JPH03290392A - 単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造装置

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JPH03290392A
JPH03290392A JP8869190A JP8869190A JPH03290392A JP H03290392 A JPH03290392 A JP H03290392A JP 8869190 A JP8869190 A JP 8869190A JP 8869190 A JP8869190 A JP 8869190A JP H03290392 A JPH03290392 A JP H03290392A
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JP
Japan
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raw material
single crystal
crucible
gutter
storage cylinder
Prior art date
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Pending
Application number
JP8869190A
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English (en)
Inventor
Yoshio Mori
毛利 吉男
Kenji Araki
健治 荒木
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、塊状原料を供給しながら単結晶を育成する
シリコン単結晶の製造装置に関するものである。
[従来の技術] 原料を坩堝内に連続的に供給しながら、単結晶の連続育
成を行うシリコン単結晶の製造方法(以下、cc−cz
法と略す、 Continuous ChargeCz
ocbralski )の開発が盛んに行われている。
−例として、特公昭61−17537がある。
しかし、いずれもシリコン原料の供給量を高精度に制御
する必要があること、および貯蔵容器からの原料の切り
出しが容易であることから、原料シリコンの形状は粒状
のものに限定されている。この粒状原料の形状は球形で
、直径は0.2乃至5ミリメートルである。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記の粒状シリコン原料は、広くは使わ
れていない、cc−cz法が広く普及するには、−数的
に使われている原料を使用できるような結晶育成技術で
なければならない、汎用的に使用されている原料は、氷
あるいは硝子を破砕したような不定形な塊である。また
、その寸法も10乃至50ミリメートルと大きく、かつ
、ばらつきがある、このような塊状原料は、貯蔵容器か
らの切り出しおよび坩堝内への供給量制御がきわめて困
麹である。従って、塊状原料を用いたCC−C2法はま
だ実用化されていない。
上記の塊状原料供給装置が満たさなければならない要件
は、下記の通りである。
■多量の原料(50〜200kgf)を貯蔵する貯蔵部
より、安定して原料を切り出せること。
■微量供給< 30〜100 g/win )ができ、
かつ、供給量が高精度(目標値±10%)に制御できる
こと。
■原料の汚染のないこと、このためには、シリコン、石
英またはテフロンで装置を製作できる程度に、簡単な構
造であることが望ましい。
本願の分野以外の分野では、きわめて多種の塊状物体の
搬送方法が実用化されているが、これらの中には上記の
要件を満たすようなものはない。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、本発明の
目的は、塊状原料を連続的に、かつ、供給量を高精度に
制御して、供給できる原料供給装置を備えた、単結晶製
造装置を提供することである。
[課題を解決するための手段〕 本発明による単結晶製造装置は、結晶原料の融液を収容
し、鉛直軸の回りに回転する坩堝と、該坩堝の周囲に設
けられ、該坩堝を加熱する電気抵抗式の加熱手段と、該
融液から単結晶を引き上げる引き上げ装置と、該融液の
貫通孔を有し、該坩堝内に設けられ外側の原料溶解部と
内側の結晶育成部に区分する仕切りと、該原料溶解部に
結晶原料を供給する原料供給装置とを有し、塊状原料を
供給しながら単結晶を育成するシリコン単結晶の製造装
置において、 該塊状原料を保持し、中心軸がほぼ水平で、該中心軸の
回りに回転可能に設けられた貯蔵筒と、塊状原料の出口
となる端部が入口となる端部より高さが低くなるように
傾斜され、微小振動可能に、貯蔵筒の下流側に設けられ
た計量樋と、該計量樋を通過する塊状原料の重量を計測
するため該計量樋に取り付けた荷重計とを有する原料供
給装置を設けたことを特徴とする。
[作用] 中心軸がほぼ水平な貯蔵筒内に保持された塊状原料は、
該貯蔵筒の中心軸回りの回転運動によって、該貯蔵筒の
一方の開口した端部より排出される。この切り出し方法
は、原料がきわめて異形で、大きく、かつ、寸法のばら
つきが大きいにもかかわらず、原料を無理なく切り出せ
る。さらに、構造も簡単である。切り出し量の調節は、
貯蔵筒の回転数を調節することにより行われる。または
、貯蔵筒の中心軸の傾斜角度を調節する方法でもよい、
あるいは、それらを組み合わせた方法でもよい、貯蔵筒
より切り出された原料は計量樋内に送り込まれる。
該計量樋は、前記貯蔵筒から排出された塊状原料の入口
となる端部が他方の出口となる端部より高さが高くなる
ように傾斜して設けられている。
従って、前記貯蔵筒から排出された塊状原料は、前記計
量樋の微小振動によって、計量樋内を滑りながら入口側
端部より出口側端部に向かって移動する。移動にともな
い、原料は一列に配列する。
そして、最終的には出口側端部より一個づつ排出される
。排出量の調節は、計量樋の振動強度(振幅、S動数)
を調節することにより行われる。あるいは、計量樋の長
手方向に並行な軸の傾斜角度を調節する方法、または、
それらを組み合わせた方法でもよい、計量樋の形状とし
ては、舟底形状が望ましい、この理由は、塊状原料が移
動にともない、−列に並びやすいからである。
前記計量樋には荷重計が取り付けられており、計量樋よ
り排出された塊状原料の重量が計量される。計量方法と
しては、前記荷重計にかける前記計量樋荷重のかけかた
によって、以下の2通りが考えられる。
■前記計量樋の原料入口に近いところを軸支し、出口に
い近ところで荷重計に前記計量樋の荷重をかける方法。
■前記計量樋の全荷重を荷重計にかける方法、が考えら
れる。前記■、■の方法に対応した荷重計の作用は次の
通りである。
01個の塊状原料が排出された瞬間、排出端近傍に配置
されている荷重計の指示が急激に低下する6個々の原料
塊が排出されるたびに、荷重計の指示の急激な低下がお
こる。この指示の低下量の所定時間内の累計が排出lに
相当する。
■原料塊を計量樋に間欠的に装入する1個々の原料塊が
排出されるたびに、計量樋全体を支持している荷重計の
指示が低下する。原料塊の装入が停止している間の荷重
計の指示の低下量の所定時間内の累計が排出量に相当す
る。
シリコン塊状原料の坩堝内への供給量の調節は、前記荷
重針の計測重量に基づき計量樋の振動強度または長手方
向に並行な軸の傾斜角度を制御することにより行われる
この計量方法は、原料がきわめて異形で、かつ、寸法の
ばらつきも大きいにもかかわらず、原料を無理なく移送
でき、従って、供給量を高精度に計測、制御できる。さ
らに、構造も簡単である。
以上のような原料供給装置は構造が簡単であるので、不
純物の混入を低減させるため、シリコン原料と接触する
部材をテフロン、石英またはシリコンで製作することが
できる。
[実施例] 本発明の実施例を添付の図面を参照しながら詳細に説明
する。第1図は本実施例の単結晶製造装置の縦断面図で
ある。
1は中心部に坩堝2が設けられたチャンバで、1aはそ
の蓋である。チャンバ1の中に、黒鉛坩堝3を回転およ
び上下動可能に支持する支持軸4、加熱手段としてヒー
タ8とその周りに設けられた断熱材9が配置されている
。前記坩堝2は石英製で、黒鉛坩堝3内にセットされて
いる。6は坩堝2内のシリコン融液5を外側の原料溶解
部と内側の結晶育成部に区分する仕切りである。仕切り
6には貫通孔7が設けられている。12は種結晶11に
より成長し、シリコン融液5から引き上げられた柱状の
シリコン単結晶である。
40は引き上げ装置で、引き上げチャンバ1b、シード
チャックを介して種結晶11が取り付けられたワイヤ1
0、前記ワイヤが巻回されたワイヤ巻取装置13および
ゲートバルブ14で構成されている。
20は原料供給装置である。チャンバ1の上部にチャン
バ1内と連通する箱体21が設けられている。この箱体
21の上部にはシリコン塊状原料30を補充する際の開
閉用1231が設けられており、シール用の○リング3
2を介して箱体21にボルト締めされている。22は箱
体21の内部に設けられ、図示しない駆動@横により中
心軸周りの回転運動が可能であるとともに、傾簡軸23
を中心として中心軸の傾斜角度を調節可能とした貯蔵筒
である。24はシリコン塊状原料30の入口側端部が、
出口側端部より高さが高くなるように傾斜して設けられ
、図示しない駆動機構により微小振動運動を可能とした
計量樋である。
貯蔵筒22の出口部分と計量樋24の入口側端部の間に
は貯蔵筒22より排出されたシリコン塊状原料30を計
量@24に導くシュート25が設けられている。計量樋
24にはシリコン塊状原料30の重量を計測する荷重計
26が取り付けられている。計量樋24よりシリコン塊
状原料30が排出された瞬間に、排出されたシリコン塊
状原料30の重量分だけ計測値が低下するので、前記荷
型針26により所定時間内におけるこの低下量の累計侭
を演算して、シリコン塊状原料30の坩堝2への供給量
を計量することができる。27は計重機出口の下方に設
けられた第1の案内管である。28はゲートバルブ29
を介し原料溶解部のシリコン融液に原料を供給する第2
の案内管である。
次に、上記のように構成された本実施例の作用を説明す
る。シリコン単結晶12の育成中は、原料供給装置20
により仕切り6で区分された外側の原料溶解部のシリコ
ン融液5に、第2の案内管28を通してシリコン塊状原
料30が投入される。そのlは単結晶の育成量と同等で
ある。
貯蔵筒22内に装入されたシリコン塊状原料30は、該
貯蔵筒22の回転運動によって貯蔵何22の開口部より
排出される。ついでシュート25を経て計重機24に供
給される。計重機24の入口側端部は出口側端部より高
さが高くなるように設けられているので、計重機24の
入口側端部に供給されたシリコン塊状原料30は、計重
機24の微小振動運動によって計量樋内を高さの低い出
口側端部に向かって軸方向に移動する。
計重機24の出口側端部から排出されたシリコン塊状原
料30は、第1の案内管27および第2の案内管28を
経て、坩堝2の原料溶解部のシリコン融液5に投入され
る。シリコン塊状原料30のシリコン融液面への投入量
は、計重機24内のシリコン塊状原料30が該計量機内
を軸方向に移動する速度によって決まる。また、原料の
該計量樋内移動速度は計重機の振動強度(振幅、振動数
)によって調整することができる。従って、計重機24
に取り付けた荷重計26の計測値を監視しながら、計量
ai24の振動強度を調節することにより投入量が調節
される。
貯蔵筒22内にシリコン塊状WF130を補充する際は
、ゲートバルブ29を閉じ、傾筒軸23を中心として貯
蔵筒22の中心軸が垂直になるように貯蔵筒を回転する
。ついで、箱体21上部の開閉用!31を開けてシリコ
ン塊状原料30を補充する。
また、本発明に係る、原料供給装置20において、シリ
コン塊状原料30が接触する貯蔵筒22、計重機24、
シュート25、第1の案内管27、第2の案内管28等
を、テフロン、石英またはシリコンで構成すれば、不純
物が混入することを防止することができる。
[発明の効果] 本発明の単結晶製造装置によれば、原料の貯蔵筒、前記
貯蔵筒から原料を受けて坩堝に供給する計重機および計
量樋内の原料の坩堝への供給量を計量する荷重計が設け
られであるので、単結晶の育成に一般に広く使用されて
いるシリコン塊状原料を坩堝内に連続的に供給しながら
シリコン単結晶を育成することが可能となる。
き上げチャンバ、2・・・坩堝、3・・黒鉛坩堝、4・
・・支持軸、5・・・シリコン融液、6・・仕切り、7
・・貫通孔、8・・・ヒータ、9・・・断熱材、10・
・弓き上げワイヤ、11・・種結晶、12・シリコン単
結晶、13・・・ワイヤ巻取装置、14.29・・ゲト
バルブ、20・・・原料供給装置、21 ・箱体、22
・・貯蔵筒、23・・・傾筒軸、24 ・計重機、25
・・・シュート、26・・・荷重計、27・・第1の案
内管、28・第2の案内管、3o・・・シリコン塊状原
料、31・・・開閉用蓋、32・・○リング、40・引
き上げ装置。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)結晶原料の融液を保持し、鉛直軸の回りに回転す
    る坩堝と、該坩堝の周囲に設けられ、該坩堝を加熱する
    電気抵抗式の加熱手段と、該融液から単結晶を引き上げ
    る引き上げ装置と、該融液の貫通孔を有し、該坩堝内に
    設けられ外側の原料溶解部と内側の結晶育成部に区分す
    る仕切りと、該原料溶解部に結晶原料を供給する原料供
    給装置とを有し、塊状原料を供給しながら単結晶を育成
    するシリコン単結晶の製造装置において、 該塊状原料を保持し、中心軸がほぼ水平で、該中心軸の
    回りに回転可能に設けられた貯蔵筒と、塊状原料の出口
    となる端部が入口となる端部より高さが低くなるように
    傾斜され、微小振動可能に、貯蔵筒の下流側に設けられ
    た計量樋と、該計量樋を通過する塊状原料の重量を計測
    するため該計量樋に取り付けた荷重計と、を有する原料
    供給装置を設けたことを特徴とする単結晶製造装置。
  2. (2)前記貯蔵筒の形状が円筒形であり、かつ前記計量
    樋の形状が舟底形であることを特徴とする特許請求範囲
    第1項に示す単結晶製造装置。
  3. (3)前記貯蔵筒と前記計量樋の材質をテフロン、石英
    またはシリコンで構成したことを特徴とする特許請求範
    囲第1項および第2項に示す単結晶製造装置。
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