発明に基づいて形成された典型的なセン
サーの図、 第１ｂ図は、第１ａ図に描かれたセンサー駆動コイルに
印加されたセンサー駆動信号を示す図、第１ｃ図は、第
１ａ図に示されたセンサーの検出用コイルに誘発された
信号を示す図、第２図は、本発明に基づいて形成された
回路の簡易ブロック図、 第３図は、第１ａ図に描かれたように一対のセンサーを
有するＣＲＴの断面図、 第４図は、本発明に基づいて形成された機能ブロック図
、 第５ａ図ないし第５ｃ図はそれぞれ、本発明に基づいて
形成されたバッキングフィールドコイルを有する磁気シ
ールドの上面図、横面図、全面図、第６ａ図は、第１ａ
図に基づいて形成されたセンサーのコイル形状を示す図
、 第６ｂ図は、第６ａ図に描かれたセンサーコイルの形状
の略図、 第７図は、ＣＲＴの内面に印加されたれたときの、第１
ａ図に描かれたセンサーの測定出力の外部場の関数のグ
ラフ図、 第８図は、記載した実施例に基づいて、生成された測定
バッキングフィールドコイル電流の外部場の関数として
のグラフであって、３種のデータがＣＲＴ可視軸に関す
る外界の３ｆ！ｌｌ！の方向に対応しているグラフ。 第９図は、本発明に基づいて形成されたセンサー駆動回
路の概略図、 第１０図と第１１図は、本発明に基づいて形成されたセ
ンサー出力信号を処理する回路の概略図である。 １１・・・センサー　２１・・・センサー駆動コイル、
３０・・・ＣＲＴシールド、４１・・バッキングフィー
ルドコイル、４３・・・増幅器、４５・・・偏向ヨーク
、５１・・・クロック回路、５３・・・夕ロックフリッ
プフロッゾ、 ５ ５　・・・ トランジスタ、 ３・・・電位差計、 ９・・・スイッチ、 ３・・・同期インチグチ−ター

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）陰極線管（ＣＲＴ）磁気シールドハウジングを有
   するＣＲＴと、 ＣＲＴ磁気シールドの内面に接設されていて、基準電磁
   場を発生させ基準場と前記シールド内で検知される外部
   場の検出に応答してセンサー出力信号を発生させる少な
   くとも１つの電磁場センサーと、 前記電磁場センサーと電気的通信をし、前記電磁場セン
   サーの出力信号に応答するバッキングフィールコイル駆
   動信号を発生させるよう機能するバッキングフィールド
   コイル駆動回路と、 前記ＣＲＴの回りに周設され、前記バッキングフィール
   ドコイル信号により駆動されて検知された前記外部磁場
   に対抗してバッキング電磁場を発生させ、前記ＣＲＴの
   作動中に検知された前記外部磁場の劣化効果を妨害し低
   減するバッキングフィールドコイルとからなることを特
   徴とする外部電磁場により起こる干渉を低減することに
   よりＣＲＴの機能を向上させる装置。
2. （２）前記ＣＲＴの内面に周設された複数の前記センサ
   ーからなることを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. （３）前記センサーは、前記ＣＲＴのシールドの内面に
   接するオープンエンドを有するＥ字型コアからなること
   を特徴とする請求項１に記載の装置。
4. （４）前記センサーは、前記Ｅ字型コアの真中の脚部に
   巻かれたセンサー駆動コイルと、前記Ｅ字型コアの第１
   と第２の外脚部にそれぞれ巻かれた第１と第２の検出用
   コイルとからなることを特徴とする請求項３に記載の装
   置。
5. （５）前記第１と第２の検出用コイルは、電気的に直列
   関係にありかつ同じ方向に巻かれていることを特徴とす
   る請求項４に記載の装置。
6. （６）交番極性信号部のあるセンサー駆動信号を発生さ
   せる機能を有するセンサー駆動信号回路からなることを
   特徴とする請求項５に記載の装置。
7. （７）検知される外部場がないとき、前記センサー出力
   信号は、交番極性の第１スパイク信号を含むことを特徴
   とする請求項１に記載の装置。
8. （８）検知される外部場が存在するとき、前記センサー
   出力信号は、交番極性の第２スパイク信号を含み、前記
   スパイク信号の振幅は、前記検知される外部場の強度に
   応答して変化することを特徴とする請求項７に記載の装
   置。
9. （９）前記外部磁場は、第１極性を有するスパイク信号
   部の振幅に関して増強し、第２極性を有するスパイク信
   号部の振幅に関して低減することを特徴とする請求項８
   に記載の装置。
10. （１０）交番極性のスパイク信号の前記振幅は、前記基
    準場の検出に対応していることを特徴とする請求項８に
    記載の装置。
11. （１１）前記バッキングフィールド駆動回路は、前記外
    部場の検出による前記センサー出力信号の第１部を分離
    し、前記センサー出力信号の第１部に応答して前記バッ
    キングフィールド駆動信号の振幅を調整する機能を有す
    ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
12. （１２）前記ＣＲＴのシールドハウジングの内面の近傍
    の隔離した位置に露出された複数のフィールドセンサー
    を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。