JPH0329174B2 - - Google Patents
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- JPH0329174B2 JPH0329174B2 JP59163700A JP16370084A JPH0329174B2 JP H0329174 B2 JPH0329174 B2 JP H0329174B2 JP 59163700 A JP59163700 A JP 59163700A JP 16370084 A JP16370084 A JP 16370084A JP H0329174 B2 JPH0329174 B2 JP H0329174B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本発明は、半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面
の如き素子表面ならびに、好ましくはこれを含む
近傍にポリイミド絶縁皮膜を形成する方法に関す
る。 従来、半導体素子のＰ−Ｎ接合部のジヤンクシ
ヨン保護膜あるいは半導体素子表面のパツシベー
シヨン膜等として耐湿性と密着性に優れるポリイ
ミドシリコーンすなわちシロキサン変性ポリイミ
ドが用いられてきた。ところが高圧大電流の半導
体素子とくに高圧ダイオードには、角形チツプ形
状の半導体素子からなるダイオードがあり、この
Ｐ−Ｎ接合部のジヤンクシヨン保護膜として従来
のシロキサン変性ポリアミド酸の溶液から加熱・
硬化して得られるポリイミド膜では、角形チツプ
のエツジの部分の膜厚が薄くなりすぎ、放電する
場合があり、製品歩留を低下させ、初期良品率が
向上しない欠点があつた。第１図には、通常用い
られている丸型円筒状のメサ型半導体素子から成
るシリコンダイオードを示した。Ｎ型領域３ａと
Ｐ型領域３ｂがＰ−Ｎ接合面５を介してなる半導
体素子４がリード線１ａ，１ｂにハンダで接着さ
れ、これらがエポキシ樹脂等のモールド材２で封
止されている。半導体素子４の表面は、リード線
の一部を含んでポリイミド膜６で被覆されてい
る。ところが第２図の様に半導体素子４が角形チ
ツプの場合、四隅のエツジ部分では、ポリイミド
膜６は非常に薄くなり、これがために、放電し、
逆方向の漏れ電流が著しく増大する場合があつ
た。これは、ポリイミド膜形成用の塗布溶液であ
るシロキサン変性ポリアミド酸のポリイミド形
成々分濃度である固形分濃度が低い事に原因があ
つた。一般にポリイミド絶縁皮膜を形成するに用
いられる塗布溶液は不活性溶剤中にポリアミド酸
もしくはその誘導体が溶解しており、この重合体
は高分子量のため、実使用上溶解できる重合体濃
度は一般に５〜30重量％であり、さらに、上記ダ
イオード等へ塗布する場合にはハケ塗り、デイス
ペンス法などの塗布作業性を良するため、さらに
溶剤で希釈したりして、溶液粘度を通常は50〜
130CPSに低下するが、この粘度での重合体濃度
は、通常２〜20重量％にも低下し、このため、角
形チツプのエツジの部分は極めて肉薄であつた。
そこでエツジカバー性を向上するため複数回塗布
によりエツジの部分に肉付けする方法が試みられ
ているが、この方法では工程の増加となり、作業
性低下の欠点となつていた。少くとも一回の塗布
でエツジカバーの優れる塗布溶液とするには、固
形分濃度を高めた高濃度溶液であることが必要
で、さらに半導体素子のリード線への接着部分の
段差が100μm以上であり、最大皮膜厚みが100μm
以上でも透明強靭な皮膜が形成できることも必要
であつた。第４図には、個別半導体である高圧ト
ランジスタの一実施例の横断面図を示す。放熱板
の付いた銀メツキ銅フレーム８の上にパワートラ
ンジスタ素子１１が固定され、アルミニウムワイ
ヤ９でリードフレームとボンデイングされてお
り、この素子表面上に従来のポリアミド酸もしく
はその誘導体から形成されたポリイミド保護膜１
２が設けられ、これらはエポキシ樹脂等のモール
ド材１０で封止されている。このポリイミド保護
膜は、主に半導体の耐湿性向上の目的で使用さ
れ、通常５〜20μm程度の膜厚で充分な特性が発
揮されるが、しかし、アルミニウムワイヤ９のボ
ンデイング部（素子表面上）では塗布溶液の表面
張力のため100μm以上の肉厚となる場合が多々あ
り、この肉厚部でポリイミド膜が透明皮膜となら
ず粉化する場合があつた。粉化したポリイミド膜
では、絶縁耐電圧が著しく低下し、リーク電流の
増加、耐圧低下の原因となつていた。また300μm
以上の厚みのある半導体素子の側面でも同様の問
題があつた。 本発明者らは、上記事情に鑑み、作業性を低下
させることなく一回の塗布で100μm以上のポリイ
ミド絶縁皮膜を形成させんと鋭意検討した結果本
発明に到達したものである。すなわち本発明は、
半導体素子表面にポリイミド形成用塗布溶液を塗
工し、加熱硬化させることによりポリイミド皮膜
を形成させる方法において、該塗布溶液が、(a)次
の一般式(1) （ただし、R1，R2は水素または炭素数が１〜
４のアルキル基またはCF3を示し、互いに同じで
あつても異つていてもよい。R3，R4，R5，R6は
水素またはハロゲンまたは炭素数１〜４のアルキ
ル基であり、互いに同じであつても異つていても
よい。） で示される４核体ジアミン99〜80モル％と次の一
般式(2) （ただし、R7は二価の有機基、R8は一価の有
機基を示し、ｎは１〜1000の整数である） で示されるジアミノシロキサン１〜20モル％より
なるジアミン成分と(b)芳香族テトラカルボン酸エ
ステルを、略等モルの割合で不活性溶剤中に溶解
してなる溶液であることを特徴とする半導体素子
表面への皮膜形成方法に関するものである。 つまり本発明では、半導体素子表面への接着力
向上のため一般式(1)で示される４核体ジアミンと
一般式(2)で示されるジアミノシロキサンとの併用
を行なうのが、これらのジアミンと芳香族テトラ
カルボン酸エステルとを不活性溶剤中に溶解し、
高分子量ポリアミド酸とせず、モノマー状態での
溶解もしくは分子量2000以下程度の低分子量オリ
ゴマーの程度での溶解にとどめ、ポリイミド絶縁
皮膜形成成分である固形分濃度を著るしく向上さ
せ、高濃度化を計つたものである。 芳香族テトラカルボン酸ニ無水物は不活性溶剤
に溶解しないか、溶解したとしても、得られる塗
布溶度の保存中にジアミンと反応し、ポリアミド
酸となるため、本発明では芳香族テトラカルボン
酸エステルを用いる。本発明においては塗布溶液
の濃度向上を行なうことで塗布後、加熱すること
により生成するポリイミド膜の厚膜形成が可能と
なつたのである。 本発明に於て半導体素子表面とは通常はPN接
合部の露出面を意味するが、該露出面にガラスパ
シベーシヨン膜等が形成されている場合も含む。
また本発明に於て半導体素子面に塗布溶液を塗工
する場合、一般的には、素子表面の近傍にも塗工
される。本発明に於ては、必須成分として一般式
(1)で示される４核体ジアミンを用いる。この４核
