JPH03277778A - めっき方法およびそれに用いる表面処理液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガラス等の透明絶縁基板上に設けた透明導電膜
パターン上へのめっき方法に関するもので、さらに言え
ば、液晶パネル等の表示パネルに使用される透明無機ガ
ラス絶縁基板や有機フィルム上に形成される透明導電膜
パターン上へ、選択的に無電解めっきを行うめっき方法
、およびそれに用いる表面処理液に関するものである。

〔従来技術〕

従来、電気めっきを用いずに、基板上に金属を析出させ
る方法として、無電解めっき法がある。

この方法では、先ずセンシタイザー−アクセレータ法や
キャタリスト−アクセレータ法等により触媒付与を行う
。

前者は、先ず基板に吸着性の高いスズイオンを付着させ
、更にスズイオンを金属パラジウムに置換する方法であ
り、また後者は、基板にスズとパラジウムのコロイドを
付着させ、後にスズのみを除去し、金属パラジウムを基
板上に残留させる方法である。前記金属パラジウムは後
工程の無電解めっき法で触媒として作用する。その後、
基板を所定の無電解めっき用めっき浴に浸漬する事で、
触媒が付与された部分にめっき被膜が得られる。

そして、ガラス上に透明導電膜が形成されている基板の
透明導電膜上に選択的にめっきを行う場合は、金属パラ
ジウムを基板全面に付着後に、基板をフッ酸等のフン化
物を有した溶液に浸すことにより、透明導電膜が形成さ
れていないガラス基板表面を侵し、ガラス基板表面とと
もに金属パラジウムの除去を行うことにより、透明導ｔ
ｌＩＩ上のみに金属パラジウムを残留させる。その後、
基板を所定の無電解めっき用めっき浴に浸漬する事で、
透明導電膜上に選択的なめっき被膜が得られる。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記のような方法では、金属パラジウムを基板全面に形
成する工程ならびに透明導電膜上のみに金属パラジウム
を残留させる工程を有する複雑なものである。

また、透明導電膜上のみに金属パラジウムを残留させる
工程に用いるフッ化物は、ガラス表面を侵すことから、
ガラスの透明度が下がり、液晶パネル等に用いるには相
応しくない。また、劇薬であるのでなるべく使用したく
ない。

本発明は、従来の課題を解決するため、吸着性の高いス
ズイオンを用いずに触媒付与を行い、フン化物等を用い
らずに透明導電膜上に選択的に無電解めっき被膜を形成
するめっき方法を提供するものである。

〔発明を解決する手段〕

本発明の方法は、透明導電膜を塩酸等の酸性溶液に、塩
化パラジウム溶液を溶解して更に水酸化ナトリウムやア
ンモニア水等のアルカリ溶液によってｐＨ４以上に調整
した表面処理液に接触させ、後に無電解めっきを行うこ
とで透明導電膜上に選択的にめっき被膜を形成する方法
である。

なお、ｐＨが４未満であると、金属パラジウムの透明導
電膜上への選択性が悪くなる。

また、表面処理液に錯化剤として酒石酸塩、クエン酸塩
、ビロリン酸塩のうちから選択された少なくとも一種を
添加することで、表面処理液の分解を抑え、寿命を長く
する事が可能である。

錯化剤の具体例としては酒石酸ナトリウム、クエン酸、
ビロリン酸ナトリウム等を入れれば良い。

さらに触媒付与の前に、過硫酸アンモニウムを含んだ、
５〜１０重量％の塩酸、硫酸等の酸性溶液に接触させる
ことによって、めっきの密着性を高めることができる。

また、酸性溶液処理後で、かつ表面処理液接触前に、ホ
スフィン酸ナトリウムあるいはホウ水素化ナトリウムを
含む還元性溶液に接触させることにより、微細・な透明
導電膜パターン上へのめっきが可能となる。

〔作用］ この方法によれば、酸性溶液に塩化パラジウムを溶解し
、アルカリ性水溶液を加えることにより、金属パラジウ
ムが咬着するのは透明導電膜上だけであり、ガラス等の
基板上にはめっきの析出せず、透明導電膜上にのみ選択
的にめっきが行える。

〔実施例１〕 この発明に係わる透明導電膜パターン上へのめっき方法
について説明する。基板には、透明導電膜付きガラス基
板（シート抵抗３０Ω／四以下松崎真空株式会社製）で
該透明導１ｉｉ１１！！を輻１００μｍにパターンニン
グしたものを使用した。このガラス基板をアルカリ脱脂
した後、５重！％の硫酸水溶液で酸洗し、その後、塩酸
２　ｍ　ｆ　／　１の溶液１！に塩化パラジウムを０．
２ｇ溶解した液を水酸化ナトリウム溶液でｐＨ６に調整
した表面処理液に５分間浸漬した後、所定の方法で建浴
されたニッケルめっき浴にムデンＬＰＸ、上村工業株式
会社製）に９０℃で５分間浸漬することにより、厚みが
０．５μｍのニッケル被膜が形成した。

なお、ガラス基板上へのめっきの析出は認められなかっ
た。

また、この実施例では透明絶縁基板にソーダライムガラ
スを用いたが、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の硬質
ガラスや透明有機フィルムでも良い。また、透明導電膜
は酸化インジウム主成分系の他に酸化スズ系でも同様な
結果が得られた。

〔実施例２〕 塩酸２　ｍ　ｌ　／　Ｉ！　０）溶液ＩＩ！に塩化パラ
ジウムを０．２ｇ溶解した液に酒石酸ナトリウムを０．
５ｇ入れ、水酸化ナトリウム溶液でｐＨ７に調整した表
面処理液を用い、以下実施例１と同様の無電解めっきを
行ったところ、実施例１と同様の結果が得られた。

（実施例３〕 塩ｆｌｉ　２　ｍ　ｊ！　／　Ｉ！の溶液１１に塩化パ
ラジウムを０．２ｇ溶解した液にクエン酸を０．３ｇ入
れ、水酸化ナトリウム溶液でｐＨ６，５に調整した表面
処理液を用い、以下実施例１と同様の無電解めっきを行
ったところ、実施例１と同様の結果が得られた。

〔実施例４〕 実施例１の硫酸水溶液に３０　ｇ／ｌの過硫酸アンモニ
ウムを添加することにより、めっき被膜の透明導電膜基
板に対する密着性の向上が見られた。

〔実施例５〕 基板に幅１０μｍの線幅でバターニングしたものを使用
し、実施例４で使用した酸性溶液処理後番こ、ホウ水素
化ナトリウム５　ｇ／Ｉ！水溶液に接触させることによ
り、実施例４と同様に密着性が強く、微細なパターンに
もめっきが可能であった。

［発明の効果］ 本発明によれば、透明絶縁基板上にパターンが形成され
た透明導電膜を、酸性溶液にパラジウム塩を溶解し、ア
ルカリ水溶液を加えた表面処理液によって触媒的に活性
化し、その後、無電解めっきを行うため、従来のセンシ
タイザーーアクチベーター法やキャタリスト−アクセレ
ータ法に比べて工程が短縮される。

また、ガラスを侵す劇物でもあるフッ化物を用いずに、
選択的にめっきが行える。

以上述べたように、本発明は、ガラス基板の透明性が要
求され、かつ、複雑で微細な透明導膜上の金属析出が必
要とされる液晶パネル等に、相応しいめっき方法および
それに用いる表面処理液である。

特　　許　　出　　願　　人 凸版印刷株式会社 代表者　鈴木和夫

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）パターン状の透明導電膜を有する透明絶縁基板を
   、酸性溶液に塩化パラジウムを溶解してアルカリ溶液を
   加えた表面処理液に接触させることにより、透明導電膜
   上に金属パラジウムを付着させ、前記パラジウムを触媒
   とし、無電解めっき法により透明導電膜上に選択的に金
   属を析出させることを特徴とするめっき方法。
2. （２）透明絶縁基板を、酸性溶液に塩化パラジウムを溶
   解してアルカリ溶液を加えた表面処理液に接触させる前
   に、予め酸性溶液と接触させることを特徴とする請求項
   （１）記載のめっき方法。
3. （３）酸性溶液に塩化パラジウムを溶解し、アルカリ溶
   液によってｐＨ４以上に調整したことを特徴とする表面
   処理液。
4. （４）酒石酸塩、クエン酸塩、ピロリン酸塩のうちの少
   なくとも一種を添加することを特徴とする請求項（３）
   に記載の表面処理液。
5. （５）透明絶縁基板を、酸性水溶液に塩化パラジウムを
   溶解してアルカリ溶液を加えた表面処理液に接触させる
   前に、予め還元性溶液と接触させることを特徴とする請
   求項（１）記載のめっき方法。
6. （６）請求項（５）に用いる還元性溶液に、ホスフィン
   酸ナトリウム、ホウ水素化ナトリウムのうち一種を添加
   することを特徴とするめっき方法。
7. （７）請求項（２）に用いている酸性溶液に、過硫酸ア
   ンモニウムを添加することを特徴とするめっき方法。