JPH03291833A - Shadow mask - Google Patents
Shadow maskInfo
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- JPH03291833A JPH03291833A JP9382690A JP9382690A JPH03291833A JP H03291833 A JPH03291833 A JP H03291833A JP 9382690 A JP9382690 A JP 9382690A JP 9382690 A JP9382690 A JP 9382690A JP H03291833 A JPH03291833 A JP H03291833A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラーブラウン管用のシャドーマスクに係り、
特に電子ビーム透過孔の配設パターンをモアレを低減さ
せるようにしたシャドーマスクに関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a shadow mask for a color cathode ray tube.
In particular, the present invention relates to a shadow mask in which the arrangement pattern of electron beam transmission holes is designed to reduce moiré.
シャドーマスク型カラーブラウン管の構造を第3図に基
づいて説明すれば、3つの単位電子銃9が直線形または
正三角形状に配列された3電子銃8から放出された電子
ビーム7は、偏向装W16の偏向磁界によって偏向され
た後、シャドーマスク3の電子ビーム透過孔5を通じて
パネル1の内面(以下、「スクリーン面」と称する)2
に塗布された赤、緑、青の3原色蛍光体4を照射する。The structure of a shadow mask type color cathode ray tube will be explained based on FIG. After being deflected by the deflection magnetic field of W16, the inner surface of the panel 1 (hereinafter referred to as "screen surface") 2 passes through the electron beam transmission hole 5 of the shadow mask 3.
The three primary color phosphors 4 of red, green, and blue coated on the surface are irradiated.
3原色蛍光体4の形状は電子ビーム透過孔5の形状に対
応し、1つの電子ビーム透過孔5を透過した3つの電子
ビーム7で照射された3原色蛍光体4の相互配置は3つ
の単位電子銃9の配列に対応する。The shape of the three primary color phosphors 4 corresponds to the shape of the electron beam transmission hole 5, and the mutual arrangement of the three primary color phosphors 4 irradiated with the three electron beams 7 transmitted through one electron beam transmission hole 5 forms three units. This corresponds to the arrangement of the electron guns 9.
また、スクリーン面2上における3原色蛍光体4の配列
は、シャドーマスク3における電子ビーム透過孔5の配
列に従って決定される。Further, the arrangement of the three primary color phosphors 4 on the screen surface 2 is determined according to the arrangement of the electron beam transmission holes 5 in the shadow mask 3.
電子ビーム透過孔5の形状は大別して円形と長方形のも
のがあり、一方の長方形の電子ビーム透過孔5の配列は
、通常第4図のようにされている。The shapes of the electron beam transmission holes 5 can be broadly classified into circular and rectangular shapes, and the rectangular electron beam transmission holes 5 are usually arranged as shown in FIG.
電子ビーム透過孔5は走査方向と垂直な垂直方向ピッチ
Py毎に幅すを有するブリッジ(bridl;1e)1
0で区画されており、走査方向に隣接している電子ビー
ム透過孔列間における電子ビーム透過孔5の垂直方向の
ずれはΔyとされている。The electron beam transmission hole 5 has a bridge (bridl; 1e) 1 having a width for each vertical pitch Py perpendicular to the scanning direction.
0, and the vertical deviation of the electron beam transmission holes 5 between adjacent rows of electron beam transmission holes in the scanning direction is Δy.
前記の電子ビーム透過孔列を通過する電子ビームの透過
率は、第5図Aに示すように、走査線11が電子ビーム
透過孔5の垂直方向の中心を通過する場合に最大となり
、第5図Bに示すように、垂直方向に隣接する2本の走
査線11の間の中心位置が電子ビーム透過孔5の垂直方
向の中心と一致する場合に最小となる。As shown in FIG. 5A, the transmittance of the electron beam passing through the electron beam transmission hole array is maximum when the scanning line 11 passes through the center of the electron beam transmission hole 5 in the vertical direction. As shown in FIG. B, the minimum value is reached when the center position between two vertically adjacent scanning lines 11 coincides with the vertical center of the electron beam transmission aperture 5.
シャドーマスク3の電子ビーム透過孔5の垂直方向配列
と走査線配列との間において起る干渉によって、スクリ
ーン面2には波紋様または木目紋様が表われる現象、即
ちモアレが発生する。Due to interference between the vertical arrangement of the electron beam transmission holes 5 of the shadow mask 3 and the scanning line arrangement, a phenomenon in which a ripple pattern or a grain pattern appears on the screen surface 2, that is, moire occurs.
このようなモアレ現象を低減させるために今まで各種の
研究が行なわれている。Various studies have been carried out to date to reduce such moiré phenomena.
その一つは、米国特許第4.210.842号明細書に
記載された技術であって、放送方式によってモアレピッ
チを小さくする電子ビーム透過孔の垂直方向ピッチを設
定し、モアレ位相差を得るマスクパターンを決定し、シ
ャドーマスクの垂直方向ピッチを無作為に配列されるよ
うにすることにより、モアレパターンを散らしておこう
とするものである。One of them is a technique described in U.S. Pat. No. 4,210,842, in which the vertical pitch of electron beam transmission holes is set to reduce the moire pitch by a broadcasting method, and a mask that obtains a moire phase difference is used. The moiré pattern is scattered by determining a pattern and randomly arranging the vertical pitch of the shadow mask.
しかしながら、この米国特許に基づいてモアレパターン
を無作為配列した場合には、モアレ現象がさらに増大さ
れるばかりでなく、シャドーマスクの製造工程において
も種々の難点が発生していた。However, when the moire patterns are arranged randomly based on this US patent, not only the moire phenomenon is further increased, but also various problems occur in the manufacturing process of the shadow mask.
そして、放送方式の差異によってNTSClPALおよ
びSESAMの専用シャドーマスクを設計する技術はモ
アレを若干改善するが、シャドーマスクの垂直方向ピッ
チが一定であるので、モアレを大きく敗色させることが
できず、かつ、セットのオーバースキャン差異と電子ビ
ームの大きさ等の偏差を解決できなかったために、モア
レが茗しく改善されたシャドーマスクを製作しなければ
ならない必要性が要求された。Although the technique of designing a dedicated shadow mask for NTSClPAL and SESAM slightly improves moiré due to the difference in broadcasting formats, since the vertical pitch of the shadow mask is constant, the moiré cannot be significantly degraded, and Since the overscan difference of the set and the deviation in the size of the electron beam could not be solved, it was necessary to manufacture a shadow mask with improved moiré.
本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、シャ
ドーマスクの垂直方向ピッチの変化範囲を設定して、こ
れを適用したシャドーマスクを具現することにより、モ
アレ波長を短くし、併せてモアレ現象を低減させること
のできるシャドーマスクを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of these points, and by setting the change range of the vertical pitch of the shadow mask and implementing a shadow mask to which this is applied, the moiré wavelength can be shortened and the moiré wavelength can be reduced. The purpose of the present invention is to provide a shadow mask that can reduce the phenomenon.
前記の目的を達成するために、本発明のシャドーマスク
は請求項第1項によれば、電子ビーム透過空間のブリッ
ジの大きさが一定であり、所定の電子ビーム透過孔の長
さを可変して電子ビーム透過孔を配列したシャドーマス
クにおいて、放送方式によって設定されたシャドーマス
クの電子ビーム透過孔の垂直方向ピッチをPy、走査線
ピッチをpsとするとき、
(ここで、faはシャドーマスクピッチ周波数で(ここ
で、faは走査周波数である)で表わされる関係式にお
いて正の整数n=3.4における前記垂直方向ピッチの
変化範囲Δxを求め、該変化範囲Δxを前記所定の垂直
方向ピッチPyに加減して前記電子ビーム透過孔が穿設
されていることを特徴とする。In order to achieve the above object, according to claim 1, the shadow mask of the present invention is characterized in that the size of the bridge of the electron beam transmission space is constant, and the length of the predetermined electron beam transmission hole is variable. In a shadow mask in which electron beam transmission holes are arranged, when the vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask set by the broadcasting method is Py, and the scanning line pitch is ps, In the relational expression expressed by the frequency (where fa is the scanning frequency), the range of change Δx of the vertical pitch at a positive integer n=3.4 is determined, and the range of change Δx is expressed as the predetermined vertical pitch. The electron beam transmission hole is characterized in that the electron beam transmission hole is drilled at an angle corresponding to Py.
また、請求項第2項によれば、シャド、−マスクは、シ
ャドーマスクの電子ビーム透過孔の垂直配列は、2種類
の垂直方向ピッチの和が一定であり、その2種類の垂直
方向ピッチを垂直方向に交互となるようにして電子ビー
ム透過孔を配設してなることを特徴とする。According to claim 2, in the shadow mask, the vertical arrangement of the electron beam transmission holes of the shadow mask is such that the sum of two types of vertical pitches is constant; It is characterized in that electron beam transmission holes are arranged alternately in the vertical direction.
