JPH03280562A - リードフレーム及び半導体装置樹脂封止方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレーム及び半導体装置樹脂封止方法
に関し、特に、パッケージ表面にボードが発生するのを
防止する技術に関するものである。

〔従来技術〕

従来、パッケージ内部の半導体チップ上のレジンとタブ
下レジンの注入量等のバランスがずれることによりボー
ドが発生する。これを防止する対策として、例えば、特
開昭６０−１２６８４１号公報に記載されるように、ポ
ットに接続されたランナにゲートを介して接続されたキ
ャビティを配設した半導体装置の樹脂封止用金型におい
て、完成製品を前記ランナから切断するための第１ゲー
トと、該第１ゲートに連接した第１キャビティと、該第
１キャビティで生じたボードを排出するための第２ゲー
トと、該第２ゲートに連接し、前記ボードをトラップす
るための第２キャビティとかなる半導体装置樹脂封止用
金型が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら１本発明者は、前記従来の技術を検討した
結果、次の問題点を見い出した。

完成製品を前記第２ゲートから切断し、リードを成形す
る際に、第２キャビティで成形されたレジンが切断した
リードフレームから剥離し、その時分離した小片レジン
がパッケージの表面と固定装置の間に侵入し、これが固
定装置の圧力により。

パッケージ又は半導体チップの破損を生じる。

本発明の目的は、パッケージ又は半導体チップを破損す
ることなく、パッケージ表面のボード不良を防止するこ
とが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

（課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

リードフレームの外枠に半導体装置樹脂封止用金型のボ
ード排出用キャビティの水平断面積より小さい水平断面
積の樹脂封止材通過用孔を設けたリードフレームである
。

このリードフレームと、完成製品をランナから切断する
ための第１ゲートと、該第１ゲートに連接した第１キャ
ビティと、践第１キャビティで生じたボードを排出する
ための第２ゲートと、該第２ゲートに連接し、前記リー
ドフレームの樹脂封止材通過用孔を通してリードフレー
ムの上下に前記ボードをトラップするための第２キャビ
ティとからなる半導体装置樹脂封止用金型とを用いる半
導体装置樹脂封止方法である。

〔作用〕

前記の手段によれば、リードフレームの外枠に、半導体
装置樹脂封止用金型のボード排出用キャビティの水平断
面積より小さい水平断面積の樹脂封止材（以下、レジン
という）通過用孔をリードフレームの外枠に設けたリー
ドフレームを用い、第１キャビティで生じたボードを排
出するための第２ゲート番二連接した第２キャビティに
、前記リードフレームのレジン通過用孔を通してリード
フレームの上下に前記ボードを含むレジンをトラップす
ることにより、完成製品を前記第２ゲートから切断し、
リードを成形する際に、第２キャビティ（ボード排出用
キャビティ）で成形されたレジンがレジン通過用孔を介
して切断されるリードフレームの上下から剥離すること
がない、これにより、小片レージンがパッケージの表面
と固定装置の間に侵入することがないので、固定装置の
圧力により、パッケージ又は半導体チップを破損するこ
とがない。

これにより、パッケージ又は半導体チップを破損するこ
となく、パッケージ表面のボード不良を防止することが
できる。

以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。

なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。

【実施例■〕

第１図は、本発明の実施例１のリードフレームの概略構
成を示す平面図、 第２図は、第１図に示す本実施例■にょろり−トフレー
ムを用いて組立てられた半導体装置の平面図− 第３図は、本発明の実施例１の半導体装置樹脂封＋）一
方法を説明するための断面図である。

本実施例！のリードフレームは、第１図に示すように、
Ｏ，１５ｍｍの７１．（さの金属板を打抜加工やエツチ
ング加工によって作られる。そして、その形状は部分的
には幅の異なる箇所はあるが、全体として四居形枠を形
成する枠部１の中央に半導体チップ２を取り付ける四辺
形のタブ３が設けられている。このタブ３は、その四隅
の外端を枠部１の内側隅部にそれぞれ連結する細いタブ
吊りリート４で支持されている。

また、４方自からこのタブ３に向かって複数のノード５
が延び、その先端（内端）はタブ３の周縁近傍に臨んで
いる。

また、４方向に延びるリード５の後端はそれぞれ枠部１
の内側に連結されている。また、レジンモールド時に溶
けたレジンの流出を阻止すべく各リード５間及びリード
５と枠部１との間に延びるダム片６がタブ３を取り囲む
ように配設されている。また、枠部１にはガイド孔７が
設けられている。

また、枠部１のレジン注入口１０と対向する位置には、
本発明の四辺形の通過用孔８が設けられている。この四
辺形の通過用孔８は、後述の半導体装置樹脂封止用金型
のボード排出用キャビティの水平断面積より小さい面積
（水平断面積）になっている。また、枠部１の所定位置
には、レジンモールド時の熱応力を低減するための熱応
力低減孔９が設けられている。

このようなリードフレームを用いて半導体装置を組み立
てる場合には、第１図に示すように、タブ３の上に半導
体チップ２を固定し、この半導体チップ２の電極とリー
ド５とをワイヤで電気的に接続し、その後、第３図に示
すように、半導体装置樹脂封止用金型２０の第１キャビ
ティ２２内に配置され、半導体装置樹脂封止用金型２０
の第１キャビティ２２内にレジン１１が注入されて前記
ダム片６の内側がレジン１１でモールドされる。

前記半導体装置樹脂封止用金型２０は、第３図に示すよ
うに、ポットに接続されるランナに第１ゲート２１を介
して接続された第１キャビティ２２が設けられている。

この第１キャビティ２２で生じたボードを排出するため
の第２ゲート２３が設けられ、この第２ゲート２３に連
結し、前記リードフレームのレジン通過用孔８を通して
リードフレームの上下に前記ボードをトラップするため
の第２キャビティ２４が設けられている。この第２キャ
ビティ２４の高さは、第１キャビティ２２の高さよりも
低く構成されている。

本実施例Ｉの半導体装置樹脂封止方法によれば、リード
フレームの外枠１に、半導体チップ樹脂封止用金型２０
の第２キャビティ　（ボード排出用キャビティ）２４の
水平断面積より小さい面積のレジン通過用孔８を設けた
リードフレームを用い、第１キャビティ２２で生じたボ
ードを排出するための第２ゲート２３に連結した第２キ
ャビティ２４に、前記リードフレームのレジン通過用孔
８を通してり−ドフレームの上下に前記ボードを含むレ
ジンＩＩＡをトラップすることにより、完成製品を前記
第２ゲート２３から切断し、リードの折曲げ成形加工を
行う際に、第２キャビティ　（ボード排出用キャビティ
）２４で成形されたレジンＩＩＡがレジン通過用孔８を
貫通して上下に固定されてあり、切断されるリードフレ
ームから剥離することがないので、小片レジンがパッケ
ージ３２の表面と固定装置との間に侵入することがなく
、固定装置の圧力により、パッケージ３２又は半導体チ
ップ２を破損するのを防止することができる。

これにより、前記レジン１１を半導体装置樹脂封止用金
型２０に注入する際、パッケージ３２内部の半導体チッ
プ２上のレジン１１とタブ下レジン１１の注入量のバラ
ンスがずれでも、パッケージ３２又は半導体チップ２の
破損することなく、パッケージ３２表面のボード不良を
防止することができる。

〔実施例■〕

第４図は１本発明の実施例ＨのＳ　ＯＪ　（Ｓｍａｌｌ
Ｏｕｔ−１ｉｎｅ　Ｊ−ｂｅｎｄ）型の樹脂封止型パッ
ケージのリードフレームの概略構成を示す平面図である
。

第４図に示すように、本実施例■の半導体チップ２は、
Ｓ　ＯＪ　（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔ−１ｉｎｅ　Ｊ　−ｂ
ｅｎｄ）型の樹脂封止型パッケージ３２で封止されてい
る。前記半導体チップ２は、例えば１６　［Ｍｂｉｔ］
　Ｘ　ｌ　［ｂｉｔ］の大容量のＤ　ＲＡ　Ｍ　（Ｄｙ
ｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ
）で構成され、１．６．４８［ｍｍ］　Ｘ８．５４　［
ｍｍｌの平面長方形状で構成されている。この半導体チ
ップ２は、４００　［ｍｉｌ］の樹脂対ｆ型パッケージ
３２に封止される。

リードフレーム３３は、２０本の信号用インナーリード
３３Ａ、２本の共通インナーリート（バスバー）３３Ａ
、、２４本のアウターリート３３Ｂ及び２個の支持リー
ド（吊りリード）３３Ｃで構成されている。

また、枠部のレジン注入口３３Ｄに対向する位置にレジ
ン通過用孔３３Ｅが設けられている。

このリードフレーム３３は、例えばＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ（
例えばＮｉ含有率４２又は５０［％］）合金。

Ｃｕ等で形成されている。

この種の樹脂封止型パッケージ３２は、半導体チップ２
の主面上に信号用インナーリード３３Ａ及び共通インナ
ーリード（バスバー）３３Ａ、を配置したＬ　ＯＧ　（
Ｌｅａｄ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）構造を採用している。

ＬＯＧ構造を採用する樹脂封止型パッケージ３２は。

半導体チップ２の形状に規制されずに信号用インナーリ
ード３３Ａを自由に引き回せるので、この引き回しに相
当する分、サイズの大きな半導体チップ２を封止するこ
とができる。つまり、ＬＯＧ構造を採用する樹脂封止型
パッケージ３２は、大容量化に基づき半導体チップ２の
サイズが大型化しても、封止サイズ（パッケージサイズ
）は小さく抑えられるので、実装密度を高めることがで
きる。

このようなリードフレーム３３を用いて半導体装置を組
み立てる場合には、半導体チップ２の主面上に、絶縁フ
ィルム３１を介在させて信号用インナーリード３３Ａ、
共通インナーリード（バスバー）３３Ａユ及び支持リー
ド（吊りリード）３３Ｃを接着固定し、この半導体チッ
プ２の電極と前記各インナーリード３３Ａ、３３Ａ、と
をワイヤで電気的的に接続し、その後、第３図に示すよ
うに、半導体装置樹脂封止用金型２０の内に配置され、
半導体装置樹脂封止用金型２０の第１キャビティ２２内
にレジン１１が注入されて前記ダム片６の第１キャビテ
ィ２２内側がレジン１１がモールドされる。

このようにすることにより、実施例Ｉと同様に完成製品
を前記第２ゲート２３から切断し、リードの折曲げ加工
を行う際に、第２キャビティ　（ボード排出用キャビテ
ィ）２４で成形されたレジンＩＩＡがレジン通過用孔３
３Ｅを貫通して上下に固定されてあり、切断されるリー
ドフレーム３３から剥離することがないので、小片レー
ジンがパッケージの表面と固定装置との間に侵入するこ
とがなく、固定装置の圧力により、パッケージ又は半導
体チップ３１を破損するのを防止することができる。

これにより、前記レジン１１を半導体装置樹脂封止用金
型２０に注入する際、パッケージ内部の半導体チップ２
上のレジン１１と半導体チップ２の下レジン１１の注入
量等のバランスがずれても、パッケージ又は半導体チッ
プの破損することなく、パッケージ表面のボード不良を
防止することができる。

以上１本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

レジンを半導体チップ樹脂封止用金型に注入する際、パ
ッケージ内部の半導体チップ上のレジン１１とタブ又は
半導体チッ”プの下レジンの注入量のバランスがずれで
も、パッケージ又は半導体チップを破損することなく、
パッケージ表面のボード不良を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例１のリードフレームの概略構
成を示す平面図。 第２図は、第１図に示す本実施例１によるリードフレー
ムを用いて組立てられた半導体装置の平面図、 第３図は、本発明の実施例Ｉの半導体装置樹脂封止方法
を説明するための断面図、 第４図は１本発明の実施例ＨのＳＯＪ型の樹脂封止型パ
ッケージのリードフレームの概略構成を示す平面図であ
る。 図中、１・・・枠部、２・・・半導体チップ、３・・・
タブ、４・・タブ吊りリード、５・・・リード、６・・
ダム片、７・・・ガイド孔、８．３３１！：・レジン通
過用孔、９・・・熱応力低減孔、１０．３３Ｄ・・・レ
ジンｌＬ入１］、１１・・レジン、ＩＩＡ・・・ボード
を含むレジン、２ｏ・・半導体装Ｉ＋’？樹脂封止川金
型用２１・第１ゲート、２２山第１キヤ、ビティ、２３
・・第２ゲート、２４・・第２キャビティ、３１・・絶
縁フィルム、３２・・パッケージ、３３・リードフレー
ム、３３Ａ・・信号用インナーリード、３３Ａ。 ・・共通インナーリード（バスバー）、３３１３・・７
　Ｓ７ターリード、３３Ｃ・・支持リード（吊りリード
）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームの外枠に、半導体装置樹脂封止用金
   型のボード排出用キャビティの水平断面積より小さい水
   平断面積の樹脂封止材通過用孔を設けたことを特徴とす
   るリードフレーム。 ２、請求項１のリードフレームと、完成製品をランナか
   ら切断するための第１ゲートと、該第１ゲートに連接し
   た第１キャビティと、該第１キャビティで生じたボード
   を排出するための第２ゲートと、該第２ゲートに連接し
   、前記リードフレームの樹脂封止材通過用孔を通してリ
   ードフレームの上下に前記ボードをトラップするための
   第２キャビティとからなる半導体装置樹脂封止用金型と
   を用いることを特徴とする半導体装置樹脂封止方法。