JPH03285326A - 光学窓の姿勢制御方法 - Google Patents
光学窓の姿勢制御方法Info
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- JPH03285326A JPH03285326A JP2086265A JP8626590A JPH03285326A JP H03285326 A JPH03285326 A JP H03285326A JP 2086265 A JP2086265 A JP 2086265A JP 8626590 A JP8626590 A JP 8626590A JP H03285326 A JPH03285326 A JP H03285326A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はチャンバ等に取り付けた光学窓を常時一定の姿
勢で保持する光学窓の姿勢制御方法に関する。
勢で保持する光学窓の姿勢制御方法に関する。
(従来の技術)
シリコンウェハの加工処1’lliや液晶デイスプレィ
でのl゛同(Thin l’i1m Transist
or)製造などではレーザアニールしながら膜形成する
ことによって成膜を行うことが従来なされている。
でのl゛同(Thin l’i1m Transist
or)製造などではレーザアニールしながら膜形成する
ことによって成膜を行うことが従来なされている。
成膜は基板等をチャンバ内にセットシてガスCVD法等
を用いてなされるが、レーザアニールを併用する場合は
チャンバに設けた光学窓を介してチャンバ内の被加]皿
体にレーザ光を照射して行う。
を用いてなされるが、レーザアニールを併用する場合は
チャンバに設けた光学窓を介してチャンバ内の被加]皿
体にレーザ光を照射して行う。
従来のレーザアニールを用いた成膜プロセスではシリコ
ンウェハ等の被加工体にレーザ光を照射する場合はスポ
ットビー11状のレーザ光を振ることによって被加工体
上でレーザ光を走査して全体にわたってアニール処理を
施している。
ンウェハ等の被加工体にレーザ光を照射する場合はスポ
ットビー11状のレーザ光を振ることによって被加工体
上でレーザ光を走査して全体にわたってアニール処理を
施している。
最近の半導体デバイスあるいは液晶デイスプレィは高集
積化が進んでいるから、成膜時におけるレーザ光の照射
位置精度にもきわめて高度の位置精度が要求される。
積化が進んでいるから、成膜時におけるレーザ光の照射
位置精度にもきわめて高度の位置精度が要求される。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、従来のレーザアニール装置のように光学窓に
対してレーザ光を振るようにする場合は光学窓に入射し
たレーザ光が光学窓を透過する際に屈折をおこすため、
所定方向に入射させても被加工体の正規の位置に集光で
きなくなる。この結果、被加工体の加工精度に誤差が生
じるという問題点がある。
対してレーザ光を振るようにする場合は光学窓に入射し
たレーザ光が光学窓を透過する際に屈折をおこすため、
所定方向に入射させても被加工体の正規の位置に集光で
きなくなる。この結果、被加工体の加工精度に誤差が生
じるという問題点がある。
レーザアニールを併用して成膜する場合は、かなりの高
真空に維持するチャンバ登用いて行うから光学窓もかな
り肉厚に形成された耐圧性のあるものが用いられる。し
たがって、レーザ光が光学窓に斜入射した場合の屈折に
よる誤差は半導体デバイス等の製造上無視し得なくなる
。
真空に維持するチャンバ登用いて行うから光学窓もかな
り肉厚に形成された耐圧性のあるものが用いられる。し
たがって、レーザ光が光学窓に斜入射した場合の屈折に
よる誤差は半導体デバイス等の製造上無視し得なくなる
。
また、これらの真空装置ではロータリポンプその他の振
動発生源があるから、きわめて高精度のて常に確実なレ
ーザ光照射がなされるようにする必要がある。
動発生源があるから、きわめて高精度のて常に確実なレ
ーザ光照射がなされるようにする必要がある。
そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、レーザアニール装置
等のように、光を入射させて使用する光学窓を有する装
置において、光学窓に対して常に一定の入射角で光が入
射させることができる光学窓の姿勢制御方法を提供しよ
うとするものである。
であり、その目的とするところは、レーザアニール装置
等のように、光を入射させて使用する光学窓を有する装
置において、光学窓に対して常に一定の入射角で光が入
射させることができる光学窓の姿勢制御方法を提供しよ
うとするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は」1記目的を達成するため次の構成をそなえる
。
。
すなわち、レーザ光等の光を入射させる光学窓を、入射
光が一定の入射角で入射するように一定の姿勢で保持す
る光学窓の姿勢制御方法において、前記光学窓をベロー
ズ等の可動支持体に支持するとともに光学窓の外周側に
姿勢制御用コイルおよび該姿勢制御用コイルに対面させ
てマグネットを設置し、前記光学窓に参照光としてレー
ザ光を投射するとともに、該光学窓によるレーザ光の反
射位置を受光位置検出器によって常時検知し、該受光位
置検出器による検知結果にもとづいて光学窓の正規位置
からの姿勢のずれを検知し、該検知結果にもとづいて前
記姿勢制御用コイルに対する通電を制御して光学窓を正
規の位置に復帰させ常時光学窓を姿勢制御することを特
徴とする。
光が一定の入射角で入射するように一定の姿勢で保持す
る光学窓の姿勢制御方法において、前記光学窓をベロー
ズ等の可動支持体に支持するとともに光学窓の外周側に
姿勢制御用コイルおよび該姿勢制御用コイルに対面させ
てマグネットを設置し、前記光学窓に参照光としてレー
ザ光を投射するとともに、該光学窓によるレーザ光の反
射位置を受光位置検出器によって常時検知し、該受光位
置検出器による検知結果にもとづいて光学窓の正規位置
からの姿勢のずれを検知し、該検知結果にもとづいて前
記姿勢制御用コイルに対する通電を制御して光学窓を正
規の位置に復帰させ常時光学窓を姿勢制御することを特
徴とする。
(実施例)
以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第1図は1本発明に係る光学窓の姿勢制御方法を示す説
明図である。
明図である。
この実施例では光学窓10に対して垂直方向から被加工
体をアニール処理するためのレーザ先人を入射させ、こ
のレーザ光Δが常に光学窓10に対して垂直に入射する
ように光学窓10の姿勢を制御している。
体をアニール処理するためのレーザ先人を入射させ、こ
のレーザ光Δが常に光学窓10に対して垂直に入射する
ように光学窓10の姿勢を制御している。
レーザ光Aを光学窓10に入射させる光学系は、光学窓
10が正規の位置にある状態で正確にレーザ先人が垂直
入射するように定置する。たとえば、被加工体位置にレ
ーザスポットを照射し、スポット位置を較正することに
よって正規位置を決める。
10が正規の位置にある状態で正確にレーザ先人が垂直
入射するように定置する。たとえば、被加工体位置にレ
ーザスポットを照射し、スポット位置を較正することに
よって正規位置を決める。
レーザ先人に対し、光学窓10の姿勢のずれを監視する
ためのレーザ光Bをレーザ先人とは異なる光路で光学窓
lOに照射する。
ためのレーザ光Bをレーザ先人とは異なる光路で光学窓
lOに照射する。
12は前記レーザ″AAのA路の側方に設けたハーフミ
ラーブリズ11で、14は光学窓1oの」1方位置でレ
ーザ光Δを遮らない位置に設置したミラ16はハーフミ
ラ−プリズム12の後方に設けた受光位置検出器である
。
ラーブリズ11で、14は光学窓1oの」1方位置でレ
ーザ光Δを遮らない位置に設置したミラ16はハーフミ
ラ−プリズム12の後方に設けた受光位置検出器である
。
前記ハーフミラーブリズ11]2にはレーザ先人とは異
なるレーザ光、たとえばレーザ先人としてArレーザを
用いた場合はII c−N eレーザを入射させ、ハー
フミラーブリズt112で反射させた後、ミラー14で
反射させて光学窓1oの中央付近に投射させる。
なるレーザ光、たとえばレーザ先人としてArレーザを
用いた場合はII c−N eレーザを入射させ、ハー
フミラーブリズt112で反射させた後、ミラー14で
反射させて光学窓1oの中央付近に投射させる。
光学窓10表面で反射された光はミラー14で反射され
、ハーフミラ−12を透過して受光位置検出器16で受
光される。受光位置検出器16は複数個の受光素子から
なるもので反射ビーt、の入射位置を検知する。
、ハーフミラ−12を透過して受光位置検出器16で受
光される。受光位置検出器16は複数個の受光素子から
なるもので反射ビーt、の入射位置を検知する。
前記光学窓10は被加工体を収容するチャンバに固定し
た溶接ベローズ等の可動支持体20によって支持する。
た溶接ベローズ等の可動支持体20によって支持する。
光学窓10の外周部を保持するフランジ21にはフラン
ジ21を周方向に等分した位置に姿勢制御用コイル22
を固定する。各姿勢制御用コイル22に面する外側には
マグネット24を機枠に固定して配置する。前記フラン
ジ21は金属線を用いて機枠に吊持し、可動支持体20
のふらつきを防止している。
ジ21を周方向に等分した位置に姿勢制御用コイル22
を固定する。各姿勢制御用コイル22に面する外側には
マグネット24を機枠に固定して配置する。前記フラン
ジ21は金属線を用いて機枠に吊持し、可動支持体20
のふらつきを防止している。
26は光学窓10の姿勢を制御するコントロール部で、
前記受光位置検出器16による受光信号を解析するとと
もに、この解析結果に基づいて姿勢制御用コイル22へ
の通電をコントロールして光学窓10の姿勢制御を行う
。
前記受光位置検出器16による受光信号を解析するとと
もに、この解析結果に基づいて姿勢制御用コイル22へ
の通電をコントロールして光学窓10の姿勢制御を行う
。
すなわち、はじめにレーザ光Bを光学窓10に投射する
上記ミラー14等の光学系を、レーザ光への位置合わせ
と同時にあるいは光学窓10が正規位置にある状態で受
光位置検出器16の中心にレーザスポットが反射して戻
るようにセツティングする。
上記ミラー14等の光学系を、レーザ光への位置合わせ
と同時にあるいは光学窓10が正規位置にある状態で受
光位置検出器16の中心にレーザスポットが反射して戻
るようにセツティングする。
レーザアニール等の加工処理工程では、なんらかの外部
振動が生じるから、これによって光学窓10がわずかな
がらも正規位置から傾くことになる。すると、光学窓1
0にたいするレーザ光Bの入射角度が変化するから、レ
ーザ光Bの戻り光路が正規の光路とずれ、図のように受
光位置検出器】−6の受光面でスポット位置が中心から
ずれることになる。受光位置検出器J6でのずれはその
ずれ方向によって光学窓10がどの方向に傾いたかがわ
かるから、そのずれをもとに戻す方向に光学窓10を戻
してやればよい、すなわち、受光位置検出器16の受光
信号にもとづいて光学gioの位置ずれの解析を行い、
この結果にしたがって光学窓10の外周側に設けた複数
個の姿勢制御用コイル22に適宜通電を行い、レーザ光
130反射光が受光位置検出器16の正規位置に一致さ
せるようにする。可動支持体22はどの方向にも可!I
Jであるから姿勢制御用コイル22に通電することによ
り可動支持体22がそれに対応して動き、光学窓10を
正規位置に戻す。
振動が生じるから、これによって光学窓10がわずかな
がらも正規位置から傾くことになる。すると、光学窓1
0にたいするレーザ光Bの入射角度が変化するから、レ
ーザ光Bの戻り光路が正規の光路とずれ、図のように受
光位置検出器】−6の受光面でスポット位置が中心から
ずれることになる。受光位置検出器J6でのずれはその
ずれ方向によって光学窓10がどの方向に傾いたかがわ
かるから、そのずれをもとに戻す方向に光学窓10を戻
してやればよい、すなわち、受光位置検出器16の受光
信号にもとづいて光学gioの位置ずれの解析を行い、
この結果にしたがって光学窓10の外周側に設けた複数
個の姿勢制御用コイル22に適宜通電を行い、レーザ光
130反射光が受光位置検出器16の正規位置に一致さ
せるようにする。可動支持体22はどの方向にも可!I
Jであるから姿勢制御用コイル22に通電することによ
り可動支持体22がそれに対応して動き、光学窓10を
正規位置に戻す。
この方法による場合は、ボイスコイルと同様に受光位置
検出器16の検出信号にもとづいて瞬時に光学窓10を
正規位置に回復させることができ、追随性がよいという
特徴があり、外部振動等の影響があった場合でも受光位
置検出器16で常に受光位置を監視していることによっ
て光学窓10の姿勢を常に一定に保持することができる
。
検出器16の検出信号にもとづいて瞬時に光学窓10を
正規位置に回復させることができ、追随性がよいという
特徴があり、外部振動等の影響があった場合でも受光位
置検出器16で常に受光位置を監視していることによっ
て光学窓10の姿勢を常に一定に保持することができる
。
以」二のようにして光学窓10を一定の向きに保持する
ことにより、レーザ光Aは常に光学窓10に対して垂直
に入射し、被加工体に対する加工処理の際に光学窓10
にレーザ先人が斜入射することによる誤差をM消するこ
とができ、より高精度の加工を施すことができる。
ことにより、レーザ光Aは常に光学窓10に対して垂直
に入射し、被加工体に対する加工処理の際に光学窓10
にレーザ先人が斜入射することによる誤差をM消するこ
とができ、より高精度の加工を施すことができる。
第2図はl配光学窓の姿勢制御方法を適用したレーザア
ニール装置の実施例を示すブロック図である。同図で3
0は被加工体を収容するチャンバで、チャンバ10上部
開口部に前記光学窓10の可動支持体20として溶接ベ
ローズが取り付けられている。姿勢制御用コイル22等
の配置は上記説明と同様である。
ニール装置の実施例を示すブロック図である。同図で3
0は被加工体を収容するチャンバで、チャンバ10上部
開口部に前記光学窓10の可動支持体20として溶接ベ
ローズが取り付けられている。姿勢制御用コイル22等
の配置は上記説明と同様である。
チャンバ30内には被加工体32を支持するためのX−
Yステージ34を設置する。36はX−Yステージ34
を駆動するための駆動部、38は駆動部36を制御する
コン1〜ローラである。 X−Vステージ34は磁気淫
」1方式によって支持されており、コントローラ38に
よってパルス制御される。
Yステージ34を設置する。36はX−Yステージ34
を駆動するための駆動部、38は駆動部36を制御する
コン1〜ローラである。 X−Vステージ34は磁気淫
」1方式によって支持されており、コントローラ38に
よってパルス制御される。
チャンバ30の排気系はロータリポンプ40、ターボ分
子ポンプ/12によってなされる。44はコンダクタン
スバルブ、46は開閉バルブ、48はリークバルブ30
である。
子ポンプ/12によってなされる。44はコンダクタン
スバルブ、46は開閉バルブ、48はリークバルブ30
である。
50は被加工体32を収容して真空にひくことによって
被加工体32の表面を清浄化するための予備真空槽、5
2は被加工体を搬送する搬送ユニットである。
被加工体32の表面を清浄化するための予備真空槽、5
2は被加工体を搬送する搬送ユニットである。
54はチャンバ330に成膜用のガスを供給するガスラ
インである。56はガスのフローメータ。
インである。56はガスのフローメータ。
58はガス流量を調節するためのマスフローコン1−〇
−ラである。
−ラである。
なお、実施例ではチャンバ30を機枠から浮かして支持
するとともに、制震機枯を設けてロータリポンプ40お
よびターボ分子ポンプ42等による振動の影響がチャン
バ30にできるだけ及ばないようにしている。
するとともに、制震機枯を設けてロータリポンプ40お
よびターボ分子ポンプ42等による振動の影響がチャン
バ30にできるだけ及ばないようにしている。
被加工体32を加工処理するためのレーザ光は前記光学
窓10からチャンバ30内に入射される。
窓10からチャンバ30内に入射される。
60はアニール処理で用いる連続発振のArレーザ、6
2はArレーザ60へのパワー供給部、64はレーザ光
を光学窓10に垂直に入射させて被加工体32に集光さ
せるための光学系、66はレーザ光強度をモニターする
パワーメータ、68は信号の処理系である。70はレー
ザ光強度をモニターするためにレーザ光の光路内におい
たハーフミラ−である。
2はArレーザ60へのパワー供給部、64はレーザ光
を光学窓10に垂直に入射させて被加工体32に集光さ
せるための光学系、66はレーザ光強度をモニターする
パワーメータ、68は信号の処理系である。70はレー
ザ光強度をモニターするためにレーザ光の光路内におい
たハーフミラ−である。
80は光学窓10の姿勢制御用に用いるH e −Ne
レーザである。1−Ie−Neレーザ80から放射され
たレーザ光はハーフミラ−プリズム12およびミラー1
4で反射されて光学窓10に投射される。
レーザである。1−Ie−Neレーザ80から放射され
たレーザ光はハーフミラ−プリズム12およびミラー1
4で反射されて光学窓10に投射される。
このレーザアニール装置でレーザアニールを行う場合は
、Arレーザ60からのレーザ光を光学窓10をとおし
て被加工体32に照射するとともに、X−Yステージ3
4を駆動して被加工体32上でレーザ光を走査させて行
う、膜形成と同時にレーザアニール処理を施す場合は、
ガスライン54から成膜用のガスをチャンバ30内に導
入して。
、Arレーザ60からのレーザ光を光学窓10をとおし
て被加工体32に照射するとともに、X−Yステージ3
4を駆動して被加工体32上でレーザ光を走査させて行
う、膜形成と同時にレーザアニール処理を施す場合は、
ガスライン54から成膜用のガスをチャンバ30内に導
入して。
CVD法等の適宜方法で膜形成するとともにレーザ光を
照射して成膜する。
照射して成膜する。
光学窓10の姿勢制御は前述した方法にしたがってHe
−N eレーザ光をモニターして行う、光学窓10を
姿勢を正確に制御することによって、きわめて高精度の
加工処理を施すことが可能となり、被加工体として大面
積のものを対象とするような場合でも8′f、1III
な加工が可能となる。とくに、本実施例の場合は上記の
ように被加工体32をX−Yステージ34上に載置して
被加工体32を移動させ、レーザ光は光学窓10にたい
して垂直に一定位置から入射させるから、レーザ光が光
学窓で屈折する影響を解消することができてさらに好適
である。なお、光学窓10を一定に姿勢制御することに
より、きわめて大形の被加工体にたいしてレーザ光をラ
イン状に照射してレーザアニールする場合にも被加工体
の全体にわたって一定の照射制度が得られ高精度の加工
処理が可能になるという特徴がある。
−N eレーザ光をモニターして行う、光学窓10を
姿勢を正確に制御することによって、きわめて高精度の
加工処理を施すことが可能となり、被加工体として大面
積のものを対象とするような場合でも8′f、1III
な加工が可能となる。とくに、本実施例の場合は上記の
ように被加工体32をX−Yステージ34上に載置して
被加工体32を移動させ、レーザ光は光学窓10にたい
して垂直に一定位置から入射させるから、レーザ光が光
学窓で屈折する影響を解消することができてさらに好適
である。なお、光学窓10を一定に姿勢制御することに
より、きわめて大形の被加工体にたいしてレーザ光をラ
イン状に照射してレーザアニールする場合にも被加工体
の全体にわたって一定の照射制度が得られ高精度の加工
処理が可能になるという特徴がある。
また1本実施例では被加工体32に付与するレーザ光の
熱エネルギーを一定にするためレーザ光強度をパワーメ
ータ66で2+を時監視し、レーザ光強度が低下した場
合にはX−Yステージ34の移動速度を遅くし、レーザ
光強度が高くなった場合にはX−Yステージ34の移動
速度を速くしてレーザ光強度の変動を補償して一定のレ
ーザアニールができるようにしている。
熱エネルギーを一定にするためレーザ光強度をパワーメ
ータ66で2+を時監視し、レーザ光強度が低下した場
合にはX−Yステージ34の移動速度を遅くし、レーザ
光強度が高くなった場合にはX−Yステージ34の移動
速度を速くしてレーザ光強度の変動を補償して一定のレ
ーザアニールができるようにしている。
なお、前述した光学窓の姿勢制御方法はレーザアニール
装置に限らず光学窓を有する各種の一般装置に適用でき
るものであって、光学窓に対する外部振動等による振動
の影響を排除する必要がある場合には、同様な方法によ
って光学窓の姿勢を制御することができる。
装置に限らず光学窓を有する各種の一般装置に適用でき
るものであって、光学窓に対する外部振動等による振動
の影響を排除する必要がある場合には、同様な方法によ
って光学窓の姿勢を制御することができる。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。
(発明の効果)
本発明に係る光学窓の姿勢制御方法によれば、外部振動
等の影響によって光学窓が正規の位置からずれた際、光
学窓を正規の位置に戻すように補償機能が作用して、常
に光学窓が一定位置に保持できる。これによって、被加
」1体にたいする光照射が正確になされ、より高精度の
加工処理等と行うことができる笠の著効を奏する。
等の影響によって光学窓が正規の位置からずれた際、光
学窓を正規の位置に戻すように補償機能が作用して、常
に光学窓が一定位置に保持できる。これによって、被加
」1体にたいする光照射が正確になされ、より高精度の
加工処理等と行うことができる笠の著効を奏する。
第1図は本発明に係る光学窓の姿勢制御方法を説明する
説明図、第2図はこの方法を適用した装置例を示すブロ
ック図である。 10・・・光学窓、 12・・・ハーフミラ−プリズ
ム、 14・・・ミラー、 16・・・受光位置検
出器、 20・・・可動支持体、 22・・・姿勢制御
用コイル、豐 24・・・マグネット. 30・・・チ
ャンバ、 32・・・被加工体、 34・・・x−Yス
テージ、 40・・・ロータリポンプ、 42・・・タ
ーボ分子ポンプ、50・・・予備真空槽、 52・・・
搬送ユニット、 54・・・ガスライン、 60
・・・Arレーザ、 62・・・パワー供給部、 64
・・・光学系、 66・・・パワーメータ、 80・・
・II e −N eレーザ。 特許、11願人 株式会社フォ1−二クス 代表者 柄 澤 憲 彦 株式会社イーアンドエス
説明図、第2図はこの方法を適用した装置例を示すブロ
ック図である。 10・・・光学窓、 12・・・ハーフミラ−プリズ
ム、 14・・・ミラー、 16・・・受光位置検
出器、 20・・・可動支持体、 22・・・姿勢制御
用コイル、豐 24・・・マグネット. 30・・・チ
ャンバ、 32・・・被加工体、 34・・・x−Yス
テージ、 40・・・ロータリポンプ、 42・・・タ
ーボ分子ポンプ、50・・・予備真空槽、 52・・・
搬送ユニット、 54・・・ガスライン、 60
・・・Arレーザ、 62・・・パワー供給部、 64
・・・光学系、 66・・・パワーメータ、 80・・
・II e −N eレーザ。 特許、11願人 株式会社フォ1−二クス 代表者 柄 澤 憲 彦 株式会社イーアンドエス
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザ光等の光を入射させる光学窓を、入射光が一
定の入射角で入射するように一定の姿勢で保持する光学
窓の姿勢制御方法において、 前記光学窓をベローズ等の可動支持体に支 持するとともに光学窓の外周側に姿勢制御用コイルおよ
び該姿勢制御用コイルに対面させてマグネットを設置し
、 前記光学窓に参照光としてレーザ光を投射 するとともに、該光学窓によるレーザ光の反射位置を受
光位置検出器によって常時検知し、該受光位置検出器に
よる検知結果にもとづ いて光学窓の正規位置からの姿勢のずれを検知し、 該検知結果にもとづいて前記姿勢制御用コ イルに対する通電を制御して光学窓を正規の位置に復帰
させ常時光学窓を姿勢制御することを特徴とする光学窓
の姿勢制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086265A JPH079882B2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 光学窓の姿勢制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086265A JPH079882B2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 光学窓の姿勢制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285326A true JPH03285326A (ja) | 1991-12-16 |
| JPH079882B2 JPH079882B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13881991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086265A Expired - Lifetime JPH079882B2 (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 光学窓の姿勢制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079882B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7881350B2 (en) | 2002-09-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device |
| CN107768283A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 机台及机台控制方法 |
| CN113787270A (zh) * | 2021-10-13 | 2021-12-14 | 深圳快造科技有限公司 | 一种激光器的姿态检测系统、开关控制方法及激光器模块 |
-
1990
- 1990-03-31 JP JP2086265A patent/JPH079882B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7881350B2 (en) | 2002-09-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device |
| CN107768283A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 机台及机台控制方法 |
| CN113787270A (zh) * | 2021-10-13 | 2021-12-14 | 深圳快造科技有限公司 | 一种激光器的姿态检测系统、开关控制方法及激光器模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079882B2 (ja) | 1995-02-01 |
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