さらに、請求項第3項によれば、シャドーマスクは、シ
ャドーマスクの電子ビーム透過孔が、垂直方向ピッチを
Py−Δx、py+Δxとして交互に垂直配列されてい
ることを特徴とする。Furthermore, according to claim 3, the shadow mask is characterized in that the electron beam transmission holes of the shadow mask are vertically arranged alternately with vertical pitches of Py-Δx and py+Δx.
さらに、請求項第4項によれば、シャドーマスクは、シ
ャドーマスクの電子ビーム透過孔が、垂直方向ピッチを
Py+Δx−sin(r)。Furthermore, according to claim 4, in the shadow mask, the electron beam transmission holes of the shadow mask have a vertical pitch of Py+Δx−sin(r).
Py+Δx−cos(r)(ここで、rはスクリーンの
任意垂直距離である)として交互に垂直配列されている
ことを特徴とする。It is characterized by an alternating vertical arrangement as Py+Δx-cos(r), where r is an arbitrary vertical distance of the screen.
さらに、請求項第5項によれば、シャドーマスクは、垂
直方向ピッチの変化範囲Δxを0.03履≦Δx≦0.
05履としたことを特徴とする。Furthermore, according to claim 5, the shadow mask has a vertical pitch change range Δx of 0.03≦Δx≦0.
It is characterized by having 05 shoes.
さらに、請求項第6項によれば、シャドーマスクは、シ
ャドーマスクの電子ビーム透過孔の配列は、・小さい垂
直方向の開口寸法を有する電子ビーム透過孔に、相対的
に大きい垂直方向の開口寸法を有する電子ビーム透過孔
を隣接させて形成されていることを特徴とする。Furthermore, according to claim 6, the shadow mask has an arrangement of electron beam transmission holes in the shadow mask, in which electron beam transmission holes have a relatively large vertical opening size, and electron beam transmission holes have a relatively large vertical opening size. The electron beam transmission hole is formed adjacent to the electron beam transmission hole.
(作 用)
請求項第1項ないし第6項に記載された本発明のシャド
ーマスクは、要すれば、放送方式によって定まるシャド
ーマスクの垂直方向ピッチと走査線ピッチおよびモアレ
波長間の関係特性図において、シャドーマスクの電子ビ
ーム透過孔の垂直方向ピッチの変化範囲を巨視的に表わ
れるモアレ波長が小さく表われる点に設定し、この設定
された垂直方向ピッチの変化範囲を最大にして電子ビー
ム透過孔の実際の垂直方向ピッチや垂直方向の開口長さ
を異なるようにしてシャドーマスクを形成したものであ
る。(Function) The shadow mask of the present invention recited in claims 1 to 6 is based on a characteristic diagram of the relationship between the vertical pitch of the shadow mask, the scanning line pitch, and the moiré wavelength determined by the broadcasting system. In this method, the variation range of the vertical pitch of the electron beam transmission apertures of the shadow mask is set to a point where the macroscopic moiré wavelength appears small, and the set variation range of the vertical pitch is maximized to transmit the electron beam. Shadow masks are formed by varying the actual vertical pitch of the holes and the vertical opening length.
従って、本発明のシャドーマスクは、モアレを最小に低
減させるに適正な垂直方向ピッチ等をもって電子ビーム
透過孔が配設されているので、モアレ波長が短かくされ
、かつ、モアレ現象が確実に低減され、カラーブラウン
管のスクリーン面に極めて鼾明で高品位な画像が再生さ
れる。Therefore, in the shadow mask of the present invention, the electron beam transmission holes are arranged with an appropriate vertical pitch to minimize moire, so the moire wavelength is shortened and the moire phenomenon is reliably reduced. An extremely clear and high-quality image is reproduced on the screen of the color cathode ray tube.
〔実施例]
以下、第1図および第2図を参考にして本発明の詳細な
説明する。従来と同一部分には同一符号を付しである。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. The same parts as the conventional one are given the same reference numerals.
先ず、本発明の詳細な説明する。First, the present invention will be explained in detail.
第2図は電子ビーム透過孔の垂直ピッチとモアレ波長と
の関係を説明するための特性図であって、次の関係式で
図式化される。FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining the relationship between the vertical pitch of the electron beam transmission aperture and the moiré wavelength, which is illustrated by the following relational expression.
モアレ周波数fcは次の式で表現される。The moiré frequency fc is expressed by the following formula.
fc=1fa−fsl ・・・・・11)
ここで、faはマスクピッチ周波数であり、fsは走査
周波数である。fc=1fa-fsl...11)
Here, fa is the mask pitch frequency and fs is the scanning frequency.
一方、モアレ波長をλとすると、
f−1/λ ・・・・・・(2)
であるので、モアレ波長λは次の式で表現される。On the other hand, if the moiré wavelength is λ, then f-1/λ...(2)
Therefore, the moiré wavelength λ is expressed by the following formula.
ここで、Pyはシャドーマスクの電子ビーム透過孔の垂
直方向ピッチであり、
Psは走査線ピッチであり、
nは正の整数である。Here, Py is the vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask, Ps is the scanning line pitch, and n is a positive integer.
前記の式(3)においても示されたように、モアレはシ
ャドーマスクの電子ビーム透過孔の垂直方向ピッチと走
査線との干渉によって起る現象である。As shown in equation (3) above, moiré is a phenomenon caused by interference between the scanning line and the vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask.
このようにモアレ現象の要因となる要素のうち根本とな
るのは、シャドーマスクの電子ビーム透過孔の垂直方向
ピッチと走査線であるが、一方の走査線は放送方式によ
って一定に定められているので、他方のシャドーマスク
の垂直方向ピッチを最適なものとすることによってモア
レを最小に低減させることができる。The fundamental factors contributing to the moiré phenomenon are the vertical pitch and scanning lines of the electron beam transmission holes in the shadow mask, but one scanning line is fixed by the broadcasting system. Therefore, moiré can be minimized by optimizing the vertical pitch of the other shadow mask.
本発明によるシャドーマスクは上に解析した原理に基づ
き、電子ビーム透過孔の垂直方向ピッチを設定された範
囲内で可変的に配列させることにより、モアレ波長を短
かくしたり、また、モアレパターンを散らしてモアレを
低減させるようにしたものである。The shadow mask according to the present invention is based on the principle analyzed above, and by variably arranging the vertical pitch of the electron beam transmission holes within a set range, the moire wavelength can be shortened and the moire pattern can be scattered. This is to reduce moiré.
第2図において、縦軸はモアレ波長λの大きさであり、
横軸は電子ビーム透過孔の垂直ピッチの大きさである。In FIG. 2, the vertical axis is the magnitude of the moiré wavelength λ,
The horizontal axis is the vertical pitch size of the electron beam transmission holes.
モアレ波長が小さい程モアレは可視的に現われないが、
モアレが可視的に現われるモアレ可視度の基準であるモ
アレ波長は5−に設定するようにすれば、間欠的配列に
現われるモアレに対する正の整数nが3と4において垂
直ピッチの変化範囲を決めることができる。The smaller the moiré wavelength, the less moiré will appear visually.
If the moire wavelength, which is the standard of moire visibility at which moire appears visually, is set to 5-, a positive integer n for moire that appears in an intermittent array will determine the vertical pitch change range at 3 and 4. Can be done.
即ち、整数n=3とn=4において交差される2つのグ
ラフの交差点はA点とB点とがあるが、B点はモアレ波
長が小さいためにモアレ現象が可視−的に現われないの
で考慮せず、A点はモアレ波長が可視的に現われるため
に本発明に適用される。In other words, the intersections of two graphs intersecting at integers n=3 and n=4 are points A and B, but point B is not considered because the moire phenomenon does not appear visually due to the small moiré wavelength. Point A is applied to the present invention because the moiré wavelength appears visually.
前記のモアレ波長が5麿である点においてA交差点の2
つのグラフ間の垂直方向ピッチの変化範囲を2Δ×とす
れば、ΔxはA交差点の縦軸とグラフ(n=4またはn
=3である場合)間の距離である。2 of the A intersection at the point where the moiré wavelength is 5
If the vertical pitch change range between two graphs is 2Δx, then Δx is the vertical axis of the intersection A and the graph (n=4 or n
= 3).
即ち、垂直方向ピッチの変化範囲Δxは最大にするのが
最も好ましいが、その具体的な範囲は0.03厘≦Δx
≦0.05MMに設定するのが良い。That is, it is most preferable to maximize the vertical pitch change range Δx, but the specific range is 0.03≦Δx.
It is preferable to set it to ≦0.05MM.
前記Δxを大きくする程モアレをさらに散らすようにす
るから、モアレ現象が少なく現われるようになる。The larger the Δx, the more the moire is scattered, so the moire phenomenon appears less.
このように設定された変化範囲Δxを加減して電子ビー
ム透過孔の垂直配列に適用するようにすれば、モアレパ
ターンを散らせることができる。By adjusting the variation range Δx set in this way and applying it to the vertical arrangement of the electron beam transmission holes, the moiré pattern can be dispersed.
第1実施例 第1図Aは本発明の第1実施例を示す。First example FIG. 1A shows a first embodiment of the invention.
本実施例は、前記のようにして求められた電子ビーム透
過孔5の垂直方向ピッチの変化範囲Δxを適用したもの
であり、電子ビーム透過孔5の垂直方向ピッチS1およ
びS2を51=Py−Δxおよび52=PV+Δxとし
て、電子ビーム透過孔5を配設している。In this embodiment, the variation range Δx of the vertical pitch of the electron beam transmission apertures 5 determined as described above is applied, and the vertical pitches S1 and S2 of the electron beam transmission apertures 5 are set to 51=Py− The electron beam transmission hole 5 is arranged so that Δx and 52=PV+Δx.
このとき、垂直方向に隣接する電子ビーム透過孔5の間
のブリッジ10は通常従来の大きさbと同じにする。At this time, the bridge 10 between the vertically adjacent electron beam transmission holes 5 is usually made to have the same size b as the conventional one.
前記のPyは放送方式によって設定されたシャドーマス
ク3の電子ビーム透過孔5の垂直方向ピッチである。The above-mentioned Py is the vertical pitch of the electron beam transmission holes 5 of the shadow mask 3 set according to the broadcasting system.
更に説明すると、電子ビーム透過孔5の垂直方向ピッチ
Pyが所定値を有するために、本発明によるシャドーマ
スク3の電子ビーム透過孔5の垂直配列は設定された互
いに異なる2つの垂直方向ピッチS1と82とを利用し
てSl、S2.Sl。To further explain, since the vertical pitch Py of the electron beam transmitting holes 5 has a predetermined value, the vertical arrangement of the electron beam transmitting holes 5 of the shadow mask 3 according to the present invention has two different vertical pitches S1 and S1. 82, Sl, S2. Sl.
S2・・・と交互となるように配設する。これによって
本発明の電子ビーム透過孔5の垂直ピッチは、第1図A
1.:I3けるように、Slと82の2つの要素を以て
交代に垂直配列されるのである。S2... are arranged alternately. As a result, the vertical pitch of the electron beam transmission apertures 5 of the present invention is as shown in FIG.
1. :I3, the two elements Sl and 82 are alternately arranged vertically.
このようにして電子ビーム透過孔5を配列されたシャド
ーマスク3を備えたカラーブラウン管を用いれば、可視
的に現われるモアレパターンが上下の方向に散るように
なるので、モアレ現象を大きく低下させることができる
。If a color cathode ray tube equipped with a shadow mask 3 in which electron beam transmission holes 5 are arranged in this manner is used, the moire pattern that appears visibly will be scattered in the vertical direction, so the moire phenomenon can be greatly reduced. can.
そして、モアレパターンを最大に散らせるために、相対
的に小さい垂直方向の開口寸法を有する電子ビーム透過
孔5に隣接する電子ビーム透過孔は、相対的に大きな開
口寸法を有するように形成させる。In order to maximize the scattering of the moire pattern, the electron beam transmission hole 5 adjacent to the electron beam transmission hole 5 having a relatively small vertical opening size is formed to have a relatively large opening size.
このようにして電子ビーム透過孔5が垂直配列されたシ
ャドーマスク3を備えたカラーブラウン管は、モアレの
可視麿が低減された効果を得ることができるので、改善
された画質を得ることができる。In this way, the color cathode ray tube equipped with the shadow mask 3 in which the electron beam transmission holes 5 are vertically arranged can have the effect of reducing visible margins of moiré, and thus can obtain improved image quality.
第2実施例 第1図Bは本発明の第2実施例を示している。Second example FIG. 1B shows a second embodiment of the invention.
本実施例においては、電子ビーム透過孔5の垂直方向ピ
ッチS1およびS2を51=Py+Δx 5in(r
’)および52=Py十Δx−cos (r)としたも
のであり、垂直方向の電子ビーム透過孔5の間のブリッ
ジ10を所定大きさbとして、第1実施例と同様に81
と82とを交代に配設させている。In this embodiment, the vertical pitches S1 and S2 of the electron beam transmission holes 5 are 51=Py+Δx 5in(r
') and 52=Py+Δx-cos(r), and assuming that the bridge 10 between the vertical electron beam transmission holes 5 has a predetermined size b, 81
and 82 are arranged alternately.
前記の三角関数の変数rはスクリーンの任意垂直距離で
ある。The variable r in the above trigonometric function is the arbitrary vertical distance of the screen.
このように配列されたシャドーマスク3は第1実施例の
如く2つの垂直方向ピッチ81.32を有しており、ま
た、モアレパターンを最大に散らせておくために、小さ
い開口寸法を有する電子ビーム透過孔5に隣接する電子
ビーム透過孔は大きな開口寸法を有するように配列され
る。The shadow mask 3 arranged in this manner has two vertical pitches 81.32 as in the first embodiment, and in order to maximize the scattering of the moiré pattern, the shadow mask 3 has an electron beam with a small aperture size. The electron beam transmission holes adjacent to the beam transmission hole 5 are arranged to have a large opening size.
このようなシャドーマスク3を備えたカラーブラウン管
も前述の如く同様な効果を期待することができる。A color cathode ray tube equipped with such a shadow mask 3 can also be expected to have similar effects as described above.
以上説明したように、本発明によると、モアレを低減さ
せるための電子ビーム透過孔の垂直方向ピッチの変化範
囲Δxを設定し、このΔxを適用してシャドーマスクの
電子ビーム透過孔の垂直方向の開口長さを加減して配列
することにより、モアレパターンを散らせるようにして
モアレ低減の効果を期待することができる。As explained above, according to the present invention, the variation range Δx of the vertical pitch of the electron beam transmission holes for reducing moiré is set, and this Δx is applied to change the vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask. By adjusting the length of the openings and arranging them, it is possible to disperse the moire pattern and expect an effect of reducing moire.
以上のように本発明のシャドーマスクは構成され作用す
るものであるから、シャドーマスクの垂直方向ピッチの
変化範囲を設定して、これを適用したシャドーマスクを
具現することにより、モアレ波長を短くし、併せて七ア
レ現象を大きく低減させることができ、このシャドーマ
スクを備えたカラーブラウン管の画質は極めて高品位な
ものとなる等の効果を奏する。Since the shadow mask of the present invention is configured and operates as described above, by setting the variation range of the vertical pitch of the shadow mask and implementing a shadow mask to which this is applied, the moiré wavelength can be shortened. At the same time, it is possible to greatly reduce the 7-area phenomenon, and the image quality of a color cathode ray tube equipped with this shadow mask becomes extremely high quality.
第1図AおよびBはそれぞれ本発明のシャドーマスクの
第1実施例および第2実施例を示す電子ビーム透過孔配
列を図示したシャドーマスクパターンの拡大図、第2図
は電子ビーム透過孔の垂直ピッチとモアレ波長との関係
を説明するための特性図であり、第3図は本発明が適用
されるカラーブラウン管の主要部を例示した概略的な斜
視図、第4図は従来のシャドーマスクにおける電子ビー
ム透過孔配列を図示した構成図、第5図AおよびBはそ
れぞれ電子ビーム透過孔と走査線との関係を図示した説
明図である。
1・・・パネル、2・・・スクリーン面、3・・・シャ
ドーマスク、4・・・3原色蛍光体、5・・・電子ビー
ム透過孔、6・・・偏向装置、7・・・電子ビーム、8
・・・3電子銃、9・・・単位電子銃、10・・・ブリ
ッジ、11・・・走査線。1A and 1B are enlarged views of a shadow mask pattern illustrating an array of electron beam transmission holes, showing a first embodiment and a second embodiment of the shadow mask of the present invention, respectively, and FIG. 2 is a vertical view of the electron beam transmission holes. FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating the main parts of a color cathode ray tube to which the present invention is applied, and FIG. 4 is a characteristic diagram for explaining the relationship between pitch and moiré wavelength. FIGS. 5A and 5B are explanatory diagrams illustrating the relationship between the electron beam transmission holes and the scanning lines, respectively. FIGS. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Panel, 2... Screen surface, 3... Shadow mask, 4... Three primary color phosphor, 5... Electron beam transmission hole, 6... Deflection device, 7... Electron beam, 8
...3 electron gun, 9...unit electron gun, 10...bridge, 11...scanning line.
Claims (1)
り、所定の電子ビーム透過孔の長さを可変して電子ビー
ム透過孔を配列したシャドーマスクにおいて、放送方式
によって設定されたシャドーマスクの電子ビーム透過孔
の垂直方向ピッチをPy、走査線ピッチをPsとすると
き、 モアレ波長=1/|(2/py)−(n/2ps)|=
1/|fa−fs|(ここで、faはシャドーマスクピ
ッチ周波数であり、fsは走査周波数である)で表わさ
れる関式において正の整数n=3、4における前記垂直
方向ピッチの変化範囲Δxを求め、該変化範囲Δxを前
記所定の垂直方向ピッチPyに加減して前記電子ビーム
透過孔が穿設されていることを特徴とするシャドーマス
ク。 2)シャドーマスクの電子ビーム透過孔の垂直配列は、
2種類の垂直方向ピッチの和が一定であり、その2種類
の垂直方向ピッチを垂直方向に交互となるようにして電
子ビーム透過孔を配設してなることを特徴とする請求項
第1項記載のシャドーマスク。 3)シャドーマスクの電子ビーム透過孔が、垂直方向ピ
ッチをPy−Δx、Py+Δxとして交互に垂直配列さ
れていることを特徴とする請求項第1項記載のシャドー
マスク。 4)シャドーマスクの電子ビーム透過孔 が、垂直方向ピッチをPy+Δx・sin(r)、Py
+Δx・cos(r)(ここで、rはスクリーンの任意
垂直距離である)として交互に垂直配列されていること
を特徴とする請求項第1項記載のシャドーマスク。 5)垂直方向ピッチの変化範囲Δxを 0.03mm≦Δx≦0.05mmとしたことを特徴と
する請求項第1項、第3項または第4項記載のシャドー
マスク。 6)シャドーマスクの電子ビーム透過孔の配列は、小さ
い垂直方向の開口寸法を有する電子ビーム透過孔に、相
対的に大きい垂直方向の開口寸法を有する電子ビーム透
過孔を隣接させて形成されていることを特徴とする請求
項第1項ないし第4項中のいずれか1項に記載のシャド
ーマスク。[Scope of Claims] 1) In a shadow mask in which the size of the bridge of the electron beam transmission space is constant and the length of the predetermined electron beam transmission hole is varied and the electron beam transmission holes are arranged, it is set according to the broadcasting method. When the vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask is Py and the scanning line pitch is Ps, Moire wavelength = 1/|(2/py)-(n/2ps)|=
1/|fa-fs| (where fa is the shadow mask pitch frequency and fs is the scanning frequency), the vertical pitch change range Δx for positive integers n=3, 4 , and the electron beam transmission holes are formed by adjusting the range of change Δx to the predetermined vertical pitch Py. 2) The vertical arrangement of electron beam transmission holes in the shadow mask is
Claim 1, characterized in that the sum of two types of vertical pitches is constant, and the electron beam transmission holes are arranged such that the two types of vertical pitches alternate in the vertical direction. Shadow mask as described. 3) The shadow mask according to claim 1, wherein the electron beam transmission holes of the shadow mask are vertically arranged alternately with vertical pitches of Py-Δx and Py+Δx. 4) The vertical pitch of the electron beam transmission holes of the shadow mask is Py+Δx・sin(r), Py
Shadow masks according to claim 1, characterized in that they are vertically arranged alternately as +Δx·cos(r), where r is an arbitrary vertical distance of the screen. 5) The shadow mask according to claim 1, 3 or 4, characterized in that the vertical pitch change range Δx is 0.03 mm≦Δx≦0.05 mm. 6) The electron beam transmission holes of the shadow mask are arranged such that electron beam transmission holes having small vertical opening dimensions are adjacent to electron beam transmission holes having relatively large vertical opening dimensions. The shadow mask according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9382690A JPH03291833A (en) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | Shadow mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9382690A JPH03291833A (en) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | Shadow mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291833A true JPH03291833A (en) | 1991-12-24 |
Family
ID=14093204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9382690A Pending JPH03291833A (en) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | Shadow mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291833A (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5190560A (en) * | 1975-02-07 | 1976-08-09 | ||
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-
1990
- 1990-04-09 JP JP9382690A patent/JPH03291833A/en active Pending
Patent Citations (6)
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