JPH0585637B2 - - Google Patents
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- JPH0585637B2 JPH0585637B2 JP58251196A JP25119683A JPH0585637B2 JP H0585637 B2 JPH0585637 B2 JP H0585637B2 JP 58251196 A JP58251196 A JP 58251196A JP 25119683 A JP25119683 A JP 25119683A JP H0585637 B2 JPH0585637 B2 JP H0585637B2
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- JP
- Japan
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- electroless plating
- transparent conductive
- conductive film
- plating
- solution
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、酸化インジウムあるいは酸化スズを
主成分として含む透明導伝膜上に、密着よく無電
解メツキ被膜を形成する方法に関している。
主成分として含む透明導伝膜上に、密着よく無電
解メツキ被膜を形成する方法に関している。
透明導伝膜上に無電解メツキ被膜を形成する場
合、次の２つの前処理方法があつた。
合、次の２つの前処理方法があつた。
） SnCl2溶液に浸漬するセンシタイジング、
その後、PdCl2溶液に浸漬するアクテイベイテ
イングの前処理である。センシタイジングに於
ては、基板上にスズの２価イオンを吸着させ、
アクテイベイテイングに於ては、スズの２価イ
オンとパラジウムの２価イオンを反応させて、
金属パラジウムを析出させる方法である。
その後、PdCl2溶液に浸漬するアクテイベイテ
イングの前処理である。センシタイジングに於
ては、基板上にスズの２価イオンを吸着させ、
アクテイベイテイングに於ては、スズの２価イ
オンとパラジウムの２価イオンを反応させて、
金属パラジウムを析出させる方法である。
また、
） としては、SnCl2とPdCl2の各液を混合す
ることによつて調整される触媒液も開発実用化
されている。このタイプの触媒液を使用する
と、ガラス，石英，水晶等にはまつたく無電解
メツキをすることができないが、ガラス，石
英，水晶等に金属酸化物被膜（透明導伝膜はこ
の中の１種である）を形成することで、無電解
メツキが可能となる現象を本発明者は以前に発
見している。
ることによつて調整される触媒液も開発実用化
されている。このタイプの触媒液を使用する
と、ガラス，石英，水晶等にはまつたく無電解
メツキをすることができないが、ガラス，石
英，水晶等に金属酸化物被膜（透明導伝膜はこ
の中の１種である）を形成することで、無電解
メツキが可能となる現象を本発明者は以前に発
見している。
これによつて、ガラス，水晶，石英等上にパタ
ーンをもつた金属酸化物被膜を形成し、SnCl2及
びPdCl2の溶解液を使用することによつて、ガラ
ス，水晶，石英等への選択的な、金属酸化物被膜
層への無電解メツキが可能になつた。
ーンをもつた金属酸化物被膜を形成し、SnCl2及
びPdCl2の溶解液を使用することによつて、ガラ
ス，水晶，石英等への選択的な、金属酸化物被膜
層への無電解メツキが可能になつた。
透明導伝膜上への無電解メツキは、液晶パネル
の端子メツキ等に応用されている。第１図は、液
晶パネルの正面図と断面図である。３及び３′は
透明導伝膜であり、３は、液晶パネルの端子部を
示している。従来、液晶パネルの端子部と液晶パ
ネルの端子との接触は、導電ゴムを用いて行われ
てきたが、液晶パネルの大容量化に伴い、端子密
度の増加、端子数の増加により、導電ゴムでは接
触不良が起りやすくなつてきた。接触不良をなく
すために、端子部のメタライズを行い、液晶パネ
ルとその駆動回路のハンダ付けが必要とされてき
た。３の端子部をメタライイズする場合、無電解
メツキ法，スパツタ法，蒸着法等の手段が検討さ
れたが低コトという観点から、無電解メツキ法が
使われている。無電解メツキで３の端子部をメタ
ライズする場合、）の方法をとれば、２の下基
板全面に金属被膜が形成されるため、その後のパ
ターニングが必要である。）の方法をとれば、
液晶パネルが完成した後、選択的に３の端子部に
メツキをつけることが可能である。透明導伝膜上
無電解メツキを行う場合、通常）の方法が用い
られる。
の端子メツキ等に応用されている。第１図は、液
晶パネルの正面図と断面図である。３及び３′は
透明導伝膜であり、３は、液晶パネルの端子部を
示している。従来、液晶パネルの端子部と液晶パ
ネルの端子との接触は、導電ゴムを用いて行われ
てきたが、液晶パネルの大容量化に伴い、端子密
度の増加、端子数の増加により、導電ゴムでは接
触不良が起りやすくなつてきた。接触不良をなく
すために、端子部のメタライズを行い、液晶パネ
ルとその駆動回路のハンダ付けが必要とされてき
た。３の端子部をメタライイズする場合、無電解
メツキ法，スパツタ法，蒸着法等の手段が検討さ
れたが低コトという観点から、無電解メツキ法が
使われている。無電解メツキで３の端子部をメタ
ライズする場合、）の方法をとれば、２の下基
板全面に金属被膜が形成されるため、その後のパ
ターニングが必要である。）の方法をとれば、
液晶パネルが完成した後、選択的に３の端子部に
メツキをつけることが可能である。透明導伝膜上
無電解メツキを行う場合、通常）の方法が用い
られる。
ここで、メタライズはパネル端子と、駆動回路
との実装を目的としているが、無電解メツキ被膜
の密着強度のバラツキが大きく、しばしば実装不
良が起るのが現状であつた。
との実装を目的としているが、無電解メツキ被膜
の密着強度のバラツキが大きく、しばしば実装不
良が起るのが現状であつた。
本発明は、この無電解メツキ被膜と透明導伝膜
の密着強度のバラツキをなくし、密着性を向上さ
せるためにSnCl2及びPdCl2の溶解液に浸漬する
前に、透明導伝膜を還元エツチングすることを特
徴とする。
の密着強度のバラツキをなくし、密着性を向上さ
せるためにSnCl2及びPdCl2の溶解液に浸漬する
前に、透明導伝膜を還元エツチングすることを特
徴とする。
この無電解メツキ工程の概要を述べる。
１） ガラス，セラミツク，水晶等の基板に
CVDスパツタ，蒸着等によつてSnO2，In2O3
等の透明導伝膜を形成する。
CVDスパツタ，蒸着等によつてSnO2，In2O3
等の透明導伝膜を形成する。
２） この基板を、透明導伝膜の還元性のエツチ
ング液の中に浸漬する。還元性のエツチング液
としては、Cr2+／Cr3+のドレツクス系エツチン
グ液が適当である。このレドツクス系エツチン
グ液は、たとえば CrCl36H2O 100ｇ HCl（35％） 500c.c. H2O 500c.c. を混合し、50cm2の面積をもつカーボン電極を２
本入れ、100A／cm2で連続電解を行つて得た。
HClの濃度は９％以上が望ましい。これ以下で
あると、エツチング液としての機能が非常に弱
くなる。また、CrCl3の濃度が低い場合は、エ
ツチング速度が遅くなる。このため0.5ｇ／
以上の濃度であるのが望ましい。
ング液の中に浸漬する。還元性のエツチング液
としては、Cr2+／Cr3+のドレツクス系エツチン
グ液が適当である。このレドツクス系エツチン
グ液は、たとえば CrCl36H2O 100ｇ HCl（35％） 500c.c. H2O 500c.c. を混合し、50cm2の面積をもつカーボン電極を２