体ジアミンを具体的に例示すれば好適には2.2−
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパンであるが、その他２・２−ビス〔３−メ
チル−４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパン、２・２−ビス〔３−クロロ−４−（４
−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン、１・
１−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕エタン、１・１−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕メタン、
１・１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕メタン、１・１−ビス〔３
−クロロ−４−（４−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕エタン、１・１−ビス〔３・５−ジメチル−
４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕エタン、
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
メタン、ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕メタン、ビス〔３−クロロ
−４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕エタ
ン、ビス〔３・５−ジメチル−４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕メタンなどが挙げられ
る。一方従来のジアミンも厚膜形成性を低下させ
ない範囲、通常上記４核体ジアミン使用量に対し
て30モル％まで置き換え可能であるが、それ以上
の使用は厚膜成形性を低下するので好ましくな
い。この様な従来のジアミンを敢えて列挙すれば
メタフエニレンジアミン、パラフエニレンジアミ
ンなどの１核体ジアミン、４・4′−ジアミノジフ
エニルメタン、４・4′−ジアミノジフエニルエー
テル、２・2′−ビス（４−アミノフエニル）プロ
パン、３・3′−ジアミノジフエニルスルホン、
４・4′−ジアミノジフエニルスルホン、４・4′−
ジアミノジフエニルスルフイド、ベンジジン、ベ
ンジジン−３・3′−ジスルホン酸、ベンジジン−
３−モノスルホン酸、ベンジジン−３−モノカル
ボン酸、３・3′−ジメトキシベンジジンなどの２
核体ジアミン、４・4″−ジアミノ−Ｐ−ターフエ
ニル、１・４−ビス（ｍ−アミノフエノキシ）ベ
ンゼン、１・４−ビス（Ｐ−アミノフエノキシ）
ベンゼン、１・４−ビス（ｍ−アミノスルホニ
ル）ベンゼン、１・４−ビス（Ｐ−アミノフエニ
ルスルホニル）ベンゼン、１・４−ビス（ｍ−ア
ミノフエニルチオエーテル）ベンゼン、１・４−
ビス（Ｐ−アミノフエニルチオエーテル）ベンゼ
ンなどの３核体ジアミン、４・4′−ジアミノフエ
ニルエーテル−３−カルボンアミド、３・4′−ジ
アミノフエニルエーテル−４−カルボンアミド、
３・4′−ジアミノジフエニルエーテル−3′−カル
ボンアミド、３・3′−ジアミジフエニルエーテル
−４−カルボンアミドなどのジアミノカルボンア
ミド化合物、４・4′−（４−アミノフエノキシ）
ジフエニルスルホン、４・4′−（３−アミノフエ
ノキシ）ジフエニルスルホン、４・4′−（４−ア
ミノフエノキシ）ジフエニルスルフイド、４・
4′−（４−アミノフエノキシ）ビフエニルなどの
一般式(1)に含まれない４核体ジアミンなどの芳香
族ジアミンや、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタ
メチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、１・４
−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミ
ン、４・4′−ジアミノジシクロヘキシルメタンな
どの脂肪族ジアミンなどが挙げられる。 本発明ではポリイミド膜と半導体素子との密着
性が必要なため、密着性向上剤として一般式(2)で
示されるジアミノシロキサンを併用する。ジアミ
ン成分中に使用する前記ジアミノシロキサンの割
合は１〜20モル％であるが好ましくは１〜４モル
％である。 ジアミノシロキサンを20モル％以上用いると耐
熱性および耐湿性を低下させるし、１モル％以下
の使用では半導体素子に対する密着性に劣るよう
になる。 本発明で用いられる前記一般式(2)で示されるジ
アミノシロキサンの代表例につき例示すれば以下
の如くである。 本発明で用いる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルは、通常、分子量200〜700程度のものを用いる
ことができ、芳香族テトラカルボン酸二無水物と
アルコール（通常はＣ数４以下の一価アルコー
ル）とを反応させて得ることができる。エステル
化を行なうアルコールとしては、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパノール、sec−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、sec−ブタノール、tert−
ブタノールなどのアルコールが良く、好ましくは
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
sec−ブタノールである。さらに好ましくはメタ
ノール、エタノールである。エステル化は芳香族
テトラカルボン酸二無水物に対して過剰量のアル
コールを反応容器に加え、アルコールの沸点で加
熱し還流を行ない、無水物基１ケに対してアルコ
ールを少くとも１ケ反応させた芳香族テトラカル
ボン酸ジエステル以上の多エステルとし、反応終
了後は、過剰のアルコールを留去することにより
得ることができる。エステル化に用いる芳香族テ
トラカルボン酸二無水物は、一般的に分子量200
〜500程度のものが用いられ、その具体例につい
て例示すると以下の如くである。すなわちピロメ
リツト酸二無水物、３・3′・４・4′−ベンゾフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、２・
３・3′・4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水
物、２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、１・２・５・６−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、１・４・５・８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２・2′−ビス
（３・４−ジカルボキシフエニル）プロパン二無
水物、ビス（３・４−ジカルボキシフエニル）ス
ルホン二無水物、３・４・９・10−ベリレンテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３・４−ジカルボ
キシフエニル）エーテル二無水物、２・2′（２・
３ジカルボキシフエニル）プロパン二無水物、
１・1′−ビス（２・３）ジカルボキシフエニル）
エタン二無水物、ベンゼン−１・２・３・４−テ
トラカルボン酸二無水物、２・３・６・７−アン
トラセンテトラカルボン酸二無水物、１・２・
７・８−フエナントレンテトラカルボン酸二無水
物、などがある。この発明に特に好適な芳香族テ
トラカルボン酸エステルは、３・３・′４・4′−
ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステルお
よび３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカルボン
酸ジエチルエステルである。この好適なジエステ
ルは、通常は酸無水物基を有しないジエステルで
ある。この芳香族テトラカルボン酸エステルを用
いた場合、最も厚膜のポリイミド膜が形成でき、
しかも、形成したポリイミドは、ポリアミド酸を
経由して得られる同一構造のポリイミドと同等の
特性が得られる。もちろん、他の二無水物エステ
ルを使用する場合でも厚膜形成ができるが加熱方
法をより緩和して行なう等の手段をとるのが好ま
しい。 本発明では、上記４核体ジアミン99〜20モル％
およびジアミノシロキサン１〜20モル％よりなる
ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸エステル
を略等モル不活性溶剤に室温で、もしくは70℃以
下で溶解する。加熱下で溶解させたときには、脱
アルコールによりイミド化が進行するが、本発明
に於ては分子量2000程度までにとどめるのが好ま
しい。溶液中のポリイミド形成々分濃度である固
形分濃度は、使用する用途によつて種々変わり得
るが、目安としては塗布溶液の溶液粘度を
100CPSセンチポイズ（25±0.1℃時）に調整した
ときの固形分濃度が40重量％以上とするのが好ま
しい。本発明で用いる不活性溶剤としてはたとえ
ばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ・N′−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ・N′−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ・N′−ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホルアミドなどの高極性塩基性溶剤が
用いられる。もちろん、上記４核体ジアミン、ジ
アミノシロキサンおよび芳香族テトラカルボン酸
エステルからの低分子オリゴマーを溶解できる溶
剤たとえばアセトフエノン、ジオキサン、フルフ
ラール等の溶剤を使用できるのは言うまでも無
い。またこれらの溶剤とともにトルエン、キシレ
ン、ベンゾニトリル、ベンゼン、フエノールの如
き汎用溶剤を併用できるが、しかしその使用量は
低分子オリゴマーの溶解度を低下させない範囲に
すべきである。 本発明で用いるポリイミド形成用の塗布溶液
は、これを半導体素子表面に塗布後、段階乾燥
（例えば150℃で60分、続いて200℃で30分、さら
に250℃で６時間）を行なうのが好ましいが、こ
の過程で４核体ジアミンとジアミノシロキサン
と、芳香族テトラカルボン酸エステルが脱アルコ
ールにより縮重合し、高分子量ポリイミドへ変化
するから、従来のポリアミド酸もしくはその誘導
体の溶液を塗布溶液として用いる必要性が無い。 本発明によれば、一回の塗布で半導体素子上に
100μm以上の透明ポリイミド絶縁膜が形成できる
ので、ダイオード、トランジスタの保護膜以外に
もサイクリスタ、さらにはIC，LSIなどの集積回
路の厚膜が必要とされる保護膜として有用であ
る。特にVLSIのメモリーセルのα線シールド膜
は、通常20〜70μmの膜厚が必要であるが、その
厚み出しのため、ポリアミド酸もしくはその誘導
体から成る塗布溶液を多量にスピンナー法やポツ
テイング方法で塗布していたが、ポリイミド膜が
粉化しないように塗布量のコントロール、そして
塗布精度の管理等、複雑な工程が必要であつた
が、本発明によれば塗布量の低減と塗布作業の簡
易化が計れる。 以下に本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、実施例中溶液粘度、固形分濃度は次の様に
して測定した。 (1)溶液粘度 Ｅ型回転粘度計で、25±0.1℃で測定した。 (2)固形分濃度 固形分濃度（％）＝W3−W1／W2−W1×100 ここにW1：シヤーレの重量（ｇ） W2：試料とシヤーレの重量（ｇ） W3：150℃で60分さらに200℃で60分乾
燥した後の試料とシヤーレの重量
（ｇ） 実施例 １ 撹拌装置、冷却管、および温度計を付したフラ
スコ中に、３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカ
ルボン酸二無水物29.4ｇ（0.1モル）とメタノール
160ｇ（５モル）を加え、64〜65℃で６時間反応系
が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメ
タノールを留去し、さらに減圧下でメタノール残
分ご完全に留去した。得られたエステル化物は酸
価が311であり、IRスペクトルから３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステ
ルであることを確認した。 上記操作で得られた３・3′・４・4′−ビフエニ
ルテトラカルボン酸ジメチルエステル34.8ｇ（0.1
モル）と２・２−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン39.57ｇ（0.0965モル）
とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン0.87ｇ（0.0035モル）とをＮ−メチル−
２−ピロリドン69.8ｇ中に加え、40℃で２時間撹
拌し、透明溶液とした。得られた溶液の固形分濃
度は、50.0重量％であり、溶液粘度は102CPSで
あつた。 実施例 ２ 実施例１と同様なる反応容器に３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
（0.1モル）とｎ−プロパノール300g（５モル）を
加え、97℃で４時間反応系が透明となるまで加
熱・還流し、その後過剰のｎ−プロパノールを完
全に留去し、３・3′・４・4′−ビフエニルテトラ
カルボン酸ジｎ−プロピルエステルを合成した。
得られた３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカル
ボン酸ジｎ−プロピルエステル41.4gに、２・２
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパン38.95g（0.095モル）とビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン1.24g（0.005
モル）、さらにＮ−メチル−２−ピロリドン96.1
ｇを加え、60℃で２時間撹拌し、完全に溶解し、
固形分濃度41.5重量％、溶液粘度100CPSのポリ
イミド形成用塗布溶液を作製した。 実施例 ３ 実施例１で使用した３・3′・４・4′−ビフエニ
ルテトラカルボン酸二無水物の代わりに、３・
3′・４・4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二
無水物を同モル使用して以下同様にして固形分濃
度42.0重量％、溶液粘度101CPSのこの発明のポ
リイミド形成用塗布溶液を作製した。 実施例 ４ 実施例１で使用した２・２−ビス〔４−（４−
アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン41.0g（0.1
モル）の代わりに、２・２−ビス〔４−（４−ア
ミノフエノキシ）フエニル〕プロパン33.62g
（0.082モル）とビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン4.47g（0.018モル）を使用し
て以下同様にして固形分濃度50.0％、溶液粘度
93CPSのこの発明のポリイミド形成用塗布溶液を
作製した。 比較例 １ 実施例１と同様の反応容器に、３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
（0.1モル）と２・２−ビス〔４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕プロパン39.57g（0.0965モ
ル）とビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン0.87g（0.0035モル）さらにＮ−メチ
ル−２−ピロリドン279.4gを加え、30℃以下（特
に室温付近ないしそれに近い温度）に保ちながら
撹拌した。これによつて重合反応はすみやかに進
行し、反応系の粘度が上昇し、固形分濃度19.9重
量％、溶液粘度が2000000CPS以上のポリアミド
酸溶液を作つた。次にこれを60℃に保ち、加熱・
熟成を行ない溶液粘度を3000CPSまで低下させ、
引続きＮ−メチル−２−ピロリドンで溶液粘度が
105CPSになるように希釈した。このポリアミド
酸溶液の固形分濃度は、10.5重量％であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様の反応容器に、実施例１で得ら
れた３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカルボン
酸ジメチルエステル35.8g（0.1モル）と、４・4′−
ジアミノジフエニルエーテル19.3g（0.0965モル）
と、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン0.87g（0.0035モル）とをＮ−メチル−
２−ピロリドン49.6g中に加え、40℃で２時間撹
拌して固形分濃度49.3重量％、溶液粘度110CPS
のポリイミド形成用塗布溶液を作製した。上記実
施例１〜４、比較例１〜２により得られた塗布溶
液を、該溶液を構成する溶媒にて順次希釈し、所
定濃度に於ける粘度（25℃±１℃にて測定）グラ
フ化した結果を第６図に示す。 次に実施例１〜４、比較例１〜２で得られた溶
液を角形チツプ形状を有する高圧シリコンダイオ
ードのＰ−Ｎ接合面上に、リードフレームの一部
を含んではけ塗りで塗布し、乾燥・硬化後エポキ
シ樹脂モールド材で封止して半導体装置とした。
第１表には、その乾燥・硬化条件、初期特性（順
方向電圧、良品率、逆方向耐電圧良品率……試料
100ケ中の良品数で示す）および121℃・2atmの
スチーム・プレツシヤー・クツカー試験（PCT
と略す）後の逆方向漏れ電流良品率を調べた結果
を示す。
の如き素子表面ならびに、好ましくはこれを含む
近傍にポリイミド絶縁皮膜を形成する方法に関す
る。 従来、半導体素子のＰ−Ｎ接合部のジヤンクシ
ヨン保護膜あるいは半導体素子表面のパツシベー
シヨン膜等として耐湿性と密着性に優れるポリイ
ミドシリコーンすなわちシロキサン変性ポリイミ
ドが用いられてきた。ところが高圧大電流の半導
体素子とくに高圧ダイオードには、角形チツプ形
状の半導体素子からなるダイオードがあり、この
Ｐ−Ｎ接合部のジヤンクシヨン保護膜として従来
のシロキサン変性ポリアミド酸の溶液から加熱・
硬化して得られるポリイミド膜では、角形チツプ
のエツジの部分の膜厚が薄くなりすぎ、放電する
場合があり、製品歩留を低下させ、初期良品率が
向上しない欠点があつた。第１図には、通常用い
られている丸型円筒状のメサ型半導体素子から成
るシリコンダイオードを示した。Ｎ型領域３ａと
Ｐ型領域３ｂがＰ−Ｎ接合面５を介してなる半導
体素子４がリード線１ａ，１ｂにハンダで接着さ
れ、これらがエポキシ樹脂等のモールド材２で封
止されている。半導体素子４の表面は、リード線
の一部を含んでポリイミド膜６で被覆されてい
る。ところが第２図の様に半導体素子４が角形チ
ツプの場合、四隅のエツジ部分では、ポリイミド
膜６は非常に薄くなり、これがために、放電し、
逆方向の漏れ電流が著しく増大する場合があつ
た。これは、ポリイミド膜形成用の塗布溶液であ
るシロキサン変性ポリアミド酸のポリイミド形
成々分濃度である固形分濃度が低い事に原因があ
つた。一般にポリイミド絶縁皮膜を形成するに用
いられる塗布溶液は不活性溶剤中にポリアミド酸
もしくはその誘導体が溶解しており、この重合体
は高分子量のため、実使用上溶解できる重合体濃
度は一般に５〜30重量％であり、さらに、上記ダ
イオード等へ塗布する場合にはハケ塗り、デイス
ペンス法などの塗布作業性を良するため、さらに
溶剤で希釈したりして、溶液粘度を通常は50〜
130CPSに低下するが、この粘度での重合体濃度
は、通常２〜20重量％にも低下し、このため、角
形チツプのエツジの部分は極めて肉薄であつた。
そこでエツジカバー性を向上するため複数回塗布
によりエツジの部分に肉付けする方法が試みられ
ているが、この方法では工程の増加となり、作業
性低下の欠点となつていた。少くとも一回の塗布
でエツジカバーの優れる塗布溶液とするには、固
形分濃度を高めた高濃度溶液であることが必要
