JPH03278338A - 光記録媒体の初期化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、非晶相と結晶相の間の相変化により情報を記
録、再生または消去を行なう光ディスク、光カードおよ
び光テープなどの書換え可能相変化型光記録媒体の初期
化方法に関する。

［従来技術］ 相変化を利用した光記録媒体は、一般に非晶質状態を記
録状態とし、結晶状態を消去状態として用いられている
。このような光記録媒体、例えは光ディスクの記録、消
去および再生は、レーザ光の照射により行ない、従来の
ビーム径か１μｍ程度の小さいスポットで記録、再生を
行ない、記録媒体の半径方向が１μｍ程度、円周方向が
１０μｍ程度の楕円で細長いスポットで消去を行なう２
ビ一ム方式から、ビーム径が１μｍ程度の小さいスポッ
トの単一ビームを用い、その強度を変えることだけで記
録、消去および再生かできる１ビ一ムオーバライド方式
（Ｎ、Ｙａｍａｄａ　ｅｆ　ａｌ、、Ｐｒｏｃ、ＳＰＥ
　６９５．７９（１９８６））に変ってきた。

１ビ一ムオーバライド方式の光ディスクとしては、記録
膜の結晶化速度か速いことが必須条件であり、結晶化速
度か速い媒体としては、例えは、Ｓｂ２　Ｔｅ３薄膜（
特開昭５９−１８５１１４８公報）、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ
系薄膜（特開昭６２−２０９７４２公報、特開昭６３−
２２５９３４公報、Ｎ、　Ｙａｗａｄａ　ｅｌ　ａｌ、
　ｌｐｒ、　Ｉ八ｐｐｆ、　Ｐｈｙｓ、、　２６．５ｕ
ｐｐｌ、、　２６−４．６ｌ−６６（１９８７））　、
ＭＧｅ−３ｂ−Ｔｅ系薄膜、ＭはＰｄ、Ｃｕ、Ａｇ。

Ｔ］、Ｇｏなどの金属元素（第５０回応用物理学会学術
講演予稿集２９ｐ−ＰＢ−３７（１９８９秋）、第３６
回応用物理学会学術講演予稿集１　ｐ−２Ｂ−９）　（
１９８９春））、Ｉｎ−８ｅ系薄膜（Ｔ、Ｎ１５ｈｉｄ
ａ　ｅｌ　ａｌ、Ｊｐｎ、　Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙ
ｓ、　、　２６．５ｕｐｐ１．　、５ｕｐｐ１．　、２
６−４．６７−７０　（］９８７））　、Ｉ　ｎ−３ｂ
−Ｔｅ系薄膜（Ｙ、Ｍａｅｄａ　ｅｌ　ａＪ、　Ａｐｐ
ｉ、　Ｐｈ、ｙｓ、　６４．１７１５　（１９８８）　
）などが提案されている。

これらの記録膜は、蒸着やスパッタリングなどの真空成
膜法により形成されており、一般に非晶質状態で形成さ
れる。そのため、例えば光ディスクとして使用する場合
、記録に先立って一度記録領域全体の記録層を結晶状態
にする、いわゆる初期化処理を行う必要がある。

従来、光ディスクを初期化する方法としては、特開昭６
０−１０６３１公報に示されるような大パワーで連続発
光のアルゴンレーザ光を幅広く光ディスクに照射し、記
録部全面を短時間かつ反射率か均一になるように初期化
する方法や、特開平！　−２］　７７　、’Ｉ　０号公
報に示されるような初期化した部分の結晶粒子の平均断
面積と記録動作の時の生じる非晶質ピット周辺の結晶粒
子の平均断面積と該非晶質ピットを消去動作によって結
晶状態にした部分の結晶粒子の平均断面積を実質上同一
にすることによって、記録信号の消し残りがないように
する初期化方法が提案されている ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記従来の方法では、記録、消去を繰り返
しを行なった場合にＣＮ比は安定して得られるが消去率
が変化し安定した特性が得られないことと、特に、］ビ
ームオーバライド方式の記録、消去で繰り返し初期の消
去率か低いことか問題であった。

従来、消去率が悪い理由としては、初期化後の光ディス
クの反射率が均一になっていないことおよび記録により
生じた非晶質ピットの周辺か一度溶融し再結晶化するた
め比較的大きな粒子の結晶状態となることとその結晶粒
径と初期化の結晶粒径および消去の結晶粒径とがかなり
違うため反射率にむらか生じるためと考えられてきた。

しかし、本発明者らの研究によれば、反射率を均一にす
ることや初期化による結晶粒径、消去による結晶粒径お
よび非晶質ピット周辺の結晶粒径を同一にしたとしても
、必ずしも初期消去率か良好になるとは言い難く、むし
ろ結晶粒径以外の結晶状態を決める要因、例えは、結晶
構造、結晶化度、配向なとを初期化の照射パワー密度Ｐ
と照射時間Ｔの条件で制御することが重要であることか
明らかになった。

しかし、特開昭６０−１０６３１公報は、光ディスクを
高速かつ反射率か均一に初期化するための光学系の設計
手法や、それらを用いた初期化処理装置について開示す
るものであり、どういう結晶状態を作れば良いのかの考
察か良好な記録消去特性を実現する上で最も重要である
との観点が示されていないため、初期化の結晶状態を制
御する初期化方法について同等具体的かつ有効な知見を
与えるものとはなっていない。また、特開平１−２］７
７３５号公報は、初期化の結晶状態で結晶粒径だけを制
御しているが、その他の要因においては初期化の結晶状
態を制御する初期化方法について同等具体的かつ有効な
知見を与えるものとはなっていない。

一方、最近、第３６回応用物理学会学術講演予稿集ｊｐ
−２Ｂ−２に示されるように光ディスクの層構成を工夫
して記録層の冷却速度を速くし、記録により一度溶融し
た非晶質ピット周辺か再結晶化しないようにすることに
より消去率と消去マージンを大幅に改善する方法か提案
されている。しかし、この様な光ディスクの層構成にお
いても従来の初期化方法は必ずしも対応しておらす、初
期の消去率か良好で、記録、消去の繰り返し特性が安定
している初期化か必すしも実現できるとは言えない。

本発明はかかる従来技術の諸問題に鑑み創案されたもの
で、その目的は記録、消去を繰り返し行なった場合に、
初回より良好なＣＮ比、消去率か得られ、繰り返しにお
いても優れた安定性が得られる光記録媒体の初期化方法
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録層に光
を照射することによって、情報の記録、消去および再生
が可能であり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶
相の間の相変化により行われるようにした光記録媒体を
初期化するに際し、該光記録媒体にパワー密度Ｐ（ｍＷ
／μＩＴＩ’）が０゜５≦Ｐ≦５．０かつ照射時間Ｔ（
μｓｅｃ）か１≦Ｔ≦１００であるレーザ光を照射して
該記録層を非晶質状態から結晶状態に変えることを特徴
とする光記録媒体の初期化方法により達成される。

相変化を利用した光記録媒体の記録層の結晶化は、記録
層を結晶化温度以上の温度領域で加熱し、結晶化に必要
な時間以上保持することにより得られる。

初期化により結晶化した後、記録により非晶質状態にし
た記録層を消去により結晶化状態させるために必要な時
間（消去時間）は、例えば、１ビ一ムオーバライド方式
で情報の記録および消去かできる書換型材料のＳｂ２　
Ｔｅ３薄膜、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ系薄膜、Ｍ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ系薄膜、ＭはＰｄ、Ｃｕ、Ａｇ、ＴＩ、Ｇｏなど
の金属元素、Ｉｎ−８ｅ系薄膜、Ｉｎ−８ｂ−Ｔｅ系薄
膜では、５０〜２００ｎＳｅＣ程度である。しかし、成
膜後の記録層を初期化により結晶化させる場合には、記
録により溶融した後急冷によって形成された非晶質状態
に比べ、成膜時の非晶状態はより乱雑に原子か配列して
いるため、結晶化時間か部分的にまちまちとなっている
。また、成膜条件によっても初期の非晶質状態は変化す
るため光デイスク間においても同様のことが言える。よ
って、初期化における結晶化時間は長くなり、レーザの
照射時間が短いと結晶化か完全にできなくなり、均一な
結晶状態を得ることが困難になる。したかって、初期化
の場合、結晶化を均一かつ完全に行なうためにはレーザ
光の照射時間を長くして結晶化温度の保持時間を長くす
る必要がある。レーザビーム径を長くしてこの照射時間
を長くすることは、蒸着効果により記録層の熱流出を遅
くし、結晶化温度以上の温度を保持する時間か、実際の
照射時間よりもさらに長くできるためより効果的である
。なおここでいう照射時間とはレーザ光の半値全幅が光
ディスクのある１点を通過する時間を意味する。

照射時間は１μＳｅＣ〜１００μｓｅｃの範囲が好まし
く、より好ましくは１０μｓｅｃ〜５０μＳｅｃである
。１μｓｅｃ未満では結晶化にむらが生しやすく、１回
の初期化では信頼性か低下する。１００μｓｅｃより大
きいと初期化時間が長くなり、記録層からの熱拡散で基
板の温度か上昇し熱変形か起こりノイズの原因となる。

このような照射時間で最適なレーザ光のパワー密度は光
記録媒体の材料および層構成によって変るが、０．５ｍ
Ｗ／μｒｒｆから５．０ｍＷ／、ｃｚｍの範囲か好まし
く、より好ましくは１．０ｍＷ、／μｒｄ　〜３．　　
ＯｍＷ／μｒｒ？である。０．５　ｍ　Ｗ　、／　ｔｔ
　ｒｄ未満では結晶化するのに時間がかかり、また、照
射時間を長くしても結晶化しない場合があり、５゜０　
ｍ　Ｗ　／μｄより大きいと熱による記録層の膜歪みな
どの欠陥が発生し易くなりノイズの原因となる。

本発明のレーザ光の光源としては、アルゴンレーザ、ヘ
ルウム・カドミウムレーザ、などのガスレーザおよび半
導体レーザなどが用いられるか、とりわけ、半導体レー
ザを用いることは、装置を小型化でき消費電力も小さい
ことから好ましい。

半導体レーザを用い本発明の方法により光記録媒体を初
期化する装置の１例を第１図に例示して説明するか、初
期化装置は特にこれに限定されない。

第１図において、１は光ディスク、２はレーザ光３を発
光する半導体レーザ、４はレーザ光３を平行光にするた
めのコリメータレンズ、５は非点隔差補正レンズ、６は
ミラー　７は対物レンズであり、８はモータ、９は移動
台である。半導体レーザ２から出射したレーザ光３はコ
リメータレンズ４で平行光にされ、非点隔差補正レンズ
５により半導体レーザ２のｐ−ｎ接合面に平行方向、垂
直方向で同じ位置に焦点を結ぶように補正される。

さらに、ミラー６、対物レンズ７を経て光記録媒体の記
録層に楕円状スポットで照射される。これらを含む光学
系１０は移動台９により光記録媒体１の半径方向に適当
な送りピッチで送られる。−方、光記録媒体１−はモー
タ８により回転される。

光記録媒体の回転は上記照射時間の範囲で自由に設定で
きるが、レーザ光の照射時間を記録媒体の全初期化部分
で一定にするため移動線速度を一定する方か好ましい。

線速度か遅い場合には、記録媒体記録部全面の初期化に
時間をかなり要し、場合によっては熱により膜破壊が生
じる恐れがあり、線速度か速い場合には光ディスクの面
振れか大きくなることから、線速度としては、３　ｍ　
／ｓ〜４０ｍ／ｓの範囲か好ましい。

光記録媒体の構成としては、特に限定されないが、］ビ
ームオーバライド方式の記録消去特性が良好な、例えば
第２図に示すようなディスク基板］１上に誘電体層１．
２　ａ、記録層１３、誘電体層１、２　ｂ、反射冷却層
１４および保護層１５を順次積層した積層構造体が、本
発明の初期化方法を適用することにより、より好ましい
効果が期待てきるので望ましい。ここで保護層としては
例えは５μｍ〜４０μｍの厚さの紫外線硬化樹脂層など
の樹脂保護層が使用できる。また、保護層の上に接着剤
層を設は他の基板と張合わせたものでもかまわない。デ
ィスク基板としては、基板側から記録消去を行なう場合
にはレーザ光が透過する材料を用いることか好ましく、
例えはポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリオリフイン樹脂等の高分子
樹脂またはガラスが挙げられる。

誘電体層は、基板や記録層などが記録により熱によって
変形し記録消去特性が劣化することを防止する変形防止
層、記録層の耐湿熱性や耐酸化性の効果をもたせる保護
層、かつ記録層から反射層への原子拡散を防止する拡散
防止層の役割を果たす。このような誘電体層としては、
例えばＺｎＳ。

５ｉｎ２．Ｔａ２０５．ＴＴＯ，ＺｒＣ，ＴｉＣ。

ＭｇＦ、等の無機膜やそれらの混合膜が使用できる。特
に、ＺｎＳとＭ　ｇ　Ｆ　２の混合膜は、耐湿熱性に優
れており、さらに記録消去の繰り返しによる記録層の劣
化を抑制するので好ましい。記録層は、結晶化速度が速
いものか１ビ一ムオーバライド方式の記録消去を行なう
光記録媒体として好ましく、例えは、Ｇｅ−３ｂ−Ｔｅ
系薄膜、Ｍ−Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅ系薄膜、ＭはＰｄ、Ｃｕ
、Ａｇ。

ＴＩ、Ｇｏなとの金属元素１、Ｔ　ｎ−３ｂ−Ｔ　ｅ系
薄膜なと挙げられる。特に記録層としてＰｄＧｅ−３ｂ
−Ｔｅ系薄膜を使用した光記録媒体を、本発明の方法に
より初期化した場合、結晶構造か非晶相から結晶相へ移
行する際、原子の移動か少なくてすむような単純な面心
立方構造でかつ単一相にてきるため結晶化速度か速くな
るはかりか、記録、消去の繰り返しよっても相分離や組
成の偏析などか起りにくく、さらに熱安定性か優れてい
るので好ましい。

反射冷却層は、誘電体層からの熱拡散を容易にし、記録
時に溶融した記録層の冷却速度を高めることにより、非
晶質ピットの形成を容易にする。

また、誘電体層なとか、熱的に変形することを防止する
効果、光学的干渉により再生信号のコントラストを改善
する効果がある。このような反射冷却層としては、レー
ザ光の波長で光反射性、吸収性を有し、かつ誘電体層よ
りも熱伝導度か高い金属または金属酸化物、金属窒化物
、金属炭化物などと金属の混合物、例えばＺｒ、Ｈｆ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、ＡＩ、Ａｕなどの金属や、こ
れらの合金、これらのＺｒ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒
化物、Ａ１酸化物などを混合したものか使用できる。特
にＡＩ、Ａｕ、Ｔａやそれらの合金等は、ｌ１９の形成
か容易であり、材ｆ’Ｊ選択により熱伝導率か広範囲に
調整可能であるため好ましい。

誘電体層、記録層および反射冷却層の摩さは、ゴー　２
　ａの誘電体層か５０ｎｍ〜３００ｎｍであり、１２ｂ
の誘電体層か］、Ｏｎｍ　〜３０ｎｍてあり、記録層か
１０ｎｍ〜６０ｎｍであり、かつ反射冷却層か２０ｎｍ
〜１１００ｎとしたものか１ビ一ムオーバライド方式の
記録消去を行なう光記録媒体に適しているため好ましい
。

誘電体層、記録層および反射冷却層をディスク基板上に
形成する方法としては、公知の真空中ての薄膜形成法、
例えば真空蒸着法、イオンブレーティング法およびスパ
ッタリング法等が挙げられる。特に組成、膜厚のコント
ロールが容易であることからスパッタリング法が好まし
い。

し実施例コ 以下、本発明の実施例に基づいて具体的に説明するが、
本発明はこれらに限定されない。

なお実施例中の特性は以下の方法に基づいて評価したも
のである。

（１）組成 記録層、誘電体層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイコー
電子工業■製Ｆ　Ｔ　Ｓ　−１，、１００型）によって
各元素の含有量を求め、組成比を算出した。

（２）記録消去特性（１ビームオーバライド特性）初期
化した光記録媒体を９ｍ／ｓで回転させ、基板側から周
波数５．３ＭＨｚ、パルス幅６０ｎＳで変調した記録パ
ワー１．５ｍＷ、消去パワー８ｍＷの波長７８０ｎｍの
半導体レーザ光を開口数０．５の対物レンズで集光照射
しオーバライド記録を行なった。

記録後、１．５ｍＷの半導体レーザ光で記録部分を走査
し記録の再生を行なった。さらに、記録部分を先の条件
の周波数を２．０ＭＨｚに変更しオーバライド記録を行
ない５．３ＭＨｚの記録信号を消去した後、先と同一の
条件で再生を行なった。記録後および消失後再生信号を
それぞれスペクトル・アナライザによりキャリヤレベル
とノイズレベルを測定し、バンド幅３０　ｋ　ｌ−Ｔ　
ｚの条件でキャリヤ対ノイズ比（Ｃ、／　Ｎ　）を求め
、さらに５゜３ＭＨｚの記録時のキャリヤレベルと２．
０ＭＨｚの記録時（５，３ＭＨｚの消去時）の５．３Ｍ
Ｈｚのキャリヤレベルの差を消去率とした求めた。

繰り返しは、５．３ＭＨｚと２．０ＭＨｚのオーバライ
ド記録を交互に５回行ないそれぞれの回で１回目と同様
に５．３ＭＨｚの記録信号の消去率を求めた後、５．３
ＭＩ−Ｉｚのオーバライド記録を１０００回繰り返し、
その後、また１回目と同様に５．３ＭＨｚの記録信号の
消去率を求め評価した。

（３）初期化による記録層の膜破壊状態初期化による記
録層の膜破壊状態は成膜後の光記録媒体と初期化後の光
記録媒体の１．０ＭＨｚでのノイズを測定し比較した。

（４）結晶構造 結晶構造は、Ｘ線回折スペクトルを広角Ｘ線回折法によ
り測定し比較した。測定には、薄膜回折装置（理学電機
社製Ｘ線発生装置ＲＵ２０ＯＢ）、同社製ゴニオメータ
２１５５Ｄ型、同社製計数記録装置ＲＡＤ−Ｂ型、およ
びシンチレーションカンタ−）を使用した。Ｘ線の入射
角度は、記録層面にたいして０．　５度とした。スキャ
ン方式は、２θおよび連続スキャンとした。Ｘ線源とし
ては、ＣｕＫａ線を使用した。

（５）結晶粒径 結晶粒径は、透過型電子顕微鏡（日立製作所（株制　１
−１−８００　Ｕ　ＨＲ）により観察し比較した。

観察は、加速電圧２００ｋＶで行なった。

実施例１ 厚さ１．．２ｍｍ、直径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチ
のスパイラルグループ付きポリカーボネート製基板を毎
分６０回転で回転させながら、ＲＦマグネトロンスパッ
タリング法により記録層、誘電体層および反射冷却層を
形成した。

まず、７Ｘ１．０−５Ｐａまで排気した後、６×ＩＱ−
’Ｐａのアルゴンガス雰囲気中で基板上にＺｎＳとＭｇ
Ｆ２のモル比が９０：１０の誘電体層のＺｎＳ−ＭｇＦ
２をスッパタリング法により１６Ｑｎｍ形成し、次にＴ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、およびＰｄを水晶振動子膜厚計でモニ
タしながら同時スパッタリングしてＰ　ｄ　２　Ｇ　ｅ
　１７Ｓ　ｂ　２９Ｔ　ｅ　５２の元素組成の記録層を
３０ｎｍ形成した。さらに、上記の誘電体層のＺｎＳ−
ＭｇＦ、をスッパタリング法により３０ｎｍ、その上に
反射冷却層としてＡＵを５０ｎｍ形成した。最後に、Ａ
ｕ層上に紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布し
、その後紫外線を照射して硬化させ１０μｍの保護層を
形成した。以上により本発明の初期化方法を実施する光
記録媒体を得た。

初期化は、パワー密度を１．ＯｍＷ／μＭ、照射時間が
１２μＳｅｃで行なった。このとき、第１図に示した装
置でレーザ光のスポットは、光ディスクの半径方向の半
値全幅が２２μｍ、円周方向が６６μｍであり、光ディ
スクの回転は、線速度５゜５ｍ／ｓ、光デイスク１回転
での送りピッチは２μｍであった。

初期化した光記録媒体のオーバライドでの記録消去特性
を前記評価方法により評価した。その結果、１−回目の
Ｃ／Ｎは５１．２ｄＢ、消去率　３０、］、ｄＢ、５回
目のＣ、／　Ｎは５０．５ｄＢ、消去率　２８．２ｄＢ
、１０００回目のＣ，／Ｎは５０．７ｄＢ、消去率　２
８．０ｄＢ、と初回より良好なＣ／Ｎ、消去率が得られ
、また、繰り返しにおいても安定し、優れた記録消去特
性が得られた。　初期化後の記録層のＸ線回折スペクト
ルを測定した。第３図は、測定したＸ線回折スペクトル
の相対強度を示したグラフであり、１６は、グラフの縦
軸であり、回折線の相対強度を表している。また１７は
、グラフの横軸であり、回折角２θ（単位：度）を示し
ている。１８は２００面、１９は２２０面、２０は４０
０面、２２は４２０面を示す。回折スペクトルの測定結
果、初期化後の記録層の結晶構造は面心立方構造であっ
た。

また、１回記録、消去した後の結晶粒径をみたところ消
去の部分は初期化した部分よりかなり大きく２倍以上あ
り、粒径が揃っていないにもかかわらず、優れた記録、
消去特性を示すものであった。

比較例１ パワー密度を１０．０ｍＷ／μＭとし、照射時間は０．
　３μｓｅｃとした以外は実施例１と同様にして初期化
した。このとき、レーザ光のスポットは、光ディスクの
半径方向の半値全幅か１．６μｍ、円周方向か１．２μ
ｍであり、線速度は４ｍ、／ｓであった。初期化による
ノイズレベルの上昇は３ｄＢとかなり大きくなった。

初期化した光記録媒体をオーバライドで記録消去特性を
前期評価方法により評価した。その結果、１回目のＣ／
Ｎは５１．．８ｄＢ、消去率２１．４ｄＢ、５回目のＣ
、、／　Ｎは５２．５ｄＢ、消去率２６．１ｄＢ、１０
００回目のＣ，、／Ｎは５１．７ｄＢ１消去率２３．９
ｄＢ、とＣ／Ｎは安定しているか、消去率は悪く、また
、繰り返しにおいて変動か大きく優れた記録消去特性が
得られなかった。

比較例２ パワー密度を１．０ｍＷ／μＭとし、照射時間が０．５
μｓｅｃ　Ｌだ以外は実施例１と同様に初期化した。こ
の時、レーザ光のスポットは、光ディスクの半径方向の
半値全幅が］、６μｍ、円周方向か５μｍであり、線速
度１０ｍ、／ｓであった。

初期化によるノイズレベルの上昇はほとんどなかった。

初期化した光ディスクのオーバライドでの記録消去特性
を前期評価方法により評価した。その結果、初期化後の
反射率はほぼ一定であったが、１回目のＣ／Ｎは５０．
２ｄＢ、消去率］、７．４ｄＢであり優れた記録消去特
性か得られなかった。

比較例３ パワー密度を６　、　０　ｍＷ／μｄ古し、照射時間を
２μｓｅｃとした以外は実施例１と同様に初期化した。

このとき、し−サ光のスポットは、光ディスクの半径方
向の半値全幅が１２μｍ１円周方向が２０μｍであり、
線速度１０ｍ／ｓであった。

初期化により記録層の膜破壊が起った。

［発明の効果コ 本発明は、上述のごとく相変化を利用した光記録媒体を
特定のパワー密度のレーザ光で特定の照射時間、初期化
を行なうようにしたので記録層の歪みがなく結晶化を完
全に行なうことができる。

したつかて、本発明による光記録媒体は、初回より良好
な消去率が得られ、また、繰り返しにおいても優れた安
定性か得られる利点かある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施に使用する初期化装置の１例
の説明図、第２図は光記録媒体の１例の説明図、第３図
は初期化後記録層のＸ線回折スペクトルの１例を説明す
る概略図である。 １：光ディスク、２：半導体レーザ、 ３：レーザ光、４゛コリメータレンズ、５：非点隔差補
正レンズ、６：ミラー ７：対物レンズ、８　モータ、９；移動台、１１：ディ
スク基板、１２ａ：誘電体層、１２ｂ＝誘電体層、１３
：記録層、 １４：反射冷却層、１５コ保護層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に形成された記録層に光を照射することによって
   、情報の記録、消去および再生が可能であり、情報の記
   録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行
   われるようにした光記録媒体を初期化するに際し、該光
   記録媒体にパワー密度Ｐ（ｍＷ／μｍ＾２）が０．５≦
   Ｐ≦５．０かつ照射時間Ｔ（μｓｅｃ）が１≦Ｔ≦１０
   ０であるレーザ光を照射して該記録層を非晶質状態から
   結晶状態に変えることを特徴とする光記録媒体の初期化
   方法。