JPH0327859B2 - - Google Patents
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- JPH0327859B2 JPH0327859B2 JP60274412A JP27441285A JPH0327859B2 JP H0327859 B2 JPH0327859 B2 JP H0327859B2 JP 60274412 A JP60274412 A JP 60274412A JP 27441285 A JP27441285 A JP 27441285A JP H0327859 B2 JPH0327859 B2 JP H0327859B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- receiving circuit
- light receiving
- light
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速光伝送方式において受信側で使
用される受光回路の周波数特性を精度良く測定す
る方法に関するものである。
用される受光回路の周波数特性を精度良く測定す
る方法に関するものである。
従来、受光回路（受光素子として一体に構成さ
れているものを含む）の周波数特性を評価するに
は、光信号として周波数を掃引したIM（インテン
シテイ・モジユレーシヨン）信号もしくは短パル
ス化した光信号を入射し、該受光回路で光電変換
して得られる電気信号の周波数特性もしくはパル
ス波形を観測方法が用いられていた。
れているものを含む）の周波数特性を評価するに
は、光信号として周波数を掃引したIM（インテン
シテイ・モジユレーシヨン）信号もしくは短パル
ス化した光信号を入射し、該受光回路で光電変換
して得られる電気信号の周波数特性もしくはパル
ス波形を観測方法が用いられていた。
しかし、前者の場合は、光のIM信号を高周波
にわたつて発生させることおよび発生させた変調
信号のレベルを較正することが不可欠である。そ
して、この場合、光信号を発生・変調する半導体
レーザ（LD）および外部変調器の帯域に限界が
あること、あるいは広帯域な光受信系を用いた較
正が必要になること等により広帯域な光受光回路
の評価が基本的に困難であつた。また、後者の場
合は、被測定帯域に比べて十分小さな光パルスを
発生させてそのパルス幅を評価しておくことが必
要になるのに加えて、得られた電気信号波形をフ
ーリエ変換しなければならなかつた。
にわたつて発生させることおよび発生させた変調
信号のレベルを較正することが不可欠である。そ
して、この場合、光信号を発生・変調する半導体
レーザ（LD）および外部変調器の帯域に限界が
あること、あるいは広帯域な光受信系を用いた較
正が必要になること等により広帯域な光受光回路
の評価が基本的に困難であつた。また、後者の場
合は、被測定帯域に比べて十分小さな光パルスを
発生させてそのパルス幅を評価しておくことが必
要になるのに加えて、得られた電気信号波形をフ
ーリエ変換しなければならなかつた。
このように従来方法では、入射させる光自身を
測定帯域に対応して強度変調等を行う光送信系の
高速化技術が必要であり、さらに、光信号波形の
較正技術等が必要である。したがつて、帯域測定
系の構成が複雑になるだけでなく測定可能な帯域
やその精度にも問題があつた。
測定帯域に対応して強度変調等を行う光送信系の
高速化技術が必要であり、さらに、光信号波形の
較正技術等が必要である。したがつて、帯域測定
系の構成が複雑になるだけでなく測定可能な帯域
やその精度にも問題があつた。
本発明の周波数特性測定方法は上記問題点に鑑
みてなされたものであり、２台の半導体レーザの
出力光を合波して被測定対象である受光回路に入
力しながら前記２台の半導体レーザの少なくとも
一方に直流バイアス電流変化や温度変化のような
物理的変化を与えて２台の半導体レーザの発振周
波数差を掃引すると共に前記受光回路の電気出力
をスペクトルアナライザで測定するものである。
みてなされたものであり、２台の半導体レーザの
出力光を合波して被測定対象である受光回路に入
力しながら前記２台の半導体レーザの少なくとも
一方に直流バイアス電流変化や温度変化のような
物理的変化を与えて２台の半導体レーザの発振周
波数差を掃引すると共に前記受光回路の電気出力
をスペクトルアナライザで測定するものである。
