JPH03286565A - 光センサ付ｉｃのボンデイングパツド - Google Patents
光センサ付ｉｃのボンデイングパツドInfo
- Publication number
- JPH03286565A JPH03286565A JP2088611A JP8861190A JPH03286565A JP H03286565 A JPH03286565 A JP H03286565A JP 2088611 A JP2088611 A JP 2088611A JP 8861190 A JP8861190 A JP 8861190A JP H03286565 A JPH03286565 A JP H03286565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- bonding pad
- light
- intercepting
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は受光素子を有する半導体チップ上に形成され
るボンディングパッドに関するものである○ 〔従来の技術〕 第３図は従来の半導体チップ上に形成されたボンディン
グパッドの構造を示す断面図である。図に訃いて、Ｃ１
）はＰ型拡散層で形成される基板層で。
るボンディングパッドに関するものである○ 〔従来の技術〕 第３図は従来の半導体チップ上に形成されたボンディン
グパッドの構造を示す断面図である。図に訃いて、Ｃ１
）はＰ型拡散層で形成される基板層で。
この基板層（１）上に素子領域として例えばＮ型拡散層
（２）音形成し、・この拡散層（２）間を分離層（３）
で素子間の分離を行なっている。そして、下敷絶縁層（
４）上にボンディングバンド（５）を形成し、さらに素
子領域である拡散層（２）間を配線用金属層（６）で接
続している。そして１例えばＳｉＮで形成された層間絶
縁層（７）を挾んで金属遮光膜（８）が形成された後、
保護膜ａＯで覆って構成されている。
（２）音形成し、・この拡散層（２）間を分離層（３）
で素子間の分離を行なっている。そして、下敷絶縁層（
４）上にボンディングバンド（５）を形成し、さらに素
子領域である拡散層（２）間を配線用金属層（６）で接
続している。そして１例えばＳｉＮで形成された層間絶
縁層（７）を挾んで金属遮光膜（８）が形成された後、
保護膜ａＯで覆って構成されている。
次に動作について説明する。半導体内部にはいたるとこ
ろにＰＮ接合が形成されているため、光が入射した場合
、光の吸収されたＮ型及びＰ型頭域で電子−ホール対が
発生する。このうちのいくつかの電子Ｃホール）ｒｉ、
空乏層内上ドリフトしてＮ型（Ｐ型）領域へ達し、すな
わちＮ型からＰ型頭域へ逆方向を流が発生することにな
る。
ろにＰＮ接合が形成されているため、光が入射した場合
、光の吸収されたＮ型及びＰ型頭域で電子−ホール対が
発生する。このうちのいくつかの電子Ｃホール）ｒｉ、
空乏層内上ドリフトしてＮ型（Ｐ型）領域へ達し、すな
わちＮ型からＰ型頭域へ逆方向を流が発生することにな
る。
従来の光センサ付ＩＣのボンディングパッドは以上の様
に構成されていたので、受光素子を有するため当然半導
体チップ上に光が入射するのに対し、受光素子領域外チ
ップ内部に光が侵入した場合、内部のＰＮ接合に訃いて
寄生電流が発生し、この電流が内部回路に流れ込むと、
誤動作を生じてし筐う。そのため、受光素子以外は金属
遮光膜に工ＩＩ光が行なわれているわけであるが、従来
の光センサ付ＩＣのボンディングパッドに訃いてｒｉ、
ボンディングパッド周辺にｒｉ遮光が及ばないため、こ
の領域から侵入した光にニジ誤動作してしまうという問
題点があった。
に構成されていたので、受光素子を有するため当然半導
体チップ上に光が入射するのに対し、受光素子領域外チ
ップ内部に光が侵入した場合、内部のＰＮ接合に訃いて
寄生電流が発生し、この電流が内部回路に流れ込むと、
誤動作を生じてし筐う。そのため、受光素子以外は金属
遮光膜に工ＩＩ光が行なわれているわけであるが、従来
の光センサ付ＩＣのボンディングパッドに訃いてｒｉ、
ボンディングパッド周辺にｒｉ遮光が及ばないため、こ
の領域から侵入した光にニジ誤動作してしまうという問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボンディングパッド周辺から光が侵入するこ
とを防止することにニジ、寄生電流の発生を無くし、内
部回路の誤動作を防ぐことのできる光センサ付ＩＣのボ
ンディングパッドを得ることを目的とする。
たもので、ボンディングパッド周辺から光が侵入するこ
とを防止することにニジ、寄生電流の発生を無くし、内
部回路の誤動作を防ぐことのできる光センサ付ＩＣのボ
ンディングパッドを得ることを目的とする。
この発明に係る光センサ付ＩＣのボンディングパッドは
、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを設け１．
金属遮光層とポンディングバンドを接続し、このポンデ
ィングバンドに接続した金属遮光層と、他の金属遮光層
との間隔は金属配線層上で、この金属配線層と金属Ｓ光
層とのオーバーラングを大きく取ることに工や、極力小
ざくする工う構成したものである。
、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを設け１．
金属遮光層とポンディングバンドを接続し、このポンデ
ィングバンドに接続した金属遮光層と、他の金属遮光層
との間隔は金属配線層上で、この金属配線層と金属Ｓ光
層とのオーバーラングを大きく取ることに工や、極力小
ざくする工う構成したものである。
この発明にかける光センサ付ＩＣのボンディングパッド
は、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを形成し
、金属遮光層と接続することに１勺ボンディングバンド
と金属遮光層との間隙から光が侵入するのを防き゛、か
つ金属遮光層と金属配線層のオーバラップを大きくとる
ことに工や、光の廻り込みを抑制することが可能となり
、光の侵入による寄生電流の発生を防止することができ
、その寄生電流による内部回路の誤動作を防止する。
は、ボンディングパッドの周囲にスルーホールを形成し
、金属遮光層と接続することに１勺ボンディングバンド
と金属遮光層との間隙から光が侵入するのを防き゛、か
つ金属遮光層と金属配線層のオーバラップを大きくとる
ことに工や、光の廻り込みを抑制することが可能となり
、光の侵入による寄生電流の発生を防止することができ
、その寄生電流による内部回路の誤動作を防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図にかいて、 （１）はＰ型拡散層で形成される基板層
、（２）ｒｉ基板層（１）の上に素子領域として形成さ
れる拡散層で、この素子領域を分離するためＰ型の拡散
層で分離層（３）ヲ形成している。そして下敷絶縁層（
４）上にボンディングパッド（５）ヲ構成し、ｉた、素
子領域である拡散層（２）間を配線用金属層（６）で接
続している。さらに例えばＳｉＮで層間絶縁層（７）を
形成した上に、金属遮光膜（８）を構成している。そし
て、この金属遮光膜（８） Ｆｉポンディングバンド（
５）の周囲に設けられたスルーホールｆ９） Ｋ工りボ
ンディングパッド（５）と接続されて構成され、かつ、
配線用金属層（６）上でオーバラップを大きく取り、素
子領域にｋける金属遮光膜（８）と分離されている。第
２図はボンディングパッド上面図であり、スルーホール
（９） ｒｉボンディングパソドの周囲’に囲む様に形
成されている。
図にかいて、 （１）はＰ型拡散層で形成される基板層
、（２）ｒｉ基板層（１）の上に素子領域として形成さ
れる拡散層で、この素子領域を分離するためＰ型の拡散
層で分離層（３）ヲ形成している。そして下敷絶縁層（
４）上にボンディングパッド（５）ヲ構成し、ｉた、素
子領域である拡散層（２）間を配線用金属層（６）で接
続している。さらに例えばＳｉＮで層間絶縁層（７）を
形成した上に、金属遮光膜（８）を構成している。そし
て、この金属遮光膜（８） Ｆｉポンディングバンド（
５）の周囲に設けられたスルーホールｆ９） Ｋ工りボ
ンディングパッド（５）と接続されて構成され、かつ、
配線用金属層（６）上でオーバラップを大きく取り、素
子領域にｋける金属遮光膜（８）と分離されている。第
２図はボンディングパッド上面図であり、スルーホール
（９） ｒｉボンディングパソドの周囲’に囲む様に形
成されている。
以上の様にこの発明に工れば、金Ｍ＆遮光膜とボンディ
ングパッドを、ボンディングパッドの周囲に設けたスル
ーホールにニジ接続することにより。
ングパッドを、ボンディングパッドの周囲に設けたスル
ーホールにニジ接続することにより。
金属遮光膜とポンディングバンドの間隙は金Ｒ遮光膜で
ふさがれることになυ、九の侵入径路がなくなるため、
光の廻り込みにニジ、内部のＰＮ接合で発生する寄生電
流が抑えられるため、内部回路にｐける誤動作の発生を
防止することかで＠２さらに、ボンディングパッドの周
囲にも素子領域を形成することが可能になるため、チン
ブサイズの縮小も期待できるという効果がある。
ふさがれることになυ、九の侵入径路がなくなるため、
光の廻り込みにニジ、内部のＰＮ接合で発生する寄生電
流が抑えられるため、内部回路にｐける誤動作の発生を
防止することかで＠２さらに、ボンディングパッドの周
囲にも素子領域を形成することが可能になるため、チン
ブサイズの縮小も期待できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による光センサ付ＩＣのポ
ンディングバンドを示す断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の光センサ付ＩＣのボンディングパッ
ドを示す断面図である。 図にかいて、（１）は基板層、＋２＋ ｉｄ拡散層、（
３）は分離層、（４）は下敷絶縁層、（５）はポンディ
ングバンド、（６）は配線用金属層、（７）は層間絶縁
層、（８）は金属遮光膜、（９）はスルーホールを示す
。 な訃、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ンディングバンドを示す断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の光センサ付ＩＣのボンディングパッ
ドを示す断面図である。 図にかいて、（１）は基板層、＋２＋ ｉｄ拡散層、（
３）は分離層、（４）は下敷絶縁層、（５）はポンディ
ングバンド、（６）は配線用金属層、（７）は層間絶縁
層、（８）は金属遮光膜、（９）はスルーホールを示す
。 な訃、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 受光素子に有する半導体チップ上に形成されたボンデ
ィングパッドにおいて、前記ボンディングパッドの周囲
にスルーホールを設け、金属遮光膜と接続したことを特
徴とする光センサ付ＩＣのボンディングパッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088611A JPH03286565A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 光センサ付ｉｃのボンデイングパツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2088611A JPH03286565A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 光センサ付ｉｃのボンデイングパツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286565A true JPH03286565A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13947611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2088611A Pending JPH03286565A (ja) | 1990-04-02 | 1990-04-02 | 光センサ付ｉｃのボンデイングパツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817280A3 (en) * | 1996-06-26 | 1998-12-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Optical sensor for reading a pattern |
-
1990
- 1990-04-02 JP JP2088611A patent/JPH03286565A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817280A3 (en) * | 1996-06-26 | 1998-12-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Optical sensor for reading a pattern |
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