JPH03285884A - 炭化硅素治具 - Google Patents
炭化硅素治具Info
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- JPH03285884A JPH03285884A JP2087976A JP8797690A JPH03285884A JP H03285884 A JPH03285884 A JP H03285884A JP 2087976 A JP2087976 A JP 2087976A JP 8797690 A JP8797690 A JP 8797690A JP H03285884 A JPH03285884 A JP H03285884A
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- JP
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- silicon carbide
- jig
- silicon
- silicon nitride
- nitride material
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Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体の加熱処理用の炭化硅素管及び炭化硅素
治具の表面保護材に関する。
治具の表面保護材に関する。
［従来の技術］
従来、１２００℃以上の半導体の加熱処理には炭化硅素
管や炭化硅素治具が熱変形を起さないと云う事にて、用
いられるのが通例であった。
管や炭化硅素治具が熱変形を起さないと云う事にて、用
いられるのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、炭化硅素管は炭化硅素
管の外部に設置されるムライト管やカンタル・ヒーター
からの重金属不純物の拡散や、炭化珪素管自体や炭化硅
素治具自体の含有せる重金属不純物の拡散により、加熱
処理する半導体としてのシリコン半導体等へのこれら重
金属不純物汚染が防止出来ないと云う課題があった。
管の外部に設置されるムライト管やカンタル・ヒーター
からの重金属不純物の拡散や、炭化珪素管自体や炭化硅
素治具自体の含有せる重金属不純物の拡散により、加熱
処理する半導体としてのシリコン半導体等へのこれら重
金属不純物汚染が防止出来ないと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決する為の炭化硅
素治具に新しい表面保護材を構成する事を目的とする。
素治具に新しい表面保護材を構成する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決する為に、本発明は炭化硅素治具に関し
、少（とも一部表面か、あるいは全表面を窒化硅素材で
被覆する手段をとる〇 ［実施例コ 以下、実施例により本発明を詳述する。
、少（とも一部表面か、あるいは全表面を窒化硅素材で
被覆する手段をとる〇 ［実施例コ 以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、長さ２ ｍ 、内径９インチ、肉厚５咽程度の炭
化硅素管の外部をカンタル・ヒーターで加熱しながら、
前記炭化硅素管のガス導入口からシラン争ガスとアンモ
ニア・ガスを導入する事により内壁に１ｍｍ厚程鹿の窒
化硅素材を熱化学反応により形成する事ができる。又、
前記炭化硅素管を反応管と見なし、該反応管内に炭化硅
素ボート等の炭化硅素治具を挿入すれば、これら炭化硅
素治具表面に窒化硅素材を被覆することもできる。尚、
窒化硅素材の形成方法は上記の如きＣｖＤ（化学蒸着）
法による他プラズマＯＶＤやスパッタ法等を用いる事も
できる。
化硅素管の外部をカンタル・ヒーターで加熱しながら、
前記炭化硅素管のガス導入口からシラン争ガスとアンモ
ニア・ガスを導入する事により内壁に１ｍｍ厚程鹿の窒
化硅素材を熱化学反応により形成する事ができる。又、
前記炭化硅素管を反応管と見なし、該反応管内に炭化硅
素ボート等の炭化硅素治具を挿入すれば、これら炭化硅
素治具表面に窒化硅素材を被覆することもできる。尚、
窒化硅素材の形成方法は上記の如きＣｖＤ（化学蒸着）
法による他プラズマＯＶＤやスパッタ法等を用いる事も
できる。
更に、窒化硅素材表面や窒化珪素材下面に酸化硅素材を
形成しても良い事は云うまでもない。
形成しても良い事は云うまでもない。
窒化硅素材は重金属不純物の反応炉内や治具からの拡散
を防止するすぐれた障壁効果を有して居り、本発明によ
る反応管と治具を用いてシリコン半導体ウェーハを１２
００℃以上で長時間熱処理しても、重金属汚染の指標で
あるライフ、タイムの劣化は来たさないと云う作用があ
る。
を防止するすぐれた障壁効果を有して居り、本発明によ
る反応管と治具を用いてシリコン半導体ウェーハを１２
００℃以上で長時間熱処理しても、重金属汚染の指標で
あるライフ、タイムの劣化は来たさないと云う作用があ
る。
「発明の効果コ
本発明により重金属汚染の無い半導体の高温熱処理が可
能となる効果がある。
能となる効果がある。
以上
Claims (1)
- 少なくとも内面を窒化硅素で被覆した管又は全表面を
窒化硅素で被覆した治具となす事を特徴とする炭化硅素
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087976A JPH03285884A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 炭化硅素治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2087976A JPH03285884A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 炭化硅素治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285884A true JPH03285884A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13929865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2087976A Pending JPH03285884A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 炭化硅素治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285884A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713245A3 (en) * | 1994-11-17 | 1996-09-04 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor wafer holding device for heat treatment and treatment method from one of its sides |
| JP2010225999A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Showa Denko Kk | 化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置、化合物半導体製造用治具 |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2087976A patent/JPH03285884A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713245A3 (en) * | 1994-11-17 | 1996-09-04 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor wafer holding device for heat treatment and treatment method from one of its sides |
| US5759426A (en) * | 1994-11-17 | 1998-06-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Heat treatment jig for semiconductor wafers and a method for treating a surface of the same |
| JP2010225999A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Showa Denko Kk | 化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置、化合物半導体製造用治具 |
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