２台の単一周波数で発振する半導体レーザの時
間振幅をv1（ｔ）、v2（ｔ）とし、v1（ｔ）、v2（ｔ）
を以下のように表す。
間振幅をv1（ｔ）、v2（ｔ）とし、v1（ｔ）、v2（ｔ）
を以下のように表す。
v1（ｔ）acosω1t ……(1)
v2（ｔ）bcosω2t ……(2)
この２つの光を合波して被測定対象である受光
回路に入射した後に、この受光回路の電気出力と
して得られるヘテロダイン検波出力v3（ｔ）は、 v3（ｔ）＝（acosω1t＋bcosω2t）2 ＝a2cos2ω1t＋b2cos2ω2t ＋2abcosω1tcosω2t ＝a2cos2ω1t＋b2cos2ω2t ＋ab｛cos（ω1−ω2）＋cos（ω1＋ω2）｝ ……(3) となり、第３項に差周波数成分が生ずる。２台の
半導体レーザはCW（コンテイニアス・ウエーブ）
発振状態であるため、ａ、ｂは一定である。ま
た、ω1、ω2は半導体レーザの温度あるいは直流
バイアス電流を変えることで可変であり、例え
ば、半導体レーザの温度を１℃程度変化させるこ
とで10GHz以上の周波数掃引を行うことが可能で
ある。このとき、ａ、ｂの値の変動は通常はほと
んど無視できる。したがつて、２台の半導体レー
ザの出力光を合波した時のビート強度（∞ab）
は、受信系を評価するのに必要な周波数差の範囲
（約50GHz）では一定であり、このビート光を受
光回路に入射した際の周波数−検出出力特性は、
精度良く受光回路の周波数特性を表す。
回路に入射した後に、この受光回路の電気出力と
して得られるヘテロダイン検波出力v3（ｔ）は、 v3（ｔ）＝（acosω1t＋bcosω2t）2 ＝a2cos2ω1t＋b2cos2ω2t ＋2abcosω1tcosω2t ＝a2cos2ω1t＋b2cos2ω2t ＋ab｛cos（ω1−ω2）＋cos（ω1＋ω2）｝ ……(3) となり、第３項に差周波数成分が生ずる。２台の
半導体レーザはCW（コンテイニアス・ウエーブ）
発振状態であるため、ａ、ｂは一定である。ま
た、ω1、ω2は半導体レーザの温度あるいは直流
バイアス電流を変えることで可変であり、例え
ば、半導体レーザの温度を１℃程度変化させるこ
とで10GHz以上の周波数掃引を行うことが可能で
ある。このとき、ａ、ｂの値の変動は通常はほと
んど無視できる。したがつて、２台の半導体レー
ザの出力光を合波した時のビート強度（∞ab）
は、受信系を評価するのに必要な周波数差の範囲
（約50GHz）では一定であり、このビート光を受
光回路に入射した際の周波数−検出出力特性は、
精度良く受光回路の周波数特性を表す。
以下、実施例と共に本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図であ
り、第２図は本実施例に用いられている半導体レ
ーザの構造を示す斜視図である。分布帰還型半導
体レーザ（DFB−LD）１０１，１０２それぞれ
独立して発振するものであり、DFB−LDアレイ
１００として一体に構成されている。このように
アレイ状に一体構成すると、半導体レーザ１０
１，１０２の発振波長差を１Å程度以内とし、し
かも単一波長とすることが容易であり、後述する
動作制御が容易となる。半導体レーザ１０１，１
０２にはそれぞれ上部電極１０３，１０４および
共通の下部電極１０５が設けられている。半導体
レーザ１０１の両端の光出力部には出力光を絞る
ためのレンズ１０６，１１７が配置され、半導体
レーザ１０２の両端の光出力部には同じく出力光
を絞るためのレンズ１０７，１１８が配置されて
いる。レンズ１０６，１０７，１１７，１１８の
前方には、アイソレータ１０８，１０９，１１
９，１２０が配置されており、反射によつて半導
体レーザ１０１，１０２の出力光や発振スペクト
ルが不安定にならないようにしている。この４つ
のアイソレータのうちの２つのアイソレータ１０
８，１０９の前方には、入射光の周波数によつて
透過光強度が変化する素子、例えばフアブリペロ
ーエタロン等の光フイルタ１１０，１１１が配置
されている。この光フイルタ１１０，１１１の周
波数−透過光強度は第３図に示すように、そのピ
ークが互いにずれている。光フイルタ１１０，１
１１のさらに前方にはフオトダイオード１１２，
１１３が配置されており、フオトダイオード１１
２，１１３の出力端子はそれぞれ差動増幅器１１
４の非反転入力端子、反転入力端子に接続されて
いる。差動増幅器１１４の出力端子は電気ミキサ
１１５，１２６のそれぞれにおいて一方の入力端
子に接続されている。電気ミキサ１１５の他方の
入力端子には半導体レーザ１０１に印加する直流
バイアス電流の電源が接続されており、電気ミキ
サ１１５の出力端子は半導体レーザ１０１の上部
電極１０３に接続されている。電気ミキサ１２６
の他方の入力端子には電気ミキサ１２７の出力端
子が接続され、電気ミキサ１２６の出力端子は半
導体レーザ１０２の上部電極１０４に接続されて
いる。
り、第２図は本実施例に用いられている半導体レ
ーザの構造を示す斜視図である。分布帰還型半導
体レーザ（DFB−LD）１０１，１０２それぞれ
独立して発振するものであり、DFB−LDアレイ
１００として一体に構成されている。このように
アレイ状に一体構成すると、半導体レーザ１０
１，１０２の発振波長差を１Å程度以内とし、し
かも単一波長とすることが容易であり、後述する
動作制御が容易となる。半導体レーザ１０１，１
０２にはそれぞれ上部電極１０３，１０４および
共通の下部電極１０５が設けられている。半導体
レーザ１０１の両端の光出力部には出力光を絞る
ためのレンズ１０６，１１７が配置され、半導体
レーザ１０２の両端の光出力部には同じく出力光
を絞るためのレンズ１０７，１１８が配置されて
いる。レンズ１０６，１０７，１１７，１１８の
前方には、アイソレータ１０８，１０９，１１
９，１２０が配置されており、反射によつて半導
体レーザ１０１，１０２の出力光や発振スペクト
ルが不安定にならないようにしている。この４つ
のアイソレータのうちの２つのアイソレータ１０
８，１０９の前方には、入射光の周波数によつて
透過光強度が変化する素子、例えばフアブリペロ
ーエタロン等の光フイルタ１１０，１１１が配置
されている。この光フイルタ１１０，１１１の周
波数−透過光強度は第３図に示すように、そのピ
ークが互いにずれている。光フイルタ１１０，１
１１のさらに前方にはフオトダイオード１１２，
１１３が配置されており、フオトダイオード１１
２，１１３の出力端子はそれぞれ差動増幅器１１
４の非反転入力端子、反転入力端子に接続されて
いる。差動増幅器１１４の出力端子は電気ミキサ
１１５，１２６のそれぞれにおいて一方の入力端
子に接続されている。電気ミキサ１１５の他方の
入力端子には半導体レーザ１０１に印加する直流
バイアス電流の電源が接続されており、電気ミキ
サ１１５の出力端子は半導体レーザ１０１の上部
電極１０３に接続されている。電気ミキサ１２６
の他方の入力端子には電気ミキサ１２７の出力端
子が接続され、電気ミキサ１２６の出力端子は半
導体レーザ１０２の上部電極１０４に接続されて
いる。
アイソレータ１２０の前方には光強度変調器１
２２が設けられている。光強度変調器１２２は増
幅器１２３からの電気信号によつてアイソレータ
１２０が出力する光を変調する。光ミキサ１２１
はアイソレータ１１９および光強度変調器１２２
からの光を合波する手段であり、その出力光は被
測定対象である受光回路１２４に入力され、受光
回路１２４の出力信号はスペクトルアナライザ１
２５に入力される。なお、信号源１１６は微小電
流波形を発生し、この信号は電気ミキサ１２７に
おいて直流バイアス電流に重畳されて半導体レー
ザ１０２の上部電極１０４に与えられると共に、
増幅器１２３に与えられる。
２２が設けられている。光強度変調器１２２は増
幅器１２３からの電気信号によつてアイソレータ
１２０が出力する光を変調する。光ミキサ１２１
はアイソレータ１１９および光強度変調器１２２
からの光を合波する手段であり、その出力光は被
測定対象である受光回路１２４に入力され、受光
回路１２４の出力信号はスペクトルアナライザ１
２５に入力される。なお、信号源１１６は微小電
流波形を発生し、この信号は電気ミキサ１２７に
おいて直流バイアス電流に重畳されて半導体レー
ザ１０２の上部電極１０４に与えられると共に、
増幅器１２３に与えられる。
つぎに、本実施例の動作を説明する。まず、上
部電極１０３，１０４に同じ値の直流バイアス電
流がそれぞれ与えられると、半導体レーザ１０
１，１０２からレーザ光が出力される。半導体レ
ーザ１０１の出力光のうちレンズ１０６で絞られ
たものはアイソレータ１０８、光フイルタ１１０
を通つてフオトダイオード１１２で電気信号に変
換される。また、半導体レーザ１０２の出力光の
うちレンズ１０７で絞られたものはアイソレータ
１０９、光フイルタ１１１を通つてフオトダイオ
ード１１３で電気信号に変換される。このとき、
光フイルタ１１０および１１１の発振周波数−透
過光強度特性は第３図に示すように互いにずれて
おり、周波数foにおいて透過光強度が一致してい
る。そのため、差動増幅器１１４の出力は第４図
に示すようになる。この差動増幅器１１４の出力
は電気ミキサ１１５を通して半導体レーザ１０１
の注入電流にフイードバツクされ、また、電気ミ
キサ１２６を通して半導体レーザ１０２の注入電
流にフイードバツクされる。そして、このフイー
ドバツクによつて、定常状態においては、半導体
レーザ１０１，１０２の発振周波数が差動増幅器
１１４の出力が０となる点foに固定される。
部電極１０３，１０４に同じ値の直流バイアス電
流がそれぞれ与えられると、半導体レーザ１０
１，１０２からレーザ光が出力される。半導体レ
ーザ１０１の出力光のうちレンズ１０６で絞られ
たものはアイソレータ１０８、光フイルタ１１０
を通つてフオトダイオード１１２で電気信号に変
換される。また、半導体レーザ１０２の出力光の
うちレンズ１０７で絞られたものはアイソレータ
１０９、光フイルタ１１１を通つてフオトダイオ
ード１１３で電気信号に変換される。このとき、
光フイルタ１１０および１１１の発振周波数−透
過光強度特性は第３図に示すように互いにずれて
おり、周波数foにおいて透過光強度が一致してい
る。そのため、差動増幅器１１４の出力は第４図
に示すようになる。この差動増幅器１１４の出力
は電気ミキサ１１５を通して半導体レーザ１０１
の注入電流にフイードバツクされ、また、電気ミ
キサ１２６を通して半導体レーザ１０２の注入電
流にフイードバツクされる。そして、このフイー
ドバツクによつて、定常状態においては、半導体
レーザ１０１，１０２の発振周波数が差動増幅器
１１４の出力が０となる点foに固定される。
このような定常状態において、第５図に示すよ
うな信号源１１６からの鋸歯状波（例えば数10Hz
〜数ＫHz）が電気ミキサ１２７において直流バイ
アス電流に重畳され、半導体レーザ１０２の上部
電極１０４に与えられる。なお、この電流波形は
鋸歯状波以外の波形、例えば正弦波、三角波等あ
まり急峻でない電流波形であれば何でもよい。こ
の重畳された微小電流によつて半導体レーザ１０
２の発振周波数が変化し、２台の半導体レーザ１
０１，１０２の発振周波数差に変化が加えられ
る。ここで、符号１０６〜１１５および１２６で
構成されるフイードバツク系は、この重畳電流に
は応答しない程度の遅い時定数を持つように設計
されている。従つて、発振周波数差のゆつくり変
動（0.1Hz程度以下）を抑えたまま、重畳電流に
よつて瞬時的な周波数差の掃引を行うことが可能
となる。
うな信号源１１６からの鋸歯状波（例えば数10Hz
〜数ＫHz）が電気ミキサ１２７において直流バイ
アス電流に重畳され、半導体レーザ１０２の上部
電極１０４に与えられる。なお、この電流波形は
鋸歯状波以外の波形、例えば正弦波、三角波等あ
まり急峻でない電流波形であれば何でもよい。こ
の重畳された微小電流によつて半導体レーザ１０
２の発振周波数が変化し、２台の半導体レーザ１
０１，１０２の発振周波数差に変化が加えられ
る。ここで、符号１０６〜１１５および１２６で
構成されるフイードバツク系は、この重畳電流に
は応答しない程度の遅い時定数を持つように設計
されている。従つて、発振周波数差のゆつくり変
動（0.1Hz程度以下）を抑えたまま、重畳電流に
よつて瞬時的な周波数差の掃引を行うことが可能
となる。
ところで、このように半導体レーザへの注入電
流を変化させた場合には、発振周波数のみならず
出力光強度も変化する。この出力光強度の変動が
無視できない場合には、光強度変調器１２２およ
び増幅器１２３を用いて光出力の較正を行う必要
がある。第６図は光強度変調器１２２の動作を示
すグラフであり、横軸は光強度変調器１２２への
印加電圧、縦軸は透過光強度を表す。光強度変調
器１２２では、信号源１１６からの重畳電流によ
つて波形６０１に示すように変動している光出力
を、同じく信号源１１６からの電流を増幅器１２
３によつて適当に増幅した印加電圧信号６０２で
変調する。すなわち、増幅器１２３によつて光強
度変調器１２２における変調強度を調節し、ま
た、動作点を選ぶことにより、出力光強度を直線
６０３に示すように一定にすることができる。こ
の光を、光ミキサ１２１において半導体レーザ１
０１が出力する一定強度の出力光と合波し、受光
回路１２４に入力する。このとき、受光回路１２
４の出力電気信号をスペクトルアナライザ１２５
に入力することにより、受光回路１２４の周波数
−出力振幅特性を測定することができる。
流を変化させた場合には、発振周波数のみならず
出力光強度も変化する。この出力光強度の変動が
無視できない場合には、光強度変調器１２２およ
び増幅器１２３を用いて光出力の較正を行う必要
がある。第６図は光強度変調器１２２の動作を示
すグラフであり、横軸は光強度変調器１２２への
印加電圧、縦軸は透過光強度を表す。光強度変調
器１２２では、信号源１１６からの重畳電流によ
つて波形６０１に示すように変動している光出力
を、同じく信号源１１６からの電流を増幅器１２
３によつて適当に増幅した印加電圧信号６０２で
変調する。すなわち、増幅器１２３によつて光強
度変調器１２２における変調強度を調節し、ま
た、動作点を選ぶことにより、出力光強度を直線
６０３に示すように一定にすることができる。こ
の光を、光ミキサ１２１において半導体レーザ１
０１が出力する一定強度の出力光と合波し、受光
回路１２４に入力する。このとき、受光回路１２
４の出力電気信号をスペクトルアナライザ１２５
に入力することにより、受光回路１２４の周波数
−出力振幅特性を測定することができる。
なお、信号源１１６による注入電流の変動分は
微小であるため、該注入電流による半導体レーザ
１０２の出力光強度の変動は通常は無視できる程
度であり、このような場合には光強度変調器１２
２および増幅器１２３は不要である。
微小であるため、該注入電流による半導体レーザ
１０２の出力光強度の変動は通常は無視できる程
度であり、このような場合には光強度変調器１２
２および増幅器１２３は不要である。
第７図は本発明の他の実施例を示す構成図であ
り、第８図はこの実施例に用いられている半導体
レーザの構造を示す斜視図である。第７図および
第８図において、第１図および第２図と同一若し
くは相当部分には同一の符号を付してその詳細な
説明を省略する。本実施例では上部電極１０３，
１０４上にそれぞれ絶縁層５１３を介して発熱体
層５０９，５１０が形成されており、各発熱体層
５０９，５１０にはそれぞれ通電用の端子５０
５，５０６，５０７，５０８が接続されている。
端子５０５，５０６および端子５０７，５０８に
はそれぞれ信号源５３１および５３２が接続され
ている。なお、５１１，５１２および５１４はそ
れぞれ上部電極１０３，１０４および下部電極１
０５に接続する取り出し線の端子である。
り、第８図はこの実施例に用いられている半導体
レーザの構造を示す斜視図である。第７図および
第８図において、第１図および第２図と同一若し
くは相当部分には同一の符号を付してその詳細な
説明を省略する。本実施例では上部電極１０３，
１０４上にそれぞれ絶縁層５１３を介して発熱体
層５０９，５１０が形成されており、各発熱体層
５０９，５１０にはそれぞれ通電用の端子５０
５，５０６，５０７，５０８が接続されている。
端子５０５，５０６および端子５０７，５０８に
はそれぞれ信号源５３１および５３２が接続され
ている。なお、５１１，５１２および５１４はそ
れぞれ上部電極１０３，１０４および下部電極１
０５に接続する取り出し線の端子である。
つぎに、本実施例の動作を説明する。符号１０
６〜１１５および１２６に示すフイードバツク回
路によつて２台の半導体レーザ１０１，１０２の
発振周波数が安定化される動作は第１の実施例と
全く同じである。ついで、この安定状態から、半
導体レーザ１０１，１０２間に発振周波数差を与
えることになるが、第１の実施例とはこの発振周
波数差を与える方法が異なる。本実施例において
は、発熱体層５０９または５１０に電流を流して
発熱させ、この発熱による半導体レーザ１０１，
１０２の温度変化により発振周波数を変化させて
２台の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波数
差を変化させるのである。この場合にも、符号１
０６〜１１５および１２６に示すフイードバツク
回路は、信号源５３１または５３２に印加される
鋸歯状波などの電流波形には応答しない程度の遅
い時定数をもつように構成されている。
６〜１１５および１２６に示すフイードバツク回
路によつて２台の半導体レーザ１０１，１０２の
発振周波数が安定化される動作は第１の実施例と
全く同じである。ついで、この安定状態から、半
導体レーザ１０１，１０２間に発振周波数差を与
えることになるが、第１の実施例とはこの発振周
波数差を与える方法が異なる。本実施例において
は、発熱体層５０９または５１０に電流を流して
発熱させ、この発熱による半導体レーザ１０１，
１０２の温度変化により発振周波数を変化させて
２台の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波数
差を変化させるのである。この場合にも、符号１
０６〜１１５および１２６に示すフイードバツク
回路は、信号源５３１または５３２に印加される
鋸歯状波などの電流波形には応答しない程度の遅
い時定数をもつように構成されている。
本実施例では、半導体レーザ１０１，１０２の
発振周波数の温度依存性を利用して発振周波数差
の掃引を行つている。半導体レーザの発振周波数
の温度依存性は10GHz／deg以上であり、したが
つて、受光回路１２４の特性測定に必要な周波数
差（数＋ＧHz程度）を生じさせるに必要な温度変
化は数℃となる。この温度範囲においては、半導
体レーザ１０１，１０２の出力はほぼ一定であ
り、受光回路１２４に入射する光強度は特に較正
することなく一定に保たれる。したがつて、受光
回路１２４の出力をスペクトルアナライザ１２５
に入力すれば、スペクトルアナライザ１２５の表
示は受光回路１２４の周波数特性を表すことにな
る。
発振周波数の温度依存性を利用して発振周波数差
の掃引を行つている。半導体レーザの発振周波数
の温度依存性は10GHz／deg以上であり、したが
つて、受光回路１２４の特性測定に必要な周波数
差（数＋ＧHz程度）を生じさせるに必要な温度変
化は数℃となる。この温度範囲においては、半導
体レーザ１０１，１０２の出力はほぼ一定であ
り、受光回路１２４に入射する光強度は特に較正
することなく一定に保たれる。したがつて、受光
回路１２４の出力をスペクトルアナライザ１２５
に入力すれば、スペクトルアナライザ１２５の表
示は受光回路１２４の周波数特性を表すことにな
る。
なお、上記２つの実施例では、アイソレータ１
０８，１０９あるいはフオトダイオード１１２，
１１３等のばらつき等のために、定常状態におけ
る２台の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波
数が一致せず、発振周波数差が多少生じた位置で
フイードバツク系が安定になる場合もあり得る
が、このような場合でも加える信号波形の大きさ
や半導体レーザ１０１，１０２の直流バイアス電
流の調節等を行うことによつて今まで述べた測定
と同様の測定を行うことができる。
０８，１０９あるいはフオトダイオード１１２，
１１３等のばらつき等のために、定常状態におけ
る２台の半導体レーザ１０１，１０２の発振周波
数が一致せず、発振周波数差が多少生じた位置で
フイードバツク系が安定になる場合もあり得る
が、このような場合でも加える信号波形の大きさ
や半導体レーザ１０１，１０２の直流バイアス電
流の調節等を行うことによつて今まで述べた測定
と同様の測定を行うことができる。
また、半導体レーザ１０１，１０２として分布
帰還型のものを用いているが、これに限定される
ものではない。
帰還型のものを用いているが、これに限定される
ものではない。
以上説明したように本発明の周波数特性測定方
法によれば、２台の半導体レーザの出力光を合波
して被測定対象である受光回路に入力しながら前
記２台の半導体レーザの少なくとも一方に直流バ
イアス電流変化や温度変化のような物理的変化を
与えて２台の半導体レーザの発振周波数差を掃引
すると共に前記受光回路の電気出力をスペクトル
アナライザで測定するので、超高速変調技術、超
短光パルス発生技術といつた特殊な技術を用いる
ことなく精度良く受光回路の周波数特性を測定す
ることができる。すなわち、簡易性ならびに精度
の両面において、従来の測定方法よりも優れてい
る。
法によれば、２台の半導体レーザの出力光を合波
して被測定対象である受光回路に入力しながら前
記２台の半導体レーザの少なくとも一方に直流バ
イアス電流変化や温度変化のような物理的変化を
与えて２台の半導体レーザの発振周波数差を掃引
すると共に前記受光回路の電気出力をスペクトル
アナライザで測定するので、超高速変調技術、超
短光パルス発生技術といつた特殊な技術を用いる
ことなく精度良く受光回路の周波数特性を測定す
ることができる。すなわち、簡易性ならびに精度
の両面において、従来の測定方法よりも優れてい
る。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２
図は本実施例に用いられている半導体レーザの構
造を示す斜視図、第３図は光フイルタ１１０およ
び１１１の発振周波数−透過光強度特性を示すグ
ラフ、第４図は差動増幅器１１４の出力特性を示
すグラフ、第５図は重畳電流の波形図、第６図は
光強度変調器１２２の動作を示すグラフ、第７図
は本発明の一実施例を示す構成図、第８図は本実
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す
斜視図である。 １０１，１０２……半導体レーザ、１１６，５
３１，５３２……信号源、１２１……光ミキサ、
１２４……受光回路、１２５……スペクトルアナ
ライザ、５０９，５１０……発熱体層。
図は本実施例に用いられている半導体レーザの構
造を示す斜視図、第３図は光フイルタ１１０およ
び１１１の発振周波数−透過光強度特性を示すグ
ラフ、第４図は差動増幅器１１４の出力特性を示
すグラフ、第５図は重畳電流の波形図、第６図は
光強度変調器１２２の動作を示すグラフ、第７図
は本発明の一実施例を示す構成図、第８図は本実
施例に用いられている半導体レーザの構造を示す
斜視図である。 １０１，１０２……半導体レーザ、１１６，５
３１，５３２……信号源、１２１……光ミキサ、
１２４……受光回路、１２５……スペクトルアナ
ライザ、５０９，５１０……発熱体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２台の半導体レーザの出力光を合波して被測
定対象である受光回路に入力しながら前記２台の
半導体レーザの少なくとも一方に物理的変化を与
えて２台の半導体レーザの発振周波数差を掃引す
ると共に前記受光回路の電気出力をスペクトルア
ナライザで測定することを特徴とする受光回路の
周波数特性測定方法。 ２ 物理的変化が直流バイアス電流変化である特
許請求の範囲第１項記載の受光回路の周波数特性
測定方法。 ３ 物理的変化が温度変化である特許請求の範囲
第１項記載の受光回路の周波数特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274412A JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274412A JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133773A JPS62133773A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0327859B2 true JPH0327859B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=17541306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274412A Granted JPS62133773A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 受光回路の周波数特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133773A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4941982B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-05-30 | パナソニック株式会社 | オーバーフロー口の開閉構造 |
| JP4941983B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-05-30 | パナソニック株式会社 | オーバーフロー口の開閉構造 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60274412A patent/JPS62133773A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62133773A (ja) | 1987-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |