JPH03283615A - エッチング・モニタ方式 - Google Patents
エッチング・モニタ方式Info
- Publication number
- JPH03283615A JPH03283615A JP2084367A JP8436790A JPH03283615A JP H03283615 A JPH03283615 A JP H03283615A JP 2084367 A JP2084367 A JP 2084367A JP 8436790 A JP8436790 A JP 8436790A JP H03283615 A JPH03283615 A JP H03283615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- spectrum
- thin film
- end point
- reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
- H10P74/238—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection or in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｍ梁上の利用分野］
この発明はエツチングφモニタ方式に関し、詳しくは薄
膜のエツチング中において、その速度と終点を検出する
方式に関するものである。
膜のエツチング中において、その速度と終点を検出する
方式に関するものである。
［従来ｐ技術］
半導体素子の製造においては、シリコンなどのウェハに
対してＣＶＤ装置により酸化物の薄膜が蒸着され、。こ
れに対して所定のパターンを形成するためにエツチング
が行われる。製品の品質を良好とするためにエツチング
は重要な工程であり、最適条件を設定するためにその速
度と終点を知ることが必要である。このために各種の方
式が行われているが、光の干渉波を利用するものは公知
であり、これを生産工程に適用してインラインで行うも
のとして例えば、特許出願公表「昭和８３−５０３００
８号、レーザ干渉で撮像する方法及びこの方法を実施す
るためのレーザー干渉計」がある。
対してＣＶＤ装置により酸化物の薄膜が蒸着され、。こ
れに対して所定のパターンを形成するためにエツチング
が行われる。製品の品質を良好とするためにエツチング
は重要な工程であり、最適条件を設定するためにその速
度と終点を知ることが必要である。このために各種の方
式が行われているが、光の干渉波を利用するものは公知
であり、これを生産工程に適用してインラインで行うも
のとして例えば、特許出願公表「昭和８３−５０３００
８号、レーザ干渉で撮像する方法及びこの方法を実施す
るためのレーザー干渉計」がある。
第４図（ａ）、（ｂ）は上記の特許出願公表における、
エツチングの速度と終点を検出する原理を説明するもの
で、図（ａ）において、図示しない反応炉内に薄膜２が
蒸着された基板１が置かれ、薄膜２に対して単一波長の
レーザビーム３が照射される。
エツチングの速度と終点を検出する原理を説明するもの
で、図（ａ）において、図示しない反応炉内に薄膜２が
蒸着された基板１が置かれ、薄膜２に対して単一波長の
レーザビーム３が照射される。
薄膜２の表面より反射波４１が反射され、薄膜が透明で
あるとその裏面からも反射波４２が反射され、両反射波
４皿と４２が干渉する。周知のように、干渉波の波長を
λとするとき、両干渉波の位相差がλ／２の偶数倍のと
き強度が最大となり、奇数倍において最小となる。エツ
チングの進行に伴って薄膜２の厚さｄは漸次薄くなるの
で、両反射波の位相差はλ／２の奇数倍と偶数倍の間を
連続して変化し、従って干渉波の強度は最大値と最小値
の間を変化する。このような干渉波を光電変換器により
受光し、その出力電圧の波形をディスプレイに表示する
と、図（ｂ）の曲線が観察される。図における１、は強
度の平均値であり、波形はこれを中心として最大値Ｉ■
ａｘと最小値Ｉ ｓ＋Ｉｎの間を時間ｔに従って変化す
る。エツチングが終点に達すると、強度変化が無くなっ
て最大値Ｉ 園ａｘに落ち着き、この時点１１が終点と
して検出される。また、２つの最大値１ ｗａｘの時間
間隔Ｔｓは、λ／２の偶数倍（λの整数倍）に相当する
ので、これよりエツチング速度が計測される。なお、上
記の特許出願公表においては、レーザビームを走査して
被処理の薄膜の必要な範囲に対するエツチング状態を面
積的に捉え、データ処理装置によりその範囲における干
渉波強度をディスプレイに表示するものである。
あるとその裏面からも反射波４２が反射され、両反射波
４皿と４２が干渉する。周知のように、干渉波の波長を
λとするとき、両干渉波の位相差がλ／２の偶数倍のと
き強度が最大となり、奇数倍において最小となる。エツ
チングの進行に伴って薄膜２の厚さｄは漸次薄くなるの
で、両反射波の位相差はλ／２の奇数倍と偶数倍の間を
連続して変化し、従って干渉波の強度は最大値と最小値
の間を変化する。このような干渉波を光電変換器により
受光し、その出力電圧の波形をディスプレイに表示する
と、図（ｂ）の曲線が観察される。図における１、は強
度の平均値であり、波形はこれを中心として最大値Ｉ■
ａｘと最小値Ｉ ｓ＋Ｉｎの間を時間ｔに従って変化す
る。エツチングが終点に達すると、強度変化が無くなっ
て最大値Ｉ 園ａｘに落ち着き、この時点１１が終点と
して検出される。また、２つの最大値１ ｗａｘの時間
間隔Ｔｓは、λ／２の偶数倍（λの整数倍）に相当する
ので、これよりエツチング速度が計測される。なお、上
記の特許出願公表においては、レーザビームを走査して
被処理の薄膜の必要な範囲に対するエツチング状態を面
積的に捉え、データ処理装置によりその範囲における干
渉波強度をディスプレイに表示するものである。
［解決しようとする課題］
上記の特許出願公表にかかる干渉波方式においては、第
４図（ｂ）の曲線は終点１１に達するまでに最大値１
ｗａｘと最小値１ ｍｉｎの間を、当初の厚さに相当し
て複数回変化し、終点においていわば唐突に最大値１
ｗａｘに落ち着くものである。従って、終点の手前にお
けるエツチングの進行状態が詳細に把握できず、終点を
事前に予測することができない。
４図（ｂ）の曲線は終点１１に達するまでに最大値１
ｗａｘと最小値１ ｍｉｎの間を、当初の厚さに相当し
て複数回変化し、終点においていわば唐突に最大値１
ｗａｘに落ち着くものである。従って、終点の手前にお
けるエツチングの進行状態が詳細に把握できず、終点を
事前に予測することができない。
この発明は以上に鑑みてなされたもので、生産工程にイ
ンラインで使用し、エツチングの進行状況、特に終点近
くを詳細に観察でき、エツチングの速度と終点を検出す
るエッチング・モニタ方式を提供することを目的とする
ものである。
ンラインで使用し、エツチングの進行状況、特に終点近
くを詳細に観察でき、エツチングの速度と終点を検出す
るエッチング・モニタ方式を提供することを目的とする
ものである。
［課題を解決するための手段］
この発明はエッチング・モニタ方式であって、エツチン
グ中の薄膜に白色光を照射し、薄膜の表面および裏面よ
りの反射光を回折格子によりそれぞれスペクトルに分光
する。分光された両スペクトルを干渉させてＣＣＤセン
サにより受光し、干渉波のスペクトルの強度分布をディ
スプレイに表示してエツチングの進行状況が観察され、
またデータ処理によりエツチング速度および終点が検出
される。
グ中の薄膜に白色光を照射し、薄膜の表面および裏面よ
りの反射光を回折格子によりそれぞれスペクトルに分光
する。分光された両スペクトルを干渉させてＣＣＤセン
サにより受光し、干渉波のスペクトルの強度分布をディ
スプレイに表示してエツチングの進行状況が観察され、
またデータ処理によりエツチング速度および終点が検出
される。
［作用］
以上の構成によるこの発明のエッチング・モニタ方式に
おいては、薄膜に対して白色光が照射され、薄膜の表裏
の両面よりの反射光は、回折格子によりそれぞれスペク
トルに分光される。この両スペクトルは白色光に含まれ
る広い範囲の波長領域に広がった連続スペクトルであり
、両反射光のスペクトルはそれぞれの同一の波長同士が
干渉するので、干渉波のスペクトルかえられる。この干
渉波スペクトルはＣＣＤセンサにより受光され、波長に
対する強度分布が２次元的にディスプレイに表示されて
観察される。ここで、干渉波の強度は両反射波の位相差
、すなわち薄膜の厚さに依存し、エツチングの進行によ
り薄膜が薄くなるに従って最大値または最小値を示す波
長がディスプレイ上で漸次移動する。この移動速度はす
なわちエツチング速度であるので、エツチング速度は波
形の観察またはデータ処理により容易に検出される。
おいては、薄膜に対して白色光が照射され、薄膜の表裏
の両面よりの反射光は、回折格子によりそれぞれスペク
トルに分光される。この両スペクトルは白色光に含まれ
る広い範囲の波長領域に広がった連続スペクトルであり
、両反射光のスペクトルはそれぞれの同一の波長同士が
干渉するので、干渉波のスペクトルかえられる。この干
渉波スペクトルはＣＣＤセンサにより受光され、波長に
対する強度分布が２次元的にディスプレイに表示されて
観察される。ここで、干渉波の強度は両反射波の位相差
、すなわち薄膜の厚さに依存し、エツチングの進行によ
り薄膜が薄くなるに従って最大値または最小値を示す波
長がディスプレイ上で漸次移動する。この移動速度はす
なわちエツチング速度であるので、エツチング速度は波
形の観察またはデータ処理により容易に検出される。
さらに、薄膜の厚さが連続スペクトルの最小波長の４分
の１（位相差は２分の１）より薄くなると、その厚さの
減少に伴って干渉波スペクトルの強度の最大値と最小値
の差が漸次小さくなり、エツチングの終点において強度
分布は最大値に落ち着く。
の１（位相差は２分の１）より薄くなると、その厚さの
減少に伴って干渉波スペクトルの強度の最大値と最小値
の差が漸次小さくなり、エツチングの終点において強度
分布は最大値に落ち着く。
このように、薄膜の厚さが薄くなって終点に近づくと、
干渉波スペクトルの強度分布が特異な形で漸次最大値に
接近するので、これにより終点付近のエツチングの状況
が詳細に観察され、データ処理により終点を正確に把握
することができる。
干渉波スペクトルの強度分布が特異な形で漸次最大値に
接近するので、これにより終点付近のエツチングの状況
が詳細に観察され、データ処理により終点を正確に把握
することができる。
［実施例］
第１図（ａ）は、この発明によるエッチング・モニタに
おける光学系の実施例を示す。シリコンウェハ１の表面
には酸化物などの薄膜２が蒸着され、これに対して白色
光５が照射される。白色光５としては格別な線スペクト
ルを打しない連続スペクトルのものが好ましい。白色光
５は薄Ｍ２の表面および裏面によりそれぞれ反射波旧、
６２が反射され、回折格子７により分光される。回折格
子７としてこの場合は反射型を示すが、透過型でも差し
支えない。なお、回折格子の分光原理は周知であるが参
考のために第１図（ｂ）により一応説明する。
おける光学系の実施例を示す。シリコンウェハ１の表面
には酸化物などの薄膜２が蒸着され、これに対して白色
光５が照射される。白色光５としては格別な線スペクト
ルを打しない連続スペクトルのものが好ましい。白色光
５は薄Ｍ２の表面および裏面によりそれぞれ反射波旧、
６２が反射され、回折格子７により分光される。回折格
子７としてこの場合は反射型を示すが、透過型でも差し
支えない。なお、回折格子の分光原理は周知であるが参
考のために第１図（ｂ）により一応説明する。
反射型の回折格子７に対して白色光５が入射角αで入射
するときは、回折作用により次式のλに対応した反射角
βの回折光５０．５１．５２・・・・・・が射出される
。
するときは、回折作用により次式のλに対応した反射角
βの回折光５０．５１．５２・・・・・・が射出される
。
ｄ （ｓ ｉｎα＋ｓ ｉｎβ）＝ｎλ （１）こ
こでｎは回折光の次数であり、ｄは薄膜の厚さである。
こでｎは回折光の次数であり、ｄは薄膜の厚さである。
ｎ＝ｏに対する０次の回折光５０の反射角β０は波長λ
に無関係に入射角αと同一であり、すなわち正反射をな
す。これに対して、ｎ＝１に対する１次回折光５１，５
２．５３・・・・・・は波長λの大きさにより分離され
、その反射角β１．β２．β３・・・・・・はβ０より
この順序に大きく、すなわち白色光５は波長λに対応し
たスペクトルに分光される。
に無関係に入射角αと同一であり、すなわち正反射をな
す。これに対して、ｎ＝１に対する１次回折光５１，５
２．５３・・・・・・は波長λの大きさにより分離され
、その反射角β１．β２．β３・・・・・・はβ０より
この順序に大きく、すなわち白色光５は波長λに対応し
たスペクトルに分光される。
なお、２次以」−の回折光があるがこれらの強度は小さ
いのでここでは問題としない。
いのでここでは問題としない。
再び第１図（ａ）において、回折格子７により分光され
た両反射波ＧＯ，６１の各回折光は、レンズ８により各
波長がＣＣＤセンサ９に対して合焦して受光される。こ
こで前記の両反射波［ｉｌ、 ８２には位相差があるの
で、両反射波の回折光の同一波長もそれぞれ位相差があ
り、これらが互いに干渉して干渉波のスペクトルが生じ
、干渉波スペクトルに対するＣＣＤセンサ９の各素子の
出力電圧がデータ処理部鳳０に人力する。
た両反射波ＧＯ，６１の各回折光は、レンズ８により各
波長がＣＣＤセンサ９に対して合焦して受光される。こ
こで前記の両反射波［ｉｌ、 ８２には位相差があるの
で、両反射波の回折光の同一波長もそれぞれ位相差があ
り、これらが互いに干渉して干渉波のスペクトルが生じ
、干渉波スペクトルに対するＣＣＤセンサ９の各素子の
出力電圧がデータ処理部鳳０に人力する。
第２図（ａ）〜（ｆ）により、ディスプレイに表示され
た干渉波スペクトルの強度分４１の変化を説明する。各
図において、横軸を波長λ、白色光の波長範囲をλ１ｎ
〜λＷａＸとし、λ１ｎに近いλ１と、その２倍のλ３
（λ３〈λ■ａＸとする）、およびこれらの中央のλ
２について着目する。ここで、ｄを前記と同様に薄膜２
の厚さとし、εを薄膜の屈折率とすると、２ｄ／εは両
反射波の位相差に相当する（ただし、簡便のために薄膜
２に対する入射角αをＯとする）。図（ａ）は、薄膜の
厚さｄｌによる位相差２ｄｌ／εが、λｔ／２の偶数倍
（ｎ ” ２ ＊ ３・・・・・・とする）の場合を示
し、従ってこの位相差はλ３／２の偶数倍でもあり、λ
１とλ３の点が最大値１膳ａＸとなる。また中央のλ２
では最小値ｌｍ１ｎとなる。図（ｂ）は厚さｄ２による
位相差がλｌ／２の奇数倍の場合で、λｌとλ３で最小
値、λ２で最大値となる。エツチングの進行に伴って上
記の最大値、または最小値が移動するので、これを観察
するか、またはデータ処理によりエツチング速度が検出
される。以上の変化は規則的であるが、エツチングが進
んで図（ｅ）のように厚さｄｐの位相差がλｌ／２に等
しくなると、λ１では最小値■１ｎとなるが、λ２とλ
３では位相差がλ／２以下であるために、ｌｌ１ａ×ま
たはＩ ｍｉｎに達しない。図（ｄ）、（ｅ）において
は、厚さｄＱ、ｄｒがさらに薄くなって、それぞれの位
相差がλｌ／４またはλｔ／８の場合を示し、曲線は漸
次上昇して終点においては図（ｆ）のように最大値Ｉ
ｓａｘに落ち着く。このように、終点の近くでは強度分
布がいわば特異な変化をなすので、その変化を詳細に観
察することができる。
た干渉波スペクトルの強度分４１の変化を説明する。各
図において、横軸を波長λ、白色光の波長範囲をλ１ｎ
〜λＷａＸとし、λ１ｎに近いλ１と、その２倍のλ３
（λ３〈λ■ａＸとする）、およびこれらの中央のλ
２について着目する。ここで、ｄを前記と同様に薄膜２
の厚さとし、εを薄膜の屈折率とすると、２ｄ／εは両
反射波の位相差に相当する（ただし、簡便のために薄膜
２に対する入射角αをＯとする）。図（ａ）は、薄膜の
厚さｄｌによる位相差２ｄｌ／εが、λｔ／２の偶数倍
（ｎ ” ２ ＊ ３・・・・・・とする）の場合を示
し、従ってこの位相差はλ３／２の偶数倍でもあり、λ
１とλ３の点が最大値１膳ａＸとなる。また中央のλ２
では最小値ｌｍ１ｎとなる。図（ｂ）は厚さｄ２による
位相差がλｌ／２の奇数倍の場合で、λｌとλ３で最小
値、λ２で最大値となる。エツチングの進行に伴って上
記の最大値、または最小値が移動するので、これを観察
するか、またはデータ処理によりエツチング速度が検出
される。以上の変化は規則的であるが、エツチングが進
んで図（ｅ）のように厚さｄｐの位相差がλｌ／２に等
しくなると、λ１では最小値■１ｎとなるが、λ２とλ
３では位相差がλ／２以下であるために、ｌｌ１ａ×ま
たはＩ ｍｉｎに達しない。図（ｄ）、（ｅ）において
は、厚さｄＱ、ｄｒがさらに薄くなって、それぞれの位
相差がλｌ／４またはλｔ／８の場合を示し、曲線は漸
次上昇して終点においては図（ｆ）のように最大値Ｉ
ｓａｘに落ち着く。このように、終点の近くでは強度分
布がいわば特異な変化をなすので、その変化を詳細に観
察することができる。
第３図は、この発明によるエッチング・モニタ方式をプ
ラズマＣＶＤ装置に適用した場合の全体構成の実施例を
示す。反応炉口の底部に試料台１３ａが設けられて被処
理のシリコンウェハｌが載置される。ウェハ１の表面に
は酸化物の薄膜２が蒸着されており、反応炉に対してふ
っ素糸などのエツチングガスが圧入されてエツチング作
用が行われる。これに対して、光源５ａよりの白色光５
が、ハーフミラ−目により下方に反射されて、反応炉の
Ｆ部のガラス窓１３ｂを通して薄膜２に照射され、表裏
両面による反射波がハーフミラ−１４を透過して回折格
子７に入力する。両反射波は回折格子によりそれぞれス
ペクトル分光され、レンズ８により波長ごとに合焦して
干渉し、ＣＣＤセンサ９に入力して干渉波のスペクトル
の強度分布に対する電圧が各素子より出力される。出力
電圧はデータ処理部１０において処理され、ディスプレ
イＨによりスペクトルが表示され、同時に、データ処理
結果の数値が出力部１２に出力される。データ処理部１
０はマイクロプロセッサにより構成され、！―記の処理
や表示は自動化されている。
ラズマＣＶＤ装置に適用した場合の全体構成の実施例を
示す。反応炉口の底部に試料台１３ａが設けられて被処
理のシリコンウェハｌが載置される。ウェハ１の表面に
は酸化物の薄膜２が蒸着されており、反応炉に対してふ
っ素糸などのエツチングガスが圧入されてエツチング作
用が行われる。これに対して、光源５ａよりの白色光５
が、ハーフミラ−目により下方に反射されて、反応炉の
Ｆ部のガラス窓１３ｂを通して薄膜２に照射され、表裏
両面による反射波がハーフミラ−１４を透過して回折格
子７に入力する。両反射波は回折格子によりそれぞれス
ペクトル分光され、レンズ８により波長ごとに合焦して
干渉し、ＣＣＤセンサ９に入力して干渉波のスペクトル
の強度分布に対する電圧が各素子より出力される。出力
電圧はデータ処理部１０において処理され、ディスプレ
イＨによりスペクトルが表示され、同時に、データ処理
結果の数値が出力部１２に出力される。データ処理部１
０はマイクロプロセッサにより構成され、！―記の処理
や表示は自動化されている。
［発明の効果］
以上の説明により明らかなように、この発明によるエッ
チング・モニタ方式によれば、エツチングされる薄膜に
対して白色光を照射し、その表裏の両面よりの反射波を
回折格子によりそれぞれ分光し、両分光スペクトルの同
一波長同士の干渉波スペクトルをＣＣＤセンサにより受
光してディスプレイに表示して強度変化を観察し、また
はデータ処理を行って、強度変化よりエツチング速度と
その終点を自動的に検出するもので、従来の単一波長の
レーザビームを使用した方式においては、強度変化が時
間軸に沿って１次元的に捉えられるに対して、この発明
の場合は、波長に対する強度分布がディスプレイに２次
元表示されるので、エツチング速度と、終点付近のエツ
チング吠況の変化がより詳細に把握されて最適条件を設
定するデータかえられ、エツチングの管理に寄与する効
果には大きいものがある。
チング・モニタ方式によれば、エツチングされる薄膜に
対して白色光を照射し、その表裏の両面よりの反射波を
回折格子によりそれぞれ分光し、両分光スペクトルの同
一波長同士の干渉波スペクトルをＣＣＤセンサにより受
光してディスプレイに表示して強度変化を観察し、また
はデータ処理を行って、強度変化よりエツチング速度と
その終点を自動的に検出するもので、従来の単一波長の
レーザビームを使用した方式においては、強度変化が時
間軸に沿って１次元的に捉えられるに対して、この発明
の場合は、波長に対する強度分布がディスプレイに２次
元表示されるので、エツチング速度と、終点付近のエツ
チング吠況の変化がより詳細に把握されて最適条件を設
定するデータかえられ、エツチングの管理に寄与する効
果には大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）および（ｂ）は、この発明によるエツチン
グ拳モニタ方式の実施例における光学系の構成図および
公知の回折格子の作用の説明図、第２図（ａ）〜（ｆ）
は、第１図（ａ）における干渉波スペクトルの強度分布
の変化を説明する曲線図、第３図は、この発明によるエ
ッチング・モニタ方式を適用したエツチング装置の実施
例における全体構成図、第４図（ａ）および（ｂ）は、
特許出願公表に開示された単一波長のレーザビームによ
るエツチング速度と終点の検出方法の概要説明図である
。 １・・・シリコンウェハ、 ２・・・薄膜、３・・・レ
ーザビーム、４１．４２・・・反射波、５・・・白色光
、 ５ａ・・・光源、６１・・・表面反射波、
６２・・・裏面反射波、７・・・回折格子、
８・・・レンズ、９・・・ＣＣＤセンサ、１Ｇ・・・デ
ータ処理部、■・・・ディスプレイ、１２・・・出力部
、■・・・反応炉、１３ａ・・・試料台、１３ｂ・・・
ガラス窓、１４・・・ハーフミラ−第 図 （ａ） （ｂ） ち 第 図 １．２
グ拳モニタ方式の実施例における光学系の構成図および
公知の回折格子の作用の説明図、第２図（ａ）〜（ｆ）
は、第１図（ａ）における干渉波スペクトルの強度分布
の変化を説明する曲線図、第３図は、この発明によるエ
ッチング・モニタ方式を適用したエツチング装置の実施
例における全体構成図、第４図（ａ）および（ｂ）は、
特許出願公表に開示された単一波長のレーザビームによ
るエツチング速度と終点の検出方法の概要説明図である
。 １・・・シリコンウェハ、 ２・・・薄膜、３・・・レ
ーザビーム、４１．４２・・・反射波、５・・・白色光
、 ５ａ・・・光源、６１・・・表面反射波、
６２・・・裏面反射波、７・・・回折格子、
８・・・レンズ、９・・・ＣＣＤセンサ、１Ｇ・・・デ
ータ処理部、■・・・ディスプレイ、１２・・・出力部
、■・・・反応炉、１３ａ・・・試料台、１３ｂ・・・
ガラス窓、１４・・・ハーフミラ−第 図 （ａ） （ｂ） ち 第 図 １．２
Claims (1)
- （１）エッチング中の薄膜に白色光を照射し、該薄膜の
表面および裏面よりの反射光を回折格子によりそれぞれ
スペクトルに分光し、該分光された両スペクトルの干渉
波をＣＣＤセンサにより受光し、該干渉波のスペクトル
の強度分布をディスプレイに表示して、上記エッチング
の進行状態を観察し、データ処理によりエッチング速度
および終点を検出することを特徴とする、エッチング・
モニタ方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084367A JPH03283615A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | エッチング・モニタ方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084367A JPH03283615A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | エッチング・モニタ方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283615A true JPH03283615A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13828559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084367A Pending JPH03283615A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | エッチング・モニタ方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005229117A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-25 | Axcelis Technologies Inc | 薄膜の厚さ、薄膜の除去率、及び除去エンドポイント用のインサイチュー絶対測定の方法および装置 |
| JP2021077859A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2084367A patent/JPH03283615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005229117A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-25 | Axcelis Technologies Inc | 薄膜の厚さ、薄膜の除去率、及び除去エンドポイント用のインサイチュー絶対測定の方法および装置 |
| JP2021077859A (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-20 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 |
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