JPH03291375A - イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法 - Google Patents
イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03291375A JPH03291375A JP2091707A JP9170790A JPH03291375A JP H03291375 A JPH03291375 A JP H03291375A JP 2091707 A JP2091707 A JP 2091707A JP 9170790 A JP9170790 A JP 9170790A JP H03291375 A JPH03291375 A JP H03291375A
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- JP
- Japan
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- ion source
- filament
- ion
- neutralizer
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオンを発生するイオン源装置及び連続蒸着
媒体の製造方法に間するものである。
媒体の製造方法に間するものである。
従来の技術
従来、例えば、テープ基板の連続蒸着装置においては、
所定物質をテープ基板に蒸着する前に、イオンをテープ
基板に照射しているが、そのイオン照射するイオン源装
置の前に、二:1−)ラライザーフィラメントが設けら
れている。このニュートラライザ−フィラメントはイオ
ンの電荷を中和するためのものであるが、基板ホルダー
電流かエミッション電流でフィードバックをかけるため
に、アースより浮かしであるかもしくは正電圧を印加し
ていた。
所定物質をテープ基板に蒸着する前に、イオンをテープ
基板に照射しているが、そのイオン照射するイオン源装
置の前に、二:1−)ラライザーフィラメントが設けら
れている。このニュートラライザ−フィラメントはイオ
ンの電荷を中和するためのものであるが、基板ホルダー
電流かエミッション電流でフィードバックをかけるため
に、アースより浮かしであるかもしくは正電圧を印加し
ていた。
発明が解決しようとする課題
しかし、正電荷を中和するニュートラライザ−の電位は
アースから浮いている時も正に偏るため、真空チエイン
バー内の浮遊電位も正に偏フていた。
アースから浮いている時も正に偏るため、真空チエイン
バー内の浮遊電位も正に偏フていた。
特にターゲットが絶縁物の時はその表面が不安定かつ正
に帯電してしまい、エツチングレートに変動を生じる、
または基板が絶縁物かつ長尺で真空中を走行している時
は走行中に帯電してしまうため走行不安定性と同時にし
わが発生するという課題があった。
に帯電してしまい、エツチングレートに変動を生じる、
または基板が絶縁物かつ長尺で真空中を走行している時
は走行中に帯電してしまうため走行不安定性と同時にし
わが発生するという課題があった。
本発明は、従来のこの様な課題を解消したイオン源装置
および連続蒸着媒体製造方法を提供することを目的とす
る。
および連続蒸着媒体製造方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段
請求項10本発明は、ニュートラライザ−フィラメント
を備えたイオン源装置において、前記ニュートラライザ
−フィラメントの片端子が接地されるとともに他の端子
に負電圧が印加されていることを特徴とするイオン源装
置である。
を備えたイオン源装置において、前記ニュートラライザ
−フィラメントの片端子が接地されるとともに他の端子
に負電圧が印加されていることを特徴とするイオン源装
置である。
また、請求項4の本発明は、蒸着媒体を連続製造する連
続蒸着媒体製造方法において、請求項1〜3のいずれか
のイオン源装置を用い、ベースフィルムに、蒸着前予め
イオン照射処理を行うことを特徴とする連続蒸着媒体の
製造方法である。
続蒸着媒体製造方法において、請求項1〜3のいずれか
のイオン源装置を用い、ベースフィルムに、蒸着前予め
イオン照射処理を行うことを特徴とする連続蒸着媒体の
製造方法である。
作用
本発明は、ニュートラライザ−電位が負であるため、真
空チエインバー内の浮遊電位を正から負にまで自由に変
化させることが可能となる。従って絶縁物ターゲットま
たは基板でも正の帯電を打ち消すことが可能となる。
空チエインバー内の浮遊電位を正から負にまで自由に変
化させることが可能となる。従って絶縁物ターゲットま
たは基板でも正の帯電を打ち消すことが可能となる。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、本発明にがかる一実施例のイオン源装置を示
す。
す。
lはイオンを発生するイオン源、2はニュートラライザ
−フィラメント、3はイオンが照射される基板、4は電
源である。図に示すように、ニュートラライザ−フィラ
メント2の片端子が接地されるとともに他の端子に、電
fi4によって、負電圧が印加されている。
−フィラメント、3はイオンが照射される基板、4は電
源である。図に示すように、ニュートラライザ−フィラ
メント2の片端子が接地されるとともに他の端子に、電
fi4によって、負電圧が印加されている。
ニュートラライザ−フィラメント2の電位を確実に負に
した結果として、たとえ相対する基板3が絶縁物質であ
ってもその表面に発生する帯電を十分除去し、本来のニ
ュートラライザ−2としての役目を果たすことが出来る
ようになる。中でもエツチングレートに顕著に現れ、対
絶縁物質基板では従来法では2〜3割の変動が見られた
のに対し本発明実施後は1割未満の変動幅に抑えること
が出来るようになフた。
した結果として、たとえ相対する基板3が絶縁物質であ
ってもその表面に発生する帯電を十分除去し、本来のニ
ュートラライザ−2としての役目を果たすことが出来る
ようになる。中でもエツチングレートに顕著に現れ、対
絶縁物質基板では従来法では2〜3割の変動が見られた
のに対し本発明実施後は1割未満の変動幅に抑えること
が出来るようになフた。
なお、81インチ以上の大口径イオン源装置においては
ニュートラライザ−フィラメントの長さが長くなり、そ
の両端に掛けねばならない電位差は大きくなりがちであ
った。端子電圧が一50Vを負の側に越えると、逆に空
間電位に負の領域が現れ基板を負に帯電させてしまう。
ニュートラライザ−フィラメントの長さが長くなり、そ
の両端に掛けねばならない電位差は大きくなりがちであ
った。端子電圧が一50Vを負の側に越えると、逆に空
間電位に負の領域が現れ基板を負に帯電させてしまう。
すなわち、負電圧は一50V以上接地電位以下であるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
そこで大口径イオン源においては、ニュートラライザ−
フィラメント長を短くし端子電圧を負からアース側に低
下させるため、複数本のニュートラライザ−を用いるの
が特に有効である。第2図は、そのイオン源lのイオン
射出口11の正面略図である。図に示すように、イオン
R1のイオン射出口11にニュートラライザ−フィラメ
ント群が配設されている。イオンR1の直径方向に長く
フィラメント2を張るのではなく、イオン源1の周囲に
短いフィラメント2を複数本設置するわけである。但し
その時フィラメント2の一部は必ずイオン束の中にある
よう設置せねばならない、完全にイオン束からはみ出た
フィラメント2があるとその部位において空間電位が大
きく負に傾き真空チエインバー内を帯電させかねないか
らである。
フィラメント長を短くし端子電圧を負からアース側に低
下させるため、複数本のニュートラライザ−を用いるの
が特に有効である。第2図は、そのイオン源lのイオン
射出口11の正面略図である。図に示すように、イオン
R1のイオン射出口11にニュートラライザ−フィラメ
ント群が配設されている。イオンR1の直径方向に長く
フィラメント2を張るのではなく、イオン源1の周囲に
短いフィラメント2を複数本設置するわけである。但し
その時フィラメント2の一部は必ずイオン束の中にある
よう設置せねばならない、完全にイオン束からはみ出た
フィラメント2があるとその部位において空間電位が大
きく負に傾き真空チエインバー内を帯電させかねないか
らである。
第3図は本発明の偏平大型イオン源の正面略図である。
11はイオン源のイオン射出口、2はニュー!ラライザ
ーフィラメントである。ニュートラライザ−フィラメン
トを短軸方向に張ることによりイオン射出口11の中心
近傍を最短の距離で通すことができる。この場合図にお
いてはニュートラライザ−フィラメント2は1本である
が複数本有する方がより安定したイオン源動作が可能と
なる。
ーフィラメントである。ニュートラライザ−フィラメン
トを短軸方向に張ることによりイオン射出口11の中心
近傍を最短の距離で通すことができる。この場合図にお
いてはニュートラライザ−フィラメント2は1本である
が複数本有する方がより安定したイオン源動作が可能と
なる。
第4図は本発明のたの大型イオン源の概略構成図である
。2はニュートラライザ−フィラメント、20はプロー
ブ、30は大気中と真空部を分けて配線を通すフィール
ドスルー 40はニュートラライザ−コントロール基板
である。プローブ20は電気的にアースから浮いており
、イオンlの動作中にプローブ電位がアース近傍となる
ように、コントローラ基板40ではニュートラライザ−
フィラメントlに流す電流を調整する。すなわちプロー
ブ電位が正に偏っている場合はニュートラライザ−電流
を増加し、負の場合は逆とする。従来は基板またはター
ゲットホルダー電流がOとなるように、すなわちイオン
電流と電子電流が等しくなるよう調整していたが、基板
やターゲット自身が絶縁物でできている場合、ホルダー
電流が殆ど流れず制御不能におちいり帯電させてしまう
ことがある0本発明の電源を用いれば絶縁物ターゲット
においてもターゲットを帯電させることなくより安定し
たイオン源動作を保証できる。
。2はニュートラライザ−フィラメント、20はプロー
ブ、30は大気中と真空部を分けて配線を通すフィール
ドスルー 40はニュートラライザ−コントロール基板
である。プローブ20は電気的にアースから浮いており
、イオンlの動作中にプローブ電位がアース近傍となる
ように、コントローラ基板40ではニュートラライザ−
フィラメントlに流す電流を調整する。すなわちプロー
ブ電位が正に偏っている場合はニュートラライザ−電流
を増加し、負の場合は逆とする。従来は基板またはター
ゲットホルダー電流がOとなるように、すなわちイオン
電流と電子電流が等しくなるよう調整していたが、基板
やターゲット自身が絶縁物でできている場合、ホルダー
電流が殆ど流れず制御不能におちいり帯電させてしまう
ことがある0本発明の電源を用いれば絶縁物ターゲット
においてもターゲットを帯電させることなくより安定し
たイオン源動作を保証できる。
第5図は本発明の前記大型イオン源を用いた連続蒸着媒
体の製造方法に用いられる装置の略断面図である。51
は長尺テープ基板であり通常は絶縁物でできている。5
2は蒸着源、53は蒸着用回転キャン、54は巻出しお
よび巻取りボビン、lが上記イオン源である。巻出しボ
ビン4より長尺基板lは巻出され回転キャン53の円筒
側面に沿って走る閏に蒸着源52より蒸発した金属蒸気
が基板51上に堆積する。本発明においては蒸着前に予
め本発明の上記イオン源1を用いて基板51にイオン照
射処理を行い蒸着媒体51の性能向上を計っている。
体の製造方法に用いられる装置の略断面図である。51
は長尺テープ基板であり通常は絶縁物でできている。5
2は蒸着源、53は蒸着用回転キャン、54は巻出しお
よび巻取りボビン、lが上記イオン源である。巻出しボ
ビン4より長尺基板lは巻出され回転キャン53の円筒
側面に沿って走る閏に蒸着源52より蒸発した金属蒸気
が基板51上に堆積する。本発明においては蒸着前に予
め本発明の上記イオン源1を用いて基板51にイオン照
射処理を行い蒸着媒体51の性能向上を計っている。
従来の大型イオン源、中でもニュートラライザ−片端子
を接地していない場合、ビーム領域においても浮遊電位
は不安定なものとなり、基板51を帯電させ、ひいては
基板安定走行の障害となりしわも入りやすかった。また
大型イオン源1故、ニュートラライザ−フィラメントの
長さが長くなり両端子間印加電圧が大きくなり、特にビ
ーム領域の外での浮遊電位が大きくなりがちであった。
を接地していない場合、ビーム領域においても浮遊電位
は不安定なものとなり、基板51を帯電させ、ひいては
基板安定走行の障害となりしわも入りやすかった。また
大型イオン源1故、ニュートラライザ−フィラメントの
長さが長くなり両端子間印加電圧が大きくなり、特にビ
ーム領域の外での浮遊電位が大きくなりがちであった。
すなわち図で言えはテープは巻出されてからイオン照射
を受ける場所まで走行している間にニュートラライザ−
から出た熱電子で負に帯電させられイオン照射を受ける
までに走行不安定性、しわを発生していたがそのような
問題点は、本発明では、前記イオンR1を用いることに
よって、解消されている。
を受ける場所まで走行している間にニュートラライザ−
から出た熱電子で負に帯電させられイオン照射を受ける
までに走行不安定性、しわを発生していたがそのような
問題点は、本発明では、前記イオンR1を用いることに
よって、解消されている。
発明の詳細
な説明し・たように、本発明は、ニュートラライザ−電
位を負とすることにより、チエインバー内の電位を接地
電位近傍とし絶縁基板を用いても帯電せず安定したイオ
ン照射をする事が可能となる。
位を負とすることにより、チエインバー内の電位を接地
電位近傍とし絶縁基板を用いても帯電せず安定したイオ
ン照射をする事が可能となる。
また、本発明のイオン源を利用して連続蒸着媒体を製造
することによって、蒸着媒体の走行性、しわ発生率を良
好なものとすることが出来る。
することによって、蒸着媒体の走行性、しわ発生率を良
好なものとすることが出来る。
第1図は、本発明のイオン源の一実施例を示す略示側面
図、第2図は、本発明のイオン源の他の実施例を示す正
面図、第3図は、本発明のイオン源の他の実施例を示す
正面図、第4図は、本発明のイオン源の他の実施例の回
路図、第5図は、本発明の一実施例の連続蒸着媒体の製
造方法を示すための製造装置の断面略図である。 l・・・イオン源、2・・・ニュートラライザ−フィラ
メント、3・・・基板、4・・・電源、11・・・イオ
ン射出口、40・・・ニュートラライザ−コントロール
基板、51・・・長尺テープ基板、52・・・蒸着源、
53・・・蒸着用回転キャン、54・・・巻出しおよび
巻取りボビン。
図、第2図は、本発明のイオン源の他の実施例を示す正
