JPH03284006A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH03284006A JPH03284006A JP8623890A JP8623890A JPH03284006A JP H03284006 A JPH03284006 A JP H03284006A JP 8623890 A JP8623890 A JP 8623890A JP 8623890 A JP8623890 A JP 8623890A JP H03284006 A JPH03284006 A JP H03284006A
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- JP
- Japan
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- layer
- metallized layer
- acoustic wave
- surface acoustic
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要〕
弾性表面波デバイスに関し、
フィルタの周波数特性において阻止域の減衰量を改善す
ることを目的とし、 底部メタライズ層と層間メタライズ層を設けた板状の第
１層と、信号線用ボンディングパッドと接地線用ボンデ
ィングパッドと層間メタライズ層を設けた環状の第２層
と、上端メタライズ層を設けた環状の第３層がチップキ
ャビティを形成するごとく積層して一体に形成されたパ
ッケージに、素子を収容しパッケージと素子のそれぞれ
のボンディングパッド間を接続したあと蓋板を前記上端
メタライズ層に接着密封してなる弾性表面波デバイスに
おいて、前記接地線用ボンディングパッドと前記底部メ
タライズ層とを接続金属導体で接続して弾性表面波デバ
イスを構成する。
ることを目的とし、 底部メタライズ層と層間メタライズ層を設けた板状の第
１層と、信号線用ボンディングパッドと接地線用ボンデ
ィングパッドと層間メタライズ層を設けた環状の第２層
と、上端メタライズ層を設けた環状の第３層がチップキ
ャビティを形成するごとく積層して一体に形成されたパ
ッケージに、素子を収容しパッケージと素子のそれぞれ
のボンディングパッド間を接続したあと蓋板を前記上端
メタライズ層に接着密封してなる弾性表面波デバイスに
おいて、前記接地線用ボンディングパッドと前記底部メ
タライズ層とを接続金属導体で接続して弾性表面波デバ
イスを構成する。
本発明は弾性表面波デバイス、とくに、セラミツクパッ
ケージに封止する弾性表面波フィルタの接地線用の配線
抵抗を小さくしたパッケージ構造の改良に関する。
ケージに封止する弾性表面波フィルタの接地線用の配線
抵抗を小さくしたパッケージ構造の改良に関する。
最近、高周波帯における小形フィルタ素子として、とく
に、弾性表面波フィルタが注目されている。
に、弾性表面波フィルタが注目されている。
弾性表面波素子、たとえば、弾性表面波フィルタは、電
気−機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい圧電体基板、たとえば、３６″回転Ｙカッ
トーＸ伝播ＬｉＴａ０３（３６’ Ｙ−Ｘ ＬｉＴａ０
ｉ）単結晶基板の上に、入力用および出力用の櫛型電極
を設けた３端子以上の外部端子を有する素子である。
気−機械結合係数が大きく、しかも周波数の温度係数が
比較的小さい圧電体基板、たとえば、３６″回転Ｙカッ
トーＸ伝播ＬｉＴａ０３（３６’ Ｙ−Ｘ ＬｉＴａ０
ｉ）単結晶基板の上に、入力用および出力用の櫛型電極
を設けた３端子以上の外部端子を有する素子である。
弾性表面波フィルタ素子の電極は圧電体基板の上に、Ａ
２などからなる櫛歯電極指を差し挟んだ櫛型入力電極と
櫛型出力電極の一対を対面配置するか、あるいは、複数
の入力電極と出力電極を交互に配置した。いわゆる、多
電極配置により構成されている。電極指の巾１間隔（ス
ペース）、ピッチ１木数、各電極指の長さく重み付は形
状）などは所要のフィルタ特性によって決定される。
２などからなる櫛歯電極指を差し挟んだ櫛型入力電極と
櫛型出力電極の一対を対面配置するか、あるいは、複数
の入力電極と出力電極を交互に配置した。いわゆる、多
電極配置により構成されている。電極指の巾１間隔（ス
ペース）、ピッチ１木数、各電極指の長さく重み付は形
状）などは所要のフィルタ特性によって決定される。
第４図は従来の弾性表面波デバイスのパッケージ例を示
す図で、同図（イ）は蓋板４をはずして内部の状態が見
えるようにした斜視図、同図（ロ）はＸ−Ｘ’断面図、
同図（ハ）は同じ＜ Ｙ−Ｙ’断面図である。
す図で、同図（イ）は蓋板４をはずして内部の状態が見
えるようにした斜視図、同図（ロ）はＸ−Ｘ’断面図、
同図（ハ）は同じ＜ Ｙ−Ｙ’断面図である。
セラミック製のパッケージ１００”は、たとえば、３層
のアルミナセラミックからなり、板状の第１層１．角穴
の開いた環状の第２層２．前記第２層２よりも大きな角
穴の開いた環状の第３層３とをいわゆる、グリーンシー
ト状で重ねて積層焼成して一体に形成しである。角穴部
分は素子を収容するチップキャビティ６０を形成する。
のアルミナセラミックからなり、板状の第１層１．角穴
の開いた環状の第２層２．前記第２層２よりも大きな角
穴の開いた環状の第３層３とをいわゆる、グリーンシー
ト状で重ねて積層焼成して一体に形成しである。角穴部
分は素子を収容するチップキャビティ６０を形成する。
第３層３の上端には金属製の、たとえば、コバールにＡ
ｕメツキした蓋板４を封着するための上端メタライズ層
３０゜たとえば、焼付は一層の上にＡｕメツキしたメタ
ライズ層が形成されている。第２層２の上のボンディン
グパッドとボンディングパッドと外部端子とを接続する
層間部分にも焼付は一層からなるメタライズ層２４およ
び図示してない層間メタライズ層２６が施されており、
ボンディングパッドとなる露出部分には焼成後にＡｕメ
ツキが形成されている。
ｕメツキした蓋板４を封着するための上端メタライズ層
３０゜たとえば、焼付は一層の上にＡｕメツキしたメタ
ライズ層が形成されている。第２層２の上のボンディン
グパッドとボンディングパッドと外部端子とを接続する
層間部分にも焼付は一層からなるメタライズ層２４およ
び図示してない層間メタライズ層２６が施されており、
ボンディングパッドとなる露出部分には焼成後にＡｕメ
ツキが形成されている。
第１層１の中央部の角穴部分の底部は素子（チップ）を
搭載する底部メタライズ層１０が形成され、そこには焼
成後にＡｕメ、ツキが施されている。なお、底部メタラ
イズ層１０の焼付は一層からは接地線用外部端子２７．
２８に接続する層間メタライズ層２６゜さらに、接地導
体端子２９に接続する層間メタライズ層１２が形成され
ている。弾性表面波フィルタの素子５は底部メタライズ
層１０に、たとえば、導電性接着材５１でダイポンディ
ングされ、ニーには図示してない素子のボンディングパ
ッドとパッケージ１００”のボンディングパッド２０．
２１．２２との間をボンディングワイヤ５２で接続し、
前記金属性の蓋板４を上端メタライズ層３０に接着して
弾性表面波フィルタが構成されている。図の例は信号線
用外部端子２５が２つの接地線用外部端子２７ 、２８
に挟まれた３端子を一側面に、対向面に同様の配置の信
号線用を含む３外部端子を配置し、もう一方の対向面に
は一対の接地用導体端子２９を設けた表面実装型パッケ
ージ構成の弾性表面波フィルタである。
搭載する底部メタライズ層１０が形成され、そこには焼
成後にＡｕメ、ツキが施されている。なお、底部メタラ
イズ層１０の焼付は一層からは接地線用外部端子２７．
２８に接続する層間メタライズ層２６゜さらに、接地導
体端子２９に接続する層間メタライズ層１２が形成され
ている。弾性表面波フィルタの素子５は底部メタライズ
層１０に、たとえば、導電性接着材５１でダイポンディ
ングされ、ニーには図示してない素子のボンディングパ
ッドとパッケージ１００”のボンディングパッド２０．
２１．２２との間をボンディングワイヤ５２で接続し、
前記金属性の蓋板４を上端メタライズ層３０に接着して
弾性表面波フィルタが構成されている。図の例は信号線
用外部端子２５が２つの接地線用外部端子２７ 、２８
に挟まれた３端子を一側面に、対向面に同様の配置の信
号線用を含む３外部端子を配置し、もう一方の対向面に
は一対の接地用導体端子２９を設けた表面実装型パッケ
ージ構成の弾性表面波フィルタである。
しかし、上記従来例に示したごときパッケージでは、接
地用ボンディングパッド２Ｌ２２と接地用外部端子２７
．２８との間は、環状の第２層２と環状の第３層３の層
間に焼き付けられた層間メタライズ層２６（第１図には
図示せず）、すなわち、厚さ１０〜１５μｍの焼付は一
層そのものであり、その抵抗値は数１０ｍΩである場合
が多い。最近の携帯電話用などの高周波帯で使用される
デバイスでは、接地端子の抵抗値が高い場合、入出力間
のアイソレーションが不充分になってグランドレベルの
上昇。
地用ボンディングパッド２Ｌ２２と接地用外部端子２７
．２８との間は、環状の第２層２と環状の第３層３の層
間に焼き付けられた層間メタライズ層２６（第１図には
図示せず）、すなわち、厚さ１０〜１５μｍの焼付は一
層そのものであり、その抵抗値は数１０ｍΩである場合
が多い。最近の携帯電話用などの高周波帯で使用される
デバイスでは、接地端子の抵抗値が高い場合、入出力間
のアイソレーションが不充分になってグランドレベルの
上昇。
すなわち、フィルタの周波数特性における阻止域の抑圧
度が劣化するなどの問題が生じており、その解決が求め
られている。
度が劣化するなどの問題が生じており、その解決が求め
られている。
上記の課題は、底部メタライズ層１０と層間メタライズ
層１１．１２を設けた板状の第１層１と、信号線用ボン
ディングパッド２０と接地線用ボンディングパッド２Ｌ
２２と層間メタライズ層２４．２６を設けた環状の第２
層２と、上端メタライズ層３０を設けた環状の第３層３
がチップキャビティ６０を形成するごとく積層して一体
に形成されたパッケージに、素子５を収容しパッケージ
と素子のそれぞれのボンディングパッド間を接続したあ
と蓋板４を前記上端メタライズ層３０に接着密封してな
る弾性表面波デバイスにおいて、前記接地線用ボンディ
ングパッド２１．２２と前記底部メタライズ層１０とを
接続金属導体２３で接続して弾性表面波デバイスを構成
することにより解決することができる。
層１１．１２を設けた板状の第１層１と、信号線用ボン
ディングパッド２０と接地線用ボンディングパッド２Ｌ
２２と層間メタライズ層２４．２６を設けた環状の第２
層２と、上端メタライズ層３０を設けた環状の第３層３
がチップキャビティ６０を形成するごとく積層して一体
に形成されたパッケージに、素子５を収容しパッケージ
と素子のそれぞれのボンディングパッド間を接続したあ
と蓋板４を前記上端メタライズ層３０に接着密封してな
る弾性表面波デバイスにおいて、前記接地線用ボンディ
ングパッド２１．２２と前記底部メタライズ層１０とを
接続金属導体２３で接続して弾性表面波デバイスを構成
することにより解決することができる。
本発明によれば、接地線用ボンディングパッド２１．２
２と前記底部メタライズ層１０とを接続金属導体２３で
接続しているので、接地端子の導通路は層間メタライズ
層２６の外に層間メタライズ層１１が加わることになり
、したがって、接地端子の抵抗値が大巾に低下し、その
結果、入出力間のアイソレーションが改善されて阻止域
特性が向上するのである。
２と前記底部メタライズ層１０とを接続金属導体２３で
接続しているので、接地端子の導通路は層間メタライズ
層２６の外に層間メタライズ層１１が加わることになり
、したがって、接地端子の抵抗値が大巾に低下し、その
結果、入出力間のアイソレーションが改善されて阻止域
特性が向上するのである。
第１図は本発明の実施例を示す図で、同図（イ）は斜視
図で簡略化のため素子５の図示は省略しである。同図（
ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
図で簡略化のため素子５の図示は省略しである。同図（
ロ）はＹ−Ｙ’断面図である。
図中、２３ａは接続金属導体で、ボンディングパッド２
１と底部メタライズ層１０の間、および、ボンディング
パッド２２と底部メタライズ層１０の間をメタライズ層
、たとえば、厚さ１０〜１５μｍの焼付は一層の上に厚
さ１〜２μｍのＡｕメツキ層を重ねて電気的に接続した
ものである。
１と底部メタライズ層１０の間、および、ボンディング
パッド２２と底部メタライズ層１０の間をメタライズ層
、たとえば、厚さ１０〜１５μｍの焼付は一層の上に厚
さ１〜２μｍのＡｕメツキ層を重ねて電気的に接続した
ものである。
セラミックパッケージ２の外形寸法は、高さ１゜５ ｍ
ｍ、大きさ５ ｍｍＸ５ ｍｒｌで、各層の厚さは０．
５ｍｍであり、各層間のメタライズ層は厚さ１０〜１５
μｍの厚膜印刷されたタングステン（Ｗ）を形成し、露
出部のに層の上には必要によりＮｉ、さらに、その上に
厚さ１〜２μｍのＡｕメツキを施した。
ｍ、大きさ５ ｍｍＸ５ ｍｒｌで、各層の厚さは０．
５ｍｍであり、各層間のメタライズ層は厚さ１０〜１５
μｍの厚膜印刷されたタングステン（Ｗ）を形成し、露
出部のに層の上には必要によりＮｉ、さらに、その上に
厚さ１〜２μｍのＡｕメツキを施した。
以上の工程は未焼成の原料シートに厚膜タングステン（
−）ペーストを印刷したものを重ねて、−体に焼成する
。いわゆる、公知のグリーンシート法により容易に行う
ことができる。
−）ペーストを印刷したものを重ねて、−体に焼成する
。いわゆる、公知のグリーンシート法により容易に行う
ことができる。
素子５としては、たとえば、３６°Ｙ −Ｘ ＬｉＴａ
Ｏ３単結晶板からなる厚さ０．５ ｍｍ、大きさ２ ｍ
ｍＸ３．５ｍｍの圧電体基板の上に、厚さ２００ｎｍの
アルミニウム（Ａ ｆ ）からなる櫛歯電極指を差し挟
んだ櫛型入力電極と櫛型出力電極を対面配置して構成し
、電極指の巾１間隔（スペース）、ピッチ、本数、各電
極指の長さ（重み付は形状）などは中心周波数８００Ｍ
Ｈｚを得るために電極指内を１．２μｍとし、櫛形入出
力電極はいずれも１５対の正規型電極指構成とした。
Ｏ３単結晶板からなる厚さ０．５ ｍｍ、大きさ２ ｍ
ｍＸ３．５ｍｍの圧電体基板の上に、厚さ２００ｎｍの
アルミニウム（Ａ ｆ ）からなる櫛歯電極指を差し挟
んだ櫛型入力電極と櫛型出力電極を対面配置して構成し
、電極指の巾１間隔（スペース）、ピッチ、本数、各電
極指の長さ（重み付は形状）などは中心周波数８００Ｍ
Ｈｚを得るために電極指内を１．２μｍとし、櫛形入出
力電極はいずれも１５対の正規型電極指構成とした。
なお、前記従来例の諸図面で説明したものと同等の部分
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
については同一符号を付し、かつ、同等部分についての
説明は省略する。
この結果、本実施例のパッケージの場合、接地抵抗値は
約１０ｍΩで従来のパッケージの場合の数分の１に減少
した。
約１０ｍΩで従来のパッケージの場合の数分の１に減少
した。
第２図は８００ＭＨｚ帯弾性表面波フィルタの周波数特
性を示す図で、縦軸に減衰量、横軸に周波数をとっであ
る。図中の実線■は上記に示した実施例デバイスの場合
を、また、点線の■は従来例の特性を比較のために示し
た。図かられかるように従来は２．７ＧＨｚ以下の周波
数帯域で阻止域減衰量が２０ｄＢに達していないが、本
発明実施例の場合には２５ｄＢ以上と大巾に改善されて
いる。
性を示す図で、縦軸に減衰量、横軸に周波数をとっであ
る。図中の実線■は上記に示した実施例デバイスの場合
を、また、点線の■は従来例の特性を比較のために示し
た。図かられかるように従来は２．７ＧＨｚ以下の周波
数帯域で阻止域減衰量が２０ｄＢに達していないが、本
発明実施例の場合には２５ｄＢ以上と大巾に改善されて
いる。
第３図は本発明の他の実施例を示す断面図である。図中
、２３ｂは接続金属導体で、この例はボンディングパッ
ド２１と底部メタライズ層１０につながる層間メタライ
ズ層１１との間、および、ボンディングパッド２２と底
部メタライズ層１０につながる層間メタライズ層１１と
の間を直径４０μｍφのタングステン（Ｗ）からなる金
属ビアによって電気的に接続したものである。未焼成の
原料シートから出発する。いわゆる、グリーンシート法
によるセラミックパッケージの製造方法には本実施例が
プロセス的には適合しており低価格のパッケージに適し
ている。
、２３ｂは接続金属導体で、この例はボンディングパッ
ド２１と底部メタライズ層１０につながる層間メタライ
ズ層１１との間、および、ボンディングパッド２２と底
部メタライズ層１０につながる層間メタライズ層１１と
の間を直径４０μｍφのタングステン（Ｗ）からなる金
属ビアによって電気的に接続したものである。未焼成の
原料シートから出発する。いわゆる、グリーンシート法
によるセラミックパッケージの製造方法には本実施例が
プロセス的には適合しており低価格のパッケージに適し
ている。
以上述べた実施例は数例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用する素材や構成など適宜好
ましいもの、あるいはその組み合わせ、あるいは、変形
例などを用いてもよいことは言うまでもない。
に添うものである限り、使用する素材や構成など適宜好
ましいもの、あるいはその組み合わせ、あるいは、変形
例などを用いてもよいことは言うまでもない。
以上述べたように、本発明によれば、接地線用ボンディ
ングパッド２１．２２ と底部メタライズ層１０とを接
続金属導体２３で接続しているので、接地端子の導通路
は層間メタライズ層２６の外に層間メタライズ層１１が
加わることになり、したがって、接地端子の抵抗値が大
巾に低下するとともに、入出力間のアイソレーションが
改善され、弾性表面波デバイスの阻止域特性などの性能
品質の向上に寄与するところが極めて大きい。
ングパッド２１．２２ と底部メタライズ層１０とを接
続金属導体２３で接続しているので、接地端子の導通路
は層間メタライズ層２６の外に層間メタライズ層１１が
加わることになり、したがって、接地端子の抵抗値が大
巾に低下するとともに、入出力間のアイソレーションが
改善され、弾性表面波デバイスの阻止域特性などの性能
品質の向上に寄与するところが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は８００ＭＨｚ帯弾性表面波フィルタの周波数特
性を示す図、 第３図は本発明の他の実施例を示す断面図、第４図は従
来の弾性表面波デバイスのパッケージ例を示す図である
。 図において、 １は板状の第１Ｎ、 ２は環状の第２層、 ３は環状の第３層、 ４は蓋板、 ５は素子、 １０は底部メタライズ層、 １１．１２，２４．２６は層間メタライズ層、２０は信
号線用ボンディングパッド、 ２１．２２は接地線用ボンディングパッド、２３ （２
３ａ 、 ２３ｂ）は接続金属導体、２５は信号線用外
部端子、 ２７．２８は接地線用外部端子、 ２９は接地導体端子、 ３０は上端メタライズ層、 ６０はチップキャビティである。
性を示す図、 第３図は本発明の他の実施例を示す断面図、第４図は従
来の弾性表面波デバイスのパッケージ例を示す図である
。 図において、 １は板状の第１Ｎ、 ２は環状の第２層、 ３は環状の第３層、 ４は蓋板、 ５は素子、 １０は底部メタライズ層、 １１．１２，２４．２６は層間メタライズ層、２０は信
号線用ボンディングパッド、 ２１．２２は接地線用ボンディングパッド、２３ （２
３ａ 、 ２３ｂ）は接続金属導体、２５は信号線用外
部端子、 ２７．２８は接地線用外部端子、 ２９は接地導体端子、 ３０は上端メタライズ層、 ６０はチップキャビティである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 底部メタライズ層（１０）と層間メタライズ層（１１
，１２）を設けた板状の第１層（１）と、信号線用ボン
ディングパッド（２０）と接地線用ボンディングパッド
（２１，２２）と層間メタライズ層（２４，２６）を設
けた環状の第２層（２）と、上端メタライズ層（３０）
を設けた環状の第３層（３）がチップキャビティ（６０
）を形成するごとく積層して一体に形成されたパッケー
ジに、素子（５）を収容しパッケージと素子のそれぞれ
のボンディングパッド間を接続したあと蓋板（４）を前
記上端メタライズ層（３０）に接着密封してなる弾性表
面波デバイスにおいて、 前記接地線用ボンディングパッド（２１，２２）と前記
底部メタライズ層（１０）とを接続金属導体（２３）で
接続することを特徴とした弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8623890A JPH03284006A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8623890A JPH03284006A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284006A true JPH03284006A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13881221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8623890A Pending JPH03284006A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03284006A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966060A (en) * | 1996-09-17 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus having an interdigital transducer ground electrode connected to multiple package grounds |
| JPH11340781A (ja) * | 1999-04-19 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 分波器 |
| JP2001127589A (ja) * | 2000-10-30 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 分波器 |
| US6242991B1 (en) | 1994-11-10 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter having a continuous electrode for connection of multiple bond wires |
| US6271739B1 (en) * | 1996-05-28 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| US6750592B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-06-15 | Nrs Technologies, Inc. | Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave filter apparatus |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8623890A patent/JPH03284006A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242991B1 (en) | 1994-11-10 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter having a continuous electrode for connection of multiple bond wires |
| US6271739B1 (en) * | 1996-05-28 | 2001-08-07 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave device having an improved pass-band characteristic and an improved degree of freedom for setting input and output impedances |
| US5966060A (en) * | 1996-09-17 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus having an interdigital transducer ground electrode connected to multiple package grounds |
| JPH11340781A (ja) * | 1999-04-19 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 分波器 |
| JP2001127589A (ja) * | 2000-10-30 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 分波器 |
| US6750592B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-06-15 | Nrs Technologies, Inc. | Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave filter apparatus |
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