JPH03279680A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空処理装置に関し、特にリークの有無の自己
診断機能を有する真空処理装置に関する。

〔従来の技術〕

現在、半導体産業をはじめとする数多くの分野で真空処
理装置が用いられている。真空処理装置には、基板等の
表面に薄膜を形成するための蒸着装置、スパッタリング
装置、ＣＶＤ装置、また逆に、基板表面をエツチングす
るドライエツチング装置や、さらには、イオン注入装置
等多くの種類がある。

これら真空処理装置では、真空ポンプにより排気された
真空容器内で処理が行われるが、真空容器内の真空をい
かに保つかが重要なかぎであり、このためには、リーク
の有無を適確に、かつ、迅速に判断しなければならない
。

真空容器のリークテスト方法には周知の通り種々の方法
があるが、人手を介さずに、装置が自動でリークの有無
を判断する自己診断方法には、以下に述べる２つの方法
がある。

まず、第１の方法は真空ポンプにより真空容器内を十分
に排気した後排気を停止し、真空容器内の圧力上昇を真
空計を用いてモニタすることによりリークの有無を判断
する方法で、封止圧力上昇法、または、ビルドアップ法
と呼ばれている。排気を停止した後の真空容器内の圧力
上昇は、真空容器内からのガス放出による圧力上昇とリ
ークによる圧力−上昇との和である。このなめ、あらか
じめリークが無い時の真空容器内からのガス放出による
圧力上昇速度を調べておき、リークテスト時の圧力上昇
速度と比較することにより、リークの有無を判断するこ
とができる。リークが有る場合には警報を出し人に知ら
せる。

また、第２の方法は、残留カス分析法と呼はれる方法で
真空容器内の残留カス成分を分析するための分析計を備
え、これによりリークの有無を判断する方法である。リ
ークが無い時の残留ガススペクトルをメモリしておき、
大気中の成分であるＮ　（ｍ／ｅ＝１４．ｍ／ｅ＝２８
）、０２　　（ｍ／ｅ＝３２＞のピークがリークの無い
場合に比べて高い場合には、リークが発生しているもの
と判断し警報を出力する。

〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の封止圧力上昇法や残留カス分析法を用い
た真空処理装置のリーク自己診断方法では、大きなリー
クしか検知できず、微少リークまで発見できないという
欠点がある。この理由は以下の通りである。

封止圧力上昇法を用いた場合は、真空容器の枯れ具合、
すなわち、脱カスの度合いによって、排気停止後の真空
容器内からのガス放出による圧力上昇速度にばらつきが
生しる。

また、一方、残留カス分析法を用いた場合でも同様に真
空容器の枯れ具合や、真空ポンプの排気性能の経時変化
等の要因により残留ガススペクトルに差異が生じる。

このように、両方法とも、リークの有無を判断する際の
基準値か種々の要因でふらつくため、あいまいであり大
まかな判断しかできない。このため、大きなリークを発
見することはできても微小のリークまでは発見できない
のである。

本発明の目的は、高感度でリークテス１へに良く用いら
れているプローブ法を用いて人手を介さずにリークの有
無を自己診断する真空処理装置を、掃供することにある
。

なお、周知の通りプローブ法とは、真空容器の内部を真
空にしておいて外側より試験ガス（プローブガスとも呼
ぶ）を吹き付けながら真空容器内の試験ガスの圧力変化
を測定してリークの有無を判断する方法である。

〔課題を解決するための手段〕

本□発明は、真空容器と、該真空容器に真空シール部分
を有する真空処理装置において、前記真空シール部分の
周囲に配置され前記真空シール部分に試験ガスの吹き付
けを行う複数のガス吹き出し口と、該ガス吹き出し口の
それぞれに順次前記真空シール部分を回転するように前
記試験ガスを供給する電磁弁と、前記真空容器に接続し
該真空容器内の前記試験ガスの圧力変化を検出する測定
器とを備えている。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

通常、真空処理装置ではメンテナンス等で頻繁に開閉す
る扉等の真空シール部分からリークか発生する場合が多
い。このため本実施例ては、真空容器と扉の間の真空シ
ール部分からのリークの有無をテストする方法について
説明する。なお、試験ガスには、一般に良く用いられる
Ｈ　ｅカスを使用する。

第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。

第１図に示すように、真空容器１は、主弁２を介して接
続された真空ポンプ３により排気される。また、四重極
質量分析計４は、カットバルブ５を介して真空容器１と
接続されている。

また、第２図は本発明の一実施例の配管図である。

第２図に示すように、扉（図示せず）と真空容器１は、
Ｏリング６により真空シールされる。真空容器１の周囲
には、Ｈｅガスボンベ７、減圧弁８、マスフローコント
ローラ９に接続されたＨｅガス配管１０が設置されてい
る。また、Ｈｅガス配管１０にはＯリング６へ向って複
数個のＨｅガス吹き出し口１．１−ａ、　１．１−ｂ、
　１１−ｃｌｌ−ｄ、１１−ｅ、１１−ｆ、１１−ｇ、
１１ｈが取り付けられており、これらのうちの任意の場
所からＨｅガスが出るようコントロールするため、電磁
弁１．２−ａ、１２−ｂ、１２−ｃ。

１２−ｄ、１２−ｅ、１２−ｆ、１２−ｇ、１２ｈを有
している。

以下に、本発明の真空処理装置のリーク自己診断方法に
ついて順を追って述べる。

まず、主弁２を開けて真空容器１の内部を真空ポンプ３
により排気する。真空度が四重様質量分析計４の動作可
能圧力である１０−’　　Ｔｏｒｒ以下になったときに
カットバルブ５を開は四重様質量分析計４を動作させる
。

次に、この状態で電磁弁１２−ａを開け、他の電磁弁を
閉めることによりＨｅガス吹き出し口１１−ａよりＨｅ
ガスを真空シール部分に対して吹き付け、２〜３秒経過
後電磁弁１２−ａを閉める。このとき、四重様質量分析
計４でＨｅの圧力をモニタし、Ｈｅの圧力が上あがって
いく場合にはリーク有りと判断する。なお、Ｈｅガスの
吹き付は量は真空容器１内部のＨｅガスの分圧に応じて
適当にマスフローコントローラ９により調節することが
できる。

次に、電磁弁１２−１）を開け、他の電磁弁を閉めるこ
とによりＨｅガス吹き出し口１１−ｂよりＨｅガスを真
空シール部分に吹き付ける。同様の方法でリークの有無
をチエツクする。

このようにして、１１−ａ、１１−ｂ、１１ｃ、１１−
ｄ、１１−ｅ、１１−ｆ、１１−ｇ。

１１−ｈの順にＩ−Ｔ　ｅガス吹き出し口より真空シー
ル部分に対してＨｅガスを吹き付はリークの有無をチエ
ツクしていく。Ｈｅガスは軽いのでリークの場所を確認
しないよう、上から順に下へと吹き付けている。

以上のリークテストでリークが検知された場合は、本真
空処理装置はブザーを鳴らして警報を出し、さらに、Ｃ
ＲＴ等によりリークの検知された領域を表示する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の真空処理装置は、プローブ
法を用いてリークテストを行うため、従来の封Ｉヒ圧力
上昇法や残留ガス分析法を用いたリークの自己診断方法
に比べて、はるかに高感度にリークチエツクを行うこと
ができ、１Ｏ−１０Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ　−（１／　ｓ　ｅ
　ｃといった微少のリークも検知することが可能である
。また、従来不可能であったリーク箇所の特定について
も、その領域をある程度限定することができるのでリー
ク修理を容易にすることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は本発
明の一実施例の配管図である。 １・・真空容器、２・・・主弁、３・・真空ポンプ、４
・・・四重様質量分析計、５・・・カットバルブ、６・
・・Ｏリング、７・・・Ｈｅガスボンベ、８・・・減圧
弁、９・・マスフローコントローラ、１０・・・Ｈｅガ
ス配管、ａ〜ｈ・・・Ｈｅガス吹き出し口、 ・・電磁弁。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空容器と、該真空容器に真空シール部分を有する真空
   処理装置において、前記真空シール部分の周囲に配置さ
   れ前記真空シール部分に試験ガスの吹き付けを行う複数
   のガス吹き出し口と、該ガス吹き出し口のそれぞれに順
   次前記真空シール部分を回転するように前記試験ガスを
   供給する電磁弁と、前記真空容器に接続し該真空容器内
   の前記試験ガスの圧力変化を検出する測定器とを備えた
   ことを特徴とする真空処理装置。