JPH0329190A - Clock signal input circuit - Google Patents

Clock signal input circuit

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JPH0329190A
JPH0329190A JP1163524A JP16352489A JPH0329190A JP H0329190 A JPH0329190 A JP H0329190A JP 1163524 A JP1163524 A JP 1163524A JP 16352489 A JP16352489 A JP 16352489A JP H0329190 A JPH0329190 A JP H0329190A
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clock signal
signal
circuit
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output signal
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相崎 あかね
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Abstract

PURPOSE:To allow one memory circuit to satisfy requests to two kinds of memory circuits by providing a clock signal input circuit with a circuit for setting up the potential of an output signal in accordance with the potential of an external clock signal at the time of turning on a power supply and switching the control function of a clock signal in accordance with the potential of the external clock signal at the time of turning on the power supply. CONSTITUTION:The clock signal input circuit is provided with an output signal potential setting circuit 100 inputting an external clock signal I1 and capable of setting up an output signal P to a high level or a low level in accordance with the potential of the external clock signal I1 at the time of turning on the power supply and a clock signal input buffer circuit 200. In accordance with the setting condition, i.e. the potential of the clock signal I1 up to the initial writing operation after turning on the power supply, of an output signal P from the circuit 100, circuit connection is automatically switched to change the control function of the clock signal I1 and the control functions of clock signals I1, I2 are simply switched in accordance with purposes. Consequently, market requests to two kinds of memory circuits can be satisfied only by one memory circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はクロック信号人カバッファ回路に関し、特に、
電源投入時の外部クロック信号の電位を検出し、該検出
結果に基づきクロック信号の制御機能を切り換えるクロ
ック信号人カバッファ回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a clock signal buffer circuit, and in particular,
The present invention relates to a clock signal buffer circuit that detects the potential of an external clock signal when power is turned on and switches a clock signal control function based on the detection result.

[従来の技術コ 近年、メモリに対する市場の要求は多様化していく傾向
にある。メモリを制御するクロック信号を例にとると、
チップ選択機能と出力端子制御機能とを付与したメモリ
や、正負両論理のチップ選択機能を付与したメモリへの
要求がある。このような基本的な内部回路は同じで、ク
ロック信号の機能のみを変えたファミリー製品はクロッ
ク信号人カバッフ7回路内の回路接続を一部変えるだけ
で実現できる。
[Conventional technology] In recent years, market demands for memory have tended to become more diverse. Taking the clock signal that controls memory as an example,
There is a demand for a memory provided with a chip selection function and an output terminal control function, and a memory provided with a chip selection function of both positive and negative logic. A family of products with the same basic internal circuitry and only a different clock signal function can be created by simply changing some of the circuit connections within the clock signal driver 7 circuit.

以下、従来例として2入力のクロック信号バッファ回路
を負論理のチップ選択機能と負論理の出力端子制御機能
を持つ場合と負論理のチップ選択機能と正論理のチップ
機能を持つ場合とに回路接続で切り換えられることを第
3図(a),  (b),(c)を参照して説明する。
Below, as a conventional example, a two-input clock signal buffer circuit is connected to a case having a negative logic chip selection function and a negative logic output terminal control function, and a case having a negative logic chip selection function and a positive logic chip function. The switching will be explained with reference to FIGS. 3(a), (b), and (c).

第3図(a)においてII,  I2はクロック信号を
、A31はインバータ回路を、N31,  N32, 
 N33を、B31,  B32,  B33はスイッ
チ部を、CS′は内部チップ選択信号を、σ丁′は内部
出力端子制御信号をそれぞれ示している。
In FIG. 3(a), II, I2 are clock signals, A31 is an inverter circuit, N31, N32,
N33, B31, B32, and B33 are switch sections, CS' is an internal chip selection signal, and σ' is an internal output terminal control signal, respectively.

まず、負論理のチップ選択機能と負論理の出力端子制御
機能とを持たせる場合について説明する。
First, a case will be described in which a negative logic chip selection function and a negative logic output terminal control function are provided.

この場合第3図(a)のスイッチ部B31は第3図(b
)のスイッチ部B32に示される接続とする。
In this case, the switch part B31 in FIG. 3(a) is replaced by the switch part B31 in FIG.
) is the connection shown in switch section B32.

スイッチ部B32ては節点N31が電源V C Cに接
続されるから、節点N33は常に低レベルとなり、内部
チップ選択信号で3゛゛はクロック屠号I2の同相信号
となる。一方、節点N32はクロック信号Itに接続さ
れるから、内部出力端子制御信号στ′はチップ選択状
態、すなわち、rS′が低レベルであれば■1と同相信
号になる。従って、クロック信号I2は負論理のチップ
選択機能を有し、11は負論理の出力端子制御機能を有
する。
In the switch section B32, the node N31 is connected to the power supply VCC, so the node N33 is always at a low level, and the internal chip selection signal 3' becomes the in-phase signal of the clock signal I2. On the other hand, since the node N32 is connected to the clock signal It, the internal output terminal control signal στ' becomes a signal in phase with 1 when the chip is selected, that is, when rS' is at a low level. Therefore, the clock signal I2 has a negative logic chip selection function, and the clock signal 11 has a negative logic output terminal control function.

次に負論理のチップ選択信号および正論理のチ“ップ選
択機能を持たせる場合を説明する。この場合、第3図(
a)のスイッチ部B31は第3図(c)のスイッチ部B
33に示される接続となる。クロック信号11は節点N
31と接続されるからで3一′はIlが高レベル、かつ
I2が低レベルの場合のみ選択状態である低レベルとな
る。従って、クロック信号Itは正論理の■2は負論理
のチップ選択機能を有することになる。一方、節点32
は接地(GND)電源に接続されるから、内部出力端子
制御信号■゛は内部チップ選択信号r}゛と同相の信号
となる。従って選択状態では常に低レベルに保たれ、メ
モリ回路の動作に影響を与えないよう配慮されている。
Next, we will explain the case where a negative logic chip selection signal and a positive logic chip selection function are provided. In this case, as shown in FIG.
The switch part B31 in a) is the switch part B in FIG. 3(c).
The connection is shown in 33. Clock signal 11 is at node N
Since it is connected to 31, 31' becomes a selected state of low level only when Il is high level and I2 is low level. Therefore, the clock signal It has a chip selection function of positive logic (2) and negative logic. On the other hand, node 32
Since is connected to the ground (GND) power supply, the internal output terminal control signal {circle around (2)} becomes a signal in phase with the internal chip selection signal r}''. Therefore, it is always kept at a low level in the selected state so as not to affect the operation of the memory circuit.

以上の説明から明らかなように、従来例では第3図(a
)のクロック信号人カバッファ回路のスイッチ部B31
を第3図(b)のスイッチ部B32または第3図(b)
のスイッチ部B33に示す接続のいずれかに設定するこ
とによりクロック信号の制御機能の異なる2種類のメモ
リ回路を実現している。製造工程上、上述の回路接続の
切換はポリシリコンやアルミ配線で行われ、拡散工程内
で各々の接続に合わせた2種類のマスクを作成し製造す
る手段を取っていた。
As is clear from the above explanation, in the conventional example, FIG.
) switch section B31 of the clock signal buffer circuit
Switch part B32 in Fig. 3(b) or Fig. 3(b)
By setting one of the connections shown in the switch section B33, two types of memory circuits with different clock signal control functions are realized. In the manufacturing process, the above-mentioned switching of circuit connections was performed using polysilicon or aluminum wiring, and a method was used to create and manufacture two types of masks for each connection during the diffusion process.

[発明が解決しようとする問題点] 上述した従来例では、2種類の機能に対応した2種類の
マスクが必要となり、拡散工程に混乱を来したり2種類
のメモリ回路の生産量を拡散時点から常に管理しなけれ
ばならないという欠点があり、更に開孔段階での試作評
価の上からも2種類のメモリ回路に対し各々の拡散工朋
を見積る必要があり開発日数がかかるという欠点もあっ
た。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional example described above, two types of masks corresponding to two types of functions are required, which may cause confusion in the diffusion process and reduce the production volume of two types of memory circuits at the time of diffusion. This had the disadvantage of requiring constant management from the beginning, and furthermore, it was necessary to estimate the diffusion technology for each of the two types of memory circuits during prototype evaluation at the hole-opening stage, which required a long development period. .

[発明の従来技術に対する相違点コ 上述した従来のクロック信号人カバッファ回路に対し、
本発明は電源投入時の外部クロック信号の電位により出
力信号の電位を設定する回路を設け、電源投入時の外部
クロック信号の電位によりクロック信号の制御機能を切
り換えるという相違点を有する。
[Differences between the invention and the prior art] Compared to the conventional clock signal buffer circuit described above,
The present invention is different in that it includes a circuit that sets the potential of an output signal based on the potential of an external clock signal when the power is turned on, and that the control function of the clock signal is switched depending on the potential of the external clock signal when the power is turned on.

[問題点を解決するための手段コ 本発明の要旨は、第1,第2の外部クロック信号を入力
どし内部チップ選択信号と内部出力端子制御信号を出力
とするクロック信号入力回路おいて、上記第1の外部ク
ロック信号を入力とし電源投入時の該第lの外部クロッ
ク信号の電位により出力信号を高レベルまたは低レベル
に設定可能な出力信号電位設定回路を設け、上記第1の
外部クロック信号と上記出力信号電位設定回路の出力信
号とのノア論理出力を上記第2の外部クロック信号とオ
ア論理をとりその出力を内部チップ選択信号とし、上記
第1の外部クロック信号と上記内部チップ選択信号との
ノア論理出力を上記出力信号電位設定回路の出力信号の
逆相信号とノア論理をとり、その出力を該内部出力端子
制御信号とするクロック信号人カバッファ回路とを備え
、上記第2の外部クロック信号は負論理のチップ選択機
能を有し、上記第1の外部クロック信号は上記出力信号
電位設定回路の出力信号の設定条件により機能が切り換
わり、該出力信号が高レベルの場合は負論理の出力端子
制御機能を低レベルの場合は正論理のチップ選択機能を
有することである。
[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention is to provide a clock signal input circuit which inputs first and second external clock signals and outputs an internal chip selection signal and an internal output terminal control signal, An output signal potential setting circuit is provided which receives the first external clock signal and can set an output signal to a high level or a low level depending on the potential of the first external clock signal when the power is turned on, The NOR logic output of the signal and the output signal of the output signal potential setting circuit is ORed with the second external clock signal, the output thereof is used as an internal chip selection signal, and the output is used as an internal chip selection signal, and the output signal is used as an internal chip selection signal. a clock signal buffer circuit which takes a NOR logic output of the signal and a reverse phase signal of the output signal of the output signal potential setting circuit and uses the output as the internal output terminal control signal; The external clock signal has a negative logic chip selection function, and the function of the first external clock signal changes depending on the setting condition of the output signal of the output signal potential setting circuit, and when the output signal is at a high level, the function is negative. When the logic output terminal control function is at a low level, it has a positive logic chip selection function.

[発明の作用コ 上記構成に係るクロック信号入力回路では、出力信号電
位設定回路が電源投入時の第1の外部クロック信号の電
位に対応した出力信号をクロック信号人カバッファ回路
に供給し、クaツク入力バッファ回路は、この出力信号
に基づき負論理の出力端子制御機能と正論理のチップ選
択機能とを選択的に実現できる。
[Operation of the invention] In the clock signal input circuit according to the above configuration, the output signal potential setting circuit supplies the clock signal input buffer circuit with an output signal corresponding to the potential of the first external clock signal when the power is turned on. The input buffer circuit can selectively implement a negative logic output terminal control function and a positive logic chip selection function based on this output signal.

[実施例コ 次に本発明の第1の実施例を第1図を参照して説明する
[Embodiment] Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第1図においてWは書き込み制御信号であり、書き込み
動作時高レベル、読み出し動作時低レベルである。Pは
出力信号電位設定回路の出力信号であり、Nil,  
Nl2,  N13,  N14,  N15は節点を
、All,  AI2,  A13,  A14はイン
バータ回路を、Q11,  Q12はNチャンネルMO
S}ランジスタを、Q13はPチャンネルMOS}ラン
ジスタをそれぞれ示している。
In FIG. 1, W is a write control signal, which is at a high level during a write operation and at a low level during a read operation. P is the output signal of the output signal potential setting circuit, Nil,
Nl2, N13, N14, N15 are nodes, All, AI2, A13, A14 are inverter circuits, Q11, Q12 are N-channel MO
Q13 represents a P-channel MOS} transistor, and Q13 represents a P-channel MOS} transistor.

まず出力信号電位設定回路100について説明する。読
み出し動作モードすなわち書き込み制御信号Wを低レベ
ルとして電源を投入する。書き込み制御信号Wは低レベ
ルであるからMOS}ランジスタQllはオフであり、
節点Nilは低レベル、節点N12は高レベルとなる。
First, the output signal potential setting circuit 100 will be explained. In the read operation mode, the write control signal W is set to a low level and the power is turned on. Since the write control signal W is at a low level, the MOS transistor Qll is off,
The node Nil is at a low level, and the node N12 is at a high level.

従ってMOS}ランジスタQ12,  Q13はともに
オンし、節点Nl3はクロック信号■1のレベルと等し
くなりA13,  A14のフリップフロップを介して
出力信号Pはクロック信号Itの逆相信号となる。電源
投入後、最初の書き込み動作で書き込み制御信号Wが高
レベルとなると、MOS}ランジスタQllがオンし、
節点Ntiは高レベル、節点N12は低レベルとなるた
め、MOS}ランジスタQ12,  Q13ともにオフ
し、クロック信号Ifと節点N13間が非導通状態とな
る。
Therefore, the transistors Q12 and Q13 are both turned on, and the level of the node N13 becomes equal to the level of the clock signal 1, so that the output signal P becomes a signal with the opposite phase of the clock signal It through the flip-flops A13 and A14. When the write control signal W becomes high level in the first write operation after the power is turned on, the MOS} transistor Qll turns on,
Since the node Nti is at a high level and the node N12 is at a low level, both the MOS transistors Q12 and Q13 are turned off, and there is no conduction between the clock signal If and the node N13.

インバータAll,  AI2はフリツブフロツブを構
成しているので、その後は書き込み制御信号Wのレベル
に関わらず節点Nilは高レベル、節点N12は低レベ
ルのままであり、MOS}ランジスタQ 12,Q13
はともにオフし、クロック信号IIと節点Nl3間は非
導通状態のままである。
Since the inverters All and AI2 constitute a flipflop, the node Nil remains at high level and the node N12 remains at low level regardless of the level of the write control signal W, and the transistors Q12, Q13
are both turned off, and a non-conducting state remains between the clock signal II and the node Nl3.

従って、インバータA13,  A14のフリツプフロ
ップにより節点Nl3は書き込み動作前のクロック信号
Itのレベルを保ち、Pはその位相信号のままとなる。
Therefore, by the flip-flops of inverters A13 and A14, the node Nl3 maintains the level of the clock signal It before the write operation, and P remains its phase signal.

従ってクロック信号Itを低レベルとじて電源を投入す
ると出力信号Pは高レベルに、クロック信号IIを高レ
ベルとして電源を投入すると、出力信号Pは低レベルに
設定される。
Therefore, when the power is turned on with the clock signal It set to a low level, the output signal P is set to a high level, and when the power is turned on with the clock signal II set to a high level, the output signal P is set to a low level.

次に出力信号電位設定回路の出力信号Pの設定条件によ
りクロック信号の制御機能を切り換えることを可能とし
たクロック信号人カバッファ回路200を説明する。
Next, a description will be given of a clock signal buffer circuit 200 that is capable of switching the clock signal control function according to the setting conditions of the output signal P of the output signal potential setting circuit.

出力信号Pが高レベルの場合、すなわちクロック信号I
Iを低レベルとして電源を投入した場合には、節点N1
4はクロック信号I1によらず常に低レベルとなり内部
チップ選択信号C}′はクロック信号I2の同相信号に
なる。一方、節点Nl5は出力信号Pの逆相で常に低レ
ベルであるから、内部出力端制御信号■゜は、内部チッ
プ選択信号て3一2が低レベルであればクロック信号I
fの同相信号になる。
When the output signal P is high level, that is, the clock signal I
When the power is turned on with I set to low level, node N1
4 is always at a low level regardless of the clock signal I1, and the internal chip selection signal C}' becomes an in-phase signal of the clock signal I2. On the other hand, since the node Nl5 is in the opposite phase of the output signal P and is always at a low level, the internal output end control signal
It becomes an in-phase signal of f.

従って、クロック信号l2は負論理のチップ選択機能を
有し、クロック信号■1は負論理の出力端子制御機能を
有する。
Therefore, the clock signal 12 has a negative logic chip selection function, and the clock signal 1 has a negative logic output terminal control function.

一方、出力信号Pが低レベルの場合、すなわちクロック
信号I1を高レヘルとして電源を投入した場合には、節
点Nl4はクロック信号I1の逆相となるから、内部チ
ップ選択信号C1′はクロ・ンク信号IIが高レベル、
かつクロック信号I2が低レベルの場合にのみ選択状態
である低レベルとなる。
On the other hand, when the output signal P is at a low level, that is, when the power is turned on with the clock signal I1 at a high level, the node Nl4 has the opposite phase of the clock signal I1, so the internal chip selection signal C1' is set to the clock signal I1. Signal II is high level,
Moreover, only when the clock signal I2 is at a low level, it becomes a selected state at a low level.

従って、クロック信号I2は負論理の、I1は正論理の
チップ選択機能を持つことになる。
Therefore, the clock signal I2 has a negative logic chip selection function, and the clock signal I1 has a positive logic chip selection function.

一方、節点Nl5は常に高レベルであるので、内部出力
端子制御信号’in’は出力端子活性状態である低レベ
ルに保たれ、メモリ回路動作に影響を与えないよう設定
される。
On the other hand, since the node Nl5 is always at a high level, the internal output terminal control signal 'in' is kept at a low level, which is the output terminal active state, and is set so as not to affect the memory circuit operation.

以上の説明により本発明は、出力信号電位設定回路の出
力信号Pの設定条件、すなわち電源投入後最初の書き込
み動作までのクロック信号の電位により自動的に回路接
続が切り換わり、クロ・ンク信号の制御機能を変えるこ
とができ、使用用途ζこ合わせてその都度簡単にクロッ
ク信号の制御機能切り換えができる。
As described above, the present invention automatically switches the circuit connection depending on the setting conditions of the output signal P of the output signal potential setting circuit, that is, the potential of the clock signal from the time the power is turned on until the first write operation, and The control function can be changed, and the clock signal control function can be easily switched depending on the intended use.

第2図は本発明の第2の実施例の出力信号電位設定回路
300てある。第2図において、Wは書き込み制御信号
、Itはクロック信号、Pは出力信号電位設定回路の出
力信号、N21〜N27は節点、A21〜A25はイン
バータ回路、F21.  F22は電気ヒューズをそれ
ぞれ示している。ヒューズF21,F22は大電流によ
り溶断する。Q24,  Q25は大電流能力のあるN
チャンネルMOS}ランジスタ、R21−R23は高抵
抗てある。Q21,  Q22はNチャンネルMOS}
ランジスタ、Q23はPチャンネルMOS}ランジスタ
てある。クロック信号人カノゞッファ回路は第1図と同
一のものとする。
FIG. 2 shows an output signal potential setting circuit 300 according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, W is a write control signal, It is a clock signal, P is an output signal of the output signal potential setting circuit, N21 to N27 are nodes, A21 to A25 are inverter circuits, F21. F22 indicates an electrical fuse. Fuses F21 and F22 are blown by the large current. Q24 and Q25 are N with large current capability.
Channel MOS} transistors R21-R23 have high resistance. Q21 and Q22 are N-channel MOS}
The transistor Q23 is a P channel MOS transistor. The clock signal buffer circuit is the same as that shown in FIG.