で、さらに半導体素子のリード線への接着部分の
段差が100μm以上であり、最大皮膜厚みが100μm
以上でも透明強靭な皮膜が形成できることも必要
であつた。第４図には、個別半導体である高圧ト
ランジスタの一実施例の横断面図を示す。放熱板
の付いた銀メツキ銅フレーム８の上にパワートラ
ンジスタ素子１１が固定され、アルミニウムワイ
ヤ９でリードフレームとボンデイングされてお
り、この素子表面上に従来のポリアミド酸もしく
はその誘導体から形成されたポリイミド保護膜１
２が設けられ、これらはエポキシ樹脂等のモール
ド材１０で封止されている。このポリイミド保護
膜は、主に半導体の耐湿性向上の目的で使用さ
れ、通常５〜20μm程度の膜厚で充分な特性が発
揮されるが、しかし、アルミニウムワイヤ９のボ
ンデイング部（素子表面上）では塗布溶液の表面
張力のため100μm以上の肉厚となる場合が多々あ
り、この肉厚部でポリイミド膜が透明皮膜となら
ず粉化する場合があつた。粉化したポリイミド膜
では、絶縁耐電圧が著しく低下し、リーク電流の
増加、耐圧低下の原因となつていた。また300μm
以上の厚みのある半導体素子の側面でも同様の問
題があつた。 本発明者らは、上記事情に鑑み、作業性を低下
させることなく一回の塗布で100μm以上のポリイ
ミド絶縁皮膜を形成させんと鋭意検討した結果本
発明に到達したものである。すなわち本発明は、
半導体素子表面にポリイミド形成用塗布溶液を塗
工し、加熱硬化させることによりポリイミド皮膜
を形成させる方法において、該塗布溶液が、(a)次
の一般式(1) （ただし、R1，R2は水素または炭素数が１〜
４のアルキル基またはCF3を示し、互いに同じで
あつても異つていてもよい。R3，R4，R5，R6は
水素またはハロゲンまたは炭素数１〜４のアルキ
ル基であり、互いに同じであつても異つていても
よい。） で示される４核体ジアミン99〜80モル％と次の一
般式(2) （ただし、R7は二価の有機基、R8は一価の有
機基を示し、ｎは１〜1000の整数である） で示されるジアミノシロキサン１〜20モル％より
なるジアミン成分と(b)芳香族テトラカルボン酸エ
ステルを、略等モルの割合で不活性溶剤中に溶解
してなる溶液であることを特徴とする半導体素子
表面への皮膜形成方法に関するものである。 つまり本発明では、半導体素子表面への接着力
向上のため一般式(1)で示される４核体ジアミンと
一般式(2)で示されるジアミノシロキサンとの併用
を行なうのが、これらのジアミンと芳香族テトラ
カルボン酸エステルとを不活性溶剤中に溶解し、
高分子量ポリアミド酸とせず、モノマー状態での
溶解もしくは分子量2000以下程度の低分子量オリ
ゴマーの程度での溶解にとどめ、ポリイミド絶縁
皮膜形成成分である固形分濃度を著るしく向上さ
せ、高濃度化を計つたものである。 芳香族テトラカルボン酸ニ無水物は不活性溶剤
に溶解しないか、溶解したとしても、得られる塗
布溶度の保存中にジアミンと反応し、ポリアミド
酸となるため、本発明では芳香族テトラカルボン
酸エステルを用いる。本発明においては塗布溶液
の濃度向上を行なうことで塗布後、加熱すること
により生成するポリイミド膜の厚膜形成が可能と
なつたのである。 本発明に於て半導体素子表面とは通常はPN接
合部の露出面を意味するが、該露出面にガラスパ
シベーシヨン膜等が形成されている場合も含む。
また本発明に於て半導体素子面に塗布溶液を塗工
する場合、一般的には、素子表面の近傍にも塗工
される。本発明に於ては、必須成分として一般式
(1)で示される４核体ジアミンを用いる。この４核
体ジアミンを具体的に例示すれば好適には2.2−
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパンであるが、その他２・２−ビス〔３−メ
チル−４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパン、２・２−ビス〔３−クロロ−４−（４
−アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン、１・
１−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕エタン、１・１−ビス〔３−メチル−４−
（４−アミノフエノキシ）フエニル〕メタン、
１・１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕メタン、１・１−ビス〔３
−クロロ−４−（４−アミノフエノキシ）フエニ
ル〕エタン、１・１−ビス〔３・５−ジメチル−
４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕エタン、
ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
メタン、ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕メタン、ビス〔３−クロロ
−４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕エタ
ン、ビス〔３・５−ジメチル−４−（４−アミノ
フエノキシ）フエニル〕メタンなどが挙げられ
る。一方従来のジアミンも厚膜形成性を低下させ
ない範囲、通常上記４核体ジアミン使用量に対し
て30モル％まで置き換え可能であるが、それ以上
の使用は厚膜成形性を低下するので好ましくな
い。この様な従来のジアミンを敢えて列挙すれば
メタフエニレンジアミン、パラフエニレンジアミ
ンなどの１核体ジアミン、４・4′−ジアミノジフ
エニルメタン、４・4′−ジアミノジフエニルエー
テル、２・2′−ビス（４−アミノフエニル）プロ
パン、３・3′−ジアミノジフエニルスルホン、
４・4′−ジアミノジフエニルスルホン、４・4′−
ジアミノジフエニルスルフイド、ベンジジン、ベ
ンジジン−３・3′−ジスルホン酸、ベンジジン−
３−モノスルホン酸、ベンジジン−３−モノカル
ボン酸、３・3′−ジメトキシベンジジンなどの２
核体ジアミン、４・4″−ジアミノ−Ｐ−ターフエ
ニル、１・４−ビス（ｍ−アミノフエノキシ）ベ
ンゼン、１・４−ビス（Ｐ−アミノフエノキシ）
ベンゼン、１・４−ビス（ｍ−アミノスルホニ
ル）ベンゼン、１・４−ビス（Ｐ−アミノフエニ
ルスルホニル）ベンゼン、１・４−ビス（ｍ−ア
ミノフエニルチオエーテル）ベンゼン、１・４−
ビス（Ｐ−アミノフエニルチオエーテル）ベンゼ
ンなどの３核体ジアミン、４・4′−ジアミノフエ
ニルエーテル−３−カルボンアミド、３・4′−ジ
アミノフエニルエーテル−４−カルボンアミド、
３・4′−ジアミノジフエニルエーテル−3′−カル
ボンアミド、３・3′−ジアミジフエニルエーテル
−４−カルボンアミドなどのジアミノカルボンア
ミド化合物、４・4′−（４−アミノフエノキシ）
ジフエニルスルホン、４・4′−（３−アミノフエ
ノキシ）ジフエニルスルホン、４・4′−（４−ア
ミノフエノキシ）ジフエニルスルフイド、４・
4′−（４−アミノフエノキシ）ビフエニルなどの
一般式(1)に含まれない４核体ジアミンなどの芳香
族ジアミンや、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタ
メチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、１・４
−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミ
ン、４・4′−ジアミノジシクロヘキシルメタンな
どの脂肪族ジアミンなどが挙げられる。 本発明ではポリイミド膜と半導体素子との密着
性が必要なため、密着性向上剤として一般式(2)で
示されるジアミノシロキサンを併用する。ジアミ
ン成分中に使用する前記ジアミノシロキサンの割
合は１〜20モル％であるが好ましくは１〜４モル
％である。 ジアミノシロキサンを20モル％以上用いると耐
熱性および耐湿性を低下させるし、１モル％以下
の使用では半導体素子に対する密着性に劣るよう
になる。 本発明で用いられる前記一般式(2)で示されるジ
アミノシロキサンの代表例につき例示すれば以下
の如くである。 本発明で用いる芳香族テトラカルボン酸エステ
ルは、通常、分子量200〜700程度のものを用いる
ことができ、芳香族テトラカルボン酸二無水物と
アルコール（通常はＣ数４以下の一価アルコー
ル）とを反応させて得ることができる。エステル
化を行なうアルコールとしては、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパノール、sec−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、sec−ブタノール、tert−
ブタノールなどのアルコールが良く、好ましくは
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、
sec−ブタノールである。さらに好ましくはメタ
ノール、エタノールである。エステル化は芳香族
テトラカルボン酸二無水物に対して過剰量のアル
コールを反応容器に加え、アルコールの沸点で加
熱し還流を行ない、無水物基１ケに対してアルコ
ールを少くとも１ケ反応させた芳香族テトラカル
ボン酸ジエステル以上の多エステルとし、反応終
了後は、過剰のアルコールを留去することにより
得ることができる。エステル化に用いる芳香族テ
トラカルボン酸二無水物は、一般的に分子量200
〜500程度のものが用いられ、その具体例につい
て例示すると以下の如くである。すなわちピロメ
リツト酸二無水物、３・3′・４・4′−ベンゾフエ
ノンテトラカルボン酸二無水物、３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、２・
３・3′・4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水
物、２・３・６・７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、１・２・５・６−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、１・４・５・８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２・2′−ビス
（３・４−ジカルボキシフエニル）プロパン二無
水物、ビス（３・４−ジカルボキシフエニル）ス
ルホン二無水物、３・４・９・10−ベリレンテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３・４−ジカルボ
キシフエニル）エーテル二無水物、２・2′（２・
３ジカルボキシフエニル）プロパン二無水物、
１・1′−ビス（２・３）ジカルボキシフエニル）
エタン二無水物、ベンゼン−１・２・３・４−テ
トラカルボン酸二無水物、２・３・６・７−アン
トラセンテトラカルボン酸二無水物、１・２・
７・８−フエナントレンテトラカルボン酸二無水
物、などがある。この発明に特に好適な芳香族テ
トラカルボン酸エステルは、３・３・′４・4′−
ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステルお
よび３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカルボン
酸ジエチルエステルである。この好適なジエステ
ルは、通常は酸無水物基を有しないジエステルで
ある。この芳香族テトラカルボン酸エステルを用
いた場合、最も厚膜のポリイミド膜が形成でき、
しかも、形成したポリイミドは、ポリアミド酸を
経由して得られる同一構造のポリイミドと同等の
特性が得られる。もちろん、他の二無水物エステ
ルを使用する場合でも厚膜形成ができるが加熱方
法をより緩和して行なう等の手段をとるのが好ま
しい。 本発明では、上記４核体ジアミン99〜20モル％
およびジアミノシロキサン１〜20モル％よりなる
ジアミン成分と芳香族テトラカルボン酸エステル
を略等モル不活性溶剤に室温で、もしくは70℃以
下で溶解する。加熱下で溶解させたときには、脱
アルコールによりイミド化が進行するが、本発明
に於ては分子量2000程度までにとどめるのが好ま
しい。溶液中のポリイミド形成々分濃度である固
形分濃度は、使用する用途によつて種々変わり得
るが、目安としては塗布溶液の溶液粘度を
100CPSセンチポイズ（25±0.1℃時）に調整した
ときの固形分濃度が40重量％以上とするのが好ま
しい。本発明で用いる不活性溶剤としてはたとえ
ばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ・N′−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ・N′−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ・N′−ジメチルスルホキシド、ヘキサ
メチルホスホルアミドなどの高極性塩基性溶剤が
用いられる。もちろん、上記４核体ジアミン、ジ
アミノシロキサンおよび芳香族テトラカルボン酸
エステルからの低分子オリゴマーを溶解できる溶
剤たとえばアセトフエノン、ジオキサン、フルフ
ラール等の溶剤を使用できるのは言うまでも無
い。またこれらの溶剤とともにトルエン、キシレ
ン、ベンゾニトリル、ベンゼン、フエノールの如
き汎用溶剤を併用できるが、しかしその使用量は
低分子オリゴマーの溶解度を低下させない範囲に
すべきである。 本発明で用いるポリイミド形成用の塗布溶液
は、これを半導体素子表面に塗布後、段階乾燥
（例えば150℃で60分、続いて200℃で30分、さら
に250℃で６時間）を行なうのが好ましいが、こ
の過程で４核体ジアミンとジアミノシロキサン
と、芳香族テトラカルボン酸エステルが脱アルコ
ールにより縮重合し、高分子量ポリイミドへ変化
するから、従来のポリアミド酸もしくはその誘導
体の溶液を塗布溶液として用いる必要性が無い。 本発明によれば、一回の塗布で半導体素子上に
100μm以上の透明ポリイミド絶縁膜が形成できる
ので、ダイオード、トランジスタの保護膜以外に
もサイクリスタ、さらにはIC，LSIなどの集積回
路の厚膜が必要とされる保護膜として有用であ
る。特にVLSIのメモリーセルのα線シールド膜
は、通常20〜70μmの膜厚が必要であるが、その
厚み出しのため、ポリアミド酸もしくはその誘導
体から成る塗布溶液を多量にスピンナー法やポツ
テイング方法で塗布していたが、ポリイミド膜が
粉化しないように塗布量のコントロール、そして
塗布精度の管理等、複雑な工程が必要であつた
が、本発明によれば塗布量の低減と塗布作業の簡
易化が計れる。 以下に本発明を実施例によつて具体的に説明す
るが、実施例中溶液粘度、固形分濃度は次の様に
して測定した。 (1)溶液粘度 Ｅ型回転粘度計で、25±0.1℃で測定した。 (2)固形分濃度 固形分濃度（％）＝W3−W1／W2−W1×100 ここにW1：シヤーレの重量（ｇ） W2：試料とシヤーレの重量（ｇ） W3：150℃で60分さらに200℃で60分乾
燥した後の試料とシヤーレの重量
（ｇ） 実施例 １ 撹拌装置、冷却管、および温度計を付したフラ
スコ中に、３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカ
ルボン酸二無水物29.4ｇ（0.1モル）とメタノール
160ｇ（５モル）を加え、64〜65℃で６時間反応系
が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメ
タノールを留去し、さらに減圧下でメタノール残
分ご完全に留去した。得られたエステル化物は酸
価が311であり、IRスペクトルから３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステ
ルであることを確認した。 上記操作で得られた３・3′・４・4′−ビフエニ
ルテトラカルボン酸ジメチルエステル34.8ｇ（0.1
モル）と２・２−ビス〔４−（４−アミノフエノ
キシ）フエニル〕プロパン39.57ｇ（0.0965モル）
とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン0.87ｇ（0.0035モル）とをＮ−メチル−
２−ピロリドン69.8ｇ中に加え、40℃で２時間撹
拌し、透明溶液とした。得られた溶液の固形分濃
度は、50.0重量％であり、溶液粘度は102CPSで
あつた。 実施例 ２ 実施例１と同様なる反応容器に３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
（0.1モル）とｎ−プロパノール300g（５モル）を
加え、97℃で４時間反応系が透明となるまで加
熱・還流し、その後過剰のｎ−プロパノールを完
全に留去し、３・3′・４・4′−ビフエニルテトラ
カルボン酸ジｎ−プロピルエステルを合成した。
得られた３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカル
ボン酸ジｎ−プロピルエステル41.4gに、２・２
−ビス〔４−（４−アミノフエノキシ）フエニル〕
プロパン38.95g（0.095モル）とビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン1.24g（0.005
モル）、さらにＮ−メチル−２−ピロリドン96.1
ｇを加え、60℃で２時間撹拌し、完全に溶解し、
固形分濃度41.5重量％、溶液粘度100CPSのポリ
イミド形成用塗布溶液を作製した。 実施例 ３ 実施例１で使用した３・3′・４・4′−ビフエニ
ルテトラカルボン酸二無水物の代わりに、３・
3′・４・4′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸二
無水物を同モル使用して以下同様にして固形分濃
度42.0重量％、溶液粘度101CPSのこの発明のポ
リイミド形成用塗布溶液を作製した。 実施例 ４ 実施例１で使用した２・２−ビス〔４−（４−
アミノフエノキシ）フエニル〕プロパン41.0g（0.1
モル）の代わりに、２・２−ビス〔４−（４−ア
ミノフエノキシ）フエニル〕プロパン33.62g
（0.082モル）とビス（３−アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサン4.47g（0.018モル）を使用し
て以下同様にして固形分濃度50.0％、溶液粘度
93CPSのこの発明のポリイミド形成用塗布溶液を
作製した。 比較例 １ 実施例１と同様の反応容器に、３・3′・４・
4′−ビフエニルテトラカルボン酸二無水物29.4g
（0.1モル）と２・２−ビス〔４−（４−アミノフ
エノキシ）フエニル〕プロパン39.57g（0.0965モ
ル）とビス（３−アミノプロピル）テトラメチル
ジシロキサン0.87g（0.0035モル）さらにＮ−メチ
ル−２−ピロリドン279.4gを加え、30℃以下（特
に室温付近ないしそれに近い温度）に保ちながら
撹拌した。これによつて重合反応はすみやかに進
行し、反応系の粘度が上昇し、固形分濃度19.9重
量％、溶液粘度が2000000CPS以上のポリアミド
酸溶液を作つた。次にこれを60℃に保ち、加熱・
熟成を行ない溶液粘度を3000CPSまで低下させ、
引続きＮ−メチル−２−ピロリドンで溶液粘度が
105CPSになるように希釈した。このポリアミド
酸溶液の固形分濃度は、10.5重量％であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様の反応容器に、実施例１で得ら
れた３・3′・４・4′−ビフエニルテトラカルボン
酸ジメチルエステル35.8g（0.1モル）と、４・4′−
ジアミノジフエニルエーテル19.3g（0.0965モル）
と、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン0.87g（0.0035モル）とをＮ−メチル−
２−ピロリドン49.6g中に加え、40℃で２時間撹
拌して固形分濃度49.3重量％、溶液粘度110CPS
のポリイミド形成用塗布溶液を作製した。上記実
施例１〜４、比較例１〜２により得られた塗布溶
液を、該溶液を構成する溶媒にて順次希釈し、所
定濃度に於ける粘度（25℃±１℃にて測定）グラ
フ化した結果を第６図に示す。 次に実施例１〜４、比較例１〜２で得られた溶
液を角形チツプ形状を有する高圧シリコンダイオ
ードのＰ−Ｎ接合面上に、リードフレームの一部
を含んではけ塗りで塗布し、乾燥・硬化後エポキ
シ樹脂モールド材で封止して半導体装置とした。
第１表には、その乾燥・硬化条件、初期特性（順
