JPH0474767A - 炭化硅素治具 - Google Patents
炭化硅素治具Info
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- JPH0474767A JPH0474767A JP2186514A JP18651490A JPH0474767A JP H0474767 A JPH0474767 A JP H0474767A JP 2186514 A JP2186514 A JP 2186514A JP 18651490 A JP18651490 A JP 18651490A JP H0474767 A JPH0474767 A JP H0474767A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は主としてシリコン半導体等の半導体の加熱処理
に用いる炭化硅素管等の炭化硅素治具に関す会。
に用いる炭化硅素管等の炭化硅素治具に関す会。
従来、シリコン半導体等の加熱は、１２００℃以下では
石英管等の石英治具が用いられ、１２００℃以上では、
炭化硅素管等の炭化硅素治具が用いられるのが通例であ
った。
石英管等の石英治具が用いられ、１２００℃以上では、
炭化硅素管等の炭化硅素治具が用いられるのが通例であ
った。
〔発明が解決しよ５とする課題〕
しかし、上記従来技術によると、１２００℃以下の加熱
には高純度石英管等を用いる事にて、加熱による半導体
への重金属汚染等を避ける事ができるが、１２００℃以
上では、石英治具は変形。
には高純度石英管等を用いる事にて、加熱による半導体
への重金属汚染等を避ける事ができるが、１２００℃以
上では、石英治具は変形。
失透等する為に用いる事ができず、代りに炭化硅素管等
を用いる訳であるが、炭化硅素は粉末焼成により成形さ
れる為に重金属等の不純物が多量に含まれており、加熱
時に半導体を汚染すると云う課題があり、又、炭化硅素
管等の表面に化学蒸着により高純度の炭化硅素膜を形成
したとしても、いずれ、該炭化硅素膜を不純物が透過し
て半導体を汚染してしまうと云う課題があった。
を用いる訳であるが、炭化硅素は粉末焼成により成形さ
れる為に重金属等の不純物が多量に含まれており、加熱
時に半導体を汚染すると云う課題があり、又、炭化硅素
管等の表面に化学蒸着により高純度の炭化硅素膜を形成
したとしても、いずれ、該炭化硅素膜を不純物が透過し
て半導体を汚染してしまうと云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、加熱処理時
に汚染を起こさない新らしい炭化硅素治具を提供する事
を目的とてる。
に汚染を起こさない新らしい炭化硅素治具を提供する事
を目的とてる。
上記課題を解決するために、本発明は炭化硅素治具に関
し、炭化硅累体の少くとも一部表面を含む表面に、酸窒
化硅素膜又は炭窒化硅素膜等の緩衝膜を形成し、該緩衝
膜上に、窒化硅素膜を形成す−る手段を取る。
し、炭化硅累体の少くとも一部表面を含む表面に、酸窒
化硅素膜又は炭窒化硅素膜等の緩衝膜を形成し、該緩衝
膜上に、窒化硅素膜を形成す−る手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、炭化硅素管を加熱しながら、前記炭化硅素管内に
シラン・ガスとアンモニア・ガスおよびプロパン・ガス
を導入する事により炭窒化硅素膜を数ミクロンの厚さで
内壁に形成し、次でプロパン・ガスの導入を止めて、シ
ラン・ガスとアンモニア・ガスを導入し、窒化硅素膜を
１０ミクロン厚さ程度以上形成することができる。この
場合、炭窒化硅素膜は緩衝膜としての作用があり、下地
炭化硅素体と上部の窒化硅素膜との熱膨張率の差等から
釆る内部応力の発生を防止し、クラクク等欠陥発生が窒
化硅素膜に起こることを防止することができる。更に上
部窒化硅素膜は炭化硅素体からの不純物の拡散に対し極
めて高い阻止効果があり、管内に設置された半導体への
不純物汚染を防止する作用がある。尚、炭化硅素管等の
炭化硅素治具には、本例の如（、少なくとも管内壁のみ
に形成する場合に限らず、管外壁等を含む全表面に緩衝
膜と窒化硅素膜を形成しても良い。
シラン・ガスとアンモニア・ガスおよびプロパン・ガス
を導入する事により炭窒化硅素膜を数ミクロンの厚さで
内壁に形成し、次でプロパン・ガスの導入を止めて、シ
ラン・ガスとアンモニア・ガスを導入し、窒化硅素膜を
１０ミクロン厚さ程度以上形成することができる。この
場合、炭窒化硅素膜は緩衝膜としての作用があり、下地
炭化硅素体と上部の窒化硅素膜との熱膨張率の差等から
釆る内部応力の発生を防止し、クラクク等欠陥発生が窒
化硅素膜に起こることを防止することができる。更に上
部窒化硅素膜は炭化硅素体からの不純物の拡散に対し極
めて高い阻止効果があり、管内に設置された半導体への
不純物汚染を防止する作用がある。尚、炭化硅素管等の
炭化硅素治具には、本例の如（、少なくとも管内壁のみ
に形成する場合に限らず、管外壁等を含む全表面に緩衝
膜と窒化硅素膜を形成しても良い。
更に、緩衝膜は炭窒化硅素膜に限らず敢窒化硅素膜であ
っても良く、単層膜に限らず多層膜であっても良い。
っても良く、単層膜に限らず多層膜であっても良い。
又、本例の如く、炭化硅素管に限らず、半導体ウェーハ
設置治具やボート等の治具類にも本発明が適用できる事
は云うまでもない。
設置治具やボート等の治具類にも本発明が適用できる事
は云うまでもない。
本発明により不純物汚染の無い炭化硅素治具を提供する
ことができる効果がある。
ことができる効果がある。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 炭化硅素体の少くとも一部表面を含む表面には酸窒化硅
素膜又は炭窒化硅素膜等の緩衝膜を形成し、該緩衝膜上
には窒化硅素膜を形成して成る事を特徴とする炭化硅素
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186514A JPH0474767A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 炭化硅素治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186514A JPH0474767A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 炭化硅素治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474767A true JPH0474767A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16189833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186514A Pending JPH0474767A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 炭化硅素治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474767A (ja) |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186514A patent/JPH0474767A/ja active Pending
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