面図、第3図は、本発明のイオン源の他の実施例を示す
正面図、第4図は、本発明のイオン源の他の実施例の回
路図、第5図は、本発明の一実施例の連続蒸着媒体の製
造方法を示すための製造装置の断面略図である。 l・・・イオン源、2・・・ニュートラライザ−フィラ
メント、3・・・基板、4・・・電源、11・・・イオ
ン射出口、40・・・ニュートラライザ−コントロール
基板、51・・・長尺テープ基板、52・・・蒸着源、
53・・・蒸着用回転キャン、54・・・巻出しおよび
巻取りボビン。
Claims (4)
- (1)ニユートラライザーフィラメントを備えたイオン
源装置において、前記ニュートラライザーフィラメント
の片端子が接地されるとともに他の端子に負電圧が印加
されていることを特徴とするイオン源装置。 - (2)負電圧は−50V以上接地電位以下であることを
特徴とする請求項1記載のイオン源装置。 - (3)ニユートラライザーフィラメントを備えたイオン
源装置において、イオン束の中における浮遊電位がアー
ス近傍となるように前記ニュートラライザーフィラメン
トの電流が制御されることを特徴とするイオン源装置。 - (4)蒸着媒体を連続製造する連続蒸着媒体製造方法に
おいて、請求項1〜3記載のいずれかのイオン源装置を
用い、ベースフィルムに、蒸着前予めイオン照射処理を
行うことを特徴とする連続蒸着媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091707A JPH07103466B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2091707A JPH07103466B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291375A true JPH03291375A (ja) | 1991-12-20 |
| JPH07103466B2 JPH07103466B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=14033987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2091707A Expired - Lifetime JPH07103466B2 (ja) | 1990-04-05 | 1990-04-05 | イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07103466B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141869A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Nissin Electric Co Ltd | 膜形成方法および膜形成装置 |
| JPS6361123U (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-22 | ||
| JPS63109438U (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-14 | ||
| JPS6419660A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Nissin Electric Co Ltd | Ion beam irradiation device |
-
1990
- 1990-04-05 JP JP2091707A patent/JPH07103466B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141869A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-26 | Nissin Electric Co Ltd | 膜形成方法および膜形成装置 |
| JPS6361123U (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-22 | ||
| JPS63109438U (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-14 | ||
| JPS6419660A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Nissin Electric Co Ltd | Ion beam irradiation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07103466B2 (ja) | 1995-11-08 |
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