方向電圧、良品率、逆方向耐電圧良品率……試料
100ケ中の良品数で示す）および121℃・2atmの
スチーム・プレツシヤー・クツカー試験（PCT
と略す）後の逆方向漏れ電流良品率を調べた結果
を示す。
【表】
実施例１〜４で作製した本発明によるポリイミ
ド形成用塗布溶液を用いれば、第３図に示す様
に、エツジの部分もポリイミド膜で厚く皮覆で
き、このため、エツジでの放電を防止でき、初期
良品率が向上できる。また第５図に示すように本
実施例で得た溶液を高圧トランジスタの絶縁皮膜
として適用した場合にも、同様の効果が認められ
た。また上記実施例１〜４、比較例１〜２により
得られた塗布溶液を、該溶液を構成する溶媒にて
順次希釈して所定濃度に於ける粘度（25℃±１℃
にて測定）を測定しグラフ化した結果を第６図に
示す。
ド形成用塗布溶液を用いれば、第３図に示す様
に、エツジの部分もポリイミド膜で厚く皮覆で
き、このため、エツジでの放電を防止でき、初期
良品率が向上できる。また第５図に示すように本
実施例で得た溶液を高圧トランジスタの絶縁皮膜
として適用した場合にも、同様の効果が認められ
た。また上記実施例１〜４、比較例１〜２により
得られた塗布溶液を、該溶液を構成する溶媒にて
順次希釈して所定濃度に於ける粘度（25℃±１℃
にて測定）を測定しグラフ化した結果を第６図に
示す。
第１図Ａ、第２図Ａおよび第４図は従来技術の
半導体装置の一例を説明するための説明図であり
縦断面図として示されている。第３図および第５
図は本発明の方法を用いて得られた半導体装置の
実例を説明するための説明図であり縦断面図とし
て示されている。 第１図Ｂ、第２図Ｂおよび第３図Ｂは、第１図
Ａ、第２図Ａ、第３図Ａにおいて各々Ｘ−X′線、
Ｙ−Y′線、Ｚ−Z′線に沿つて切断し矢印方向より
みた横断面図である。第６図は本発明の塗布溶液
の固形分濃度と溶液粘度との関係を示すグラフで
ある。 ４……半導体素子、１ａ，１ｂ……リード線、
６……ポリイミド膜。
半導体装置の一例を説明するための説明図であり
縦断面図として示されている。第３図および第５
図は本発明の方法を用いて得られた半導体装置の
実例を説明するための説明図であり縦断面図とし
て示されている。 第１図Ｂ、第２図Ｂおよび第３図Ｂは、第１図
Ａ、第２図Ａ、第３図Ａにおいて各々Ｘ−X′線、
Ｙ−Y′線、Ｚ−Z′線に沿つて切断し矢印方向より
みた横断面図である。第６図は本発明の塗布溶液
の固形分濃度と溶液粘度との関係を示すグラフで
ある。 ４……半導体素子、１ａ，１ｂ……リード線、
６……ポリイミド膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子表面にポリイミド形成用塗布溶液
を塗工し、加熱硬化させることによりポリイミド
皮膜を形成させる方法において、該塗布溶液が、
(a)次の一般式(1) （ただし、R1，R2は水素または炭素数が１〜
４のアルキル基またはCF3を示し、互いに同じで
あつても異つていてもよい。R3，R4，R5，R6は
水素またはハロゲンまたは炭素数１〜４のアルキ
ル基であり、互いに同じであつても異つていても
よい。） で示される４核体ジアミン99〜80モル％と次の一
般式(2) （ただし、R7は二価の有機基、R8は一価の有
機基を示し、ｎは１〜1000の整数である） で示されるジアミノシロキサン１〜20モル％より
なるジアミン成分と、(b)芳香族テトラカルボン酸
エステルを、略等モルの割合で不活性溶剤中に溶
解してなる溶液であることを特徴とする半導体素
子表面への皮膜形成方法。 ２ 芳香族テトラカルボン酸エステルが３・3′・
４・4′−ビフエニルテトラカルボン酸エステルで
ある特許請求の範囲第１項記載の皮膜形成方法。 ３ ポリイミド形成用塗布溶液の固形分濃度が、
溶液粘度100CPS（25±0.1℃）としたとき、40重
量％以上である特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の皮膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163700A JPS6142142A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体素子表面への皮膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59163700A JPS6142142A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体素子表面への皮膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142142A JPS6142142A (ja) | 1986-02-28 |
| JPH0329174B2 true JPH0329174B2 (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=15778950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59163700A Granted JPS6142142A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 半導体素子表面への皮膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142142A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183127A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2006060005A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6884026B2 (ja) * | 2017-04-19 | 2021-06-09 | 三井化学株式会社 | 半導体用膜形成用組成物、半導体用膜形成用組成物の製造方法、半導体用部材の製造方法、及び半導体用工程材の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813087B2 (ja) * | 1981-02-27 | 1983-03-11 | 日東電工株式会社 | シロキサン変性ポリイミド前駆体の製造方法 |
| JPS5976451A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP59163700A patent/JPS6142142A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142142A (ja) | 1986-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |