JPH0328849A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一般に輻射線に感応するポジ型フォトレジス
ト組或物に関するものであｂ、詳しくはアルカリ可溶性
樹脂及び八λ−ナフトキノンジアジド基を有する感光剤
を含有してなるポジ型フォトレジスト組成物の改良に関
するものである。

〔従来の技術〕

半導体集積回路の高集積度化は、一般に言われるように
３年間にＶ倍のスピードで進行し、例えばグイナミクク
・ランダム・アクセス・メモ！ｊ−ＣＤＲＡＭ）を例に
とれば、現在では、ｌＭピントの記憶容量を持つものの
本格生産が開始されている。それにともない集積回路の
生産に不可欠のフォトリソグラフィー技術に対する要求
も年々きびしくなってきている。例えば、／Ｍビッ｝Ｄ
ＲＡＭの生産には、ｌμｍレベルのリングラフイー技術
が必要とされ、更に高集積度化の進んだ’ＩＭ．／ＡＭ
ビットＤＲＡＭＫおいては、それぞれＯ．ｇμ．１，ｏ
．ｓμｍレベルのリソグラフィー技術が必要とされると
予想されている。

このフォトリングラフィー技術において、従来吏用され
てきたレジストはその大部分が、環化ボリイソプレンゴ
ムに架橋剤としてピスアジド化合物を添加して得られる
ネガ型レジストである。しかし、このタイプのレジスト
は現像時の膨潤によシ解像力に限度があシ、３μｍ以上
の解像力を得ることは難しい。

上記要求に応えることができるのはポジ型フォトレジス
トである。ポジ型フォトレジストはアルカリ可溶性樹脂
と感光性物質，一般には置挑されたナフトキノンジアジ
ド基を有する化合物とをともに含有するものである。ナ
フトキノンジアジドは紫外線照射時に下式のように紫外
線を吸収し、カルベンを経てケテンを生じ、系中に存在
する水分と反応してインデン力ルポン酸となシ、これが
現像液のアルカリ水溶液に溶解する。

Ｈ， ？のようにポジ型フォトレジストは、現像液としてアル
カリ水溶液を用いるのでネガ型レジストの場合と異なシ
レジストが膨潤せず、従って解像力を高めることが可能
なのである。

したがって、ポジ型フォトレジストは、ネガ型レジスト
と比較すれば一般に非膨潤、高解像力を特徴とするレジ
ストとして登場し、広く超ＬＳＩの製造に使用されてき
た。しかしながら近年にいたｂサブ■クロンレベル，％
ＫＯ．ｊμｍレベルの解像力が要求されてくると、従来
のポジ型フォトレジストでは対応が不町能なことが明ら
かとなってきた。すなわち、従来のポジ型フォトレジス
トにおいてはアルカリ可溶性のノボラック樹脂とｌ．コ
ーナフトキノンジアジドー！−スルホン酸エステルとを
その主たる成分とする組成物が大部分であったが、この
コ成分を主成分とするポジ型フォトレジストでは，ｏ．
ｇμ扉レベルの量産に対応できる程度であシ、ハーフミ
クロンリングラフィに対応できるものではなかった。

筐た、ハーフミクロンリソグラフィーに対応できるリソ
グラフィー技術としては、Ｘ線リングラフイー　エレク
トロンビームリソグラフィーが挙げられるが、前者はノ
・−ドウエア及びレジスト両面からの立ち後れが目立ち
、後者はスループソトの面で大量生産には対応できない
。

したがって、従来の露光技術を生かすことができ、可視
、近紫外領域の光を用いて露光でき、しかもハーフミク
ロンリソグラフィーに対応できる、すなわち解像力が０
．　６μ扉以上でパターンプロファイルの良好なレジス
トの開発が強く望まれていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決した可視
，近紫外領域の光を用いてハーフミクロンリソグラフィ
ーに対応できるレジスト組成物を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

このような課題を解決するために、本発明者等は鋭意検
討を重ねた結果，感光性を持たない特定の化合物をナフ
トキノンジアジドーノボラック系レジストに添加するこ
とによ９、ｏ．ｂμｍ以上の解像力を持ち、パターンプ
ロファイルも良好であシ、他の性能も従来のものと比較
して同等以上の性質を持っているポジ型フォトレジスト
組戒物が得られることを見い出し本発明に至った。

すなわち本発明の要旨は、アルカリ可溶性樹脂及び１、
ｕ−ナフトキノンジアジド基を有する感光剤を含有して
なるポジ型フォトレジストにおいて、添加剤として下記
一般式（Ｌ）で表される化合物を有することを特徴とす
るポジ型フォトレジスト組成物に存する。

０ （式中、Ａｒ’はベンゼン、ナフタレン、ペンゾフェノ
ン又はこれらのアルキル誘導体から環上十川 の５ぼの水素原子を除いたものを示し、Ａｒ”はＵ （式中、Ａｒ１はベンゼン、ナフタレン、ペンゾフェノ
ン又はこれらのアルキル誘導体から環上十＾ の汁価の水素原子を除いたものを示し、Ａｒ２はを示す
。Ｘは−ＮＲ−−０一又はーＳ一を示し、それぞれ同じ
でも異なっていてもよく、Ｒは水素原子又はアルキル基
を示す。ｍはｏ　−　ｒの整数を示し、ｎは／〜！の整
数を示し、／≦ｍ＋ｎ≦６である。） 以下、本発明を詳細に説明する。

本発明においては、下記一般式（１） ０ を示す。Ｘは−ＮＲ−−０一又はーＳ一を示し、それぞ
れ同じでも異なっていてもよく、Ｒは水素原子又はアル
キル基を示す。ｍはθ〜Ｓの整数を示し、ｎは７〜５の
整数を示し、／≦ｍ＋ｎ≦６である。）で表される化合
物を添加剤として加える。

該添加剤の添加量は、好ましくはフォ１・レジスト組成
物の全固形分の０．／〜コθ重量％、さらに好ましくは
Ｏ．Ｓ〜／Ｓ重量κである。添加量が０．／重量κより
少ないと解像カおよびパターンプロファイル向上の効果
が小さく、添加量が２ｏｚＢ％より多いとパターンプロ
ファイルの劣化を引き起こすことがあるため好ましくな
い。

該添加剤としては、（Ａ）フェノール類、ジヒ？ロキシ
ベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、チオフェノー
ル類、ベンゼンジチオール類，アニリン類，ベンゼンジ
アミン類、ア■ノフェノール類、アミノベンゼンチオー
ル類，ナフトル類４　ジヒドロキシナフタレン類、ナフ
タレンチオール類、ジアミノナフタレン類、アミノナフ
トール類、ヒドロキシベンゾフェノン類又はアミノベン
ゾフェノン類と、（Ｂ）スルホン酸類又はその誘導体と
を反応させて得られるエステル又はアミドが挙げられる
。

具体的には、例えばＣＡ）としてはフェノール、ｏ−　
クレゾール、ｍ−クレゾールｔ　ｐ−クレゾール．コー
エチル７エノール、３−エチルフェノール、ｑ一エチル
フェノール、ｏ　−　ｎ−プロビルフェノール．ｐ−ｎ
−７’口ビルフェノール、０　−　イングロビルフェノ
ール、ｐ−インプロビルフェノール，　ｐ　−　ｎ−７
’ｆルフェノール、〇一ｓｅｃ−プチルフェノール、ｐ
　−　ｓｅｃ−プチルフェノール、ｍ−ｔｅｒｔ−プチ
ルフェノール，ｒ）−ｔｅｒｔ−プチルフェノール，ｐ
−ｔｅｒｔプチルフェノール．ｐ−ｎ−アミルフェノー
ル、ｐ　−　ｔｅｒｔ−アミルフェノール、ｐ　ｌｌ−
ヘブチルフェノール＊ｐｔｅｒｔ−オクチルフェノール
、ｐ−ノニルフェノール，．２．Ｊ−シメチルフェノー
ル．コ．グージメチルフェノール．ム！ジメチルフェノ
ール、コ，６−ジメチルフェノール，　．７．４’−ジ
メチルフェノール，３，ｓ−ジメチルフェノール、グー
インブロビルーｒｎ　−　クレゾール．Ｓ−イングロビ
ル一〇−クレゾール、６−イソプロビルーｍ−クレゾー
ル，　　．２，Ａ−ジインプロビルフェノール，コ，ク
．６−トリーｓｅｃ−プチルフェノール，コ．４ｌ，Ｊ
　−　｝リーｔｅｒ　ｔ　−プチルフェノール；カテコ
ール，！，Ｊ−ジヒト゛ロキシベンゼン、ハイドロキノ
ンｒ　　”　　Ｃｃｒｔ一フ゛チルカテコール、Ｊ−メ
チルヵテコール、八４−ジヒドロキシ−グ−メチルベン
ゼン，／．Ｊ−ジヒドロキシ−４−メチルベンゼン、ｔ
，３　−　シヒドロキシ−３−メチルベンゼン、Ｊ．ｌ
Ｉ−シヒドヮキシ−７−メチルベンゼン、．ｙ．ｓ−シ
ヒドロキシー／−メチルベンゼン，コ，クージヒドロキ
シエチルベンゼン、クーｔｅｒｔ−オクチルレゾルシノ
ール；ビロガロール，ｌ．３．ｓ−｝リヒドロキシベン
ゼン．ｌ，コ．４ｌ−トリヒドロキシベンゼン，　　Ｆ
　−　ｔｅｒｔ　−　７’ｆ／Ｉ／　ヒｏ　ｊｊロール
：チオフェノール、０−｝ルエンチオール．ｍ−｝ルエ
ンチオール、ｐ一トルエンチオール、チオキシレノール
ｔｐｔｅｒｔ−フチルチオフェノール；トルエンーｊ４
−ジチオール，１、！−ベンゼンチオール；アニリン、
Ｎ−インプロビルアニリン、Ｏ−イソプロピルアニリン
．ｐ−イソブロビルアニリン＊Ｎ−ｎ一フチルアニリン
，ｐ−ｎ−７”チルアニリン、ｐ　−　ｓｅｃ　−　７
”チルアニリン％　ｐ−ｎ−へキシルアニリン、コ，３
−キシリジン、コ，ターキシリジン、４，Ｓ−キシリジ
ン、４．６−キシリシン，Ｊ，＋−キシリジン、３．３
−キシリジン、ｍ−キシリジン、ｐ−キシリジン、〇一
トルイジン、ｍ−｝ルイシン．ｐ−トルイジン；Ｏ−フ
エニレンジアミン、ｍ−７エニレンジアミン、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ク，！−ジアミノ一〇一キ？レン；０
−アミノフェノール、ｍ−アミンフェノール、ｐ−ア■
ノフェノール＋　ｍ　−　−１−　チルアミノフェノー
ル、グーアミノーｍ　−　クＬｙ　７”ル，６−アミノ
ーｍ−クレゾール，５−アミノー〇−クレゾール、４−
アミノーｐ−クレゾール、Ｊ一エチルアミノ−ｐ−クレ
ゾール．二一アミノークーｔｅｒｔ−プチルフェノール
；ｏ一アミノベンゼンチオール；α−ナ７｝−／Ｌ１、
β一ナフトール；／．Ｊ−ジヒドロキシナフタレン、／
ｌ４ｔ−ジヒドロキシナフタレン、／．タージヒドロキ
シナフタレン、ｌ，６−ジヒドロキシナフタレン、７．
７−ジヒドロキシナフタレン，！．，？−ジヒドロキシ
ナフタレン．２．７−ジヒドロキシナフタレン；Ｊ−ナ
フタレンチオール；ｌ，ｓ一ジアミノナフタレン，１、
ｇ−ジアミノナフタレン，　ｊ，Ｊ−ジアミノナフメレ
ン；３−アミノーｌ−ナフトール、！−アミノーコーナ
フトール、６−アミノーｌ一ナ７トール．ｇ−アミノー
コーナ７トール；コーヒドロキシベンゾフエノン、ｑ−
ヒドロキシベンゾフェノン，　　１．２’−ジヒド？キ
シペンゾフェノン，コ，クージヒドロキシベンゾフェノ
ン，４１４’−ジヒドロキシベンソフェノン，　　ｕ，
Ｊ，４’一トリヒドロキシベンゾフェノン、２，＋１，
ＩＩ’−｝リヒドロキシベンゾフエノン、Ｊ＋２’ｇク
，ク′−テトラヒドロキシベンゾフェノン，コ，３ク．
クーテトラヒドロキシベンゾフェノン，　　．２，Ｊク
，λ１、　ｙ／−ペンタヒドロキシベンゾフェノン；Ｊ
．３′−ジアミノベンゾフエノン，　　３，’ｌ−ジア
ミノベンゾフエノン，＋，ｌＩ’−ジア■ノベンゾフエ
ノンが挙げられ、（Ｂ）としては、ベンゼンスルホンＨ
，ｐ−｝ルエンスルホン酸ｉｏ　　｝ルエンスルホン酸
、エチルベンゼンスルホン酸、プロビルベンゼンスルホ
ン酸、メシチレンスルホン酸、ｌ−ナフタレンスルホン
酸、コーナフタレンスルホン酸あるいはこれらの誘導体
が挙げられる。

本発明においてアルカリ可溶性樹脂としては、通常ノボ
ランク樹脂、またはポリヒドロキシスチレンが用いられ
る。好ましくは、０−クレゾール、。−クレゾール．ｐ
−１レゾールの単独またはλ種以上をホルムアルデヒド
で縮合したノポラック樹脂、１たはｍ−クレゾール、ｐ
　−クレゾール、キシレノールの単独またはコ種以上を
ホルムアルデヒドで縮合したノボラソク樹脂が用いられ
る。さらに好１しくは５ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾー
ル，ｐ−クレゾールノ第／図に示した範囲にある混合物
、又はｍ−クレソ−Ａ１、　ｐ−クＬ／ソール、キシレ
ノールノ第４図に示した範囲にある混合物をホルムアル
デヒドで縮合したノボラック樹脂が用いられる。

ホルムアルデヒドの代わシにバラホルムアルデヒドを使
用してもよい。

縮合は通常しゅう酸、クエン酸等のカルポン酸、塩酸、
硫酸、燐酸等の鉱酸もしくはルイス酸を触媒として行な
われる。キシレノールとしては、λ，Ｓ−キシレノール
またはＪｊ−キシレノールが好適に用いられる。

アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量としてはポリスチ
レン換算値（　ＧＰＣ測定）で、／．０　０　０〜／！
；，０００，好ＩＬ＜は１、！００〜／θ，０　０　０
のものが好適に用いられる。

１た、本発明においてｌ′，二一ナフトキ／′ンジアジ
ド基を含む感光剤としては、例えば．２．　Ｊ．シート
リヒドロキシベンゾフェノンの八二一ナフトキノンジア
ジド−３”−スルホン酸エステルもし、〈は八＝一ナノ
トキノンジアジドーｙ−スルホン酸エステル，　．；ｌ
，　Ｊ．　！．〆−テトラヒドロキシベンゾノエノンの
１、．２−ナフトキノンジアジドータースルホン酸エス
テルもしくは／９コ〜ナフトキノンジアジドーｑ〜スル
ホン酸エステル，ｌたは．２．　Ｊ．　ｌＩ．．　！．
〆−ベンタヒド口キンベンゾノエノンの１、コーナフト
キノンジアジド−ｊ−スノレホン酸丁ステノレもしくは
／．一一ナフトキノンシアジ｝’−＆−スルホン酸エス
テル等が用いられる。平均エステル化率としては、好ま
しくは３０％以上のものが用いられる。

アルカリ可溶性樹脂と感光剤の混合割合は、通常、全固
形分中のナフトキノンジアジド基の割合で表す。その指
標として固形分／ｙ中のナフトキノンジアジド基のミリ
グラム等量数金もつて表しΩ率と称することにする。本
発明の場合、Ｑ率としては好ましくは０．．２〜／．０
、さらに好ましくは０，３〜０．？のものが用いられる
。

通常は、己れらを適当な溶媒に溶解して用いる。溶媒と
しては、該感光剤、該樹脂、該スルホン酸エステルｌた
はスルホン酸アミドに対シて十分な溶解度を持ち良好な
塗膜性を与える酌媒であれば特に制限はないが、メチノ
レセロンノレブ、エチルセロノルブ、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブ系溶媒、ブチルアセテート、アミルアセテート等のエ
ステル系の溶媒，ジメチルフォルムアミド、ジメチルア
セトアミド，Ｎ−　メチノ１ノビロリドン等の高極性溶
媒、あるい（ｄこれらの混合溶媒、あるいはさらに芳香
族炭化水Ａｋ’ｌｌ’ａ加したものなどが挙げられる。

本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現像液には、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケ
イ酸ナトリウム，メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水
などの無機アノレカ？類、エチルアミン，　１１−プロ
ビルアミン−１．トの第／級アミン類、ジエチルアミン
，ジーｎ　−プロビルアミンなどの第２級アミン類、ト
リエチルアミン，　Ｎ．Ｎ−ジエチルメチルア■ンなど
の第Ｊ級アミン類、テトラメチルアンモニウムハイド口
オキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハ
イドロオキシドなどの第ク級アンモニウム塩、もしくは
これにアルコール、界面活性剤等を添加したものヲ使用
することができる。

本発明のポジ型フォトレジスト組或物は超１，ＳＩの製
造のみならず一般のＩＣ製造用、さらにはマスク製造用
、あるいはオフセノト印刷用としても有用である。

〔実施例〕

次に、実施例金挙げて本発明金更に詳し〈説明するが、
本発明はその要旨金越えない限り実施例により何等制ｉ
恨されるものではない。

合成例／（トリ（ハラトルエンスルホニノレ）ベンゼン
の合成ラ ビロガロール＋２．３２？（：１０ミリモルノとパラト
ルエンスルホニルクロライド／　／．＆　Ｊ？（４０ミ
リモル〕とｉ１、４’−ジオキサンＩＯθｍｌＫ溶解さ
せた。この溶液にトリエチルアミン７．１，Ｉｆ（７６
ミリモル）を室温で滴下し、滴下終了後ｇ時間、室幌で
反応させた。反応終了後、この反応溶液金吸引戸過して
析出した塩金ｒ別した。このＰ液ｆ７００ｍｌの水に滴
下し反応生成物を晶析させ，析出した固体金ｉ４別、水
洗後乾燥して７ノ．０？のトリ（バラトルエンスルホニ
ルノベンゼン金得た。

合成例２　（ノボラック樹脂の合成） ｍ−クレゾール／グコはｙ＜ｉ．３コモルノ、ｐ−クレ
ゾール／９０．０９（／．７４モル）、コ，！−キシレ
ノール／＆／．Ｏｒ（八コタモルノの混合物を攪拌下９
７℃に加熱した。これに３７ｍｍ％ホルマリン水溶液！
　７１３？　（ホルムアルデヒドとしてＪ．ＱＯモルノ
にしゆう酸／　０．Ｏ　ｆｆ　（　０．０７９モル）を
溶かした溶液を滴下し、滴下終了後９／−９４ｔ℃でＳ
時間反応させた。反応終了後、減圧下、バス湛を徐々に
上げながら水及び未反応七ノマーを留去した（最終液温
／ク６℃、，ｌＯｍｔｐｒＨｇ）。生成物を放冷し、Ｆ
／＋ｆのノボラック樹脂を得た。このノポラノク樹脂’
ｉＧＰｃによシ分析したところ重量平均分子量（Ｍｗ）
は１，７００であった。

合成例３　（感光剤の合成） ２＋Ｊ，４Ｉ，４１’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン／　７．２　？　（クＯミリモルノ、八コーナフトキ
ノンジアジド−５−スルフォニルクロライドＳＡ．＋ｔ
２（コ／０ミリモル）を八グージオキサンｌデθｍｌ，
Ｎ−メチルピロリドンｓｙｍｌの混合溶媒に溶解した。

これにトリエチルアミンコ八コ２（コ／０ミリモルノを
攪拌しなからＯ．Ｓ時間かけて滴下し、さらにｕ．ｊ時
間攪拌した。反応液ｉ　／．２　ｌの水にあけ、生成し
たエステル化物をＰ別し、水洗後乾燥して，Ａ７．’ｌ
ｔのエステル化物を得た。得られたものは平均して３個
の水酸基がエステル化されていた。

実施例／ 合成例ｌで合成したトリ（バラトルエンスルホニル）ベ
ンゼンθ．２θｌＩｇ、合成例．２で合或したノボラッ
ク樹脂ｙ，ｏ　ｏ　ｔｉ及び合成例３で合成した感光剤
八θ０１をエチルセロンルプアセテートｌ２．θ９に溶
解してテフロン製済紙（Ｏ．Ｘμｍ）を用いて精密済過
し、フォトレジスト組成物を調製した。このフォトレジ
スト組成物を直径Ｓインチのシリコンウエハー上に、ス
ピンコーティング装置（大日本スクリーン製造■製）を
用いて八２二μｍの厚さに塗布し、ホットプレート上で
９ｋ℃，／分間プリペークした後、縮小投影露光装置（
ＧＣＡ社製；ＤＳＷ，ＮＡ＝θ．３ｇ）を用いて露光し
、２３１１重量多テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キシド水溶液で２３℃、！θ秒現像した。得られたレジ
ストパターンを走査型電子顕微鏡（明石製作所■製）で
観察し、シャープに解像している最小のライン・アンド
・スペースのパターン寸法をもって解像力と定義した。

結果を第／表及び第３図に示す。

実施例コ 合成例ｌで合成したトリ（パラトルエンスルホニル）ベ
ンゼン、合戒例λで合成したノボラック樹脂釦よび合成
例３で合成した感光剤の混合割合を第／表に示したよう
に変更したこと以外は実施例／と同様にしてフォトレジ
スト組成物を調製し、評価を行った。結果を第ｌ表及び
第３図に示す。

比較例／ 合成例２で合成したノボラック樹脂および合成例３で合
或した感光剤を用いて（混合比は第７表参照）実施例ｌ
と同様にしてフォトレジスト組成物を調製し、評価を行
った。結果を第／表及び第３図に示す。

スルホン酸エステルを添加しなおった場合は、パターン
プロファイルが悪く、解像力も低かった。それに対して
、合成例／で合成したスルホン酸エステルを添加した場
合はパターンプロファイル、解像力ともに良好で最近の
超ＬＳＩの量産工程で使用されているＮＡ値がθ．ｌＩ
以上の露光装置を使用すればノ・−フミクロンリングラ
フィーに十分対応できるものであった。

第／表 注１）解像力はシャープなパターン形状を持って解像で
きる最小パターン寸法をもって定義した。

ゲ 〔発明の効果〕 本発明の組成物によれば解像力に優れ、感度、残膜率、
耐熱性等の諸特性に勝れたフォトレジストが得られ、超
ＬＳＩ等の開発に大変好適に用い得る。

【図面の簡単な説明】

第／図および第コ図は、本発明で使用するノボラック樹
脂の好１しい成分範囲を示した三角座標である。 第３図は，本発明の実施例１、２及び比較例／で得られ
たＯ−６μｍライン●アンド●スペースのパターンプロ
ファイルを示した断面図である。 第３図にかいて、（ａ）は実施例ｔ　，　（ｂ）は実施
例コ，（Ｃ）は比較例／で得られたパターンプロファイ
ルを示す。 出　願　人　三菱化成株式会社 代　理　人　　弁理士　長谷川　　＝ （ほかｌ名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性樹脂及び１、２−ナフトキノンジ
   アジド基を有する感光剤を含有してなるポジ型フォトレ
   ジストにおいて、添加剤として下記一般式（ I ）で表
   される化合物を含有することを特徴とするポジ型フォト
   レジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・（ I ） （式中、Ａｒ＾１はベンゼン、ナフタレン、ベンゾフェ
   ノン又はこれらのアルキル誘導体から環上のｍ＋ｎ個の
   水素原子を除いたものを示し、Ａｒ＾２は▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼又はこれらのアルキル誘導体を示す。Ｘは−ＮＲ−
   、−Ｏ−又は−Ｓ−を示し、それぞれ同じでも異なつて いてもよく、Ｒは水素原子又はアルキル基を示す。ｍは
   ０〜５の整数を示し、ｎは１〜５の整数を示し、１≦ｍ
   ＋ｎ≦６である。）