本入れ、100A／cm2で連続電解を行つて得た。
HClの濃度は９％以上が望ましい。これ以下で
あると、エツチング液としての機能が非常に弱
くなる。また、CrCl3の濃度が低い場合は、エ
ツチング速度が遅くなる。このため0.5ｇ／
以上の濃度であるのが望ましい。
この時のカソード反応は
Cr3+＋ｅ→Cr2+ …(1)
である。また、エツチング反応はSnO2を例に
とれば、 2Cr2+→3Cr3+＋2e …(2) SnO2＋2H+＋2e→SnOT2O …(3) SnO＋2HCl→SnCl2＋H2O …(4) となると考えられる。
とれば、 2Cr2+→3Cr3+＋2e …(2) SnO2＋2H+＋2e→SnOT2O …(3) SnO＋2HCl→SnCl2＋H2O …(4) となると考えられる。
（参考例、金属表面処理技術
vol34，No.６ 1983 P286〜P289）
レドツクス系エツチング液への基板の浸漬時
間は、透明導伝膜が30Å以上エツチングするの
に必要な時間が望ましい。浸漬時間が短いと、
メツキ被膜密着強度の向上がみられない。ま
た、エツチング時間を長くしても、基板上に30
Å以上の透明導伝膜が残ることが必要である。
間は、透明導伝膜が30Å以上エツチングするの
に必要な時間が望ましい。浸漬時間が短いと、
メツキ被膜密着強度の向上がみられない。ま
た、エツチング時間を長くしても、基板上に30
Å以上の透明導伝膜が残ることが必要である。
３） この基板を前述した）あるいは）の無
電解メツキの前処理を行い、無電解メツキ液の
中に浸漬し、透明導伝膜上に無電解メツキを形
成する。
電解メツキの前処理を行い、無電解メツキ液の
中に浸漬し、透明導伝膜上に無電解メツキを形
成する。
無電解メツキ液としては、Ni−Ｐ，NiB，
Cu，Au，Ag等のメツキ浴があるが、最も密着
強度の大きいメツキ被膜はNi−Ｐメツキであ
る。
Cu，Au，Ag等のメツキ浴があるが、最も密着
強度の大きいメツキ被膜はNi−Ｐメツキであ
る。
４） この無電解メツキを200℃で１時間焼成し、
幅0.2mmのパターンを残してエツチングし、無
電解メツキ上にハンダコートし、第２図のよう
に裏面に銅層とハンダ層がついたフレキシブル
回路基板を熱圧着し、ハンダ接合した。このフ
レキシブル基板を引きはがす時に必要な力をこ
こででは無電解メツキ被膜の密着強度とした。
幅0.2mmのパターンを残してエツチングし、無
電解メツキ上にハンダコートし、第２図のよう
に裏面に銅層とハンダ層がついたフレキシブル
回路基板を熱圧着し、ハンダ接合した。このフ
レキシブル基板を引きはがす時に必要な力をこ
こででは無電解メツキ被膜の密着強度とした。
この密着強度は、Cr2+／Cr3+のレドツクス系
エツチング液の中に浸漬しない場合と比較し
て、平均約1.5倍の密着強度を示し、その密着
強度のバラツキは少なくなつた。
エツチング液の中に浸漬しない場合と比較し
て、平均約1.5倍の密着強度を示し、その密着
強度のバラツキは少なくなつた。
実用的にはメツキ被膜の密着強度は液晶パネ
ルの端子のメタライズの場合、最低50ｇ／mmが
必要であり、本発明の方法を用いれば常にこの
値を得ることができる。
ルの端子のメタライズの場合、最低50ｇ／mmが
必要であり、本発明の方法を用いれば常にこの
値を得ることができる。
以下実施例により本発明を詳細に述べる。
実施例 １
ソーダガラス上に、低温スパツタにより酸化イ
ンジウム膜を400Å形成した。
ンジウム膜を400Å形成した。
紫外線感光樹脂をスピンコート法により塗布
し、マスク露光，現像，塩酸によるエツチング
で、パターン幅0.2mm、長さ２cmの酸化インジウ
ムのパターンを形成した。
し、マスク露光，現像，塩酸によるエツチング
で、パターン幅0.2mm、長さ２cmの酸化インジウ
ムのパターンを形成した。
この基板を、
CrCl3・6H2O 20ｇ
HCl（35％） 300c.c.
H2O 700c.c.
の組成液中に表面積100cm2のカーボン電極を２本
入れ50mA／ｄm2で１時間連続電解を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エンチング液とし、１
分間浸漬した。この時、酸化インジウム層は70Å
エツチングされた。
入れ50mA／ｄm2で１時間連続電解を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エンチング液とし、１
分間浸漬した。この時、酸化インジウム層は70Å
エツチングされた。
この後、所定の方法で調整された、日立化成社
製増感剤HS101Bに１分間浸漬し、水洗後、IN
−NaOH溶液に浸漬し、水洗後、所定の方法で
調整されたカニゼン社製無電解ニツケル−リンメ
ツキ液Ｓ−680の50℃浴の中に５分間浸漬した。
これによつて、酸化インジウム上に3000Åの無電
解ニツケル−リン被膜が形成された。水洗後、
200℃で１時間焼成した。この後、ニツケル・リ
ン被膜上にハンダバスにより15μmのハンダ層を
形成した。この基板とポリイミド上に銅層が形成
され、その上に12μmのハンダ層の形成されたフ
レキシブル回路基板を300℃で熱圧着した。この
方法でつくられた45コのサンプルの密着強度は第
３図のような分布を示した。
製増感剤HS101Bに１分間浸漬し、水洗後、IN
−NaOH溶液に浸漬し、水洗後、所定の方法で
調整されたカニゼン社製無電解ニツケル−リンメ
ツキ液Ｓ−680の50℃浴の中に５分間浸漬した。
これによつて、酸化インジウム上に3000Åの無電
解ニツケル−リン被膜が形成された。水洗後、
200℃で１時間焼成した。この後、ニツケル・リ
ン被膜上にハンダバスにより15μmのハンダ層を
形成した。この基板とポリイミド上に銅層が形成
され、その上に12μmのハンダ層の形成されたフ
レキシブル回路基板を300℃で熱圧着した。この
方法でつくられた45コのサンプルの密着強度は第
３図のような分布を示した。
これからわかるように、液晶パネルの端子上の
メツキとしては、メツキ被膜の密着強度は十分あ
ることがわかる。
メツキとしては、メツキ被膜の密着強度は十分あ
ることがわかる。
実施例 ２
石英ガラス上に、スパツタにより酸化インジウ
ム膜を500Å形成した。
ム膜を500Å形成した。
実施例１と同様の方法で同一のパターンを形成
した。この基板を CrCl3・6H2O 120ｇ HCl（35％） 500c.c. H2O 500c.c. の組成液中に表面積100cm2のカーボン電極を２本
入れ、100mA／ｄm2で１時間連続電極を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エツチング液とし30秒
間浸漬した。この時、酸化インジウム層は100Å
エツチングされた。この後実施例１と同様の方法
でニツケル・リンメツキを行い、200℃１時間で
焼成後、実施例１と同様の密着試験を行い、同様
の結果を得た。
した。この基板を CrCl3・6H2O 120ｇ HCl（35％） 500c.c. H2O 500c.c. の組成液中に表面積100cm2のカーボン電極を２本
入れ、100mA／ｄm2で１時間連続電極を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エツチング液とし30秒
間浸漬した。この時、酸化インジウム層は100Å
エツチングされた。この後実施例１と同様の方法
でニツケル・リンメツキを行い、200℃１時間で
焼成後、実施例１と同様の密着試験を行い、同様
の結果を得た。
実施例 ３
パイレツクスガラス上に、CVDにより酸化ス
ズ層を300Åつけた。
ズ層を300Åつけた。
この基板を
CrCl3・6H2O 100ｇ
HCl（35％） 400c.c.
H2O 600c.c.
の組成液中に表面積100cm2のカーボン電極を２本
入れ、100mA／ｄm2で１時間連続電解を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エツチング液とし１分
間浸漬した。この時酸化スズ層は80Åエツチング
された。
入れ、100mA／ｄm2で１時間連続電解を行い、
Cr2+／Cr3+のレドツクス系エツチング液とし１分
間浸漬した。この時酸化スズ層は80Åエツチング
された。
この後、実施例１と同様の方法でニツケル・リ
ンメツキを行い、200℃１時間焼成した。
ンメツキを行い、200℃１時間焼成した。
この後、実施例１と同様の方法でニツケルのパ
ターニングを行つた。ニツケルのエツチング液と
しては、 硝 酸 35部 リン酸 35部 硫 酸 ５部 酢 酸 ５部 水 20部 の混合液を用いた。
ターニングを行つた。ニツケルのエツチング液と
しては、 硝 酸 35部 リン酸 35部 硫 酸 ５部 酢 酸 ５部 水 20部 の混合液を用いた。
密着強度は、実施例１と同様の方法で測定し、
同様の結果を得た。
同様の結果を得た。
比較例 １
酸化インジウムを実施例１と同様の方法で、パ
ターニングを行い、Cr2+／Cr3+のレドツクス系エ
ツチング液を通さずに、実施例１と同様の方法で
無電解ニツケルメツキを行つた。
ターニングを行い、Cr2+／Cr3+のレドツクス系エ
ツチング液を通さずに、実施例１と同様の方法で
無電解ニツケルメツキを行つた。
200℃で１時間焼成後、密着強度を測定したと
ころ、第４図のような密着強度の分布が得られ
た。密着強度が20ｇ／mmのものもあり、実用的強
度がなかつた。
ころ、第４図のような密着強度の分布が得られ
た。密着強度が20ｇ／mmのものもあり、実用的強
度がなかつた。
比較例 ２
酸化インジウムを実施例１と同様の方法でパタ
ーニングを行い、Cr2／Cr3+のレドツクス系エツ
チング液の代りに、 塩 酸 10％ 硝 酸 １％ の混合溶液で、40℃に加温した酸化インジウムの
エツチング液で、酸化インジウム層を100Åエツ
チングした。この後、実施例１と同様の方法でニ
ツケル・リンメツキを行い、200℃で１時間焼成
後実施例１と同様の方法で密着強度を測定した。
ーニングを行い、Cr2／Cr3+のレドツクス系エツ
チング液の代りに、 塩 酸 10％ 硝 酸 １％ の混合溶液で、40℃に加温した酸化インジウムの
エツチング液で、酸化インジウム層を100Åエツ
チングした。この後、実施例１と同様の方法でニ
ツケル・リンメツキを行い、200℃で１時間焼成
後実施例１と同様の方法で密着強度を測定した。
その結果は、第５図のような密着強度の分布が
得られ、密着強度が10ｇ／mmのものもあり、実用
的な強度はなかつた。
得られ、密着強度が10ｇ／mmのものもあり、実用
的な強度はなかつた。
以上説明した通り本願発明は、酸化インジウム
あるいは酸化スズを主成分として含む透明導伝膜
が表面に形成された基板をSnCl2及びPdCl2の溶
解液に浸漬した後、無電解メツキ液に浸漬させて
透明導伝膜上に無電解メツキ層を形成する無電解
メツキ方法において、前記溶解液に浸漬する前
に、透明導伝膜が表面に形成された基板を、
Cr2+／Cr3+の還元性のエツチング液の中に浸漬す
る、という構成により、透明導伝膜を均一に還元
エツチング液し、無電解メツキ被膜と透明導伝膜
との密着強度のバラツキをなくすことにより、密
着性が向上するという効果が得られるものであ
る。
あるいは酸化スズを主成分として含む透明導伝膜
が表面に形成された基板をSnCl2及びPdCl2の溶
解液に浸漬した後、無電解メツキ液に浸漬させて
透明導伝膜上に無電解メツキ層を形成する無電解
メツキ方法において、前記溶解液に浸漬する前
に、透明導伝膜が表面に形成された基板を、
Cr2+／Cr3+の還元性のエツチング液の中に浸漬す
る、という構成により、透明導伝膜を均一に還元
エツチング液し、無電解メツキ被膜と透明導伝膜
との密着強度のバラツキをなくすことにより、密
着性が向上するという効果が得られるものであ
る。
従つてこの発明によつて、透明導伝膜上に無電
解メツキを行う際、密着強度不足で実用化が困難
であつたもの、例えば、液晶パネル端子のメタラ
イズなどが、可能になり、その効果は極めて大き
い。
解メツキを行う際、密着強度不足で実用化が困難
であつたもの、例えば、液晶パネル端子のメタラ
イズなどが、可能になり、その効果は極めて大き
い。
第１図、液晶パネルの正面図、断面図。
１：前面基板、２：背面基板、３，３′：透明
導伝膜、４：シール材、５：液晶組成物。 第２図、メツキ被膜の密着性試験方法。 ６：ハンダコートされたメツキ被膜、７：フレ
キシブル回路基板、８：ハンダコートされた銅
層。 第３図、本発明のメツキ方法でつけられた、メ
ツキ被膜の密着性。第４図、従来のメツキ方法で
つけられたメツキ被膜の密着性。第５図、Cr2+／
Cr3+のレドツクス系エツチング液の代りに、
HCl，TNO3混合エツチング液を用いて酸化イン
ジウムのエツチングを行つた時のメツキ被膜の密
着性。
導伝膜、４：シール材、５：液晶組成物。 第２図、メツキ被膜の密着性試験方法。 ６：ハンダコートされたメツキ被膜、７：フレ
キシブル回路基板、８：ハンダコートされた銅
層。 第３図、本発明のメツキ方法でつけられた、メ
ツキ被膜の密着性。第４図、従来のメツキ方法で
つけられたメツキ被膜の密着性。第５図、Cr2+／
Cr3+のレドツクス系エツチング液の代りに、
HCl，TNO3混合エツチング液を用いて酸化イン
ジウムのエツチングを行つた時のメツキ被膜の密
着性。
Claims (1)
- １ 酸化インジウムあるいは酸化スズを主成分と
して含む透明導伝膜が表面に形成された基板を
SnCl2及びPdCl2の溶解液に浸漬した後、無電解
メツキ液に浸漬させて透明導伝膜上に無電解メツ
キ層を形成する無電解メツキ方法において、前記
溶解液に浸漬する前に、透明導伝膜が表面に形成
された基板を、Cr2+／Cr3+の還元性のエツチング
液の中に浸漬することを特徴とする無電解メツキ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25119683A JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25119683A JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60141874A JPS60141874A (ja) | 1985-07-26 |
| JPH0585637B2 true JPH0585637B2 (ja) | 1993-12-08 |
Family
ID=17219108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25119683A Granted JPS60141874A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60141874A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0196384A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Seiko Instr & Electron Ltd | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
| WO2008053464A2 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Bar-Ilan University | Nickel-cobalt alloys as current collectors and conductive interconnects and deposition thereof on transparent conductive oxides |
| JP4840707B2 (ja) * | 2009-01-02 | 2011-12-21 | 末則 山下 | ゴルフのパッティング練習具 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1389347A (en) * | 1972-05-25 | 1975-04-03 | Rolls Royce | Gas turbine power plant |
| JPS5125226A (ja) * | 1974-08-25 | 1976-03-01 | Nippon Soken | Shototsukenchisochi |
| JPS5794563A (en) * | 1980-12-02 | 1982-06-12 | Seiko Epson Corp | Electroless plating method |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25119683A patent/JPS60141874A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60141874A (ja) | 1985-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |