JPH0328737U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0328737U JPH0328737U JP8949189U JP8949189U JPH0328737U JP H0328737 U JPH0328737 U JP H0328737U JP 8949189 U JP8949189 U JP 8949189U JP 8949189 U JP8949189 U JP 8949189U JP H0328737 U JPH0328737 U JP H0328737U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- length
- fusing part
- semiconductor device
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案一実施例を示すヒユーズ部の平
面図、第２図は本考案の他の実施例を示すヒユー
ズ部の平面図、第３図は本考案の原理を説明する
ための図、第４図は従来のヒユーズ部を示す平面
図、第５図はそのＡ−Ａ′断面図である。 １……溶断部（ヒユーズ部分）。
面図、第２図は本考案の他の実施例を示すヒユー
ズ部の平面図、第３図は本考案の原理を説明する
ための図、第４図は従来のヒユーズ部を示す平面
図、第５図はそのＡ−Ａ′断面図である。 １……溶断部（ヒユーズ部分）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) トリミング抵抗とヒユーズとを備えたトリ
ミング機能付の半導体装置において、 上記ヒユーズは、一定範囲内の長さで蛇行形状
に形成され、上記範囲は、上記ヒユーズの溶断に
要する電流値が最低となる長さ以上で、且つ、上
記ヒユーズの溶断箇所にばらつきが生じない長さ
以下であることを特徴とする半導体装置。 (2) ヒユーズ部分は、溶断部と非溶断部とから
なり、上記溶断部の幅よりも上記非溶断部の幅の
方が広くされたことを特徴とする実用新案登録請
求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989089491U JP2523856Y2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989089491U JP2523856Y2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328737U true JPH0328737U (ja) | 1991-03-22 |
| JP2523856Y2 JP2523856Y2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=31639067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989089491U Expired - Fee Related JP2523856Y2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523856Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093949A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-04-06 | Motorola Inc | 集積回路検査方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104252A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Polycrystal silicon-fuse-memory and its manufacture |
| JPS61147548A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1989089491U patent/JP2523856Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104252A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Polycrystal silicon-fuse-memory and its manufacture |
| JPS61147548A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093949A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-04-06 | Motorola Inc | 集積回路検査方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523856Y2 (ja) | 1997-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |