JPH03286530A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
- Publication number
- JPH03286530A JPH03286530A JP8881290A JP8881290A JPH03286530A JP H03286530 A JPH03286530 A JP H03286530A JP 8881290 A JP8881290 A JP 8881290A JP 8881290 A JP8881290 A JP 8881290A JP H03286530 A JPH03286530 A JP H03286530A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cleaning
- point
- nozzle
- water
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- Pending
Links
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はウェハ洗浄装置に関する。
［従来の技術］
従来の技術としては第５図、第４図に示すように、重心
点○を回転中心とするウェハ１の上部に一点式の洗浄水
噴出ノ・ズル３を設け、ノズル３の洗浄水噴出角度を鉛
直方向に固定の状態でウェハ１の一端りから重心点Ｏを
経て他端Ｅまで円弧移動させるものであった。またノズ
ル３は移動速度が一定で、洗浄水２の噴出圧、噴出面積
もノズル６の位置に無関係に一定であった。
点○を回転中心とするウェハ１の上部に一点式の洗浄水
噴出ノ・ズル３を設け、ノズル３の洗浄水噴出角度を鉛
直方向に固定の状態でウェハ１の一端りから重心点Ｏを
経て他端Ｅまで円弧移動させるものであった。またノズ
ル３は移動速度が一定で、洗浄水２の噴出圧、噴出面積
もノズル６の位置に無関係に一定であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし前述の従来技術では使用する洗浄水の電気抵抗が
非常に高い場合が多く、ウニ・・表面では高水圧の洗浄
水２が外周部より中心部はど同−面瞳に長時間噴射され
ることから、ウェハ中心部はど帯電しやすく静電破壊が
多発するという課題を有していた。また静電破壊の対策
として洗浄水圧の低減が考えられるが、洗浄効果の面か
ら洗浄水量は確保しなげればたらない課題があった。
非常に高い場合が多く、ウニ・・表面では高水圧の洗浄
水２が外周部より中心部はど同−面瞳に長時間噴射され
ることから、ウェハ中心部はど帯電しやすく静電破壊が
多発するという課題を有していた。また静電破壊の対策
として洗浄水圧の低減が考えられるが、洗浄効果の面か
ら洗浄水量は確保しなげればたらない課題があった。
そこで本発明は従来のこの様な課題を解決するため、ウ
ェハ中心の洗浄効果を低減することなく静電破壊を防止
するウェハ洗浄装置を提供することを目的とする。
ェハ中心の洗浄効果を低減することなく静電破壊を防止
するウェハ洗浄装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため本発明のウニ・・洗浄装置は、
洗浄水噴出２ズルをウェー・表面上で往復運動させなが
ら洗浄水供給する枚葉式のウェハ洗浄装置において、前
記洗浄水噴出ノズルにノズル往復運動に連動する首振り
ｍ構を備えたことを特徴とする。
洗浄水噴出２ズルをウェー・表面上で往復運動させなが
ら洗浄水供給する枚葉式のウェハ洗浄装置において、前
記洗浄水噴出ノズルにノズル往復運動に連動する首振り
ｍ構を備えたことを特徴とする。
［作用］
本発明の上記構成によれば、洗浄水噴出角度がウェハ各
部で異たりウェハ表面の中心部受の洗浄水入射角度を小
さくすることができ、同量の洗浄水量のままウェハ表面
が受ける水圧は低減するので、ウェハ中心部での帯電が
低減し、静電破壊が防止される。
部で異たりウェハ表面の中心部受の洗浄水入射角度を小
さくすることができ、同量の洗浄水量のままウェハ表面
が受ける水圧は低減するので、ウェハ中心部での帯電が
低減し、静電破壊が防止される。
［実施料コ
第１図は本発明のウェハ洗浄装置の一実施列を示す側面
図である。ウェハ１は重心点○を回転中心とし、その上
部に洗浄水２をウェハ１の表面に噴出する一点式のノズ
ル３が、リンク運動するアーム４の先端に軸受５を介し
て配置される。またノズル５には軸受６を介して連接棒
７が取り付けられ、アーム４のリンク運動に連動して連
接棒７が矢印Ａ、Ｂ方向に往復動し、その結果アーム４
のリンク運動に連動してノズル５はアーム４の先端の軸
受５を支点に首振り動をし、洗浄水２の噴出角度はＺａ
からＺｂまで変化する。ノズル３５の洗浄水２の供給は
、ノズル５の首振り動による変位を吸収するチューブ８
から行なう。
図である。ウェハ１は重心点○を回転中心とし、その上
部に洗浄水２をウェハ１の表面に噴出する一点式のノズ
ル３が、リンク運動するアーム４の先端に軸受５を介し
て配置される。またノズル５には軸受６を介して連接棒
７が取り付けられ、アーム４のリンク運動に連動して連
接棒７が矢印Ａ、Ｂ方向に往復動し、その結果アーム４
のリンク運動に連動してノズル５はアーム４の先端の軸
受５を支点に首振り動をし、洗浄水２の噴出角度はＺａ
からＺｂまで変化する。ノズル３５の洗浄水２の供給は
、ノズル５の首振り動による変位を吸収するチューブ８
から行なう。
第２図は上述の実施例を示す平面図である。矢印Ｃ方向
に回転するウニ・・１上でアーム４は点Ｘを支点として
リンク運動し、先端のノズル５はＯ−Ｘ上の点Ｙからウ
ェハ外周上の点２まで矢印り、Ｅ方向に円弧移動する。
に回転するウニ・・１上でアーム４は点Ｘを支点として
リンク運動し、先端のノズル５はＯ−Ｘ上の点Ｙからウ
ェハ外周上の点２まで矢印り、Ｅ方向に円弧移動する。
距離Ｘ−Ｙは距離Ｘ−○より短く、ノズルろの洗浄水噴
出角度は点Ｙでは洗浄水がウェハ上の点０に達する角度
、点２では鉛直方向となるよう連続的に変化させる。９
はウェハ表面洗浄水噴射面である。ウニ・・中心部では
同水量の洗浄水を広い洗浄水噴射面で受けるため、表面
が受ける水圧が低減される。
出角度は点Ｙでは洗浄水がウェハ上の点０に達する角度
、点２では鉛直方向となるよう連続的に変化させる。９
はウェハ表面洗浄水噴射面である。ウニ・・中心部では
同水量の洗浄水を広い洗浄水噴射面で受けるため、表面
が受ける水圧が低減される。
上記構成では洗浄水噴出方向が鉛直方向に固定である場
合に比較して、ウェハ中心の表面が受ける水量は同量で
水圧が低減されるため帯電しにくい。またウェハ中心部
では洗浄水がウェハ外周方向にも速度を持つため洗浄効
果が増加する。
合に比較して、ウェハ中心の表面が受ける水量は同量で
水圧が低減されるため帯電しにくい。またウェハ中心部
では洗浄水がウェハ外周方向にも速度を持つため洗浄効
果が増加する。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、洗浄水量を同量とし
たままウニ・・表面の中心部が受ける洗浄水圧を低減で
きるため、洗浄効果を保ったままウェハ中心部で局所的
に発生する静電破壊を防止する効果がある。
たままウニ・・表面の中心部が受ける洗浄水圧を低減で
きるため、洗浄効果を保ったままウェハ中心部で局所的
に発生する静電破壊を防止する効果がある。
・・・・・・・・・洗浄水
・・・・−・・・・ノズル
・・・・・・・・・アーム
・・・・・・・・・軸 受
・・・・・・・−・軸 受
・・・・・・・・・連接棒
・・・・・・・・・チューブ
・・・・・・・・・ウェハ表面洗浄水噴射面取±
第１図は本発明の第一のウェハ洗浄装置の一実施例を示
す測面図、第２図は同平面図、第３図は従来の技術を示
す平面図、第４図は同側面図である。
す測面図、第２図は同平面図、第３図は従来の技術を示
す平面図、第４図は同側面図である。
Claims (1)
- （１）洗浄水噴出ノズルをウエハ表面上で往復運動させ
ながら洗浄水供給する枚葉式のウェハ洗浄装置において
、前記洗浄水噴出ノズルにノズル往復運動に連動する首
振り機構を備えたことを特徴とするウェハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8881290A JPH03286530A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8881290A JPH03286530A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286530A true JPH03286530A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13953312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8881290A Pending JPH03286530A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286530A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368054A (en) * | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5785068A (en) * | 1995-05-11 | 1998-07-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate spin cleaning apparatus |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| US6260562B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
| US6786224B2 (en) * | 1999-07-01 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Spin, rinse, and dry station with adjustable nozzle assembly for semiconductor wafer backside rinsing |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP8881290A patent/JPH03286530A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5368054A (en) * | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5785068A (en) * | 1995-05-11 | 1998-07-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate spin cleaning apparatus |
| US5904164A (en) * | 1997-05-23 | 1999-05-18 | Sez Semiconductor-Equipment Zubehor Fur Die Halbleiterfertigung Ag | Arrangement for treatment of wafer-shaped articles, particularly silicon wafers |
| US6260562B1 (en) * | 1997-10-20 | 2001-07-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6786224B2 (en) * | 1999-07-01 | 2004-09-07 | Lam Research Corporation | Spin, rinse, and dry station with adjustable nozzle assembly for semiconductor wafer backside rinsing |
| US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
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