JPH03280446A - 半導体装置のスタンドオフ測定装置 - Google Patents
半導体装置のスタンドオフ測定装置Info
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- JPH03280446A JPH03280446A JP2079903A JP7990390A JPH03280446A JP H03280446 A JPH03280446 A JP H03280446A JP 2079903 A JP2079903 A JP 2079903A JP 7990390 A JP7990390 A JP 7990390A JP H03280446 A JPH03280446 A JP H03280446A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は半導体装置のスタンドオフ測定装置に関し、特
に、表面実装型半導体デバイス（以下２表面実装”４
Ｉ Ｃという）のスタンドオフ測定装置に関する。
に、表面実装型半導体デバイス（以下２表面実装”４
Ｉ Ｃという）のスタンドオフ測定装置に関する。
［従来の技術１
従来、この種のスタンドオフ測定装置は第８図に示すよ
うに構成される。この装置では、測定すべき表面実装型
ＩＣ８はガラスステージ４１上に置かれたスタンド３８
にストッパ３９でまず固定され、ついで光源４２の透過
光が作るスタンド３８の側面と表面実装型ＩＣ８の影が
実体顕微鏡３７で観察される。この実体観察の下にＸ−
Ｙステージ４３の操作による表面実装型ＩＣ８の移動が
行われ、スタンド３８側面とパッケージ下面間の距離の
最小値４５がディジタル表示計４４から読み取られる。
うに構成される。この装置では、測定すべき表面実装型
ＩＣ８はガラスステージ４１上に置かれたスタンド３８
にストッパ３９でまず固定され、ついで光源４２の透過
光が作るスタンド３８の側面と表面実装型ＩＣ８の影が
実体顕微鏡３７で観察される。この実体観察の下にＸ−
Ｙステージ４３の操作による表面実装型ＩＣ８の移動が
行われ、スタンド３８側面とパッケージ下面間の距離の
最小値４５がディジタル表示計４４から読み取られる。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来のスタンドオフ測定装置では、
第９図から明らかなように、リードの影によってパッケ
ージ下面の一部が観察できないという問題があり、特に
、リードピッチの間隔が小さい表面実装型ＩＣのスタン
ドオフを測定する場合は、第１０図に示すように、リー
ドで隠された部分にパッケージ下面の最下点４６が存在
することがあるので、目的とする最下点の発見はまず不
可能となる。
第９図から明らかなように、リードの影によってパッケ
ージ下面の一部が観察できないという問題があり、特に
、リードピッチの間隔が小さい表面実装型ＩＣのスタン
ドオフを測定する場合は、第１０図に示すように、リー
ドで隠された部分にパッケージ下面の最下点４６が存在
することがあるので、目的とする最下点の発見はまず不
可能となる。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、リードピッチ間隔
の小さな表面実装型ＩＣのスタンドオフを正確に測定す
ることのできる半導体装置のスタンドオフ測定装置を提
供することである。
の小さな表面実装型ＩＣのスタンドオフを正確に測定す
ることのできる半導体装置のスタンドオフ測定装置を提
供することである。
〔課題を解決するための手段１
本発明によれば、半導体装置のスタンドオフ測定装置は
、半導体装置の載置テーブル面から半導体装置のパッケ
ージ裏面までの距離を任意のステップで離散的に計測す
る計測回路手段と、前記計測回路手段からの離散距離デ
ータを連続曲線データに変換するスプライン補間関数演
算回路手段と、前記連続曲線データの最小値を検出する
スタンドオフ算出手段とを備えて構成される。
、半導体装置の載置テーブル面から半導体装置のパッケ
ージ裏面までの距離を任意のステップで離散的に計測す
る計測回路手段と、前記計測回路手段からの離散距離デ
ータを連続曲線データに変換するスプライン補間関数演
算回路手段と、前記連続曲線データの最小値を検出する
スタンドオフ算出手段とを備えて構成される。
〔作 用 １
本発明によれば、スプライン補間を行うことによって半
導体装置の載置テーブル面からパッケージ下面までの離
散距離データは連続データの予測曲線に変換できるので
、リードで隠された部位にパッケージ下面の最下点が存
在する場合でも、スタンドオフの測定を正確に行うこと
ができる。
導体装置の載置テーブル面からパッケージ下面までの離
散距離データは連続データの予測曲線に変換できるので
、リードで隠された部位にパッケージ下面の最下点が存
在する場合でも、スタンドオフの測定を正確に行うこと
ができる。
次に１本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すスタンドオフ測定装置
の概略構成図である０本実施例によれば、半導体装置の
スタンドオフ測定装置は、半導体装置およびステージの
光学的影を画像化する検査部５と、これによって得られ
た画像を２値信号に変換しプロフィル化して半導体装置
のパッケージ裏面からステージまでの距離を離散的に演
算する画像処理部１３と、この演算データをスプライン
補間して連続曲線を予測し最小離間距離を算出するコン
ピュータ制御部２８およびその他の周辺回路とを含む。
の概略構成図である０本実施例によれば、半導体装置の
スタンドオフ測定装置は、半導体装置およびステージの
光学的影を画像化する検査部５と、これによって得られ
た画像を２値信号に変換しプロフィル化して半導体装置
のパッケージ裏面からステージまでの距離を離散的に演
算する画像処理部１３と、この演算データをスプライン
補間して連続曲線を予測し最小離間距離を算出するコン
ピュータ制御部２８およびその他の周辺回路とを含む。
まず、検査対象の表面実装型ＩＣ（以下ＤＵＴという）
８は搬送部２によりローダ部３からアーム搬送され、検
査部５のステージ１０上のストッパ９にパッケージ側面
をリードを下方に向けて固定される。ついで、周辺回路
はっぎの動作を行う、まず、ＣＣＤカメラ１２および画
像取り込み部１４は、光源７と集光鏡６によって照射さ
れて出来るＤＵＴ８およびステージｌＯの影をそれぞれ
画像として取り込み、画像メモリ１５に格納する。この
格納された画像データは２値化演算部１６によって２７
１画像に変換され、２値画像メモリ１７に格納され、つ
いで、この２値画像メモリ１７に格納された２値画像か
ら、明部の画素数をｙ方向に累積したプロファイルがプ
ロファイル作成部１８で作成される。
８は搬送部２によりローダ部３からアーム搬送され、検
査部５のステージ１０上のストッパ９にパッケージ側面
をリードを下方に向けて固定される。ついで、周辺回路
はっぎの動作を行う、まず、ＣＣＤカメラ１２および画
像取り込み部１４は、光源７と集光鏡６によって照射さ
れて出来るＤＵＴ８およびステージｌＯの影をそれぞれ
画像として取り込み、画像メモリ１５に格納する。この
格納された画像データは２値化演算部１６によって２７
１画像に変換され、２値画像メモリ１７に格納され、つ
いで、この２値画像メモリ１７に格納された２値画像か
ら、明部の画素数をｙ方向に累積したプロファイルがプ
ロファイル作成部１８で作成される。
第２図および第３図はそれぞれ上記検査対象の表面実装
型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図およびそ
れから作成されたプロファイル図で、２９および３１は
２値画像およびそのプロファイルをそれぞれ示す、ここ
で、距離データ演算部１９はデータバスコントローラ２
０にアクセスして、データ蓄積部２７に保存されている
リードエツジ検出レベルＬを読み込み、ｙ＝ｌ、なる直
線３０を求め、プロファイル３１との交、屯Ｐｉ（ｉ・
０〜ｎ）を求める。更に、Ｍ ｌ＋、／２１０１１ ＝
ｌＰ、 ＋Ｐ＋−＋ｌ ／ ２ 、 （ｉ＝０〜ｎ且つ
偶数）なる中点およびＭｉと同じＸ成分を持つプロファ
イル３１−トの点Ｎ ｊ ｆｘ、、ｙａｌ ｆ、ｉ＝
Ｉ 〜ｎ）を求め、これを画像処理部１３の最終データ
として、データバスコントローラ２０を介してスプライ
ン補間演算部２１へ転送する。
型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図およびそ
れから作成されたプロファイル図で、２９および３１は
２値画像およびそのプロファイルをそれぞれ示す、ここ
