JPH0328522Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0328522Y2 JPH0328522Y2 JP17200184U JP17200184U JPH0328522Y2 JP H0328522 Y2 JPH0328522 Y2 JP H0328522Y2 JP 17200184 U JP17200184 U JP 17200184U JP 17200184 U JP17200184 U JP 17200184U JP H0328522 Y2 JPH0328522 Y2 JP H0328522Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- light
- layer
- transparent electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は光照射を受けると起電力を発生する光
起電力装置に関する。
起電力装置に関する。
(ロ) 従来の技術
光照射を受けると起電力を発生する光起電力装
置に於ける受光面側電極は光電変換作用をなす半
導体活性層への光照射を招くべく透光性であるこ
とが好ましい。従来、透光性を呈すべく受光面側
電極はインジウム（In）やスズ（Sn）の酸化物
であるIn2O3、SnO2、ITO等により形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物からなる電極にあつて
は、そのシート抵抗は約30〜50Ω／□であり、ア
ルミニウム等の金属材料に比して３桁以上高いた
めに、この電極に於いて僅かながらも電力損失が
発生し、集電効率を低下せしめる原因となる。
置に於ける受光面側電極は光電変換作用をなす半
導体活性層への光照射を招くべく透光性であるこ
とが好ましい。従来、透光性を呈すべく受光面側
電極はインジウム（In）やスズ（Sn）の酸化物
であるIn2O3、SnO2、ITO等により形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物からなる電極にあつて
は、そのシート抵抗は約30〜50Ω／□であり、ア
ルミニウム等の金属材料に比して３桁以上高いた
めに、この電極に於いて僅かながらも電力損失が
発生し、集電効率を低下せしめる原因となる。
この集電効率の低下に鑑み従来の単結晶型太陽
電池や特開昭59−50576号公報の如く受光面側に
金属製の格子状（グリツド状）の集電極を設ける
方法が多用されている。
電池や特開昭59−50576号公報の如く受光面側に
金属製の格子状（グリツド状）の集電極を設ける
方法が多用されている。
然し乍ら、上述の如く金属製の集電極は透明電
極に比して低抵抗である反面、光活性層に到達す
べき照射光を遮断するために、有効に光電変換動
作する有効受光面積の減少は免れない。
極に比して低抵抗である反面、光活性層に到達す
べき照射光を遮断するために、有効に光電変換動
作する有効受光面積の減少は免れない。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案は有効受光面積を実質的に減少せしめる
ことなく受光面側電極の集電効率を上昇せしめる
ことを目的としている。
ことなく受光面側電極の集電効率を上昇せしめる
ことを目的としている。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案光起電力装置は上述の如き問題点を解決
すべく、上記透明電極層を有効受光面積内で上記
背面電極層と絶縁状態で複数箇所背面側に導出
し、それらを電極的に結合することを特徴とす
る。
すべく、上記透明電極層を有効受光面積内で上記
背面電極層と絶縁状態で複数箇所背面側に導出
し、それらを電極的に結合することを特徴とす
る。
(ホ) 作用
上述の如く受光面側の透明電極層を複数箇所背
面側に導出し、それらを電気的に結合することに
よつて、透明電極層中を流れる電流の電流路長を
短縮すべく作用する。
面側に導出し、それらを電気的に結合することに
よつて、透明電極層中を流れる電流の電流路長を
短縮すべく作用する。
(ヘ) 実施例
第１図及び第２図は本考案の一実施例を示して
おり、第１図は受光面側から見た正面図、第２図
は第１図の−′線断面図を夫々示している。
おり、第１図は受光面側から見た正面図、第２図
は第１図の−′線断面図を夫々示している。
１はステンレス、アルミニウム等の金属材料或
いは絶縁材料にそれらの金属材料がコーテイング
されることによつて導電表面を備えた基板、２は
該基板１の導電表面に絶縁性を付与すべくコーテ
イングされたSiO2、Si3N4、ポリイミド等の絶縁
層、３は該絶縁層２上に配置されたアルミニウ
ム、銀、チタン、等のオーミツク金属製背面電極
層、４は該背面電極層３上に形成されPin接合等
の半導体接合をその膜面に対して平行に備えるア
モルフアスシリコン系半導体を主体とする半導体
光活性層、５はIn2O3、SnO2、ITO等の透光性導
電酸化物からなり受光面側電極を司どる透明電極
層で、この透明電極層５は本実施例にあつては第
１図の如く有効受光面積内の５箇所に於いて光活
性層４、背面電極層３及び絶縁層２を穿つことに
より形成されたコンタクトホール６，６…を介し
て基板１の導電表面と当接し電気的な結合状態に
ある。
いは絶縁材料にそれらの金属材料がコーテイング
されることによつて導電表面を備えた基板、２は
該基板１の導電表面に絶縁性を付与すべくコーテ
イングされたSiO2、Si3N4、ポリイミド等の絶縁
層、３は該絶縁層２上に配置されたアルミニウ
ム、銀、チタン、等のオーミツク金属製背面電極
層、４は該背面電極層３上に形成されPin接合等
の半導体接合をその膜面に対して平行に備えるア
モルフアスシリコン系半導体を主体とする半導体
光活性層、５はIn2O3、SnO2、ITO等の透光性導
電酸化物からなり受光面側電極を司どる透明電極
層で、この透明電極層５は本実施例にあつては第
１図の如く有効受光面積内の５箇所に於いて光活
性層４、背面電極層３及び絶縁層２を穿つことに
より形成されたコンタクトホール６，６…を介し
て基板１の導電表面と当接し電気的な結合状態に
ある。
上記コンタクトホール６，６…の形成は各層を
被着後、周知のフオトリソグラフイ技術を用いて
行なわれ、その際背面電極層３のエツヂ部が該コ
ンタクトホール６，６…内に露出すると、このコ
ンタクトホール６，６…の内壁に沿つて基板１の
導電表面に至る逆極性透明電極層５と接触するこ
とになり短絡状態となるために、上記エツジ部は
光活性層４により露出することなく被覆されてい
る。
被着後、周知のフオトリソグラフイ技術を用いて
行なわれ、その際背面電極層３のエツヂ部が該コ
ンタクトホール６，６…内に露出すると、このコ
ンタクトホール６，６…の内壁に沿つて基板１の
導電表面に至る逆極性透明電極層５と接触するこ
とになり短絡状態となるために、上記エツジ部は
光活性層４により露出することなく被覆されてい
る。
この様にして基板１の導電表面と透明電極層５
とを有効受光面積内に於いて複数箇所結合し、こ
の導電表面から外部に出力を導出すると、光活性
層４の光電変換作用により発生し透明電極層５側
に移動したキヤリアは透明電極層５内を最短距離
の結合部に向つて流れ、低抵抗な基板１の導電表
面に到達し集電される。
とを有効受光面積内に於いて複数箇所結合し、こ
の導電表面から外部に出力を導出すると、光活性
層４の光電変換作用により発生し透明電極層５側
に移動したキヤリアは透明電極層５内を最短距離
の結合部に向つて流れ、低抵抗な基板１の導電表
面に到達し集電される。
尚、上記透明電極層５と基板１の導電表面との
結合部は第１図のように円形でなくても例えばス
トライプ状、十字状をなしても良く、結合部分の
場合や大きさ、個数は適宜最適条件に設計され
る。
結合部は第１図のように円形でなくても例えばス
トライプ状、十字状をなしても良く、結合部分の
場合や大きさ、個数は適宜最適条件に設計され
る。
第３図及び第４図は本考案の他の実施例であつ
て、先の実施例と異なるところは透明電極層５が
基板１の導電表面と直接結合することなく銀ペイ
ント等の良導電性金属の結合電極７，７…を介し
て電気的に結合されている。この結合電極７，７
…は透明電極層５上に於いてストライプ状をなし
先の実施例に比して遮光面積の増大を招くもの
の、従来のグリツド状の集電極と比較して各枝部
（ストライプ状）の集電極相互の結線を透明電極
層５上で実現するための幹部の集電極が不要とな
る分だけ遮光面積の増大を抑止し得る。
て、先の実施例と異なるところは透明電極層５が
基板１の導電表面と直接結合することなく銀ペイ
ント等の良導電性金属の結合電極７，７…を介し
て電気的に結合されている。この結合電極７，７
…は透明電極層５上に於いてストライプ状をなし
先の実施例に比して遮光面積の増大を招くもの
の、従来のグリツド状の集電極と比較して各枝部
（ストライプ状）の集電極相互の結線を透明電極
層５上で実現するための幹部の集電極が不要とな
る分だけ遮光面積の増大を抑止し得る。
(ト) 考案の効果
本考案光起電力装置は以上の説明から明らかな
如く、受光面側の透明電極層を複数箇所背面側に
導出し、それらを電気的に結合せしめることによ
つて、透明電極層中を流れる電流の電流路長を短
縮すべく作用するので、高抵抗な電流路長の短縮
により電力損失を減少せしめることができると共
に、上記複数箇所の電気的結合部間の配線は光活
性層への光照射を阻害しない背面側の利用により
有効受光面積の減少を実質的に防止することがで
き、相反する要求を同時に満足し得る。
如く、受光面側の透明電極層を複数箇所背面側に
導出し、それらを電気的に結合せしめることによ
つて、透明電極層中を流れる電流の電流路長を短
縮すべく作用するので、高抵抗な電流路長の短縮
により電力損失を減少せしめることができると共
に、上記複数箇所の電気的結合部間の配線は光活
性層への光照射を阻害しない背面側の利用により
有効受光面積の減少を実質的に防止することがで
き、相反する要求を同時に満足し得る。
第１図は本考案光起電力装置の一実施例を受光
面側から見た正面図、第２図は第１図に於ける
−′線断面図、第３図は他の実施例を受光面側
から見た正面図、第４図は第３図に於ける−
′線断面図、を夫々示している。 １…基板、３…背面電極層、４…半導体光活性
層、５…透明電極層、７…結合電極。
面側から見た正面図、第２図は第１図に於ける
−′線断面図、第３図は他の実施例を受光面側
から見た正面図、第４図は第３図に於ける−
′線断面図、を夫々示している。 １…基板、３…背面電極層、４…半導体光活性
層、５…透明電極層、７…結合電極。
Claims (1)
- 基板の導電表面に、絶縁層、背面電極層、半導
体光活性層及び透明電極層を順次積層した光起電
力装置に於て、上記透明電極層を有効受光面積内
で上記背面電極層と絶縁状態で複数箇所背面側に
導出し、それらを電気的に結合することを特徴と
した光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17200184U JPH0328522Y2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17200184U JPH0328522Y2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186955U JPS6186955U (ja) | 1986-06-07 |
| JPH0328522Y2 true JPH0328522Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=30729674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17200184U Expired JPH0328522Y2 (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328522Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799775B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1995-10-25 | 株式会社小松製作所 | 太陽電池 |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP17200184U patent/JPH0328522Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186955U (ja) | 1986-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61260684A (ja) | 太陽電池 | |
| CN106298987A (zh) | 一种mwt太阳能电池组件 | |
| US20140069479A1 (en) | Photoelectric Device Module and Manufacturing Method Thereof | |
| JP2986875B2 (ja) | 集積化太陽電池 | |
| JPWO2012053079A1 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| TWI415280B (zh) | Light power device and manufacturing method thereof | |
| JPH1065198A (ja) | 直角三角形型太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JPH09283781A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0328522Y2 (ja) | ||
| JP2968404B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2755670B2 (ja) | 光電変換素子及び光起電力装置 | |
| JPS63119273A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2755616B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6254971A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6244532Y2 (ja) | ||
| JP2735864B2 (ja) | 光電変換素子及び光起電力装置 | |
| JPH0521892Y2 (ja) | ||
| JPS612372A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS5854678A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JPH0642351Y2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2759301B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2744058B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0443432B2 (ja) | ||
| JPH05267697A (ja) | 前面薄膜接触部を有する太陽電池 | |
| JPH0298974A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |