JPH03285356A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH03285356A JPH03285356A JP2087955A JP8795590A JPH03285356A JP H03285356 A JPH03285356 A JP H03285356A JP 2087955 A JP2087955 A JP 2087955A JP 8795590 A JP8795590 A JP 8795590A JP H03285356 A JPH03285356 A JP H03285356A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関する。
従来の技術
近年、固体撮像装置はビデオカメラ等に広く実用化され
ている。その固体撮像装置の高画質化。
ている。その固体撮像装置の高画質化。
微細化が進み、垂直シフトレジスタの面積すなわちチャ
ンネル幅が縮小するに従い、ナローチャンネル効果等に
より転送電荷量が大幅に減少している。
ンネル幅が縮小するに従い、ナローチャンネル効果等に
より転送電荷量が大幅に減少している。
以下、その固体撮像装面およびその製造方法について第
３図を参照しながら説明する。
３図を参照しながら説明する。
一般に固体撮像装置は光電変換部（以下、フォトダイオ
ード部と記す）と垂直シフトレジスタ部（以下、垂直Ｃ
ＣＤ部と記す）から構成されている。同図（ａ）に示す
ように、ｎ型シリコン基板１１上にｐウェル１２を形成
した後、フォトダイオード部となるｎ−型領域１３を形
成する。つぎに同図（ｂ）に示すように、スミア対策と
してｐ＋型領域を１４２重ウェル）、垂直ＣＣＤ部とし
てｎ生型領域１５、読み出しポテンシャル制御としてｐ
＋＋域１６．チャンネルストッパーとしてｐ＋＋＋＋域
１７を作り、その後同図（（２）に示すようにゲート酸
化膜１８．ポリシリコンからなるゲート電極１９、層間
膜２０．アルミニウム膜２１の工程を通して装置は完成
する。なお、２２はフォトダイオード部、２３は垂Ｍｃ
ｃＤ部となる。
ード部と記す）と垂直シフトレジスタ部（以下、垂直Ｃ
ＣＤ部と記す）から構成されている。同図（ａ）に示す
ように、ｎ型シリコン基板１１上にｐウェル１２を形成
した後、フォトダイオード部となるｎ−型領域１３を形
成する。つぎに同図（ｂ）に示すように、スミア対策と
してｐ＋型領域を１４２重ウェル）、垂直ＣＣＤ部とし
てｎ生型領域１５、読み出しポテンシャル制御としてｐ
＋＋域１６．チャンネルストッパーとしてｐ＋＋＋＋域
１７を作り、その後同図（（２）に示すようにゲート酸
化膜１８．ポリシリコンからなるゲート電極１９、層間
膜２０．アルミニウム膜２１の工程を通して装置は完成
する。なお、２２はフォトダイオード部、２３は垂Ｍｃ
ｃＤ部となる。
発明が解決しようとする課題
このような従来の固体撮像装置およびその製造方法では
、垂直ＣＣＤ部下のｐ＋型領域を１４より、信号電荷を
転送するｎ＋型領域を１５空乏層の伸びを抑え、スミア
を低減しているが、ｐ＋型領域を１４前後の熱処理によ
り不純物が拡散して、不純物濃度が下がり、基板内部で
発生し、拡散によりｎ生型領域１５に集まる電荷に対し
てその効果が少なくなってしまう。また転送電荷量を増
加させるため、ｎ＋型領域を１５不純物濃度を高めると
、ｐ”Ｌ２［域１４中の空乏層が伸び、スミア特性が悪
化する傾向が非常に顕著になる。このように、スミアの
低減と垂直ＣＣＤのダイナミックレンジの拡大を同時に
行うことは困難であった。
、垂直ＣＣＤ部下のｐ＋型領域を１４より、信号電荷を
転送するｎ＋型領域を１５空乏層の伸びを抑え、スミア
を低減しているが、ｐ＋型領域を１４前後の熱処理によ
り不純物が拡散して、不純物濃度が下がり、基板内部で
発生し、拡散によりｎ生型領域１５に集まる電荷に対し
てその効果が少なくなってしまう。また転送電荷量を増
加させるため、ｎ＋型領域を１５不純物濃度を高めると
、ｐ”Ｌ２［域１４中の空乏層が伸び、スミア特性が悪
化する傾向が非常に顕著になる。このように、スミアの
低減と垂直ＣＣＤのダイナミックレンジの拡大を同時に
行うことは困難であった。
本発明は上記課題を解決するもので、スミアの低減と高
いダイナミックレンジをもつ固体撮像装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。
いダイナミックレンジをもつ固体撮像装置およびその製
造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、シリコン基板上に
形成された、複数の光電変換部とその光電変換部から発
生した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直シフト
レジスタ部とを有する固体撮像装置において、垂直シフ
トレジスタ部を、第１のスミア対策用ｐ＋型領域の中に
第２のスミア対策用の高濃度ｐ＋＋＋＋域を介して転送
用ｎ＋型領域を設けて構成したものである。
形成された、複数の光電変換部とその光電変換部から発
生した信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直シフト
レジスタ部とを有する固体撮像装置において、垂直シフ
トレジスタ部を、第１のスミア対策用ｐ＋型領域の中に
第２のスミア対策用の高濃度ｐ＋＋＋＋域を介して転送
用ｎ＋型領域を設けて構成したものである。
作用
本発明は上記した構成により、従来のｐ＋型領域をみの
スミア対策と比較して、より高濃度の不純物をもつｐ＋
＋＋＋域をｎ＋型領域を下に同時注入により形成するた
め、ｐ＋＋型領型中域中乏層が伸びず、基板中で発生し
た電荷が集まりにくくなり、スミア特性が大幅に向上す
る。またｎ＋型領域を拡散長が短（なるため、ゲート酸
化膜直下に形成され、ゲート電極に印加した電圧に対し
そのポテンシャルの変化量が増大する。すなわち、垂１
１ｉＩｃｃＤのダイナミックレンジが拡大することに対
応し、スミア特性およびダイナミックレンジにおいて良
好な特性をもつ固体撮像装置の実現が可能となる。
スミア対策と比較して、より高濃度の不純物をもつｐ＋
＋＋＋域をｎ＋型領域を下に同時注入により形成するた
め、ｐ＋＋型領型中域中乏層が伸びず、基板中で発生し
た電荷が集まりにくくなり、スミア特性が大幅に向上す
る。またｎ＋型領域を拡散長が短（なるため、ゲート酸
化膜直下に形成され、ゲート電極に印加した電圧に対し
そのポテンシャルの変化量が増大する。すなわち、垂１
１ｉＩｃｃＤのダイナミックレンジが拡大することに対
応し、スミア特性およびダイナミックレンジにおいて良
好な特性をもつ固体撮像装置の実現が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について第１図および第２図を
用い、第３図の従来例と同じ部分には同一番号を付して
説明を省略し、本発明の特徴となる部分について説明す
る。すなわち本発明は、第２図（ｂ）に示すように第１
のスミア対策としてｐ＋型領域を１４形成した後に、第
２図（（２）に示すように垂直ＣＣＤ部となるｎ生型領
域１５を例えば加速電圧１００ｋｅＶで、ひ素および燐
イオンの注入で形成する時、同時に例えば加速電圧１５
０ｋ ｅＶで、ボロンイオンを注入して、第２のスミア
対策用ｐ＋＋型領域１をその下部に占めるように形成−
する。その後は従来の第３図と同扛に、各部を形成し、
第１図に示すような固体撮像装置を完成する。
用い、第３図の従来例と同じ部分には同一番号を付して
説明を省略し、本発明の特徴となる部分について説明す
る。すなわち本発明は、第２図（ｂ）に示すように第１
のスミア対策としてｐ＋型領域を１４形成した後に、第
２図（（２）に示すように垂直ＣＣＤ部となるｎ生型領
域１５を例えば加速電圧１００ｋｅＶで、ひ素および燐
イオンの注入で形成する時、同時に例えば加速電圧１５
０ｋ ｅＶで、ボロンイオンを注入して、第２のスミア
対策用ｐ＋＋型領域１をその下部に占めるように形成−
する。その後は従来の第３図と同扛に、各部を形成し、
第１図に示すような固体撮像装置を完成する。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明は、垂直ＣＣＤ
部であるｎ＋型領域をイオン注入で形成するときに、同
時に高不純物濃度の第２のスミア対策用ｐ＋＋型領域を
注入によりその下部に作ることにより、スミアがなく、
かつ高いダイナミックレンジをもつ固体撮像装置および
その製造方法を提供できるものである。
部であるｎ＋型領域をイオン注入で形成するときに、同
時に高不純物濃度の第２のスミア対策用ｐ＋＋型領域を
注入によりその下部に作ることにより、スミアがなく、
かつ高いダイナミックレンジをもつ固体撮像装置および
その製造方法を提供できるものである。
第１図は本発明の一実施例の固体撮像装置の断面図、第
２図（ａ）〜（ｄ）は同固体撮像装置の製造方法を説明
するための工程断面図、第３図（ａ）〜（（２）は従来
の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図
である。 １・・・・・・第２のスミア対策用の高濃度ｐ４′十型
領域、１１・・・・・・ｎ型シリコン基板、１４・・・
・・・第１のスミア対策用ｐ十型領域、１５・・・・・
・転送用ｎ＋型領域を２２・・・・・・光電変換部、２
３・・・・・・垂直シフトレジスタ部。
２図（ａ）〜（ｄ）は同固体撮像装置の製造方法を説明
するための工程断面図、第３図（ａ）〜（（２）は従来
の固体撮像装置の製造方法を説明するための工程断面図
である。 １・・・・・・第２のスミア対策用の高濃度ｐ４′十型
領域、１１・・・・・・ｎ型シリコン基板、１４・・・
・・・第１のスミア対策用ｐ十型領域、１５・・・・・
・転送用ｎ＋型領域を２２・・・・・・光電変換部、２
３・・・・・・垂直シフトレジスタ部。
Claims (2)
- （１）シリコン基板上に形成された、複数の光電変換部
とその光電変換部から発生した信号電荷を垂直方向に転
送する複数の垂直シフトレジスタ部とを有する固体撮像
装置において、前記垂直シフトレジスタ部を、第１のス
ミア対策用ｐ＾＋型領域の中に第２のスミア対策用の高
濃度ｐ＾＋＾＋型領域を介して転送用ｎ＋型領域を設け
て構成した固体撮像装置。 - （２）シリコン基板上にｐ型ウェル領域を形成した後、
複数の光電変換部とその光電変換部から発生した信号電
荷を垂直方向に転送する複数の垂直シフトレジスタ部を
形成する固体撮像装置の製造方法において、前記ｐ型ウ
ェル領域を形成した後、そのｐ型ウェル領域より高濃度
の第１のスミア対策用ｐ＾＋型領域を形成し、その第１
のスミア対策用ｐ＾＋型領域内にｎ型不純物とｐ型不純
物を同時に注入し、第１のスミア対策用ｐ＾＋型領域よ
りも高濃度の第２のスミア対策用ｐ＾＋＾＋型領域を介
して転送用ｎ＾＋型領域を形成して前記垂直シフトレジ
スタ部とすることを特徴とする固体撮像装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087955A JPH03285356A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087955A JPH03285356A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285356A true JPH03285356A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13929297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087955A Pending JPH03285356A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285356A (ja) |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087955A patent/JPH03285356A/ja active Pending
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