で、距離データ演算部１９はデータバスコントローラ２
０にアクセスして、データ蓄積部２７に保存されている
リードエツジ検出レベルＬを読み込み、ｙ＝ｌ、なる直
線３０を求め、プロファイル３１との交、屯Ｐｉ（ｉ・
０〜ｎ）を求める。更に、Ｍ ｌ＋、／２１０１１ ＝
ｌＰ、 ＋Ｐ＋−＋ｌ ／ ２ 、 （ｉ＝０〜ｎ且つ
偶数）なる中点およびＭｉと同じＸ成分を持つプロファ
イル３１−トの点Ｎ ｊ ｆｘ、、ｙａｌ ｆ、ｉ＝
Ｉ 〜ｎ）を求め、これを画像処理部１３の最終データ
として、データバスコントローラ２０を介してスプライ
ン補間演算部２１へ転送する。
画像処理部１３からの最終データを受取った制御用コン
ピュータ２８内のスプライン補間演算部２１は、Ｎ ｊ
ｆｘＪ、ｙ＝ｌ ［ｊ＝Ｉ−ｎｌの全ての点を通る
３次のスプライン関数、 ５（ｘｌ＝ Σａ Ｊ１３ Ｊ、４ ｆＸ）１１ を算出する。
ピュータ２８内のスプライン補間演算部２１は、Ｎ ｊ
ｆｘＪ、ｙ＝ｌ ［ｊ＝Ｉ−ｎｌの全ての点を通る
３次のスプライン関数、 ５（ｘｌ＝ Σａ Ｊ１３ Ｊ、４ ｆＸ）１１ を算出する。
ここで、 ＢＪ、、ｆｘｌはＢ−スプラインであり。
なる初期条件を持つ
Ｂｉ、ｍ１ｘ）＝ ｘ” Ｈａｒｍ−＋ｌｘ）＋
ｑ Ｊａｍ−１−ＱＪ （ｋ＝２〜４のとき） なる漸化式を解いて得られる関数である。スプライン補
間演算部２１はこれをドヴア・コックスのアルゴリズム
により算出する。但し、ｑ ｌ−Ｑ Ｊ□はシエーンベ
ルク・ホイットニの条件を満足する様に、ＮＪ Ｉｘ＝
、ｙ＝）から。
ｑ Ｊａｍ−１−ＱＪ （ｋ＝２〜４のとき） なる漸化式を解いて得られる関数である。スプライン補
間演算部２１はこれをドヴア・コックスのアルゴリズム
により算出する。但し、ｑ ｌ−Ｑ Ｊ□はシエーンベ
ルク・ホイットニの条件を満足する様に、ＮＪ Ｉｘ＝
、ｙ＝）から。
なる式によって定義される各Ｂ−スプラインの接点であ
り、これもスプライン補間演算部２１により算出される
。
り、これもスプライン補間演算部２１により算出される
。
また、スプライン補間演算部２１は、Ｎｊｔｘａ、ｙＪ
）及びＢ Ｊ、ｋ（Ｘ） Ｆ＝ｌ−ｎ、に＝１〜４１を
次の行列式（連立方程式） を、ガウスの消去法を用いて解き、α； （ｊ＝ｌ−ｎ
）も決定する。
）及びＢ Ｊ、ｋ（Ｘ） Ｆ＝ｌ−ｎ、に＝１〜４１を
次の行列式（連立方程式） を、ガウスの消去法を用いて解き、α； （ｊ＝ｌ−ｎ
）も決定する。
ついで、最小値算出部２２は、スプライン補間演算部２
１によって求められた式（１）より。
１によって求められた式（１）より。
５（ｘｉが最小となる点５ａｔｎ（ｘ、ｙｌを求める。
５（ｘｉが最小となる点が複数存在する場合は、Ｘを
比較して、小なる方をＳｍ＋ｓ（Ｘ、ｙ）とする。
比較して、小なる方をＳｍ＋ｓ（Ｘ、ｙ）とする。
第４図は第３図の２値画像プロファイルＮ１（ｊ＝１〜
８）よりそれぞれ算出したスプライン関数曲線５（ｘｌ
およびこの最小点Ｓ、−をそれぞれ示すもの′である。
８）よりそれぞれ算出したスプライン関数曲線５（ｘｌ
およびこの最小点Ｓ、−をそれぞれ示すもの′である。
このように最小値算出部２２の処理が終了すると、制御
部２５はシーケンサＩ１０２４通じてシケンサ４にアク
セスする。シーケンサ４はステージ位置決め部１１を操
作してステージ１０をＣＣＤカメラ１２の光軸と平行に
移動させて、ＤＬＩＴｇ上の焦点を移動させる。焦点を
移動した後、再び画像処理、スプライン補間および最小
値算出の各操作を１画像処理部１３．スプライン補間演
算部２１．最小値算出部２２によりそれぞれ実行し、第
４図に示すスプライン関数およびその最小点Ｓ ａ ｌ
ｍを求める。初期状態な０とするステージｌＯの移動
量をＺ軸で表現すれば、ステージ１０の移動、画像処理
、スプライン補間、最小値算出を繰り返すことにより、
繰り返し回数骨のスプライン関数３３．３４．３５およ
び、各回毎の最小点Ｓ１．、が第５図のごとく得られる
。こうして求まった点５ｓｔｎ、ｈｌｘｈ、ｙｈ、ｚｈ
ｌ （ｈ＝ト１１の、ｙ−ｚ平面への写像、点Ｓ’ｍ＋
ｎ、ｈｆｚｈ、ｙｈｌ ｆｈ＝＋〜■）に対して、スプ
ライン補間および最小値算出をスプライン補間演出部２
１．最小算出部２２により実行することにより、第６図
に示すスプライン関数およびスプライン関数３６が最小
となる点Ｓ１６．□６（２・ｙ）が求まる。最小となる
点が複数存在する場合は、２を比較して、小なる方をＳ
６１１１０ｍ１１＋（ｚ−ｙｌ とするａ Ｓａ＋ａ
１．、（Ｚ’Ｙ）のｙ成分が、求めるＤＬＩＴ８のスタ
ンドオフである。良否判定部２３は、最小値算出部より
データバスコントローラ２０を介して送られて来るＳｍ
１ａ−ＩＰＩ（Ｚ・ｙ）のｙ成分を、データバスコント
ローラ２０を介してデータ蓄積部２７に格納されている
規格値と比較し、Ｓ、、。ａｍ＋ｎ（Ｚ・ｙ）のｙ成分
が規格値以下である場合、そのＤＵＴ８を合格、Ｓｍ＋
ｎ、＋ａ（Ｚ・ｙ）のｙ成分が規格値より大きい場合、
不合格と判定する。制御部２５は良否判定部２３の判定
に従って、結果を表示部２６へ表示し２次いでシーケン
サＩ１０２４を介してシーケンサ４に、測定済みＤＬＩ
Ｔの収納と未測定Ｄ ＬＪ Ｔのセットアツプを指示す
る。データ蓄積部２７には、ＤＵＴ毎に、全てのステー
ジ位置における” ＝ ｌＸＪ、Ｘｉｌ （ｊ＝ｌ−ｎ
ｔが蓄積される。
部２５はシーケンサＩ１０２４通じてシケンサ４にアク
セスする。シーケンサ４はステージ位置決め部１１を操
作してステージ１０をＣＣＤカメラ１２の光軸と平行に
移動させて、ＤＬＩＴｇ上の焦点を移動させる。焦点を
移動した後、再び画像処理、スプライン補間および最小
値算出の各操作を１画像処理部１３．スプライン補間演
算部２１．最小値算出部２２によりそれぞれ実行し、第
４図に示すスプライン関数およびその最小点Ｓ ａ ｌ
ｍを求める。初期状態な０とするステージｌＯの移動
量をＺ軸で表現すれば、ステージ１０の移動、画像処理
、スプライン補間、最小値算出を繰り返すことにより、
繰り返し回数骨のスプライン関数３３．３４．３５およ
び、各回毎の最小点Ｓ１．、が第５図のごとく得られる
。こうして求まった点５ｓｔｎ、ｈｌｘｈ、ｙｈ、ｚｈ
ｌ （ｈ＝ト１１の、ｙ−ｚ平面への写像、点Ｓ’ｍ＋
ｎ、ｈｆｚｈ、ｙｈｌ ｆｈ＝＋〜■）に対して、スプ
ライン補間および最小値算出をスプライン補間演出部２
１．最小算出部２２により実行することにより、第６図
に示すスプライン関数およびスプライン関数３６が最小
となる点Ｓ１６．□６（２・ｙ）が求まる。最小となる
点が複数存在する場合は、２を比較して、小なる方をＳ
６１１１０ｍ１１＋（ｚ−ｙｌ とするａ Ｓａ＋ａ
１．、（Ｚ’Ｙ）のｙ成分が、求めるＤＬＩＴ８のスタ
ンドオフである。良否判定部２３は、最小値算出部より
データバスコントローラ２０を介して送られて来るＳｍ
１ａ−ＩＰＩ（Ｚ・ｙ）のｙ成分を、データバスコント
ローラ２０を介してデータ蓄積部２７に格納されている
規格値と比較し、Ｓ、、。ａｍ＋ｎ（Ｚ・ｙ）のｙ成分
が規格値以下である場合、そのＤＵＴ８を合格、Ｓｍ＋
ｎ、＋ａ（Ｚ・ｙ）のｙ成分が規格値より大きい場合、
不合格と判定する。制御部２５は良否判定部２３の判定
に従って、結果を表示部２６へ表示し２次いでシーケン
サＩ１０２４を介してシーケンサ４に、測定済みＤＬＩ
Ｔの収納と未測定Ｄ ＬＪ Ｔのセットアツプを指示す
る。データ蓄積部２７には、ＤＵＴ毎に、全てのステー
ジ位置における” ＝ ｌＸＪ、Ｘｉｌ （ｊ＝ｌ−ｎ
ｔが蓄積される。
第７図は本発明の他の実施例を示すスタンドオフ測定装
置の概略構成図である０本実施例によれば、検査部がレ
ーザ変位計を用いて構成された場合が示される。従って
、装置構成に多少の違いはあるが、最小値算出の過程は
前実施例と同様である。
置の概略構成図である０本実施例によれば、検査部がレ
ーザ変位計を用いて構成された場合が示される。従って
、装置構成に多少の違いはあるが、最小値算出の過程は
前実施例と同様である。
前実施例の場合と同じ＜、ＤＵＴ８はローダ部３から搬
送部２によりアーム搬送され、パッケージの下部を検査
部５に設けられた枠状のＸ−Ｙステージ５１上にリード
を接触させて固定される。レーザ変位計５０およびレー
ザ変位計コントローラ５２により、レーザ変位計５０の
投光面からＤ［ＪＴ８裏面までの距離が、トリガ発生器
５５のタイミングで、アナログ・電圧量として計測され
る。ディジタル変換器５３はコントローラ５２から得た
アナログ・電圧量をディジタル電圧値に変換し、データ
バスコントローラ２０を介して電圧−距離変換部５４へ
伝達する。電圧−距離変換部５４では、ディジタル変換
器５３からのディジタル電圧値と、データバスコントロ
ーラ５６を介してデータ蓄積部５７から読み込んだＸ−
Ｙステージ５１表面までの距離に相当するディジタル電
圧値との差を取り、やはりデータ蓄積部２７から読み込
んだディジタイジングの分解能 （μ■／■Ｖ）を乗じ
て、Ｘ−Ｙステージ５１からＤＵＴ８（７）バッ’ｙジ
裏面までの距離に変換する。制御部２５は、シーケンサ
ｌ１０２４を介してシーケンサ４にアクセスし、トリガ
発生器５５の動作およびＸ−Ｙステージ５１のＸ方向移
動を実行して。
送部２によりアーム搬送され、パッケージの下部を検査
部５に設けられた枠状のＸ−Ｙステージ５１上にリード
を接触させて固定される。レーザ変位計５０およびレー
ザ変位計コントローラ５２により、レーザ変位計５０の
投光面からＤ［ＪＴ８裏面までの距離が、トリガ発生器
５５のタイミングで、アナログ・電圧量として計測され
る。ディジタル変換器５３はコントローラ５２から得た
アナログ・電圧量をディジタル電圧値に変換し、データ
バスコントローラ２０を介して電圧−距離変換部５４へ
伝達する。電圧−距離変換部５４では、ディジタル変換
器５３からのディジタル電圧値と、データバスコントロ
ーラ５６を介してデータ蓄積部５７から読み込んだＸ−
Ｙステージ５１表面までの距離に相当するディジタル電
圧値との差を取り、やはりデータ蓄積部２７から読み込
んだディジタイジングの分解能 （μ■／■Ｖ）を乗じ
て、Ｘ−Ｙステージ５１からＤＵＴ８（７）バッ’ｙジ
裏面までの距離に変換する。制御部２５は、シーケンサ
ｌ１０２４を介してシーケンサ４にアクセスし、トリガ
発生器５５の動作およびＸ−Ｙステージ５１のＸ方向移
動を実行して。
ＤＵＴ８のパッケージ下面を離散的に測定する。測定し
た距離データＮｊ １ｊｌ−ｎｌは、スプライン補間演
算部２１によって処理される。スプライン関ｆｉｓｆｘ
ｌおよび５（ｘｌを最小とする点５ｓｉｎの算出方法は
、前実施例の場合と同様である。
た距離データＮｊ １ｊｌ−ｎｌは、スプライン補間演
算部２１によって処理される。スプライン関ｆｉｓｆｘ
ｌおよび５（ｘｌを最小とする点５ｓｉｎの算出方法は
、前実施例の場合と同様である。
制御部２５は最小値算出部２２の処理が終了すると、シ
ーケンサｌ１０２４を通じてシーケンサ４にアクセスす
る。シーケンサ４はＸ−Ｙステラ５１をＹ方向に１ステ
ツプだけシフトさせる。ｘ−Ｙステージ５１の移動と検
査部５による測定、スプライン補間演算部２０による処
理、最小値算出部２２による処理を繰り返すことにより
、前実施例同様、第５図のようなスプライン関数群が求
まる。
ーケンサｌ１０２４を通じてシーケンサ４にアクセスす
る。シーケンサ４はＸ−Ｙステラ５１をＹ方向に１ステ
ツプだけシフトさせる。ｘ−Ｙステージ５１の移動と検
査部５による測定、スプライン補間演算部２０による処
理、最小値算出部２２による処理を繰り返すことにより
、前実施例同様、第５図のようなスプライン関数群が求
まる。
以下、スタンドオフの算出、良否判定、ＤＵＴ８のアン
ロード処理などは、前実施例と同様に実行される。
ロード処理などは、前実施例と同様に実行される。
［発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、スプラ
イン補間を行うことにより、従来。
イン補間を行うことにより、従来。
観測不可能な部分、すなわち、リードで隠されたパッケ
ージ下面とステージとの離間距離が比較的正確に予測で
きるので、リードピッチ間隔が小さな表面実装型ＩＣの
スタンドオフをして、高精度に測定できる効果を有する
。
ージ下面とステージとの離間距離が比較的正確に予測で
きるので、リードピッチ間隔が小さな表面実装型ＩＣの
スタンドオフをして、高精度に測定できる効果を有する
。
第１図は本発明の一実施例を示すスタンドオフ測定装置
の概略構成図、第２図および第３図はそれぞれ検査対象
表面実装型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図
およびそれから作成されたプロフィイル図、第４図は第
３図の２値画像のプロフィルより算出したスプライン関
数曲線Ｓ （ｘｌおよびこの最小点Ｓ＋ｗｉｎをそれぞ
れ示す図、第５図および第６図はそれぞれスタンドオ）
算出のための演算過程を示す図、第７図は本発明の他の
実施例を示すスタンドオフ測定装置の概略構成図、第８
図は従来の半導体装置のスタンドオフ測定装置の概略構
成図、第９図および第１Ｏ図はそれぞれ従来のスタンド
オフ測定装置による゛１−導体パッケージ下面の光学的
投影図である。 １・・・アンローダ部、２・・・搬送部、３・・・ロー
ダ部、 ４・・・シーケンサ（入力制御）、 ５・・・検査部、 ６・・・集光鏡、７・・・光源
、 ８−・・ＤＵＴ、９・・・ストッパ、
】０・・・ステージ、１１・・・ステージ位置決め部、 １２・・・ＣＣＤカメラ、Ｉ３・・・画像処理部、１４
・・・画像取り込み部、 １５・・・画像メモリ、 １６・・・２値化演算部、
１７・・・２値画像メモリ、 １８・・・プロファイル作成部、 Ｉ９・・・距離データ演算部、 ２０・・・データバスコントローラ、 ２１・・・スプライン補間演算部、 ２２・・・最小値算出部、 ２３・・・良否判定部、２
４−・・シーケンサＩ１０． ２５−・・制御部、 ２６・・−表示部、２７・
・・データ蓄積部、 ２８・・・データ蓄積部２８・・
・制御用コンピュータ、 ２９・・・２値画像、 ３０・・・リードエツジ検出レベル、 ３１・・・プロファイル、 ３２．３３．３４．３５．３６・・・ スプライン関数。 ５０・・・レーザ変位計、 ５１・・・Ｘ−Ｙステージ、 ５２・・・レーザ変位計コントローラ。 ５３・・・ディジタル変換器、 ５４・・・電圧−距離変換器、 ５５・・・トリガ発生器。
の概略構成図、第２図および第３図はそれぞれ検査対象
表面実装型ＩＣおよびステージの画像の２値変換画像図
およびそれから作成されたプロフィイル図、第４図は第
３図の２値画像のプロフィルより算出したスプライン関
数曲線Ｓ （ｘｌおよびこの最小点Ｓ＋ｗｉｎをそれぞ
れ示す図、第５図および第６図はそれぞれスタンドオ）
算出のための演算過程を示す図、第７図は本発明の他の
実施例を示すスタンドオフ測定装置の概略構成図、第８
図は従来の半導体装置のスタンドオフ測定装置の概略構
成図、第９図および第１Ｏ図はそれぞれ従来のスタンド
オフ測定装置による゛１−導体パッケージ下面の光学的
投影図である。 １・・・アンローダ部、２・・・搬送部、３・・・ロー
ダ部、 ４・・・シーケンサ（入力制御）、 ５・・・検査部、 ６・・・集光鏡、７・・・光源
、 ８−・・ＤＵＴ、９・・・ストッパ、
】０・・・ステージ、１１・・・ステージ位置決め部、 １２・・・ＣＣＤカメラ、Ｉ３・・・画像処理部、１４
・・・画像取り込み部、 １５・・・画像メモリ、 １６・・・２値化演算部、
１７・・・２値画像メモリ、 １８・・・プロファイル作成部、 Ｉ９・・・距離データ演算部、 ２０・・・データバスコントローラ、 ２１・・・スプライン補間演算部、 ２２・・・最小値算出部、 ２３・・・良否判定部、２
４−・・シーケンサＩ１０． ２５−・・制御部、 ２６・・−表示部、２７・
・・データ蓄積部、 ２８・・・データ蓄積部２８・・
・制御用コンピュータ、 ２９・・・２値画像、 ３０・・・リードエツジ検出レベル、 ３１・・・プロファイル、 ３２．３３．３４．３５．３６・・・ スプライン関数。 ５０・・・レーザ変位計、 ５１・・・Ｘ−Ｙステージ、 ５２・・・レーザ変位計コントローラ。 ５３・・・ディジタル変換器、 ５４・・・電圧−距離変換器、 ５５・・・トリガ発生器。
Claims (1)
- 半導体装置の載置テーブル面から半導体装置のパッケ
ージ裏面までの距離を任意のステップで離散的に計測す
る計測回路手段と、前記計測回路手段からの離散距離デ
ータを連続曲線データに変換するスプライン補間関数演
算回路手段と、前記連続曲線データの最小値を検出する
スタンドオフ算出手段とを備えることを特徴とする半導
体装置のスタンドオフ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079903A JP2564962B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置のスタンドオフ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079903A JP2564962B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置のスタンドオフ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280446A true JPH03280446A (ja) | 1991-12-11 |
| JP2564962B2 JP2564962B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=13703244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079903A Expired - Lifetime JP2564962B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 半導体装置のスタンドオフ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564962B2 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178011A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | 圧電振動装置 |
| JPS6242328U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-13 | ||
| JPS6270453U (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | ||
| JPH0177028U (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-24 | ||
| JPH028026U (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-18 | ||
| JPH0244806A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合型セラミック共振子 |
| JPH02106950A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nec Corp | リードレスチップキャリア |
| JPH02177462A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Nec Corp | 位置出し用突起付き金属ヘッダ |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079903A patent/JP2564962B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178011A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | 圧電振動装置 |
| JPS6242328U (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-13 | ||
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| JPH028026U (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-18 | ||
| JPH0244806A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合型セラミック共振子 |
| JPH02106950A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Nec Corp | リードレスチップキャリア |
| JPH02177462A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Nec Corp | 位置出し用突起付き金属ヘッダ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2564962B2 (ja) | 1996-12-18 |
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