JPH032834B2 - - Google Patents
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- JPH032834B2 JPH032834B2 JP6521886A JP6521886A JPH032834B2 JP H032834 B2 JPH032834 B2 JP H032834B2 JP 6521886 A JP6521886 A JP 6521886A JP 6521886 A JP6521886 A JP 6521886A JP H032834 B2 JPH032834 B2 JP H032834B2
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- roughening
- ceramic
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- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Materials For Medical Uses (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はセラミツクスの表面粗化法に関する。
（従来の技術とその問題点）
セラミツクスの表面粗化法として、セラミツク
スの表面をHF、HBF4等で処理して粗化する方
法、NaOH、KOH等の溶融アルカリで処理して
粗化する方法がある。 セラミツクスの表面を粗化した後無電解めつ
き、さらに必要に応じて行なう電解めつきでセラ
ミツクス上に直接金属被膜を析出させ、エツチン
グなどの方法で導体配線を形成してセラミツク配
線板とされるが、前者の方法で粗化すると金属被
膜とセラミツクスとの密着力が弱く金属被膜にふ
くれが発生するという欠点が生じ、後者の方法で
は金属被膜とセラミツクスとの密着力にばらつき
（良好な密着力を有するものと、密着力が弱いも
のとが存在）が多く、また無電解銅めつきの厚さ
が1μｍを越えると金属被膜にふくれが発生し、
使用に耐えないという欠点がある。 本発明は上記した欠点が生じないセラミツクス
の表面粗化法を提供することを目的とするもので
ある。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した
結果、上記のような粗化法ではセラミツクス表面
のフラツクス（ガラス質）と主構成物質粒子（ア
ルミナセラミツクスであればアルミナの粒子）の
ごく一部を粗化するだけで主構成物質粒子の粗化
が不十分であるため上記の欠点が生じるというこ
とをつきとめ、セラミツクスをNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液中
に浸漬し、ついで十分に水洗した後NaOH融液
中に浸漬したところセラミツクスの表面が均一に
粗化できるということを見出した。 本発明はセラミツクスをNH4F、（NH4）2SO4、
H2SO4及びH2Oを含む水溶液中に浸漬し水洗後、
NaOH融液中に浸漬するセラミツクスの表面粗
化法に関する。 本発明における混合溶液は、粗化するセラミツ
クスの成分により異なるが、大略NH4Fを30〜60
重量％、（NH4）2SO4を１〜10重量％、H2SO4を
５〜20重量％及びH2Oを10〜64重量％の割合で
配合した混合溶液で用いることが好ましく、さら
に必要に応じHF、HBF4、HCl、NaCl等を添加
してもよい。 また上記の混合溶液中へのセラミツクスの浸漬
時間は、液温が30〜90℃の溶液中に１分以上浸漬
することが好ましい。 NaOH融液はNaOHの融点以上の温度で加熱
することにより得られる。なお加熱温度の上限に
ついては特に制限はないが、費用及び作業性の点
で600℃であることが好ましい。 NaOH融液中へのセラミツクスの浸漬時間は、
上記の温度に加熱した融液中に30秒以上とするこ
とが好ましい。 なおNaOH融液中への浸漬は必要に応じ２回
以上行なつてもよい。 NaOH溶液の中和液としては、H2SO4、
H3PO4、HCl等が用いられる。 （作用） セラミツクスは、第１段階でNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液か
ら発生するフツ化水素酸により徐々にセラミツク
ス表面のフラツクスと主構成物質粒子のごく一部
が化学的にエツチングされ、粗化されたセラミツ
クス表面がが形成される。さらに水洗した後第二
段階でNaOH融液によりセラミツクス表面の主
構成物質粒子の微細なエツチングが行なわれ、均
一に粗化されたセラミツクス表面が形成される。 （実施例） 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ アルミナセラミツク基板（日立化成工業製、商
品名ハロツクス552、寸法80×80×厚さ0.8mmを脱
脂液（日立化成工業製、商品名HCR201）で洗浄
し、乾燥後NH4F10ｇ（40.5重量％）、
（NH4）2SO41ｇ（4.1重量％）、濃H2SO42ml（14.9
重量％）及びH2O10ml（40.5重量％）の混合溶液
（液温70℃）中に10分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで流水中で十分に水洗し、乾燥後350℃に加
熱したNaOH融液中に１分間浸漬して再粗化を
行なつた。その後濃度10％のH2SO4溶液中に５
分間浸漬し、超音波（出力300W）による振動エ
ネルギーを付与し、セラミツクス表面を中和し、
ついで水洗を行ない無電解銅めつきを３時間行な
い厚さ7μｍの銅の被膜を形成した。なお無電解
めつき液はPH12.4で第１表に示す組成のものを用
いた。
スの表面をHF、HBF4等で処理して粗化する方
法、NaOH、KOH等の溶融アルカリで処理して
粗化する方法がある。 セラミツクスの表面を粗化した後無電解めつ
き、さらに必要に応じて行なう電解めつきでセラ
ミツクス上に直接金属被膜を析出させ、エツチン
グなどの方法で導体配線を形成してセラミツク配
線板とされるが、前者の方法で粗化すると金属被
膜とセラミツクスとの密着力が弱く金属被膜にふ
くれが発生するという欠点が生じ、後者の方法で
は金属被膜とセラミツクスとの密着力にばらつき
（良好な密着力を有するものと、密着力が弱いも
のとが存在）が多く、また無電解銅めつきの厚さ
が1μｍを越えると金属被膜にふくれが発生し、
使用に耐えないという欠点がある。 本発明は上記した欠点が生じないセラミツクス
の表面粗化法を提供することを目的とするもので
ある。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した
結果、上記のような粗化法ではセラミツクス表面
のフラツクス（ガラス質）と主構成物質粒子（ア
ルミナセラミツクスであればアルミナの粒子）の
ごく一部を粗化するだけで主構成物質粒子の粗化
が不十分であるため上記の欠点が生じるというこ
とをつきとめ、セラミツクスをNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液中
に浸漬し、ついで十分に水洗した後NaOH融液
中に浸漬したところセラミツクスの表面が均一に
粗化できるということを見出した。 本発明はセラミツクスをNH4F、（NH4）2SO4、
H2SO4及びH2Oを含む水溶液中に浸漬し水洗後、
NaOH融液中に浸漬するセラミツクスの表面粗
化法に関する。 本発明における混合溶液は、粗化するセラミツ
クスの成分により異なるが、大略NH4Fを30〜60
重量％、（NH4）2SO4を１〜10重量％、H2SO4を
５〜20重量％及びH2Oを10〜64重量％の割合で
配合した混合溶液で用いることが好ましく、さら
に必要に応じHF、HBF4、HCl、NaCl等を添加
してもよい。 また上記の混合溶液中へのセラミツクスの浸漬
時間は、液温が30〜90℃の溶液中に１分以上浸漬
することが好ましい。 NaOH融液はNaOHの融点以上の温度で加熱
することにより得られる。なお加熱温度の上限に
ついては特に制限はないが、費用及び作業性の点
で600℃であることが好ましい。 NaOH融液中へのセラミツクスの浸漬時間は、
上記の温度に加熱した融液中に30秒以上とするこ
とが好ましい。 なおNaOH融液中への浸漬は必要に応じ２回
以上行なつてもよい。 NaOH溶液の中和液としては、H2SO4、
H3PO4、HCl等が用いられる。 （作用） セラミツクスは、第１段階でNH4F、
（NH4）2SO4、H2SO4及びH2Oを含む混合溶液か
ら発生するフツ化水素酸により徐々にセラミツク
ス表面のフラツクスと主構成物質粒子のごく一部
が化学的にエツチングされ、粗化されたセラミツ
クス表面がが形成される。さらに水洗した後第二
段階でNaOH融液によりセラミツクス表面の主
構成物質粒子の微細なエツチングが行なわれ、均
一に粗化されたセラミツクス表面が形成される。 （実施例） 以下実施例により本発明を説明する。 実施例 １ アルミナセラミツク基板（日立化成工業製、商
品名ハロツクス552、寸法80×80×厚さ0.8mmを脱
脂液（日立化成工業製、商品名HCR201）で洗浄
し、乾燥後NH4F10ｇ（40.5重量％）、
（NH4）2SO41ｇ（4.1重量％）、濃H2SO42ml（14.9
重量％）及びH2O10ml（40.5重量％）の混合溶液
（液温70℃）中に10分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで流水中で十分に水洗し、乾燥後350℃に加
熱したNaOH融液中に１分間浸漬して再粗化を
行なつた。その後濃度10％のH2SO4溶液中に５
分間浸漬し、超音波（出力300W）による振動エ
ネルギーを付与し、セラミツクス表面を中和し、
ついで水洗を行ない無電解銅めつきを３時間行な
い厚さ7μｍの銅の被膜を形成した。なお無電解
めつき液はPH12.4で第１表に示す組成のものを用
いた。
【表】
めつき後感光性レジストフイルム（日立化成工
業製、商品名PHT−862F−40）を使用し、一般
的なエツチング法により寸法２×２mmのパターン
を形成し、試料30ケについて密着（接着）強度を
測定した。その結果2.5〜4.0Kg／mm2の密着強度を
示し良好であつた。また外観を観察したが銅の被
膜にふくれは見られなかつた。 比較例 １ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後40℃で濃度10
％のHF溶液に20分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで濃度10％のNaOH融液中に５分間浸漬し
て中和した。その後水洗し、以下実施例１と同様
の方法で無電解銅めつきを行ない、ついで密着強
度を測定した。その結果密着強度は0.5Kg／mm2以
下で測定できないものが数個あつた。また外観を
観察したところ銅の被膜全面にふくれが発生して
いた。 比較例 ２ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後500℃に加熱
したNaOH融液に５分間浸漬して粗化を行なつ
た。ついで濃度10％のH2SO4溶液中に５分間浸
漬して中和した。その後水洗し、以下実施例１と
同様の方法で無電解銅めつきを行ない、ついで密
着強度を測定した。その結果密着強度は最大が
3.5Kg／mm2で最小が０とばらつきが多かつた。ま
た外観を観察したところ銅の被膜の所々にふくれ
が発生していた。 （発明の効果） 本発明によればセラミツクスの表面を均一に粗
化することができ、セラミツクスの表面に導体配
線を形成しても導体配線すなわち金属被膜とセラ
ミツクスとの密着力が良好で、またふくれが発生
せず極めて好適である。
業製、商品名PHT−862F−40）を使用し、一般
的なエツチング法により寸法２×２mmのパターン
を形成し、試料30ケについて密着（接着）強度を
測定した。その結果2.5〜4.0Kg／mm2の密着強度を
示し良好であつた。また外観を観察したが銅の被
膜にふくれは見られなかつた。 比較例 １ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後40℃で濃度10
％のHF溶液に20分間浸漬して粗化を行なつた。
ついで濃度10％のNaOH融液中に５分間浸漬し
て中和した。その後水洗し、以下実施例１と同様
の方法で無電解銅めつきを行ない、ついで密着強
度を測定した。その結果密着強度は0.5Kg／mm2以
下で測定できないものが数個あつた。また外観を
観察したところ銅の被膜全面にふくれが発生して
いた。 比較例 ２ 実施例１と同じアルミナセラミツク基板を実施
例１と同じ脱脂液で洗浄し、乾燥後500℃に加熱
したNaOH融液に５分間浸漬して粗化を行なつ
た。ついで濃度10％のH2SO4溶液中に５分間浸
漬して中和した。その後水洗し、以下実施例１と
同様の方法で無電解銅めつきを行ない、ついで密
着強度を測定した。その結果密着強度は最大が
3.5Kg／mm2で最小が０とばらつきが多かつた。ま
た外観を観察したところ銅の被膜の所々にふくれ
が発生していた。 （発明の効果） 本発明によればセラミツクスの表面を均一に粗
化することができ、セラミツクスの表面に導体配
線を形成しても導体配線すなわち金属被膜とセラ
ミツクスとの密着力が良好で、またふくれが発生
せず極めて好適である。
Claims (1)
- １ セラミツクスをNH4F、（NH4）2SO4、
H2SO4及びH2Oを含む混合溶液中に浸漬し水洗
後、NaOH融液中に浸漬することを特徴とする
セラミツクスの表面粗化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6521886A JPS62223083A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | セラミツクスの表面粗化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6521886A JPS62223083A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | セラミツクスの表面粗化法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223083A JPS62223083A (ja) | 1987-10-01 |
| JPH032834B2 true JPH032834B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=13280550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6521886A Granted JPS62223083A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | セラミツクスの表面粗化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62223083A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2331663T3 (es) * | 2007-04-19 | 2010-01-12 | Straumann Holding Ag | Proceso para proporcionar una topografia a la superficie de un implante dental. |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6521886A patent/JPS62223083A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62223083A (ja) | 1987-10-01 |
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