JPH03280565A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03280565A JPH03280565A JP2082691A JP8269190A JPH03280565A JP H03280565 A JPH03280565 A JP H03280565A JP 2082691 A JP2082691 A JP 2082691A JP 8269190 A JP8269190 A JP 8269190A JP H03280565 A JPH03280565 A JP H03280565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- thin film
- plating
- gold
- hue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、
外部リードに関する。
特に半導体装置の
半導体装置は、その封止材としてプラスチックを用いた
ものや金属、セラミックスを用いたものがあり、いずれ
も金属よりなる複数本の外部リードを具備している。第
２図は従来の半導体装置の断面図である。外部リード１
の封止材２に埋めこまれた部分１ａは半導体素子３の電
極と金属細線４で接続され、外部リード１の封止材２か
ら露出した部分１ｂは第３図に示すようにプリント配線
基板８等に接続される。この接続は錫鉛系の共晶合金を
用いて行なわれる。その接続を容易にするため外部リー
ド１の露出部分には既に錫鉛の半田めっきらが施工され
ている。
ものや金属、セラミックスを用いたものがあり、いずれ
も金属よりなる複数本の外部リードを具備している。第
２図は従来の半導体装置の断面図である。外部リード１
の封止材２に埋めこまれた部分１ａは半導体素子３の電
極と金属細線４で接続され、外部リード１の封止材２か
ら露出した部分１ｂは第３図に示すようにプリント配線
基板８等に接続される。この接続は錫鉛系の共晶合金を
用いて行なわれる。その接続を容易にするため外部リー
ド１の露出部分には既に錫鉛の半田めっきらが施工され
ている。
上述した従来の半導体装置をプリント配線基板の所定の
位置に仮止めし、そのまま溶融半田槽をくぐらせて半導
体装置の外部リード１とプリント配線基板８上に設けら
れた導体パターン９と半田付して実装する（第３図）。
位置に仮止めし、そのまま溶融半田槽をくぐらせて半導
体装置の外部リード１とプリント配線基板８上に設けら
れた導体パターン９と半田付して実装する（第３図）。
又、前述の導体パターンの所定個所に半田ペーストを印
刷し、その半田ペースト上に半導体装置の外部リードを
おき、そのまま加熱して外部リードと導体パターンを半
田付けする方法もある。いずれの場合も半田付けの良否
を確認するため、外部リードと導体パターンとの接続部
をチエツクする必要がある。
刷し、その半田ペースト上に半導体装置の外部リードを
おき、そのまま加熱して外部リードと導体パターンを半
田付けする方法もある。いずれの場合も半田付けの良否
を確認するため、外部リードと導体パターンとの接続部
をチエツクする必要がある。
ところで、最近、高密度実装が容易であるため、ＳＯＰ
、ＳＯＪといった表面実装対応の半導体装置の使用量が
増えている。しかしながら、第３図に示すように外部リ
ード１の下面とプリント配線基板８上面の導体パターン
９上面とが半田接続されるため、接続部を目視観察する
ことができない、そこで外部リード上面、端面、側面の
色調や半田盛り上がり形状を観察し、半田付けの良否を
判断していた。しかしながら、この方法では目視観察に
要する時間が膨大な上、誤判定も多いという欠陥を有し
ていた。
、ＳＯＪといった表面実装対応の半導体装置の使用量が
増えている。しかしながら、第３図に示すように外部リ
ード１の下面とプリント配線基板８上面の導体パターン
９上面とが半田接続されるため、接続部を目視観察する
ことができない、そこで外部リード上面、端面、側面の
色調や半田盛り上がり形状を観察し、半田付けの良否を
判断していた。しかしながら、この方法では目視観察に
要する時間が膨大な上、誤判定も多いという欠陥を有し
ていた。
本発明は、半田めっきを施した外部リードを有する半導
体装置において、半田めっきが施された外部リード表面
をさらに半田めっきの色相とは全く異なる物質によって
コーティングしたことを特徴とする。半田めっきの色相
と全く異なる物質は、電解又は無電解銅めっき薄膜又は
金めつき薄膜である。又、赤外線吸収機能を有する有機
化合物被膜や単に色素被膜も適用することができる。
体装置において、半田めっきが施された外部リード表面
をさらに半田めっきの色相とは全く異なる物質によって
コーティングしたことを特徴とする。半田めっきの色相
と全く異なる物質は、電解又は無電解銅めっき薄膜又は
金めつき薄膜である。又、赤外線吸収機能を有する有機
化合物被膜や単に色素被膜も適用することができる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。外部
リード１の封止材２に埋めこまれている一端ｌａ部は半
導体素子３の表面電極と金属細線４と接続され、封止材
２から露出しているもう一方の部分ｌｂ部は半田めっき
５によって被膜され、さらに半田めっき５の表面は銅め
っき薄膜６により被膜されている。
リード１の封止材２に埋めこまれている一端ｌａ部は半
導体素子３の表面電極と金属細線４と接続され、封止材