読み出し動作モード、すなわち書き込み制御信号Wを低
レベルとして電源を投入する。MOS}ランジスタQ2
1はオフするため、節点N22は高レベル、節点N23
は低レベルとなり、ノア(NOR)論理出力節点N24
は低レベルとなり、MOS}ランジスタQ24はオフす
る。従って、節点N25は高レベル、節点N26は低レ
ベルとなり、MOS}ランジスタQ22,  Q23が
ともにオンし、クロック信号■1のレベルが節点N27
に伝わる。クロ・ンク信号11が低レベルの場合、MO
S}ランジスタQ25はオフだから、出力信号電位設定
回路出力信号Pは高レベルとなる。反対にクロック信号
IIが高レベルの場合には、MOS}ランジスタQ25
がオンし、大電流が流れることにより電気ヒューズF2
2が溶断し、出力信号Pは低レベルとなる。
The power is turned on in the read operation mode, that is, with the write control signal W set at a low level. MOS} transistor Q2
1 is off, so node N22 is high level, node N23
becomes a low level, and the NOR logic output node N24
becomes a low level, and the MOS transistor Q24 turns off. Therefore, the node N25 becomes a high level and the node N26 becomes a low level, both MOS transistors Q22 and Q23 turn on, and the level of the clock signal 1 becomes the node N27.
It is transmitted to When clock signal 11 is low level, MO
S} Since the transistor Q25 is off, the output signal potential setting circuit output signal P becomes high level. On the other hand, when the clock signal II is at a high level, the MOS} transistor Q25
is turned on and a large current flows, causing electrical fuse F2
2 is fused, and the output signal P becomes low level.

電源投入後の最初の書き込み動作で書き込み制御信号W
が低レベルから高レベルになると、MOSトランジスタ
Q21がオンし、節点N22は高レベルから低レベルへ
遷移し、節点N23はインバータ列A23〜A25のト
ランジスタサイズで決まる一定期間の遅延後低レベルか
ら高レベルへ遷移する。
The write control signal W is generated at the first write operation after power is turned on.
goes from low level to high level, MOS transistor Q21 turns on, node N22 transitions from high level to low level, and node N23 changes from low level to high level after a certain period of delay determined by the transistor size of inverter array A23 to A25. Transition to level.

従って節点N22とN23のノア論理出力節点N24は
節点N22が高レベルから低レベルへ遷移してから節点
N23が低レベルから高レベルへ遷移するまでの期間の
み高レベルである上向きのワンショットパルスとなる。
Therefore, the NOR logic output node N24 of nodes N22 and N23 is an upward one-shot pulse that is at a high level only during the period from when node N22 transitions from a high level to a low level until when node N23 transitions from a low level to a high level. Become.

節点N24が高レベルの間MOS}ランジスタQ24が
オンし大電流が流れることにより、電気ヒューズF21
が溶断ずる。節点24は低レベル、N26は高レベルと
なりMOS}ランジスタQ22,  Q23がオフし、
クロック信号Ifと節点N27の間は非導通状態となる
。インバータA21とA22はフリップフロツブを構成
しているので、第1実施例同様その後は書き込み制御信
号Wに関わらず節点N24は低レベルに保たれ、Q24
はオフ状態のままであり、電気ヒューズF21は切断さ
れているので高抵抗R21により節点N25は低レベル
,N26は高レベルに保たれ、クロック信号Ifと節点
N27の間は非導通状態のままとなる。
While the node N24 is at a high level, the MOS transistor Q24 is turned on and a large current flows, causing the electric fuse F21 to open.
is melted. Node 24 becomes low level, N26 becomes high level, MOS} transistors Q22 and Q23 are turned off,
There is no conduction between the clock signal If and the node N27. Since inverters A21 and A22 constitute a flip-flop, node N24 is kept at a low level regardless of write control signal W, as in the first embodiment, and Q24
remains in the off state, and the electrical fuse F21 is cut, so the high resistance R21 keeps the node N25 at a low level and N26 at a high level, and the clock signal If and the node N27 remain in a non-conducting state. Become.

