JPH0774231A

JPH0774231A - 処理装置及びその使用方法

Info

Publication number: JPH0774231A
Application number: JP23912993A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tomoyoshi; 力友吉
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date: 1993-08-31
Filing date: 1993-08-31
Publication date: 1995-03-17

Abstract

(57)【要約】【目的】被処理体の裏面の電荷を逃すことができる処
理装置及びその使用方法を提供する。【構成】誘電体よりなる被処理体Ｓを載置面２８Ａ上
に載置する載置台２８を有し、この被処理体Ｓをこの搬
入・搬出時に押し上げる複数の押し上げピン５８を有す
る処理装置１８において、上記押し上げピン及び載置台
を接地させるための接地用スイッチ手段５４を設ける。
そして、被処理体の例えばプラズマエッチングによる処
理後、上記スイッチ手段をオンにして押し上げピンと載
置台を接地し、その後、押し上げピンを上昇させてこれ
により被処理体を突き上げる。これにより、剥離帯電現
象によって被処理体に生じた電荷は直ちにピンを介して
逃げることになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板等にプラズ
マエッチングや成膜処理を施す処理装置及びその使用方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウエハやガラスよりなる
ＬＣＤ基板等の表面にプラズマエッチング処理や成膜処
理を施すためには各種の処理装置が知られている。ここ
で、誘電体であるガラスよりなるＬＣＤ基板表面に対し
てプラズマ処理を施すための装置としてプラズマ処理装
置を例にとって説明する。

【０００３】図５はＬＣＤ基板用の従来のプラズマ処理
装置の概略構成図を示し、この種の処理装置は処理室２
内に例えば矩形状の上部電極４と下部電極６とが平行に
対向して配置されており、下部電極６としてのサセプタ
上に例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｓが載置される。そし
て、上記上部電極４或いは下部電極６のいずれか一方、
図示例にあっては下部電極６にプラズマ印加用の開閉ス
イッチ８を介してプラズマ発生用の高周波電源１０が接
続されており、この電源からの高周波電圧により両極間
にプラズマを発生することになる。

【０００４】また、下部電極６の４隅にはこれを貫通さ
せて複数の押し上げピン１２が上下方向へ出没可能に設
けられており、各ピン１２は上下駆動用エアシリンダ１
４により共通に上下動される。従って、この押し上げピ
ン１２を上下動させてＬＣＤ基板Ｓを昇降させて搬送ア
ーム１６との間でＬＣＤ基板Ｓの受け渡しを行うように
なっている。すなわち、ＬＣＤ基板を処理室２内へ搬入
する場合にはＬＣＤ基板Ｓを搬送アーム１６で処理室２
内へロードし、押し上げピン１２を上昇させてＬＣＤ基
板Ｓを突き上げる。そして、搬送アーム１６を退避させ
た後に、押し上げピン１２を降下させてＬＣＤ基板Ｓを
下部電極６上に載置する。

【０００５】一方、処理後のＬＣＤ基板Ｓを搬出する場
合には、上記と逆の操作を行う。すなわち、押し上げピ
ン１２を上昇させることにより処理済みのＬＣＤ基板Ｓ
を突き上げ、この状態で搬送アーム１６をＬＣＤ基板Ｓ
の下方に侵入させ、押し上げピン１２を降下させること
により、ＬＣＤ基板Ｓを搬送アーム側に受け渡す。そし
て、搬送アーム１６を退避させることによりＬＣＤ基板
Ｓをアンロードする。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に金属
相互の接触、金属と絶縁体の接触、金属と半導体との接
触の場合には、接触による分子間力により成極を生じ、
これらが剥離する場合には一種の分解反応が生じ、完全
に脱成極し切れない部分に帯電現像、すなわち剥離帯電
現象が生ずることがすでに知られている。

【０００７】しかるに、上記処理済みのＬＣＤ基板Ｓを
押し上げピン１２により下部電極６から突き上げる際に
も下部電極６の上面とＬＣＤ基板Ｓの下面との間で剥離
帯電が生じ、ＬＣＤ基板Ｓの下面に電荷が生じてしま
う。また、このような剥離帯電現象は、押し上げピンに
よる突き上げ時のみならず、搬送途中のＬＣＤ基板の受
け渡し時にも生じていた。このために、ＬＣＤ基板Ｓに
製品の欠陥の原因となるパーティクルが付着したり、或
いは電荷が多い場合にはＬＣＤ基板に形成した素子自体
の破壊を生ぜしめるという問題があった。

【０００８】また、ＬＣＤ基板は、製品の特性上、高い
透明度が要求されるが、上述のようにＬＣＤ基板Ｓの下
面に電荷が生ずると、例えばエッチング後の残留ガスや
反応副生成物が基板裏面に吸着して成膜し、基板の透明
度を損なってしまうという問題点があった。この基板裏
面の成膜は、種類によってはその後の洗浄工程でも除去
することができず、根本的な解決が望まれている。この
基板裏面の成膜現像をなくすために、処理後に残留ガス
を完全に排気することも考えられるが、この場合には完
全排気までに多くの時間を要し、スループットの低下を
生ずることから現実的ではない。このような剥離帯電現
象は、半導体ウエハにはないＬＣＤ基板特有の問題であ
り、ＬＣＤ表示装置が大型化してＬＣＤ基板も例えば３
０ｃｍ×４０ｃｍ程度まで大きくなった今日においては
顕著に表れ、早期な解決が望まれている。

【０００９】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、被処理体の裏面の電荷を逃すことができる処
理装置及びその使用方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、誘電体よりなる被処理体を載置面上に
載置する載置台を有すると共に前記被処理体の搬入・搬
出時には前記載置台側より前記載置面側に向けて出没可
能になされた複数の押し上げピンにより前記被処理体を
支持するようにした処理装置において、前記被処理体の
処理後であって前記被処理体を前記押し上げピンにより
押し上げる前に、前記押し上げピンを接地させるための
接地用スイッチ手段を備えるようにしたものである。

【００１１】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、載置台
の載置面上に載置された、誘電体よりなる被処理体は例
えばプラズマ等によりエッチング処理されることにな
る。そして、処理済みの被処理体を搬出する場合には、
例えばプラズマ発生用の高周波電源をオフした後に、接
地用スイッチ手段を閉じることにより各押し上げピンを
接地させる。その後、押し上げピンを上昇させることに
より被処理体を載置台から引き離しこれを押し上げる。
この引き離し時に、被処理体の裏面には剥離帯電現像に
よって電荷が生ずるが、この電荷は直ちに押し上げピン
を介してグランドに逃げてしまうことになり、被処理体
が長時間、帯電状態になることを阻止することができ
る。

【００１２】

【実施例】以下に、本発明に係る処理装置及びその使用
方法の一例を添付図面を参照しつつ説明する。図１は本
発明に係る処理装置の一例を示す断面図、図２は図１に
示す装置にて用いる押し上げピンの構造を示す拡大図で
ある。本実施例においては処理装置としてプラズマエッ
チング装置を例にとって説明する。

【００１３】図示するように処理装置としてのプラズマ
エッチング装置１８は、下端部が開口された略方形状の
アルミニウム或いはステンレスよりなる処理容器２０を
有しており、この下端開口部１２は例えばアルミニウム
よりなる基板２２が密閉可能に取り付けられている。処
理容器２０としてアルミニウムを用いる場合には、耐腐
食性処理としてその表面にはアルマイト処理が施され
る。

【００１４】この処理容器２０内は上述のように密閉さ
れて処理室２４として構成され、この処理室２４の上下
には対向させて平行になされた上部電極２６と載置台と
しての下部電極２８が配置されている。これら上部及び
下部電極２６、２８間は例えば８０ｍｍ程度に設定され
ている。

【００１５】この上部電極２６は、表面である載置台２
８Ａがアルマイト処理されたアルミニウムよりなり、全
体が容器状になされた処理ガスの供給ヘッダ３０として
も機能する。そのために、供給ヘッダ３０のガス供給口
３０Ａにはガス供給管３２が接続されており、このガス
供給管３２には、処理ガスとして例えばＣＦ₄ 及びＯ₂
をそれぞれ貯留する処理ガス源３４及び３６がそれぞれ
共通に接続されており、それぞれマスフローコントロー
ラの如き第１及び第２の流量制御弁３８、４０により流
量を制御するようになっている。また、上部電極２６の
下面全面には、供給ヘッダ３０内に通ずる多数のガス噴
出孔４２が形成されており、処理室２４に向けて処理ガ
スを噴出するようになっている。

【００１６】上記下部電極２８は、載置面２８Ａの表面
が例えば４０μｍ程度の厚みでアルマイト処理された板
状のアルミニウムよりなり、この表面に、誘電体よりな
る被処理体として例えば４０ｃｍ×３０ｃｍの大きさの
ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａ
ｙ）基板Ｓが載置されることになる。この下部電極２８
は、上記基板２２上に例えばセラミックス等よりなる絶
縁体４４を介して固定されると共に、この下部電極２８
の下面には給電板４６が取り付けられる。この給電板４
６は、絶縁状態になされた給電線４８により給電用スイ
ッチ５０を介してプラズマ発生用の例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電源５２に接続されており、この電源より
下部電極２８に対して高周波電圧を印加することによ
り、両電極間にプラズマを立てるように構成されてい
る。

【００１７】上記給電用スイッチ５０に対して並列に本
発明の特長とする接地用スイッチ手段５４が接続されて
おり、必要に応じてこのスイッチ手段５４を閉じること
により下部電極２８をグランドの電位にし得るように構
成されている。また、アルミニウムよりなる基板２２の
下面略全体を被って高周波シールド板５６が形成されて
おり、このシールド板５６を接地することによりこれと
導通する上記基板２２及び処理容器２０が接地される。

【００１８】そして、上記下部電極２８の下部には、上
記ＬＣＤ基板Ｓのロード・アンロード時にこれを押し上
げるための複数の押し上げピン５８が設けられている。
この押し上げピン５８は下部電極２８の４隅に設けられ
ており、ＬＣＤ基板の４隅を４点で支持するようになっ
ている。図２にも示すようにこの押し上げピン５８は、
例えばアルミニウム等の導体よりなる直径が約５ｍｍ程
度のピン本体６０を有しており、このピン本体６０の先
端は、ＬＣＤ基板Ｓの裏面と接触することから球面状に
成形されると共に下端部には拡径された基部６２が設け
られる。

【００１９】このピン本体６０は、上記下部電極２８に
図中上下方向へ貫通して形成されたピン挿通孔６２に遊
嵌状態で上下動可能で且つその先端が必要な長さだけ下
部電極２８の上面より上方へ突出し得るように構成され
ている。そのため、上記ピン挿通孔６２は、下部が拡径
されていると共にピン本体６０よりも断面形状が僅かに
大きくなされており、上記下部電極２８に対して非接触
で上下動するようになっている。

【００２０】このピン本体６０の基部６２には、下方に
延びる導体よりなる補助棒６４が接続されると共に、こ
の補助棒６４の下端部は、テフロン等の絶縁体６６を介
して上下駆動用エアシリンダ１４（図１参照）の作動杵
６８に接続されている。この作動杵６８は、４つの各押
し上げピン５８に共通に接続されており、１つの上下駆
動用エアシリンダ１４により各ピン５８を同時に上下動
するようになっている。

【００２１】通常、この押し上げピン５８の下方は常圧
の雰囲気に晒されており、これに対して押し上げピン５
８の上方の処理室２４は真空状態になることから、これ
らの間の連通を断つために金属よりなる蛇腹状のベロー
ズ７０が用いられる。すなわち、このベローズ７０は、
上記ピン挿通孔６０の下端部にＯリング等のシール部材
７２を介して気密に接続された略円筒体状の金属よりな
るベローズ収容箱７４内に伸縮可能に収容される。この
ベローズ７０内には上記補助棒６４が連通され、ベロー
ズ７０の上端は上記ピン本体６０の基部６２に気密に接
続されると共にベローズ７０の下端は、金属製の補助部
材７６及びＯリング７８を介してベローズ収容箱７４の
底部に気密に取り付けられる。また、下部電極２８とピ
ン本体６０とは、ベローズ収容箱７４、金属性の補助部
材７６及びベローズ７０を介して導通されており、電気
的には同電位となるように構成されている。

【００２２】従って、このベローズ７０の作用により、
押し上げピン５８の下方の常圧雰囲気と処理室２４内と
の連通を断ちつつ押し上げピン５８の上下動を許容する
ように構成されている。また、上記ベローズ収容箱７４
の底部には上記補助棒６４を挿通する挿通孔８０が形成
され、この底部には上記補助棒６４の直線上下運動を保
証するためのリニアガイド８２が取り付けられている。

【００２３】一方、上記下部電極２８の周縁部にはプラ
ズマをＬＣＤ基板Ｓ上に集中させるフォーカスリング８
４が設けられる。また、処理容器２０の側壁には、ＬＣ
Ｄ基板Ｓのロード・アンロード時に開閉するゲートベン
８６と、図示しない真空ポンプに接続された排気管８８
が接続されている。そして、上記上下駆動用エアシリン
ダ１４、給電用スイッチ５０、接地用スイッチ手段５４
及び第１及び第２の流量制御弁３８、４０等の動作は、
マイクロコンピュータよりなる制御部９０により制御さ
れる。

【００２４】次に、以上のように構成された上記装置例
に基づいて本発明の使用方法について説明する。図３は
ＬＣＤ基板処理後の搬出工程のフローを示す図である。
まず、処理容器２０の側部に設けたゲートベン８６を開
き、搬送アーム１６に支持されたＬＣＤ基板Ｓを処理容
器２０内に搬入してこれを下部電極２８の上方に位置さ
せる。そして、上下駆動用エアシリンダ１４を駆動する
ことにより各押し上げピン５８を上昇させて、その先端
でＬＣＤ基板Ｓの４隅を突き上げ、搬送アーム１６から
の受け渡しを行う。

【００２５】次に、搬送アームを退避させた後に、各押
し上げピン５８を降下させてピン本体６０を下部電極２
８の表面より下に位置させると、ＬＣＤ基板Ｓは下部電
極である載置台２８の載置面２８Ａに載置されることに
なる。

【００２６】次に、真空ポンプを駆動することにより排
気管８８を介して処理容器２０内を真空引きし、ロード
ロック室からＬＣＤ基板Ｓを処理容器２０内へ搬入す
る。そして、処理ガス源３４、３６から所定の処理ガ
ス、例えばＣＦ₄ 及びＯ₂ をそれぞれ３００ＳＣＣＭ及
び８５ＳＣＣＭずつ供給し、処理容器２０内を所定の圧
力、例えば３５０ｍＴｏｒｒ程度に維持する。そして、
給電用スイッチ５０をオンすることによりプラズマ発生
用の高周波電源５２から高周波電圧を下部電極２８に印
加して上部電極２６と下部電極２８との間の処理室２４
にプラズマを立て、例えばエッチング処理を行う。この
時、高周波電源５２より供給される電力は、例えば１５
００Ｗ程度である。

【００２７】このようにして、プラズマエッチング処理
が終了したならば、図３に示すＬＣＤ基板の搬出工程へ
移行する。この工程では、ＬＣＤ基板２８を下部電極２
８から突き上げる際に剥離帯電現像が生ずることからこ
の影響を可能な限り抑制するために、例えば押し上げに
先立って押し上げピン５８や、下部電極２８を接地する
ようになっている。

【００２８】すなわち、まず、図３中のＳ１においてプ
ラズマ処理が終了すると給電用スイッチ５０をオフし、
下部電極２８への高周波電圧の印加を断ってプラズマの
発生を停止させる。そして、所定の時間だけ真空引きを
継続して処理容器２０内の残留ガスや反応副生成物をあ
る程度以上排気する。

【００２９】次に、Ｓ２において接地用スイッチ手段５
４をオンし、給電線４８及び給電板４６を介して下部電
極２８を接地する。この場合、押し上げピン５８のアル
ミニウム製のピン本体６０は、金属性のベローズ収容箱
７４、この底部内側に設けた補助部材７６及びベローズ
７０を介して下部電極２８に導通しているので、下部電
極２８と同時にピン本体６０もグランド電位となる。
尚、高周波電圧の印加時においても、このピン本体６０
は下部電極２８と導通していることからこれと同電位と
なり、これらの間にプラズマ放電が生ずることはなく、
また、ピン本体６０に接続される補助棒６６は、この下
端に設けた絶縁体６６によりエアシリンダ１４側と電気
的に絶縁されており、高周波電源が短絡することはな
い。

【００３０】このようにして、押し上げピン５８及び下
部電極２８の接地が完了したならば、次に、Ｓ３におい
て上下駆動用エアシリンダ１４を駆動することにより作
動杵６８を介して各押し上げピン５８を上昇させ、Ｓ４
に示すようにこれによりＬＣＤ基板Ｓの裏面の４隅をピ
ン本体６０の先端と接触させてＬＣＤ基板Ｓ全体を押し
上げる。この時、ＬＣＤ基板Ｓが下部電極２８から離れ
るに際して、ＬＣＤ基板Ｓには剥離帯電現像により電荷
が生ずるが、発生した電荷は接地されている押し上げピ
ン５８を介して直ちに逃されてしまい、ＬＣＤ基板Ｓの
帯電を抑制することが可能となる。この場合、押し上げ
ピン５８をアルミニウムで形成する場合には、ＬＣＤ基
板Ｓ等との導電性を確保するためにピン先端の基板との
接触部及び基台部材との接触部分にはアルマイト処理を
施さないようにする。

【００３１】またこの場合、下部電極２８自体も予め接
地されているので、ＬＣＤ基板Ｓの押し上げ時にＬＣＤ
基板Ｓの裏面に生ずる電荷自体の量も抑制することがで
き、ＬＣＤ基板Ｓの帯電を一層抑制することができる。
尚、この場合、ＬＣＤ基板Ｓの電荷の逃げが十分に行わ
れていない場合には、押し上げピン５８の数を増加させ
て、これを平面的に均等に分散させて設けるようにして
もよい。

【００３２】このようにＬＣＤ基板Ｓの帯電を抑制する
ことにより、この基板自体にパーティクルが付着するこ
ともなく、また、帯電の電荷によりＬＣＤ基板表面の素
子が破壊されることも防止することができる。更には、
ＬＣＤ基板Ｓが帯電していないことから、イオン化して
いる残留ガスや反応副生成物が基板裏面に付着して成膜
することも抑制することができ、ＬＣＤ基板の透明度が
損なうことも防止することができる。

【００３３】このようにして、ＬＣＤ基板Ｓの押し上げ
が完了したならば、Ｓ５にてゲートベン８６を開いて押
し上げられたＬＣＤ基板Ｓの下方に搬送アームを侵入さ
せ、次にＳ６にて上下駆動用エアシリンダ１４を駆動し
て各押し上げピン５８を降下させる。すると、押し上げ
ピン５８の先端に支持されていたＬＣＤ基板Ｓは搬送ア
ーム側に受け渡される。そして、Ｓ７にて搬送アームを
処理室２４内から退避することにより処理済みのＬＣＤ
基板Ｓがアンロードされることになる。以後、同様にし
て未処理のＬＣＤ基板がロードされて処理されることに
なる。

【００３４】このように、本実施例においては、処理済
みのＬＣＤ基板を押し上げピン５８により下部電極２８
から押し上げるに先立って、この押し上げピン５８及び
下部電極２８を接地させるようにしたので、剥離帯電現
象に起因してＬＣＤ基板の裏面が帯電することを阻止す
ることができ、帯電に伴う種々の問題点が発生すること
を防止することができる。また、この種の装置は、従来
の処理装置に接地用スイッチ手段５４を設けるだけで大
幅な設計変更を加えることなく容易に実施することがで
きる。

【００３５】尚、上記実施例にあっては、接地用スイッ
チ手段５４をオンにして下部電極と押し上げピン５８を
ともに接地した後に、エアシリンダ１４を駆動して押し
上げピンの上昇を開始するようにしたが、これに限定さ
れず、例えば押し上げピン５８に接地用のスイッチ手段
を設けて押し上げピンの上昇途中においてこれを接地さ
せるようにしてもよい。

【００３６】図４は上述のように動作する構成を示す図
であり、接地用スイッチ手段５４は、押し上げピン５８
の金属性の補助棒６４の下端部に設けた金属性の可動接
片５４Ａと、この可動接片５４Ａの僅か上方に位置させ
て上記高周波シールド板５６に取り付け固定した金属性
の固定接片５４Ｂとにより構成されており、この補助棒
６４が上昇すると上記可動接片５４Ａと固定接片５４Ｂ
とが接触して上記ピン本体６０及びこれを導通する下部
電極２８とを接地し得るようになっている。この場合、
動作前の可動接片５４Ａと固定接片５４Ｂとの間の距離
Ｌ１はピン本体６０の上端と下部電極２８の上面との間
の距離Ｌ２よりも小さく設定されており、押し上げピン
５８を上昇させた時に、まず、可動接片５４Ａと固定接
片５４Ｂとが接触してピン本体６０が接地され、その
後、ピン本体６０の先端がＬＣＤ基板Ｓの裏面に接触す
るようになっている。尚、両接片５４Ａ、５４Ｂの接触
後においても押し上げピン５８の上昇を許容するため
に、これら両接片５４Ａ、５４Ｂの少なくとも一方は可
撓性が持たせてある。このような構成によれば、接地用
スイッチ手段５４の開閉動作を制御部９０により行う必
要がなく、単に押し上げピン５８の昇降動作に連動させ
て行うことができるので、制御が容易となる。

【００３７】また、この実施例においては、押し上げピ
ン５８とＬＣＤ基板Ｓとの接触に先立って可動接片５４
Ａと固定接片５４Ｂとを接触させて押し上げピン５８を
接地するようにしたが、これに限定されず、押し上げピ
ン５８とＬＣＤ基板Ｓとが接触した後に両接片５４Ａ、
５４Ｂを接触させてピン５８を接地するようにしてもよ
い。この場合には、剥離帯電現象により発生する電荷の
量が先の実施例よりも僅かに多くなると思われるが、こ
の場合にも発生した電荷はこの後、間もなく接地される
押し上げピン５８を介して直ちに逃げるので先の実施例
と略同様な作用効果を発揮することができる。

【００３８】また、この実施例においては発生した電荷
が放電する程に大きい場合にあっても、この放電現象は
押し上げピン５８とＬＣＤ基板Ｓが接触する時ではな
く、両接片５４Ａ、５４Ｂが接触する時に発生すること
になるのでＬＣＤ基板Ｓにダメードを与えることもな
い。

【００３９】以上の実施例にあっては下部電極２８にプ
ラズマ発生用の高周波電源を印加する場合について説明
したが、これに限定されず、上部電極２６にプラズマ発
生用の高周波電圧を印加する場合にも適用し得るのは勿
論である。この場合には、通常、下部電極及び押し上げ
ピン５８は常に接地されているので、ＬＣＤ基板の裏面
との導通を良くするために、例えば押し上げピン５８の
ピン本体６０の先端に通常形成されているアルマイト被
膜を除去するように構成する。

【００４０】また、ＬＣＤ基板としては矩形状のものに
限定されず、例えば水晶（石英）ウエハ等の誘電体より
なる被処理体について全て適用し得るのは勿論である。
更には、本発明はプラズマエッチング装置に限定され
ず、イオンプレーティング装置、ＣＶＤ装置等の他の処
理装置にも同様に適用し得る。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
及びその使用方法によれば、次のように優れた作用効果
を発揮することができる。被処理体の押し上げに先立っ
て押し上げピンや下部電極を接地させるようにしたの
で、剥離帯電現象によって被処理体に生ずる電荷を直ち
に逃すことができる。従って、製品の欠陥の原因となる
パーティクルの付着や電荷により素子の破壊を未然に防
止できるのみならず、残留ガスや反応副生成物の付着も
防止して透明度を損なうこともなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る処理装置の一例を示す断面図であ
る。

【図２】図１に示す処理装置において用いられる押し上
げピンの構造を示す拡大図である。

【図３】被処理体の搬出工程のフローを示す図である。

【図４】接地用スイッチ手段を設けた押し上げピンの構
造を示す拡大図である。

【図５】従来の処理装置を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１４上下駆動用エアシリンダ１６搬送アーム１８プラズマエッチング装置（処理装置）２０処理容器２４処理室２６上部電極２８下部電極（載置台）２８Ａ載置面５０給電用スイッチ５２高周波電源５４接地用スイッチ手段５８押し上げピン６０ピン本体６４補助棒６６絶縁体７０ベローズ７４ベローズ収容箱７６金属性の補助部材８２リニアガイドＳＬＣＤ基板（誘電体よりなる被処理体）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体よりなる被処理体を載置面上に載
置する載置台を有すると共に前記被処理体の搬入・搬出
時には前記載置台側より前記載置面側に向けて出没可能
になされた複数の押し上げピンにより前記被処理体を支
持するようにした処理装置において、前記被処理体の処
理後であって前記被処理体を前記押し上げピンにより押
し上げる前に、前記押し上げピンを接地させるための接
地用スイッチ手段を備えるように構成したことを特徴と
する処理装置。
【請求項２】前記載置台には、プラズマ発生用の高周
波電源がオン・オフ可能に接続されていることを特徴と
する請求項１記載の処理装置。
【請求項３】前記接地用スイッチ手段は、前記押し上
げピンに設けられており、前記押し上げピンが上昇して
この先端が前記被処理体と接触する前に前記接地用スイ
ッチ手段がオンするように構成したことを特徴とする請
求項１または２記載の処理装置。
【請求項４】処理室内の載置台の載置面上に載置した
誘電体よりなる被処理体に所定の処理を施して、前記載
置台を貫通する複数の押し上げピンにより押し上げて搬
出するようになした処理装置の使用方法において、前記
押し上げピンを接地させるための接地用スイッチ手段を
設け、前記押し上げピンが前記被処理体と接触する前に
前記接地用スイッチ手段をオンにして前記押し上げピン
を接地するように構成したことを特徴とする処理装置の
使用方法。
【請求項５】前記処理はプラズマ処理であり、前記押
し上げピンの接地に先立ってプラズマ発生用の高周波電
圧の印加を停止するように構成したことを特徴とする請
求項４記載の処理装置の使用方法。