２から露出しているもう一方の部分ｌｂ部は半田めっき
５によって被膜され、さらに半田めっき５の表面は銅め
っき薄膜６により被膜されている。
半導体装置の外部リード処理プロセスにおいて、従来と
同様に半田めっきを５〜２０ｕ施工した後、電解銅めっ
き浴を用いて０．０１〜０．１μの厚さの銅めっきを析
出させる。銅めっき浴はビロリン酸銅浴、スルファシン
酸銅浴などが用いられ、特に限定はされない。銅めっき
自体の酸化変色をきらう場合は電解金めつき浴にて０．
Ｏ１〜０．０５μ程度の金めつきを析出させてもよい。
同様に半田めっきを５〜２０ｕ施工した後、電解銅めっ
き浴を用いて０．０１〜０．１μの厚さの銅めっきを析
出させる。銅めっき浴はビロリン酸銅浴、スルファシン
酸銅浴などが用いられ、特に限定はされない。銅めっき
自体の酸化変色をきらう場合は電解金めつき浴にて０．
Ｏ１〜０．０５μ程度の金めつきを析出させてもよい。
このようにして外部リード１の半田めつき５上に銅、金
などめっき薄膜６を形成させたのち、リード切断、曲げ
加工を行なって半導体装置を作成する。この方法ではめ
つき後切断するため外部リードの切断面は着色できない
欠点を持っている。
などめっき薄膜６を形成させたのち、リード切断、曲げ
加工を行なって半導体装置を作成する。この方法ではめ
つき後切断するため外部リードの切断面は着色できない
欠点を持っている。
このようにして製造した半導体装置の外部り−ド１は半
田の色相である銀白色とは全く異なった赤褐色、金色の
色相を呈している。この赤褐色又は金色の銅、金めつき
薄膜６は、第３図に示すようにプリント配線基板８に実
装する際加熱され、外部リードに施工されている半田め
っきが溶融する状況では徐々に溶融半田に拡散するもの
の半田付に要する時間では完全に拡散することはなく、
赤褐色ないし金色の色相を呈している。一方で外界から
供給される半田１０特に噴流状態の半田には容易に巻き
込まれて溶解し、赤褐色又は金色の色相を失なう。つま
り、外界から供給される噴流半田１０と外部リード１が
接触し、濡れが開始されると色相が消失するになる。こ
の場合も前述の欠点である切断したリード端面は、全く
色相の変化がないので後述の目視判定に誤判定を生むポ
テンシャルを有する。この点を避けるためには着色のた
めのめっきを外部リードの切断、曲げ加工後に行なう方
法がある。この場合はめっきとして次亜リン酸ソーダな
ど還元剤を用いた無電界鋼又は金めつきを用いることが
できる。
田の色相である銀白色とは全く異なった赤褐色、金色の
色相を呈している。この赤褐色又は金色の銅、金めつき
薄膜６は、第３図に示すようにプリント配線基板８に実
装する際加熱され、外部リードに施工されている半田め
っきが溶融する状況では徐々に溶融半田に拡散するもの
の半田付に要する時間では完全に拡散することはなく、
赤褐色ないし金色の色相を呈している。一方で外界から
供給される半田１０特に噴流状態の半田には容易に巻き
込まれて溶解し、赤褐色又は金色の色相を失なう。つま
り、外界から供給される噴流半田１０と外部リード１が
接触し、濡れが開始されると色相が消失するになる。こ
の場合も前述の欠点である切断したリード端面は、全く
色相の変化がないので後述の目視判定に誤判定を生むポ
テンシャルを有する。この点を避けるためには着色のた
めのめっきを外部リードの切断、曲げ加工後に行なう方
法がある。この場合はめっきとして次亜リン酸ソーダな
ど還元剤を用いた無電界鋼又は金めつきを用いることが
できる。
第４図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。外部
リード１の封止材２から露出している部分１ｂの半田め
っき５を第５図に示す構造式を有する赤外線吸収剤７で
被覆する。赤外線吸収剤７として０．勅μｍに吸収波長
（λ□８は０．７１μｍ）を有する暗緑色を呈する色素
、例えばモノアゾ系の色素（構造式を第５図に示した）
を用いることができる。この赤外線吸収剤７を溶剤に溶
解し、その溶液に半導体装置を浸漬し取り出して乾燥す
ることによって外部リード１に被覆することができる。
リード１の封止材２から露出している部分１ｂの半田め
っき５を第５図に示す構造式を有する赤外線吸収剤７で
被覆する。赤外線吸収剤７として０．勅μｍに吸収波長
（λ□８は０．７１μｍ）を有する暗緑色を呈する色素
、例えばモノアゾ系の色素（構造式を第５図に示した）
を用いることができる。この赤外線吸収剤７を溶剤に溶
解し、その溶液に半導体装置を浸漬し取り出して乾燥す
ることによって外部リード１に被覆することができる。
前述の赤外線吸収剤７は２５０’Ｃ付近の温度に加熱す
ると急速に分解し、赤外線吸収機能は消滅する。
ると急速に分解し、赤外線吸収機能は消滅する。
近赤外領域に吸収波長を有し、かつ２００℃以上の高温
で分解する化学物質であれば第５図に示した色素以外の
ものでも同様に取り扱かうことができる。又、効果の点
で若干不充分であるが、熱分解性を有し、かつ可視光領
域に吸収波長を有する化合物であればある程度の効果を
得ることができる。
で分解する化学物質であれば第５図に示した色素以外の
ものでも同様に取り扱かうことができる。又、効果の点
で若干不充分であるが、熱分解性を有し、かつ可視光領
域に吸収波長を有する化合物であればある程度の効果を
得ることができる。
以上説明したように本発明の半導体装置の外部リードは
半田めっきとは異なる色相の金属薄膜又は暗緑色その他
の色相を有する化合物薄膜に被われている。このような
本発明の半導体装置をプリント配線基板に半田付は実装
すると、プリント配線基板上の所定の個所に置かれた半
導体装置の外部リードと基板の導体パターンの間及びそ
の周辺に外部から供給された溶融半田が到達し、その半
田が外部リード表面と接触した時に金属薄膜が溶融半田
に巻き込まれ溶解して金属薄膜の色相が消失する。又、
赤外線吸収剤等も溶融半田と接触すると急速に分解して
色相が消滅する。従って外界から供給された溶融半田に
被われた外部リードの着色は消失し、溶融半田に被われ
ていない外部リードの着色はそのまま残る。
半田めっきとは異なる色相の金属薄膜又は暗緑色その他
の色相を有する化合物薄膜に被われている。このような
本発明の半導体装置をプリント配線基板に半田付は実装
すると、プリント配線基板上の所定の個所に置かれた半
導体装置の外部リードと基板の導体パターンの間及びそ
の周辺に外部から供給された溶融半田が到達し、その半
田が外部リード表面と接触した時に金属薄膜が溶融半田
に巻き込まれ溶解して金属薄膜の色相が消失する。又、
赤外線吸収剤等も溶融半田と接触すると急速に分解して
色相が消滅する。従って外界から供給された溶融半田に
被われた外部リードの着色は消失し、溶融半田に被われ
ていない外部リードの着色はそのまま残る。
半田付実装後の外観検査では、外部リードの着色の有無
をみるだけで半田付は性の良否を判定することができる
。これによって外観検査を短時間で済ますことができ、
良否の検出力を著しく改善することができる。
をみるだけで半田付は性の良否を判定することができる
。これによって外観検査を短時間で済ますことができ、
良否の検出力を著しく改善することができる。
さらに赤外線吸収剤等を使用するとそれに対応する光源
を用い、分光された特定波長を照射し、その反射係数等
を検出する機構を用いて外観検査を自動化することが容
易である。又、光源として赤外線吸収剤の波長と同一波
長を有するレーザー光を用いると半田付不良個所のみを
再加熱することができ、不良個所の再生が容易である。
を用い、分光された特定波長を照射し、その反射係数等
を検出する機構を用いて外観検査を自動化することが容
易である。又、光源として赤外線吸収剤の波長と同一波
長を有するレーザー光を用いると半田付不良個所のみを
再加熱することができ、不良個所の再生が容易である。
以上のように本発明は、表面実装型の半導体装置を改善
することで実装の信頼度向上、実装コスト低減に大いに
寄与するものである。
することで実装の信頼度向上、実装コスト低減に大いに
寄与するものである。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は従
来例の縦断面図、第３図は半導体装置を実装した状態を
表わす断面図、第４図は本発明の第２の実施例を表わす
縦断面図、第５図は第２の実施例に用いた化学物質の構
造式である。 １・・・外部リード、２・・・封止材、３・・・半導体
素子、４・・・金属細線、５・・・半田めっき、６・・
・金属薄膜、７・・・赤外線吸収剤、８・・・プリント
配線基板、９・・・導体パターン、１０・・・半田。
来例の縦断面図、第３図は半導体装置を実装した状態を
表わす断面図、第４図は本発明の第２の実施例を表わす
縦断面図、第５図は第２の実施例に用いた化学物質の構
造式である。 １・・・外部リード、２・・・封止材、３・・・半導体
素子、４・・・金属細線、５・・・半田めっき、６・・
・金属薄膜、７・・・赤外線吸収剤、８・・・プリント
配線基板、９・・・導体パターン、１０・・・半田。
Claims (2)
- １．半田めっきを施した外部リードを有する半導体装置
において、外部リードの半田めっき表面に銅又は金めっ
きよりなる金属薄膜を設けたことを特徴とする半導体装
置。 - ２．半田めっきを施した外部リードを有する半導体装置
において、外部リードの半田めっき表面に可視及び近赤
外光領域に吸収波長を有する化合物被膜を設けたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082691A JPH03280565A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082691A JPH03280565A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280565A true JPH03280565A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13781440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2082691A Pending JPH03280565A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07240488A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| US6150712A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Lead frame for semiconductor device, and semiconductor device |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2082691A patent/JPH03280565A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0778618A3 (en) * | 1992-12-23 | 1998-05-13 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing it |