一方、節点N27は高抵抗R22により低レベルになる
ため、MOS}ランジスタQ25はオフ状態となり、電
気ヒューズF22が切断されていない場合、すなわち、
クロック信号Ilを低レベルとして電源投入した場合に
は、出力信号Pは高レベルに、電気ヒューズF22が切
断されている場合、すなわちクロック信号■1を高レベ
ルとして電源投入した場合には、出力信号Pは高抵抗R
23により低レベルのままとなる。出力信号電位設定回
路300の出力信号Pの設定レベルにより、第1実施例
と同様外部クロック信号の制御機能を切り換えることが
できるのは明かである。
On the other hand, since the node N27 is at a low level due to the high resistance R22, the MOS transistor Q25 is turned off, and if the electric fuse F22 is not cut, that is,
When the power is turned on with the clock signal Il at a low level, the output signal P goes to a high level, and when the electrical fuse F22 is cut, that is, when the power is turned on with the clock signal 1 at a high level, the output signal P goes to a high level. P is high resistance R
23, it remains at a low level. It is clear that the control function of the external clock signal can be switched depending on the setting level of the output signal P of the output signal potential setting circuit 300, as in the first embodiment.

さらに本実施例では拡散完了後ウェハ状態もしくは絹立
後の製品について最初に電源を投入したときに出力信号
Pの電位が設定され、さらに外部クロック信号の制御機
能が決定され、その後は電源をオフしても、再電源投入
時のクロック信号のレベルに関係なく最初に設定した外
部クロック信号の制御機能が保たれるので、電源投入の
度にクロック信号の制御機能に合わせて電源投入時のク
ロック信号のレベルを外部の回路等により設定する必要
がないという利点がある。
Furthermore, in this embodiment, the potential of the output signal P is set when the power is turned on for the first time for the wafer state or silk-finished product after completion of diffusion, the control function of the external clock signal is determined, and the power is then turned off. Even if the power is turned on again, the initially set external clock signal control function is maintained regardless of the level of the clock signal when the power is turned on again. This has the advantage that there is no need to set the signal level using an external circuit or the like.

[発明の効果コ 以上説明したように本発明では、従来例に比へまず第1
に拡散工程内で回路構成を切り換える手段を取らないの
で、全ての拡散工程を各々一貫して1種類のマスクで製
造でき拡散工程が単純になるという効果を有する。第2
に電源投入時のクロック信号のレベル設定を変えるだけ
で別の制御機能を有するクロック信号を持つメモリ回路
に切り換えろことができるという効果を有する。例えば
、第1実施例の回路では用途に合わせて、その都度切り
換えることができるので1つのメモリ回路で2種類のメ
モリ回路に対する市場の要求を満たすことができ、第2
実施例の回路では製品試験時にクロック信号の制御機能
を切り換えることができ2種類のメモリ回路に作り分け
ることができるので市場の要求に合わせて生産量を自由
に調整できるという利点を有する。第3にメモリ回路開
発時点ても2種類のメモリ回路を電源投入時のクロック
信号のレベル設定を変えるだけで即座に評価でき開発日
数を短縮できるという効果を有する。
[Effects of the invention] As explained above, the present invention has the first advantage compared to the conventional example.
Since there is no need to take any means to switch the circuit configuration within the diffusion process, all the diffusion processes can be consistently manufactured using one type of mask, which has the effect of simplifying the diffusion process. Second
This has the effect that it is possible to switch to a memory circuit having a clock signal with a different control function simply by changing the level setting of the clock signal when the power is turned on. For example, the circuit of the first embodiment can be switched each time according to the application, so one memory circuit can satisfy the market demand for two types of memory circuits, and the second embodiment can satisfy market demands for two types of memory circuits.
The circuit of the embodiment has the advantage that the clock signal control function can be switched during product testing and two types of memory circuits can be manufactured, allowing the production amount to be freely adjusted in accordance with market requirements. Thirdly, even at the time of memory circuit development, two types of memory circuits can be evaluated immediately by simply changing the level setting of the clock signal when the power is turned on, thereby reducing the number of development days.

本発明は簡単な回路構成によりクロック信号の制御機能
を変えることができ上述の効果を持つことから実使用の
有益性は極めて高い。尚、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の主旨を満たす種々の範囲に
適用されることは言うまでもない。
The present invention can change the clock signal control function with a simple circuit configuration and has the above-mentioned effects, so it is extremely useful in actual use. It goes without saying that the present invention is not limited to the above embodiments, but can be applied to various ranges that satisfy the gist of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1実施例のクロック信号入力回路を
示す回路図、第2図は第2実施例の出力信号電位設定回
路を示す回路図、第3図(a)〜(c)は従来例を示す
回路図である。 11.12・・・・クロック信号、 rS゛ ・・・・・内部チップ選択信号、石工一′ ・
・・・・内部出力端子制御信号、W・・・・・・・書き
込み制御信号、 P・・・・・・出力信号電位設定回路の出力信号、B3
1−B33・・・・・・・・・スイッチ部、100,3
00・・・・・出力信号電位設定回路、200・・・・
・クロック信号入力ハッファ回路。 AIl〜A 14. A21−A25’,  A31・・・・・インバータ回
路、Q24,  Q25・・・・・・大電流能力Nチャ
ンネルMOSFET、 F21.  F22・・・・・ ・電気ヒューズ、R2
1〜R23・・・・・・高抵抗、
FIG. 1 is a circuit diagram showing a clock signal input circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an output signal potential setting circuit according to a second embodiment, and FIGS. 3(a) to (c) is a circuit diagram showing a conventional example. 11.12...Clock signal, rS゛...Internal chip selection signal, mason 1' ・
...Internal output terminal control signal, W...Write control signal, P...Output signal of output signal potential setting circuit, B3
1-B33...Switch section, 100,3
00... Output signal potential setting circuit, 200...
・Clock signal input huffer circuit. AIl~A 14. A21-A25', A31... Inverter circuit, Q24, Q25... Large current capacity N-channel MOSFET, F21. F22・・・・Electrical fuse, R2
1~R23...High resistance,

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  第1、第2の外部クロック信号を入力とし内部チップ
選択信号と内部出力端子制御信号を出力とするクロック
信号入力回路おいて、上記第1の外部クロック信号を入
力とし電源投入時の該第1の外部クロック信号の電位に
より出力信号を高レベルまたは低レベルに設定可能な出
力信号電位設定回路を設け、上記第1の外部クロック信
号と上記出力信号電位設定回路の出力信号とのノア論理
出力を上記第2の外部クロック信号とオア論理をとりそ
の出力を内部チップ選択信号とし、上記第1の外部クロ
ック信号と上記内部チップ選択信号とのノア論理出力を
上記出力信号電位設定回路の出力信号の逆相信号とノア
論理をとり、その出力を該内部出力端子制御信号とする
クロック信号入力バッファ回路とを備え、上記第2の外
部クロック信号は負論理のチップ選択機能を有し、上記
第1の外部クロック信号は上記出力信号電位設定回路の
出力信号の設定条件により機能が切り換わり、該出力信
号が高レベルの場合は負論理の出力端子制御機能を低レ
ベルの場合は正論理のチップ選択機能を有することを特
徴とするクロック信号入力回路。
In a clock signal input circuit which receives first and second external clock signals and outputs an internal chip selection signal and an internal output terminal control signal, the clock signal input circuit receives the first external clock signal and outputs an internal chip selection signal and an internal output terminal control signal. An output signal potential setting circuit capable of setting an output signal to a high level or a low level depending on the potential of an external clock signal is provided, and a NOR logic output between the first external clock signal and the output signal of the output signal potential setting circuit is provided. OR logic is performed with the second external clock signal, and its output is used as an internal chip selection signal, and the OR logic output of the first external clock signal and the internal chip selection signal is used as the output signal of the output signal potential setting circuit. a clock signal input buffer circuit that takes a negative phase signal and a NOR logic and uses the output as the internal output terminal control signal; the second external clock signal has a negative logic chip selection function; The function of the external clock signal changes depending on the setting conditions of the output signal of the output signal potential setting circuit, and when the output signal is high level, it is a negative logic output terminal control function, and when it is low level, it is a positive logic chip selection function. 1. A clock signal input circuit characterized by having a function.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008140018A (en) * 2006-11-30 2008-06-19 Denso Corp Electronic control unit
US9614195B2 (en) 2014-03-31 2017-04-04 Gs Yuasa International Ltd. Energy storage device and manufacturing method of the same

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