JPH0328140A - ヒドロキシルイオンを除去したシリカの外側デポジット層をプラズマによって形成するための方法及び装置 - Google Patents

ヒドロキシルイオンを除去したシリカの外側デポジット層をプラズマによって形成するための方法及び装置

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JPH0328140A
JPH0328140A JP2146046A JP14604690A JPH0328140A JP H0328140 A JPH0328140 A JP H0328140A JP 2146046 A JP2146046 A JP 2146046A JP 14604690 A JP14604690 A JP 14604690A JP H0328140 A JPH0328140 A JP H0328140A
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Sergent Christian Le
クリスチヤン・ル・セルジヤン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、屈折率を変えるべく任意にドーピングしたシ
リカを、プラズマにより、ヒドロキシルイオンをかなり
除去した状態でバーの外面にデポジットする方法に係わ
る。この方法は、高周波発生器での誘導によって生じた
プラズマの存在下で、ＳｉＣＩ＝のようなゲイ素化合物
を任意にドーピング化合物も用いて酸素と反応させるこ
とからなる．本発明は、この方法を実施するための装置
にも係わる。
本発明の方法及び装置は特に、後で線引きによって通信
用ケーブルの光ファイバに加工されることになるプレフ
ォームの製造に使用される。周知ののように、前述のご
とき光ファイバの直線減衰係数は、光ファイバを構成す
るシリカのヒドロキシルイオン含量と密接な関係がある
．このイオンは、通常ファイバによって伝搬される放射
線の波長範囲、特に１．４ミクロンで、或る程度の放射
線吸収を誘起するからである。
管をその長手方向に沿って並進移動するトーチで外測を
加熱しながら回転させ続けて管内部にシリカ層をデポジ
ットする場合には、管の内壁にシリカ層をデポジットす
べく管内に導入する気体反応物質の完全な乾燥性を制御
することができるため、シリカ層中のヒドロキシルイオ
ンの存在を大幅に制限することができる。ところが、マ
ンドレルの表面に温度の極めて高い気体プラズマとデポ
ジットすべきシリカを発生させることになる反応ガスと
を同時に送ってマンドレルを加熟しながらその外面にシ
リカをデポジットしたい場合には事一情が異なる。
このデポジットは、マンドレルを軸を中心に回転させ且
つプラズマ及び反応ガスの送給方向に対して並進移動さ
せながら、マンドレル全体にわたって形成することがで
きる．このデポジットはまた、気体プラズマ及び反応物
質をマンドレルの端部に送給することによって、マンド
レル端部に形成することもできる．これは通常、純粋シ
リカのバーを得る場合に適用される．しかしながら、ど
ちらの場合もマンドレルの近傍に湿気が存在するのを回
避することはできず、従ってマンドレル上にデポジット
したシリカ層中にヒドロキシルイオンが存在することに
なる．実際、形成されるシリカのヒドロキシルイオン含
量の最低値は数十ｐｐｍ以下にはならない。
本発明の目的は、ヒドロキシルイオンをかなりの程度で
除去したシリカからなる外側層を含むバー、又はヒドロ
キシルイオンをかなりの程度で除去したシリカのバーで
あって、後で直線減衰係数の極めて小さい光ファイバに
加工することができるバーを製造することにある。
本発明の方法は、沢過、圧縮、冷却、復水排出及び吸着
による最終的乾燥に順次かけられた大気を受給する、周
囲の雰囲気から分離された密閉チャンバ内に、シリカを
デポジットすべきバーを配置することを特徴とする。
本発明の装置は、シリカのデポジットを受けるバーと、
このバーを回転させ且つ並進移動させる支持体と、プラ
ズマ発生ガス送給トーチと、該トーチの端部を包囲し高
周波発生器を給電源とする誘導コイルと、任意にドーピ
ング化合物も含む酸素とケイ素化合物との混合物を前記
バー方向に噴射するノズル（インゼクタ〉とを含み、こ
れら種々の部材全体が、周囲の雰囲気から分離され且つ
少なくともフィルタと圧縮器と冷却器と覆水排出器と残
留水分吸着床とを備えた導管を介して大気を受給する密
閉チャンバ内に配置されていることを特徴とする． 以下、添付図面に基づき、非限定的実施例として、本発
明の方法によりマンドレルにシリカをデポジットする装
置及び空気乾燥ラインを説明する．第１図では、できる
だけ一定の温度に維持された蒸発器に管１を介して四塩
化ケイ素が導入されるようになっている．蒸気化した四
塩化ケイ素は再加熟器３を通って流量制御器４及び管４
＾に送られる。これと同時に、ボンベ５から送給された
ジクロロジフルオ口メタンのようなフッ素含有ガスが、
圧力制御器６及び流量制御器７を通って、気体四塩化ケ
イ素送給管４＾と合流する管１０に送られ、且つ酸素流
が管８及び流制御器９を介して導入される。
これらの反応ガスは再加熱器■１で再加熱された後、管
１２を介してインゼクタｌ２＾に送られ、該インゼクタ
から送出されて、プラズマとフッ素をドーブしたシリカ
で被覆されることになるマンドレルとに接触する。
一方、酸素、窒素又はアルゴンのようなプラズマ発生ガ
スはトーチ１３内に導入される。このトーチの端部は発
生器ｌ５から高周波電流を受給するコイル１４に包囲さ
れている。高温のイオン化気体プラズマ１６は鈷状に広
がってマンドレル１７の周縁に到達する。マンドレルは
軸を中心に回転し且つ支持体１８によってプラズマ及び
反応ガス送給方向と直角の方向に規則的に並進移動する
６マンドレル、トーチ及び反応ガスインゼクタは、乾燥
空気導入管２０と排気ガス浄化装置に連通ずる残留ガス
排出管２１とに接続された密閉チャンバ１９内に配置さ
れている． マンドレル端部に純粋シリカをデポジットするための第
２図の装置は第１図の装置とかなり類似している。蒸発
器２からの四塩化ケイ素の送給は第１図の装置と同様に
行われる．この場合は純粋シリ力のデポジットを形成し
なければならないため、他の反応ガスは管８と流量制御
器９と管１０とを介して導入される酸素だけである．再
加熱器１１で再加熟された反応ガスは管１２を介してイ
ンゼクタ１２＾に送られる。
一方、発生器１５から高周波電流を受給するコイル１４
によって包囲されたプラズマトーチ１３にはプラズマ発
生ガスが導入される．トーチ１３の出口には温度の極め
て高いプラズマ１６が鈷状に形成され、マンドレル２２
の端部に到達する。マンドレルは軸を中心に回転し、且
つマンドレル端部でのシリカデポジットの形或が進むに
つれてトーチ及び反応ガスインゼクタがら遠ざがるよう
に、支持体２３によってゆっくり並進移動する． 前述のごとく、マンドレル、プラズマトーチ及びインゼ
クタは密閉チャンバｌ９内に配置されている。このチャ
ンバには管２０を介して乾燥空気が供給され、残留ガス
は管２１を介して処理装置に送られる。
第３図に示した空気乾燥ラインでは、大気が活性炭フィ
ルタ３１で第１浄化処理にかけられ、その結果、塵埃と
有機物（油）及び塩酸を含む蒸気とが除去される。この
空気は圧縮器３２を通って水冷器送られ、次いで例えば
ゼオライトがらなる除湿用吸着装置３６に送られる。空
気はその後この吸着装置の下流でＭ街リザーバ３７に送
られ、更に最終吸着装置３８及び最終フィルタ３９を通
って供給リザーバ４０に到達する。この供給リザーバは
、マンドレル、プラズマトーチ及び反応物質インゼクタ
を包囲するチャンバに乾燥空気を導入する管２０に連通
している。
このような処理ラインを使用すると、残留水蒸気含量ｌ
ｐｐ一以下の空気が得られる．従って、直線減衰係数が
極めて小さい光ファイバの製造に使用し得るヒドロキシ
ルイオン含量ｌｐｐ一以下の、通常は約０．１１）Ｉ）
＋１のドーピングした又はドーピングしていないシリカ
デポジットを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は軸を中心に回転し且つプラズマ及び反応ガス送
緒方向に対して直角に並進移動するシリカマンドレルの
周縁全体にドーピングしたシリカをデポジットさせる装
置を示す説明図、第２図は軸を中心に回転し且つデポジ
ットの形成が進むにつれてプラズマ及び反応ガス送給口
がら遠ざがるようにゆっくり並進移動するシリカマンド
レルの端部に純粋シリカをデポジットさせる装置を示す
説明図、第３図はマンドレルとプラズマトーチと反応ガ
スインゼクタとを包囲する密閉チャンバ内に供給される
空気を乾燥させるラインの説明図である． １５・・・・・・高周波発生器、 １６・・・・・ プラズマ、 １７ ２２・・・ ・・・バー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）高周波発生器での誘導によって極めて高い温度に
    加熱した気体プラズマの存在下でケイ素化合物を任意に
    ドーピング化合物と合わせて酸素と反応させることによ
    り、屈折率を変えるべく任意にドーピングしたシリカの
    ヒドロキシルイオンをかなり除去した状態のデポジット
    をプラズマによりバーの外面に形成する方法であって、
    シリカをデポジットすべきバーを、濾過、圧縮、冷却、
    復水排出及び吸着による最終的乾燥に順次かけられた大
    気を受給し周囲の雰囲気から分離された密閉チャンバ内
    に配置しておくことを特徴とする方法。
  2. （２）シリカのデポジットを受けるバーと、このバーを
    回転させ且つ並進移動させる支持体と、プラズマ発生ガ
    ス送給トーチと、該トーチの端部を包囲し高周波発生器
    を給電源とする誘導コイルと、任意にドーピング化合物
    も含む酸素とケイ素化合物との混合物を前記バー方向に
    噴射するノズルとを含み、これら種々の部材全体が、周
    囲の雰囲気から分離され且つ少なくとも１つのフィルタ
    と圧縮器と冷却器と復水排出器と少なくとも１つの残留
    水分吸着床とを備えた導管を介して大気を受給する密閉
    チャンバ内に配置されていることを特徴とする装置。
JP2146046A 1989-06-05 1990-06-04 ヒドロキシルイオンを除去したシリカの外側デポジット層をプラズマによって形成するための方法及び装置 Pending JPH0328140A (ja)

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