| US5909053A (en) * | 1992-12-23 | 1999-06-01 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Lead frame and method for manufacturing same |
| JPH07240488A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6150712A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Lead frame for semiconductor device, and semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3851767T2 (de) | Verfahren zum Sintern, Verfahren zur Schmelzschweissung, Höckerherstellung und Fühler. | |
| DE3733304A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum versiegeln eines hermetisch dichten keramikgehaeuses mit einem keramikdeckel | |
| JP2002025802A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPS59155950A (ja) | 半導体装置用セラミックパッケージ | |
| DE60114338T2 (de) | Herstellungsverfahren für optisches Halbleitermodul | |
| US5780931A (en) | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component | |
| JPH03280565A (ja) | 半導体装置 | |
| CN101517386A (zh) | 用于制造温度传感器的方法 | |
| US20040124228A1 (en) | Method for testing soldering quality | |
| US8159826B2 (en) | Surface treatments for contact pads used in semiconductor chip packagages and methods of providing such surface treatments | |
| Zhao et al. | Assessment of Ni/Pd/Au–Pd and Ni/Pd/Au–Ag preplated leadframe packages subject to electrochemical migration and mixed flowing gas tests | |
| CN105704919B (zh) | 一种pcb上的pth孔及pcb的制作方法 | |
| JP2006351568A (ja) | 発光素子搭載パッケージの製造方法 | |
| KR100702956B1 (ko) | 반도체 팩키지용 리드프레임 및 그 제조 방법 | |
| KR100541581B1 (ko) | 리드 프레임과 그 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| KR100489869B1 (ko) | 고밀도 인쇄회로기판에서의 솔더링 및 와이어 본딩을 위한단일 은-금 도금층의 형성 방법 및 상기 방법에 의해제조된 단일 은-금 도금층을 구비한 고밀도 인쇄회로기판 | |
| JP2000252380A (ja) | はんだ接続用パッドおよびそのはんだ接続用パッドを用いた半導体搭載用基板 | |
| EP0250450A1 (en) | Lead finishing for a surface mount package | |
| US5962151A (en) | Method for controlling solderability of a conductor and conductor formed thereby | |
| KR970000075B1 (ko) | 하이브리드 아이씨 기판제작 방법 | |
| KR100981445B1 (ko) | 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리방법 | |
| US4963233A (en) | Glass conditioning for ceramic package plating | |
| JPS58161351A (ja) | ガラス封止半導体装置 | |
| JPS6092647A (ja) | 電子部品の外部リ−ド | |
| JPS5936953A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム |