JPH03290929A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH03290929A JPH03290929A JP9293790A JP9293790A JPH03290929A JP H03290929 A JPH03290929 A JP H03290929A JP 9293790 A JP9293790 A JP 9293790A JP 9293790 A JP9293790 A JP 9293790A JP H03290929 A JPH03290929 A JP H03290929A
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- JP
- Japan
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- electrode
- stage
- dry etching
- shielding plate
- cup
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ドライエツチング装置の電極構造の改良に関し、エツチ
ングにより剥離された物質が被処理物から飛散しても、
電極に付着しないようにする遮蔽板を備えた電極を具備
し、この電極の表面における異常放電の発生を防止する
ことが可能となるドライエツチング装置の提供を目的と
し、処理室の下部に被処理物を搭載するステージを設け
、前記被処理物に対向するカップ状の電極を前記処理室
の上部に設け、前記電極に高周波電源により高周波電圧
を印加して前記被処理物をエツチングするドライエツチ
ング装置であって、前記電極の内面に沿って滑合するカ
ップ状の遮蔽板を備えるよう構桟する。
ングにより剥離された物質が被処理物から飛散しても、
電極に付着しないようにする遮蔽板を備えた電極を具備
し、この電極の表面における異常放電の発生を防止する
ことが可能となるドライエツチング装置の提供を目的と
し、処理室の下部に被処理物を搭載するステージを設け
、前記被処理物に対向するカップ状の電極を前記処理室
の上部に設け、前記電極に高周波電源により高周波電圧
を印加して前記被処理物をエツチングするドライエツチ
ング装置であって、前記電極の内面に沿って滑合するカ
ップ状の遮蔽板を備えるよう構桟する。
本発明は、ドライエツチング装置の電極構造の改良に関
するものである。
するものである。
近年半導体装置の製造工程に、電極側に高周波電圧を印
加するアノードカップリング方式のドライエツチング装
置が用いられることが多くなっている。
加するアノードカップリング方式のドライエツチング装
置が用いられることが多くなっている。
電極の材料としては、アルミニウムやＳＵＳ ３０４等
のステンレススチールが用いられているが、被処理物か
らエツチングにより剥離された物質が飛散して電極に付
着すると、異常放電が発生して電極の材料の微小粒子が
電極から放出されて被処理物の表面に付着する障害が発
生している。
のステンレススチールが用いられているが、被処理物か
らエツチングにより剥離された物質が飛散して電極に付
着すると、異常放電が発生して電極の材料の微小粒子が
電極から放出されて被処理物の表面に付着する障害が発
生している。
以上のような状況から、電極の表面における異常放電の
発生を防止することが可能なドライエツチング装置が要
望されている。
発生を防止することが可能なドライエツチング装置が要
望されている。
従来のドライエツチング装置について第２図により詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は従来のドライエツチング装置の側断面図である
。
。
図に示すように、上部にはガス導入口１１ａを、下部に
はガス排気口１１ｂを設けた処理室１１の下部にはステ
ージ１５が設けられており、このステージ１５に対向し
て上部にはカップ状のステンレススチール等の金属から
なる電極１２が設けられている。
はガス排気口１１ｂを設けた処理室１１の下部にはステ
ージ１５が設けられており、このステージ１５に対向し
て上部にはカップ状のステンレススチール等の金属から
なる電極１２が設けられている。
被処理物、例えば半導体基板８をこのステージ１５上に
搭載し、この電極１２に高周波電源１４により高周波電
圧を印加してこの半導体基板８のエツチングを行ってい
る。
搭載し、この電極１２に高周波電源１４により高周波電
圧を印加してこの半導体基板８のエツチングを行ってい
る。
半導体基板８がエツチングされると、エツチングにより
剥離された物質、例えばシリコン酸化膜が半導体基板８
から飛散して電極１２の内壁に付着することがある。
剥離された物質、例えばシリコン酸化膜が半導体基板８
から飛散して電極１２の内壁に付着することがある。
以上説明した従来のドライエツチング装置においては、
被処理物がエツチングされて、エツチングにより剥離さ
れた物質が被処理物から飛散して！極に付着することが
あると、電極の材料としてステンレススチール等の金属
が用いられているので、異常放電が発生して電極の材料
の微小粒子が電極から放出されて被処理物の表面に付着
する障害が発生するという問題点があった。
被処理物がエツチングされて、エツチングにより剥離さ
れた物質が被処理物から飛散して！極に付着することが
あると、電極の材料としてステンレススチール等の金属
が用いられているので、異常放電が発生して電極の材料
の微小粒子が電極から放出されて被処理物の表面に付着
する障害が発生するという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、エツチングにより剥離
された物質が被処理物から飛散しても、電極に付着しな
いようにする遮蔽板を備えた電極を具備し、この電極の
表面における異常放電の発生を防止することが可能とな
るドライエツチング装置の提供を目的としたものである
。
された物質が被処理物から飛散しても、電極に付着しな
いようにする遮蔽板を備えた電極を具備し、この電極の
表面における異常放電の発生を防止することが可能とな
るドライエツチング装置の提供を目的としたものである
。
本発明のドライエツチング装置は、処理室の下部に被処
理物を搭載するステージを設け、この被処理物に対向す
るカップ状の電極をこの処理室の上部に設け、この電極
に高周波電源により高周波電圧を印加して被処理物をエ
ツチングするドライエツチング装置において、この電極
の内面に沿って滑合するカップ状の遮蔽板を備えるよう
構成する。
理物を搭載するステージを設け、この被処理物に対向す
るカップ状の電極をこの処理室の上部に設け、この電極
に高周波電源により高周波電圧を印加して被処理物をエ
ツチングするドライエツチング装置において、この電極
の内面に沿って滑合するカップ状の遮蔽板を備えるよう
構成する。
即ち本発明においては、処理室の下部にステージを設け
て被処理物を搭載し、この被処理物に対向するカップ状
の電極を処理室の上部に設け、この電極の内面に沿って
滑合するカップ状の遮蔽板を備えているから、この電極
に高周波電源により高周波電圧を印加して被処理物をエ
ツチングする場合に、この被処理物から剥離した物質が
放出されてもこの遮蔽板に付着し、電極には直接付着し
ないので、電極の表面において異常放電が発生するのを
防止することが可能となる。
て被処理物を搭載し、この被処理物に対向するカップ状
の電極を処理室の上部に設け、この電極の内面に沿って
滑合するカップ状の遮蔽板を備えているから、この電極
に高周波電源により高周波電圧を印加して被処理物をエ
ツチングする場合に、この被処理物から剥離した物質が
放出されてもこの遮蔽板に付着し、電極には直接付着し
ないので、電極の表面において異常放電が発生するのを
防止することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例のドライエツチ
ング装置について詳細に説明する。
ング装置について詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例のドライエツチング装置
の側断面図である。
の側断面図である。
図に示すように、上部にはガス導入口１ａを、下部には
ガス排気口１ｂを設けた処理室１の下部にはステージ５
が設けられており、このステージ５に対向して上部には
カップ状のステンレススチール等の金属からなる電極２
が絶縁物３を介して設けられている。
ガス排気口１ｂを設けた処理室１の下部にはステージ５
が設けられており、このステージ５に対向して上部には
カップ状のステンレススチール等の金属からなる電極２
が絶縁物３を介して設けられている。
この電極２の内部にはこの内面に沿って滑合し、下端部
にフランジ６ａを備えた石英からなる遮蔽板６が設けら
れている。
にフランジ６ａを備えた石英からなる遮蔽板６が設けら
れている。
この遮蔽板６は電極２の端面の４ケ所にねじによって固
定されている支持金具７によって電極２に押し付けて固
定されている。
定されている支持金具７によって電極２に押し付けて固
定されている。
本実施例においては、遮蔽板６に石英を用いているが、
材質とし−Ｃは半導体基板８の汚染が生じないものを選
ぶべきであり、石英に代えてテフロンを用いれば、付着
物を除去し易くなり、掃除作業が容易になるという特徴
がある。
材質とし−Ｃは半導体基板８の汚染が生じないものを選
ぶべきであり、石英に代えてテフロンを用いれば、付着
物を除去し易くなり、掃除作業が容易になるという特徴
がある。
被処理物、例えば半導体基板８をこのステージ５上に搭
載し、この電極２に高周波電源４により高周波電圧を印
加してこの半導体基板８のエツチングを行っている。
載し、この電極２に高周波電源４により高周波電圧を印
加してこの半導体基板８のエツチングを行っている。
半導体基板８がエツチングされて、エツチングにより剥
離された物質、例えばシリコン酸化膜が半導体基板８か
ら飛散すると、遮蔽板６に付着することがあるが、電極
２には直接付着しない。
離された物質、例えばシリコン酸化膜が半導体基板８か
ら飛散すると、遮蔽板６に付着することがあるが、電極
２には直接付着しない。
このためこのような物質が遮蔽板６に付着しても、電極
２には直接付着しないので電極の表面において異常放電
が発生しなくなり、したがって電極の材料の微小粒子が
電極の表面から放出されて被処理物の表面に付着する障
害が発生しなくなる。
２には直接付着しないので電極の表面において異常放電
が発生しなくなり、したがって電極の材料の微小粒子が
電極の表面から放出されて被処理物の表面に付着する障
害が発生しなくなる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単な電極構造の変更により、電極の表面における異常
放電の発生を防止でき、電極材料の微小粒子が電極の表
面から放出されて被処理物の表面に付着する障害の発生
を防止することが可能となる利点があり、著しい信頼性
向上の効果が期待できるドライエンチング装置の提供が
可能となる。
簡単な電極構造の変更により、電極の表面における異常
放電の発生を防止でき、電極材料の微小粒子が電極の表
面から放出されて被処理物の表面に付着する障害の発生
を防止することが可能となる利点があり、著しい信頼性
向上の効果が期待できるドライエンチング装置の提供が
可能となる。
第１図は本発明による一実施例のドライエンチング装置
の側断面図、 第２図は従来のドライエツチング装置の側断面図、 である。 図において、 １は処理室、 １ａはガス導入口、 １ｂはガス排気口、 を示す。 ２は電極、 ３は絶縁物、 ４は高周波電源、 ５はステージ〜 ６は遮蔽板、 ６ａはフランジ、 ７は支持金具、 ８は半導体基板、
の側断面図、 第２図は従来のドライエツチング装置の側断面図、 である。 図において、 １は処理室、 １ａはガス導入口、 １ｂはガス排気口、 を示す。 ２は電極、 ３は絶縁物、 ４は高周波電源、 ５はステージ〜 ６は遮蔽板、 ６ａはフランジ、 ７は支持金具、 ８は半導体基板、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室（１）の下部に被処理物（８）を搭載するステ
ージ（５）を設け、前記被処理物（８）に対向するカッ
プ状の電極（２）を前記処理室（１）の上部に設け、前
記電極（２）に高周波電源（４）により高周波電圧を印
加して前記被処理物（８）をエッチングするドライエッ
チング装置であって、 前記電極（２）の内面に沿って滑合するカップ状の遮蔽
板（６）を備えることを特徴とするドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293790A JPH03290929A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9293790A JPH03290929A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290929A true JPH03290929A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14068394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9293790A Pending JPH03290929A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03290929A (ja) |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP9293790A patent/JPH03290929A/ja active Pending
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