JPH03291377A - 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 - Google Patents
耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法Info
- Publication number
- JPH03291377A JPH03291377A JP9314990A JP9314990A JPH03291377A JP H03291377 A JPH03291377 A JP H03291377A JP 9314990 A JP9314990 A JP 9314990A JP 9314990 A JP9314990 A JP 9314990A JP H03291377 A JPH03291377 A JP H03291377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- steel sheet
- hcd
- coating
- ion plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010959 steel Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 7
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 21
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 21
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 12
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 9
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 2
- -1 ceramic coating Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、炭素鋼、ステンレス綱などの鋼板表面に、
極めて優れる耐摩耗性を有し、耐食性、密着性にも優れ
る被膜を被成する方法に関するものである。
極めて優れる耐摩耗性を有し、耐食性、密着性にも優れ
る被膜を被成する方法に関するものである。
（従来の技術）
近年、プラズマを利用したコーティング技術が著しく進
歩し、各方面でその利用が広まりつつある。かかるコー
ティング技術を利用したものとしては、たとえば磁気記
録薄膜の形成や各種耐摩耗性、耐食性コーティング、さ
らには装飾用コーティングなどが挙げられる。
歩し、各方面でその利用が広まりつつある。かかるコー
ティング技術を利用したものとしては、たとえば磁気記
録薄膜の形成や各種耐摩耗性、耐食性コーティング、さ
らには装飾用コーティングなどが挙げられる。
通常、プラズマを利用すると、金属および半金属等の蒸
発物質をイオン化又は活性化し、かつ高い運動エネルギ
ーを付与することができるため、蒸着被膜と基板との間
の密着性や膜質の良好なものが得られる。
発物質をイオン化又は活性化し、かつ高い運動エネルギ
ーを付与することができるため、蒸着被膜と基板との間
の密着性や膜質の良好なものが得られる。
従来、プラズマ・コーティング法としては、マグネトロ
ンスパッタ法、Ｅ Ｂ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ
） 十ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）法お
よびプラズマＣＶＤ法などのほか、最近では真空アーク
を利用したマルティ・アーク法やホローカソード（）ｆ
ｏｌｌｏｗ ＣａｔｈｏｄｅＤｉｓｃｈａｒｇｅ、 ：
単にＨＣＤという）法によるイオンプレーティングが知
られている。
ンスパッタ法、Ｅ Ｂ （Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ
） 十ＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）法お
よびプラズマＣＶＤ法などのほか、最近では真空アーク
を利用したマルティ・アーク法やホローカソード（）ｆ
ｏｌｌｏｗ ＣａｔｈｏｄｅＤｉｓｃｈａｒｇｅ、 ：
単にＨＣＤという）法によるイオンプレーティングが知
られている。
これらの手法を利用して大面積を有する鋼板表面上に密
着性、均一性および耐食性などの緒特性に優れたセラミ
ック被膜を被成するには、イオンプレーティングやイオ
ンインプランテーション処理の際、イオン化率を向上さ
せること、鋼板への印加電圧を高くすることおよび鋼板
の温度を上げることが基本的に重要である。
着性、均一性および耐食性などの緒特性に優れたセラミ
ック被膜を被成するには、イオンプレーティングやイオ
ンインプランテーション処理の際、イオン化率を向上さ
せること、鋼板への印加電圧を高くすることおよび鋼板
の温度を上げることが基本的に重要である。
このような処理を施して得たコーティング被膜は膜質、
密着性および耐食性が大幅に改善されるとはいうものの
、それでもなお充分な密着性や耐食性が得られていると
はいいがたく、またとくに十分な耐摩耗性は得られてい
ないため、その−層の改善が要望されていた。
密着性および耐食性が大幅に改善されるとはいうものの
、それでもなお充分な密着性や耐食性が得られていると
はいいがたく、またとくに十分な耐摩耗性は得られてい
ないため、その−層の改善が要望されていた。
とくにＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理は、
比較的イオン化率が高く、また成膜速度も大きいことか
ら、建築材等に用いる大表面積の鋼板に用いて有利であ
り、さらに耐食性や装飾性あるいは耐摩耗性の改善が期
待できることからその利用が試みられているが、現状で
は未だ、実用化までには至っていない。
比較的イオン化率が高く、また成膜速度も大きいことか
ら、建築材等に用いる大表面積の鋼板に用いて有利であ
り、さらに耐食性や装飾性あるいは耐摩耗性の改善が期
待できることからその利用が試みられているが、現状で
は未だ、実用化までには至っていない。
この理由として、
１）鋼板とセラミック被膜との密着性が良好であること
、 ２） 大表面積に均一にセラミック被膜をコーティング
できること、 ３） セラミック被膜の膜質が良好であること、４）耐
摩耗性、耐食性に優れていること、５）大表面積の鋼板
上に高速成膜ができがっ、良好なプラズマ雰囲気下でコ
ーティングが行えること、 などが要求されるが、従来のＨＣＤ法では上記のような
条件を十分に満足することはできなかったがらである。
、 ２） 大表面積に均一にセラミック被膜をコーティング
できること、 ３） セラミック被膜の膜質が良好であること、４）耐
摩耗性、耐食性に優れていること、５）大表面積の鋼板
上に高速成膜ができがっ、良好なプラズマ雰囲気下でコ
ーティングが行えること、 などが要求されるが、従来のＨＣＤ法では上記のような
条件を十分に満足することはできなかったがらである。
これとは別に、最近アーク放電法を用いたイオンプレー
ティング法による表面処理＃４＃Ｉｉについてその物性
に関する検討が行われ、鋼板との界面に異種金属をドラ
イブレーティングして二層被膜とすると単層被膜に比較
して著しい耐食性の改善が認められたことが報告されて
いる。（影近博、木部洋、安谷屋武志、苗村博、原富啓
：鉄と綱、７２（１９８６）、 ５１３０９参照）、一
方特開昭６２−９９４５８号公報には、１．ＯＸｌ０−
’Ｔｏｒｒ以下の高真空雰囲気中でイオンプレーティン
グを施して第１層のめっき層を形成させる工程とその被
膜上に第１層とは異なる材質のめっき層を形成させる方
法が開示さている。しかしながら、かかるイオンプレー
ティング法は真空中の雰囲気圧力を１．ＯＸｌ０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の高真空とする必要があるため、実際の工業
的規模での工程に採用するには問題があった。
ティング法による表面処理＃４＃Ｉｉについてその物性
に関する検討が行われ、鋼板との界面に異種金属をドラ
イブレーティングして二層被膜とすると単層被膜に比較
して著しい耐食性の改善が認められたことが報告されて
いる。（影近博、木部洋、安谷屋武志、苗村博、原富啓
：鉄と綱、７２（１９８６）、 ５１３０９参照）、一
方特開昭６２−９９４５８号公報には、１．ＯＸｌ０−
’Ｔｏｒｒ以下の高真空雰囲気中でイオンプレーティン
グを施して第１層のめっき層を形成させる工程とその被
膜上に第１層とは異なる材質のめっき層を形成させる方
法が開示さている。しかしながら、かかるイオンプレー
ティング法は真空中の雰囲気圧力を１．ＯＸｌ０−’Ｔ
ｏｒｒ以下の高真空とする必要があるため、実際の工業
的規模での工程に採用するには問題があった。
さらにごく最近、ステンレス鋼板に、硝酸電解処理後、
プラズマＣＶＤによって５ｉＯ１または５ｉＪａのコー
ティングを施す（橋本ら： ＣＡＭＰ −ｌ５ＩＪ。
プラズマＣＶＤによって５ｉＯ１または５ｉＪａのコー
ティングを施す（橋本ら： ＣＡＭＰ −ｌ５ＩＪ。
Ｖｏｌ、 １ （１９８８）、 Ｐ４２６および特開昭
６３−６２８６０号公報参照）と耐食性が向上すること
が報告れさている。
６３−６２８６０号公報参照）と耐食性が向上すること
が報告れさている。
しかしながらこの方法は、ドライブレーティング処理の
前に通常イオンボンバード処理を施すので、鋼板表面に
おける電解処理効果が消失し、さらにステンレス鋼板表
面上に不動態被膜が形成されるために鋼板とセラミック
被膜との間の密着性が劣化するなど、実際の生産工程で
採用するにはまだ解決すべき多くの問題を残していた。
前に通常イオンボンバード処理を施すので、鋼板表面に
おける電解処理効果が消失し、さらにステンレス鋼板表
面上に不動態被膜が形成されるために鋼板とセラミック
被膜との間の密着性が劣化するなど、実際の生産工程で
採用するにはまだ解決すべき多くの問題を残していた。
（発明が解決しようとするｍ！り
発明者は、上記従来技術の問題の解決策として、さきに
蒸発物質の移動経路に工夫を加えたＨＣＤ法の利用によ
る耐食性および密着性に優れるセラミック被膜をそなえ
る鋼板の製造方法を、特願昭６３−２０３９２４号明細
書において提案した。
蒸発物質の移動経路に工夫を加えたＨＣＤ法の利用によ
る耐食性および密着性に優れるセラミック被膜をそなえ
る鋼板の製造方法を、特願昭６３−２０３９２４号明細
書において提案した。
しかじなら、この方法では、耐摩耗性に関する高度な要
求に対し、必ずしも十分とは言えなかった。
求に対し、必ずしも十分とは言えなかった。
したがって、この発明は、大表面積の炭素鋼板やステン
レス鋼板に、耐摩耗性に極めて優れ、かつ、耐食性およ
び密着性にも優れる被膜を有利に形成する方法について
提案することを目的とする。
レス鋼板に、耐摩耗性に極めて優れ、かつ、耐食性およ
び密着性にも優れる被膜を有利に形成する方法について
提案することを目的とする。
（！ＩＩＩ！！！を解決するための手段）発明者は、上
記の問題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、所期した
目的の達成のためには、上記した）ＩＣＤ方式を用いた
イオンプレーティングの実施に際し、密着性の良好なＣ
ｒまたはＴｉなどの下地金属被覆と、ＣｒまたはＴｉの
セラミック被膜およびダイヤモンド薄膜の組合せを活用
することが極めてを効であるとの知見を得た。
記の問題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、所期した
目的の達成のためには、上記した）ＩＣＤ方式を用いた
イオンプレーティングの実施に際し、密着性の良好なＣ
ｒまたはＴｉなどの下地金属被覆と、ＣｒまたはＴｉの
セラミック被膜およびダイヤモンド薄膜の組合せを活用
することが極めてを効であるとの知見を得た。
すなわちこの発明は、ＨＣＤ方式によるイオンプレーテ
ィング処理によって、鋼板表面に金属被膜を被成し、つ
いでこの被膜上にＣｒ、もしくはＴｉの炭化物、窒化物
、又は炭窒化物などのセラミック被膜を被成し、さらに
該セラミック被膜表面に、ＨＣＤ方式によるビームを照
射すると同時に、先端を電気的に加熱した活性化ノズル
から炭化水素と水素の混合ガスを供給して、該セラミッ
ク被膜上にダイヤモンド薄膜を被成することを特徴とす
る耐摩耗性の極めて優れる被膜をそなえる鋼板の製造方
法である。
ィング処理によって、鋼板表面に金属被膜を被成し、つ
いでこの被膜上にＣｒ、もしくはＴｉの炭化物、窒化物
、又は炭窒化物などのセラミック被膜を被成し、さらに
該セラミック被膜表面に、ＨＣＤ方式によるビームを照
射すると同時に、先端を電気的に加熱した活性化ノズル
から炭化水素と水素の混合ガスを供給して、該セラミッ
ク被膜上にダイヤモンド薄膜を被成することを特徴とす
る耐摩耗性の極めて優れる被膜をそなえる鋼板の製造方
法である。
ここに、金属被膜はＣｒ、 Ｔｉが好適であり、膜厚は
金属被膜、セラミック被膜およびダイヤモンド薄膜、共
に各々０．０１μ−から５μ−の範囲とすることが好ま
しく、炭化水素と水素の混合比は体積比で、水素工に対
し炭化水素を０．０５〜０．５の範囲にすることが望ま
しい。
金属被膜、セラミック被膜およびダイヤモンド薄膜、共
に各々０．０１μ−から５μ−の範囲とすることが好ま
しく、炭化水素と水素の混合比は体積比で、水素工に対
し炭化水素を０．０５〜０．５の範囲にすることが望ま
しい。
（作 用）
この発明では、極めて優れる耐摩耗性を有し、耐食性、
密着性にも優れる被膜を有する鋼板を得るための条件と
して、 鋼板表面にダイヤモンド薄膜を被成するに先立ち、下地
層として金属被膜を被成し、さらにその金属被膜の上に
セラミックを被成すること、金属被膜、セラミック被膜
、ダイヤモンド薄膜の被成にはＨＣＤ方式によるイオン
プレーティングを用いること、 などが肝要である。
密着性にも優れる被膜を有する鋼板を得るための条件と
して、 鋼板表面にダイヤモンド薄膜を被成するに先立ち、下地
層として金属被膜を被成し、さらにその金属被膜の上に
セラミックを被成すること、金属被膜、セラミック被膜
、ダイヤモンド薄膜の被成にはＨＣＤ方式によるイオン
プレーティングを用いること、 などが肝要である。
以下、この発明を具体的に説明する。
低炭素鋼板あるいはステンレス鋼板を用いて、冷延を含
む再結晶焼鈍を行なった後、綱板表面を研削あるいは研
磨処理を施して清浄にし、）ｆｃＤ方式によるイオンプ
レーティング処理により、鋼板上に密着性の良好なＣｒ
、 Ｔｉ等の金属を厚さ０．０１μＭから５μ鋼の範囲
で被成させ、その上に、ＣｒＮ 。
む再結晶焼鈍を行なった後、綱板表面を研削あるいは研
磨処理を施して清浄にし、）ｆｃＤ方式によるイオンプ
レーティング処理により、鋼板上に密着性の良好なＣｒ
、 Ｔｉ等の金属を厚さ０．０１μＭから５μ鋼の範囲
で被成させ、その上に、ＣｒＮ 。
ＣｒＣ，ＴｉＮ、 ＴｉＣ及びＴｉ （Ｃ，Ｎ）等のセ
ラミック被膜を厚さ０．０１μ■から５μｍの範囲で被
成させ、さらにその上にダイヤモンド被膜を厚さ０．０
１μｍから５μ糟の範囲で被成させることが好ましい。
ラミック被膜を厚さ０．０１μ■から５μｍの範囲で被
成させ、さらにその上にダイヤモンド被膜を厚さ０．０
１μｍから５μ糟の範囲で被成させることが好ましい。
ここに金属被膜、セラミック被膜、およびダイヤモンド
薄膜の各膜厚は、０．０１ ａ ｍ未満では目的とする
効果が得られず、５μ−を趨えると高硬度のため、引張
り、圧縮、あるいは衝撃に対して薄膜がわれやすく、ま
た必要以上に厚くすることは経済性にも劣ることになる
。したがって５μ顛以下が好ましい。
薄膜の各膜厚は、０．０１ ａ ｍ未満では目的とする
効果が得られず、５μ−を趨えると高硬度のため、引張
り、圧縮、あるいは衝撃に対して薄膜がわれやすく、ま
た必要以上に厚くすることは経済性にも劣ることになる
。したがって５μ顛以下が好ましい。
つぎに、このダイヤモンド薄膜の被成方法について、そ
の−例を、圧力勾配のＨＣＤ法を用いたダイヤモンド薄
膜製造装置の模式図第１図により説明を加える。すなわ
ちＨＣＤガンｌから、電極２゜３、！ｍ磁石を用いてＨ
ＣＤのプラズマビームラ発生させ、基板８の背後に設け
た永久磁石９を用いて、５の点線で示すような高プラズ
マ電子流を基板８の表面上に照射する。一方ノズルの先
端が電気的に加熱された活性化ノズル１０を用いて例え
ばＣＬとＨ２の混合ガスのイオン化を促進させて、基板
表面上に供給しダイヤモンド薄膜を被成させるものであ
る。
の−例を、圧力勾配のＨＣＤ法を用いたダイヤモンド薄
膜製造装置の模式図第１図により説明を加える。すなわ
ちＨＣＤガンｌから、電極２゜３、！ｍ磁石を用いてＨ
ＣＤのプラズマビームラ発生させ、基板８の背後に設け
た永久磁石９を用いて、５の点線で示すような高プラズ
マ電子流を基板８の表面上に照射する。一方ノズルの先
端が電気的に加熱された活性化ノズル１０を用いて例え
ばＣＬとＨ２の混合ガスのイオン化を促進させて、基板
表面上に供給しダイヤモンド薄膜を被成させるものであ
る。
ここに、上記装置においてダイヤモンド薄膜を得る条件
としては、ＨＣＤガンの電圧、電流条件は、それぞれ電
圧： ＩＯＶから１００Ｖ、電流： ２００Ａから３０
０ＯＡの範囲が、また、活性化ノズル先端の電気的加熱
条件は、電圧：２０ｖから６０Ｖ 、電流＝１０＾から
５ＯＡの範囲が好ましく、この条件によりガスのイオン
化が促進される。また、炭化水素、ＣＩ（４，Ｃｆｈ及
びＣＨ，等の少なくとも１種と水素との混合比は、体積
比で水素１に炭化水素は０．０５〜０．５の範囲が望ま
しく、ガス流量は３００ｃｃ／ｓｉｎから３０００ｃｃ
１０＋ｉｎの範囲が望ましい。
としては、ＨＣＤガンの電圧、電流条件は、それぞれ電
圧： ＩＯＶから１００Ｖ、電流： ２００Ａから３０
０ＯＡの範囲が、また、活性化ノズル先端の電気的加熱
条件は、電圧：２０ｖから６０Ｖ 、電流＝１０＾から
５ＯＡの範囲が好ましく、この条件によりガスのイオン
化が促進される。また、炭化水素、ＣＩ（４，Ｃｆｈ及
びＣＨ，等の少なくとも１種と水素との混合比は、体積
比で水素１に炭化水素は０．０５〜０．５の範囲が望ま
しく、ガス流量は３００ｃｃ／ｓｉｎから３０００ｃｃ
１０＋ｉｎの範囲が望ましい。
ここに、炭化水素と水素の混合比が体積比で水素１に対
し炭化水素０．０５未満では濃度が薄く効果が不十分で
あり、０．５を超えるとＣの成分が過剰となり炉内を汚
すため、０．５以下が望ましい。
し炭化水素０．０５未満では濃度が薄く効果が不十分で
あり、０．５を超えるとＣの成分が過剰となり炉内を汚
すため、０．５以下が望ましい。
つぎに、この発明の基礎となった実験結果について説明
する。
する。
Ｃ： ０．０４９ｗｔχ、Ｓｉ ： ０．１８ｗＬχ、
Ｍｎ ： ０．３２１１ｔＸ、Ｃｒ ： １７．１ｗｔ
Ｘ、 Ｐ ： ０．０１８ｗｔχ、Ｓ ： ０．００
４ｗｔχを含有する２、２■厚のステンレス鋼熱延板を
、０．２５■厚に冷間圧延し、ついで７５０℃の不活性
雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、下記のａ、ｂ、ｃ
。
Ｍｎ ： ０．３２１１ｔＸ、Ｃｒ ： １７．１ｗｔ
Ｘ、 Ｐ ： ０．０１８ｗｔχ、Ｓ ： ０．００
４ｗｔχを含有する２、２■厚のステンレス鋼熱延板を
、０．２５■厚に冷間圧延し、ついで７５０℃の不活性
雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、下記のａ、ｂ、ｃ
。
ｄ、ｅ、ｆ及びｇに示す７種類の手法によって鋼板表面
上にそれぞれの被膜を被成した。
上にそれぞれの被膜を被成した。
記
ａ、エレクトロンビーム（単にＥＢという）走査により
Ｔｉを蒸発させ、これをＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）コイルを用いてイオン化してＴｉＮ被膜（
１，０ｐｙｉ厚）を被成するいわゆるＥＢ ＋ ＲＦ法
にて成膜を行った。なお処理条件は、真空度３ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒ、ＥＢ （ピアス式）の照射条件は、加
速電圧： ６０ＫＶ、加速電流：５鵬＾とし、Ｎ２ガス
イオン化のためのＲＦの電力は１０００縁とした。
Ｔｉを蒸発させ、これをＲＦ （Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑ
ｕｅｎｃｙ）コイルを用いてイオン化してＴｉＮ被膜（
１，０ｐｙｉ厚）を被成するいわゆるＥＢ ＋ ＲＦ法
にて成膜を行った。なお処理条件は、真空度３ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒ、ＥＢ （ピアス式）の照射条件は、加
速電圧： ６０ＫＶ、加速電流：５鵬＾とし、Ｎ２ガス
イオン化のためのＲＦの電力は１０００縁とした。
ｂ、ＥＢ定走査より、鋼板表面上にＣｒ被膜（０，５μ
■厚）を被成させたのち、その上に、さらにＴｉを蒸発
させ、イオン化手段としてＲＦコイルを用いてＴｉＮの
セラミック被膜（０，５μ麟厚）を被成するＥＢ ＋
ＲＦ法にて成膜を行なった。ここに、第１層のＣｒ被膜
の処理条件は真空度４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、ＥＢ
（ピアス式）の照射条件は、加速電圧： ６０ＫＶ、加
速電流：５ｍＡとし、第２層のＴｉＮ被膜の被成は、上
記と同じＥＢ条件で、Ｎ２ガスイオン化のためのＲＦの
電力を１０００−とした。
■厚）を被成させたのち、その上に、さらにＴｉを蒸発
させ、イオン化手段としてＲＦコイルを用いてＴｉＮの
セラミック被膜（０，５μ麟厚）を被成するＥＢ ＋
ＲＦ法にて成膜を行なった。ここに、第１層のＣｒ被膜
の処理条件は真空度４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、ＥＢ
（ピアス式）の照射条件は、加速電圧： ６０ＫＶ、加
速電流：５ｍＡとし、第２層のＴｉＮ被膜の被成は、上
記と同じＥＢ条件で、Ｎ２ガスイオン化のためのＲＦの
電力を１０００−とした。
さらに、ＴｉＮ被膜の上に、ＨＣＤ方式によるイオンプ
レーティング装置を用いて、ＨＣＤビームをＴｉＮ被膜
を有する基板表面に照射すると同時に、ノズル先端を電
気的に加熱した活性化ノズルよりＣ１，とＨ２の混合ガ
スを供給して上記基板表面上に約０．２μ曙厚のダイヤ
モンド薄膜を被成させた。このときのＨＣＤガンには電
圧：５０ｖ、電流： ７００Ａ、活性化ノズルには電圧
：２０Ｖ、電流：４０Ａ加えた。また、ＣＨ４とＨ２の
混合ガスは体積比で０．５（ＣＨ４） ： Ｉ ｒｕｇ
）とし、ガス流量は５００ｃｃ／５ｈｉｎとした。
レーティング装置を用いて、ＨＣＤビームをＴｉＮ被膜
を有する基板表面に照射すると同時に、ノズル先端を電
気的に加熱した活性化ノズルよりＣ１，とＨ２の混合ガ
スを供給して上記基板表面上に約０．２μ曙厚のダイヤ
モンド薄膜を被成させた。このときのＨＣＤガンには電
圧：５０ｖ、電流： ７００Ａ、活性化ノズルには電圧
：２０Ｖ、電流：４０Ａ加えた。また、ＣＨ４とＨ２の
混合ガスは体積比で０．５（ＣＨ４） ： Ｉ ｒｕｇ
）とし、ガス流量は５００ｃｃ／５ｈｉｎとした。
ｃ、 ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング装置を用
いて、鋼板表面上に０．５μ麟厚のＴｉ被膜を被成後、
その上に重ねて１μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。この
ときのＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理条件
は、加速電圧＝７０ν、加速電流：１０００Ａ 、真空
度： ４．９ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよびバイアス電
圧：５０ｖ とした。
いて、鋼板表面上に０．５μ麟厚のＴｉ被膜を被成後、
その上に重ねて１μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。この
ときのＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理条件
は、加速電圧＝７０ν、加速電流：１０００Ａ 、真空
度： ４．９ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよびバイアス電
圧：５０ｖ とした。
ｄ、ＩＩｃＤ方式によるイオンプレーティング装置を用
いて、鋼板表面上に０．５μ■厚のＣｒ被膜を被成後、
その上に重ねて０．５μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
いて、鋼板表面上に０．５μ■厚のＣｒ被膜を被成後、
その上に重ねて０．５μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
このときのＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理
条件は、加速電圧ニア０Ｖ、加速電流：１０００Ａ 、
真空度： ５．２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよびバイア
ス電圧：５０ｖとした。
条件は、加速電圧ニア０Ｖ、加速電流：１０００Ａ 、
真空度： ５．２ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよびバイア
ス電圧：５０ｖとした。
さらにＴｉＮ被膜の上にす、と同じ条件で約０．２μ■
厚のダイヤモンド薄膜を被成させた。
厚のダイヤモンド薄膜を被成させた。
ｅ、 ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング装置を用
いて、鋼板表面上に０．５μ醜厚のＣｒ被膜を被成後、
その上に重ねて０．５μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
いて、鋼板表面上に０．５μ醜厚のＣｒ被膜を被成後、
その上に重ねて０．５μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
このときのＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理
条件は、ｄ、と同じ条件で行なった。
条件は、ｄ、と同じ条件で行なった。
ｔ、）ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング装置を用
いて、鋼板表面上に０．５μ霧厚のＴｉ被膜を被成後、
その上に重ねて１μ順厚のＴｉＮ被膜を被成した。
いて、鋼板表面上に０．５μ霧厚のＴｉ被膜を被成後、
その上に重ねて１μ順厚のＴｉＮ被膜を被成した。
このときの）ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処
理条件は、加速電圧：６８Ｖ、加速電流：１０００Ａ
、真空度： ６ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒおよびバイアス電
圧： ５０Ｖとした。
理条件は、加速電圧：６８Ｖ、加速電流：１０００Ａ
、真空度： ６ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒおよびバイアス電
圧： ５０Ｖとした。
さらにＴｉＮ被膜の上にＨＣＤ方式によるイオンプレー
ティング装置を用いて、ＨＣＤビームを、ＴｉＮ被膜を
有する基板表面に照射すると同時に、ノズル先端を電気
的に加熱した活性化ノズルよりＣＨ，とＨ２の混合ガス
を供給して、上記基板表面上に約０．２μ■厚のダイヤ
モンド薄膜を被成させた。このときのＨＣＤガンには電
圧：５０ｖ、電流： １００ＯＡ、活性化ノズルには電
圧：５０ｖ、電流＝２ＯＡを加えた。また、ＣＨ，とＨ
２の混合ガスは体積比で０．５（Ｃ）！、） ： １
（Ｈ２）とし、ガス流量は５００ ｃｃ／ｗｉｎとした
。
ティング装置を用いて、ＨＣＤビームを、ＴｉＮ被膜を
有する基板表面に照射すると同時に、ノズル先端を電気
的に加熱した活性化ノズルよりＣＨ，とＨ２の混合ガス
を供給して、上記基板表面上に約０．２μ■厚のダイヤ
モンド薄膜を被成させた。このときのＨＣＤガンには電
圧：５０ｖ、電流： １００ＯＡ、活性化ノズルには電
圧：５０ｖ、電流＝２ＯＡを加えた。また、ＣＨ，とＨ
２の混合ガスは体積比で０．５（Ｃ）！、） ： １
（Ｈ２）とし、ガス流量は５００ ｃｃ／ｗｉｎとした
。
ｇ、ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング装置を用い
て、鋼板表面上に０．５μ顛厚のＣｒ被膜を被成後、そ
の上に重ねて０．３μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
て、鋼板表面上に０．５μ顛厚のＣｒ被膜を被成後、そ
の上に重ねて０．３μ■厚のＴｉＮ被膜を被成した。
このときのＨＣＤ方式によるイオンプレーティング条件
はｆ、と同条件とした。
はｆ、と同条件とした。
さらにＴｉＮ被膜の上にｆ、と同じ条件でダイヤモンド
薄膜を被成した。
薄膜を被成した。
上述の各処理によって得た被膜を有する鋼板について、
耐食性、密着性および耐摩耗性について調べた結果を表
１に示す。
耐食性、密着性および耐摩耗性について調べた結果を表
１に示す。
ここに 摩耗試験方法においては、試験前のコーティン
グ表面の色差と摩耗試験後のコーティング表面の色差を
測定し、その色差変化をΔε値であられした。
グ表面の色差と摩耗試験後のコーティング表面の色差を
測定し、その色差変化をΔε値であられした。
表１から明らかなように、鋼板表面に下から順に金属被
膜（Ｃｒ、 Ｔｉ）、セラミック被膜（ＴｉＮ）、及び
最外層にダイヤモンド薄膜を被成した試料、ｂ。
膜（Ｃｒ、 Ｔｉ）、セラミック被膜（ＴｉＮ）、及び
最外層にダイヤモンド薄膜を被成した試料、ｂ。
ｄ、ｆ及びｇは耐摩耗性が極端に向上していることが注
目される。特に耐摩耗性の良否を示すΔＥ値は０．２か
ら０．３とダイヤモンド薄膜を被成しなかった試料ａ、
ｃ、ｅの３．０から７．０に比較して１／１０から１／
３５と大巾に向上する。
目される。特に耐摩耗性の良否を示すΔＥ値は０．２か
ら０．３とダイヤモンド薄膜を被成しなかった試料ａ、
ｃ、ｅの３．０から７．０に比較して１／１０から１／
３５と大巾に向上する。
また、ｂを除く、ｄ、ｆ及びｇ試料は、耐食性、密着性
共に優れているが、ダイヤモンド薄膜があっても、金属
被膜、セラミック被膜をＨＣＤ方式で行なわなかったｂ
試料は耐食性で劣っている。
共に優れているが、ダイヤモンド薄膜があっても、金属
被膜、セラミック被膜をＨＣＤ方式で行なわなかったｂ
試料は耐食性で劣っている。
このように、耐摩耗性が顕著に向上し、しかも耐食性、
密着性にも優れる被膜の被成は、コーティング方法、セ
ラミックの膜質などにも起因するが、セラミック被膜上
に硬度の高いダイヤモンド薄膜を被成させることにより
耐摩耗性が大巾に改善されることが明らかである。
密着性にも優れる被膜の被成は、コーティング方法、セ
ラミックの膜質などにも起因するが、セラミック被膜上
に硬度の高いダイヤモンド薄膜を被成させることにより
耐摩耗性が大巾に改善されることが明らかである。
（実施例）
ｌ施■１
Ｃ： ０．０４２ｗｔχ、Ｓｉ ： ０．１８ｗｔχ、
Ｍｎ ： ０．３３ｗｔχ、Ｃｒ ： １７．Ｏｗｔ＄
、Ｐ ： ０．０１６ｗｔχ、Ｓ ： ０．０１５ｗｔ
χを含有する２、３ ａｍ厚のステンレス鋼熱延板を、
０．２５ｍ厚に冷間圧延し、ついで７５０°Ｃの不活性
雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、前記ｇの条件で０
．０５μ蒙厚のＣｒ被膜を被成し、その上に０．６μｍ
厚のＴｉＮ被膜を被成し、さらにその上に０．３μｍ厚
のダイヤモンド薄膜を被成した。
Ｍｎ ： ０．３３ｗｔχ、Ｃｒ ： １７．Ｏｗｔ＄
、Ｐ ： ０．０１６ｗｔχ、Ｓ ： ０．０１５ｗｔ
χを含有する２、３ ａｍ厚のステンレス鋼熱延板を、
０．２５ｍ厚に冷間圧延し、ついで７５０°Ｃの不活性
雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、前記ｇの条件で０
．０５μ蒙厚のＣｒ被膜を被成し、その上に０．６μｍ
厚のＴｉＮ被膜を被成し、さらにその上に０．３μｍ厚
のダイヤモンド薄膜を被成した。
かくして得られた製品の耐食性、密着性及び耐摩耗性は
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、３０００回
での色差変化ΔＥが０．１と極めて良好であった。
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、３０００回
での色差変化ΔＥが０．１と極めて良好であった。
実施ＪＬＬ
Ｃ： ０．０４５ｗｔχ、Ｓｉ ： ０．０２９ｗｔχ
、Ｍｎ ： ０．３０ｗｔχ、Ｐ ： ０．０１４ｗｔ
χ、Ｓ ： ０．０１６ｗｔＸを含有する２、２ ａｍ
厚の低炭素鋼熱延板を、０．７ａｎｎ厚に冷間圧延し、
ついで７５０°Ｃの再結晶焼鈍を施したのち、鋼板表面
を電界研磨により中心線平均粗さＲａで０．２μＭに研
磨した後、前記ｄの条件で０．３μ蒙厚のＣｒ被膜を被
成し、その上に各々０．８μｍ厚のＴｉＣ被膜及びＴｉ
（Ｃ，Ｎ）被膜を被成し、さらにその上に０．２μｍ厚
のダイヤモンド薄膜を被成した。
、Ｍｎ ： ０．３０ｗｔχ、Ｐ ： ０．０１４ｗｔ
χ、Ｓ ： ０．０１６ｗｔＸを含有する２、２ ａｍ
厚の低炭素鋼熱延板を、０．７ａｎｎ厚に冷間圧延し、
ついで７５０°Ｃの再結晶焼鈍を施したのち、鋼板表面
を電界研磨により中心線平均粗さＲａで０．２μＭに研
磨した後、前記ｄの条件で０．３μ蒙厚のＣｒ被膜を被
成し、その上に各々０．８μｍ厚のＴｉＣ被膜及びＴｉ
（Ｃ，Ｎ）被膜を被成し、さらにその上に０．２μｍ厚
のダイヤモンド薄膜を被成した。
かくして得られた製品の耐食性、密着性及び耐摩耗性は
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、３０００回
での色差変化ΔＥが、中間のセラミック被膜がＴｉｃの
場合０．３． Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の場合０．４ と極めて
良好であった。
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、３０００回
での色差変化ΔＥが、中間のセラミック被膜がＴｉｃの
場合０．３． Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）の場合０．４ と極めて
良好であった。
夫旌貫主
Ｃ： ０．０１３ｗｔχ、Ｓｉ ： ０．００８ｗｔχ
、Ｍｎ ： ０．２１ｗｔχ、Ｃｒ ： １６．７ｗｔ
χ、Ｐ ： ０．００９ｗｔχ、Ｓ ： ０．０１６ｗ
ｔＺを含有する２、２ ｍ厚のステンレス鋼熱延板を、
０．２０ｍｍ厚に冷間圧延し、ついで８００°Ｃの不活
性雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、前記ｆの条件で
０．０７μ蒙厚のＴｉを被成し、その上に０．５μｌの
ＴｉＣ被膜、さらにその上に０．２μｍ厚のＴ１ＣＮ被
膜を被成後、０．２μｍ厚のダイヤモンド被膜を被成し
た。
、Ｍｎ ： ０．２１ｗｔχ、Ｃｒ ： １６．７ｗｔ
χ、Ｐ ： ０．００９ｗｔχ、Ｓ ： ０．０１６ｗ
ｔＺを含有する２、２ ｍ厚のステンレス鋼熱延板を、
０．２０ｍｍ厚に冷間圧延し、ついで８００°Ｃの不活
性雰囲気中で再結晶焼鈍を施したのち、前記ｆの条件で
０．０７μ蒙厚のＴｉを被成し、その上に０．５μｌの
ＴｉＣ被膜、さらにその上に０．２μｍ厚のＴ１ＣＮ被
膜を被成後、０．２μｍ厚のダイヤモンド被膜を被成し
た。
かくして得られた製品の耐食性、密着性及び耐摩耗性は
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、５０００回
での色差変化ΔＥが０．２と極めて良好であった。
いずれも良好で、特に耐摩耗性については、５０００回
での色差変化ΔＥが０．２と極めて良好であった。
実施炎↓
Ｃ： ０．０１３ｗｔχ、Ｓｉ ： ０．２６ｅｖｔＸ
、 Ｍｎ ： ０．２５ｗｔχ、Ｃｒ ： １９．３ｗ
ｔχ、Ｍｏ ： ３．２ｗｔχを含有する０、７ ａｍ
厚のステンレス鋼板の上に、前記ｇの条件で０．５μ鋼
厚のＣ「を被成し、その上に０．５μｍ厚のＣｒＮ被膜
、さらにその上に０．２μｍ厚のＣｒＣ被膜を被成後、
０．１５μ蒙厚のダイヤモンド被膜を被成した。かくし
て得られた製品の耐食性、密着性、耐摩耗性はいずれも
良好で、特に耐摩耗性については１０，０００回での色
差変化へＥが０．３と極めて良好であった。
、 Ｍｎ ： ０．２５ｗｔχ、Ｃｒ ： １９．３ｗ
ｔχ、Ｍｏ ： ３．２ｗｔχを含有する０、７ ａｍ
厚のステンレス鋼板の上に、前記ｇの条件で０．５μ鋼
厚のＣ「を被成し、その上に０．５μｍ厚のＣｒＮ被膜
、さらにその上に０．２μｍ厚のＣｒＣ被膜を被成後、
０．１５μ蒙厚のダイヤモンド被膜を被成した。かくし
て得られた製品の耐食性、密着性、耐摩耗性はいずれも
良好で、特に耐摩耗性については１０，０００回での色
差変化へＥが０．３と極めて良好であった。
（発明の効果）
この発明によれば、炭素鋼、ステンレス鋼などの銅板表
面にＨＣＤ方式を用いたイオンプレーティングにより、
金属被膜、セラミック被膜そして最外層にダイヤモンド
被膜を順に被成さすことにより、耐摩耗性にすぐれ、か
つ、耐食性、密着性にも優れる鋼板が得られるもので、
建築などで用いられる大表面積を有する鋼板にも好適に
用いることができ、イオンプレーティングの実用化に大
きく貢献するものである。
面にＨＣＤ方式を用いたイオンプレーティングにより、
金属被膜、セラミック被膜そして最外層にダイヤモンド
被膜を順に被成さすことにより、耐摩耗性にすぐれ、か
つ、耐食性、密着性にも優れる鋼板が得られるもので、
建築などで用いられる大表面積を有する鋼板にも好適に
用いることができ、イオンプレーティングの実用化に大
きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の圧力勾配型のＨＣＤ法を用いたダイ
ヤモンド薄膜製造装置の模式図である。 １・・・ＨＣＤガン ２・・・第１電極３・・
・第２を極 ４・・・電磁石５・・・ビーム
６・・・真空チャンバー７・・・真空吸引口
８・・・基板９・・・永久磁石 １０
・・・活性化ノズル１１・・・ノズル保護管 １２
・・・ガス導入口第１図
ヤモンド薄膜製造装置の模式図である。 １・・・ＨＣＤガン ２・・・第１電極３・・
・第２を極 ４・・・電磁石５・・・ビーム
６・・・真空チャンバー７・・・真空吸引口
８・・・基板９・・・永久磁石 １０
・・・活性化ノズル１１・・・ノズル保護管 １２
・・・ガス導入口第１図
Claims (1)
- １．ＨＣＤ方式によるイオンプレーティング処理によっ
て鋼板表面に金属被膜を被成し、ついでこの被膜上にＣ
ｒ、もしくはＴｉの炭化物、窒化物、又は炭窒化物など
のセラミック被膜を被成し、さらに該セラミック被膜表
面に、ＨＣＤ方式によるビームを照射すると同時に、先
端を電気的に加熱した活性化ノズルから炭化水素と水素
の混合ガスを供給して、該セラミ被膜上にダイヤモンド
薄膜を被成することを特徴とする耐摩耗性の極めて優れ
る被膜を有する鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314990A JPH03291377A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9314990A JPH03291377A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291377A true JPH03291377A (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14074481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9314990A Pending JPH03291377A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291377A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005500435A (ja) * | 2001-06-22 | 2005-01-06 | ティッセンクルップ エレクトリカル スティール エーベーゲー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板 |
| JP2009114525A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9314990A patent/JPH03291377A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005500435A (ja) * | 2001-06-22 | 2005-01-06 | ティッセンクルップ エレクトリカル スティール エーベーゲー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板 |
| JP2009018573A (ja) * | 2001-06-22 | 2009-01-29 | Thyssenkrupp Electrical Steel Gmbh | 電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板 |
| JP2009114525A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2360032C1 (ru) | Способ получения износостойких сверхтвердых покрытий | |
| EP0985057A1 (en) | Method of forming diamond-like carbon coating in vacuum | |
| JPS61201769A (ja) | 酸化物、窒化物、酸化窒化物および炭化物からなる層の反応的蒸着法 | |
| CN111139477A (zh) | 多层基材及制造方法 | |
| JP2003082458A (ja) | 非晶質炭素被膜の形成装置及び形成方法 | |
| JPH03291377A (ja) | 耐摩耗性の極めて優れる被膜を有する鋼板の製造方法 | |
| JP2837700B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜を形成する方法 | |
| JP3187487B2 (ja) | ダイヤモンド様薄膜の保護膜付き物品 | |
| JPH07258840A (ja) | カーボン薄膜形成方法 | |
| KR930006119B1 (ko) | 밀착성, 평활성 및 내식성에 뛰어난 치밀한 세라믹 피막을 갖춘 강판 및 그 제조방법 | |
| JPH024963A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP3056827B2 (ja) | ダイヤモンド様炭素保護膜を有する物品とその製造方法 | |
| JPH0572467B2 (ja) | ||
| JPS63192855A (ja) | 密着性、均一性および耐食性に優れたセラミツク被膜をそなえる低炭素鋼板およびステンレス鋼板の製造方法 | |
| JPS5916972A (ja) | 金属およびセラミツク薄膜の製造方法 | |
| Tao et al. | Anode magnetron enhanced DC glow discharge processes for plasma surface cleaning and polymerization | |
| JPH03111554A (ja) | 耐摩耗性の優れたセラミック被膜をそなえる鋼板の製造方法 | |
| JPH01316455A (ja) | 一方向性珪素鋼板の磁気特性向上方法 | |
| JPS63195260A (ja) | 被覆材料とその製造方法 | |
| JP2004115835A (ja) | Ｈｃｄイオンプレーティング用蒸発装置 | |
| JPH0254753A (ja) | 連続ドライプレーティング処理における予備加熱方法 | |
| JPS6342362A (ja) | 表面被覆鋼材の製造方法 | |
| JPH0551668B2 (ja) | ||
| JP2898652B2 (ja) | イオンプレーティング用蒸発装置 | |
| JP2004010741A (ja) | 撥水性被膜の形成方法および該方法で形成される撥水性被膜 |