JPH03292731A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH03292731A JPH03292731A JP2095721A JP9572190A JPH03292731A JP H03292731 A JPH03292731 A JP H03292731A JP 2095721 A JP2095721 A JP 2095721A JP 9572190 A JP9572190 A JP 9572190A JP H03292731 A JPH03292731 A JP H03292731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chamber
- support shaft
- spherical surface
- bearing member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明はプラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置は、例えば、半導体デバイスの製造工
程などで実用に供されており、この装置を用いてプラズ
マエツチング（ドライエツチング）、プラズマＣＶＤ、
プラズマ表面改質などの処理が行われている。
程などで実用に供されており、この装置を用いてプラズ
マエツチング（ドライエツチング）、プラズマＣＶＤ、
プラズマ表面改質などの処理が行われている。
このプラズマ処理装置では、第３図にみるように、チャ
ンバー５０内に上下一対のプラズマ生成用の電極５１と
電極５２が対面するようにして設けられており、両電極
間の放電現象によって生成されたプラズマにより、両電
極間に配された被処理体をプラズマ処理するようになっ
ている。
ンバー５０内に上下一対のプラズマ生成用の電極５１と
電極５２が対面するようにして設けられており、両電極
間の放電現象によって生成されたプラズマにより、両電
極間に配された被処理体をプラズマ処理するようになっ
ている。
上電極５１と下電極５２は、この場合、相互の間隔およ
び平行度の厳密な調整が４・要である。そこで、このプ
ラズマ処理装置では、上記間隔および平行度の調整を可
能とさせる構成が、以下のようになっている。
び平行度の厳密な調整が４・要である。そこで、このプ
ラズマ処理装置では、上記間隔および平行度の調整を可
能とさせる構成が、以下のようになっている。
すなわち、下電極５２がチャンバー５０内において固定
して設けられているのに対し、上電極５１が放電チャン
バー５０に対して直接固定されていない。つまり、上電
極５１の支持は、チャンバ−５０に対し可動となってい
る支持軸５４によりなされているのである。これを詳し
く述べると、第３図にみるように、支持軸５４は、先端
側に上電極５１が取り付けられ、他端側がボルト５５．
５５を足としてチャンバ−５０上面に係止されたるベー
ス部材５６に固定されていているのであるなお、真空雰
囲気下での放電によりプラズマを発生させる形式では、
上電極５１の裏面とチャンバ−５０内面の間に伸縮ベロ
ーズ５３が設けられていてチャンバー内の真空が保たれ
るようになっている。
して設けられているのに対し、上電極５１が放電チャン
バー５０に対して直接固定されていない。つまり、上電
極５１の支持は、チャンバ−５０に対し可動となってい
る支持軸５４によりなされているのである。これを詳し
く述べると、第３図にみるように、支持軸５４は、先端
側に上電極５１が取り付けられ、他端側がボルト５５．
５５を足としてチャンバ−５０上面に係止されたるベー
ス部材５６に固定されていているのであるなお、真空雰
囲気下での放電によりプラズマを発生させる形式では、
上電極５１の裏面とチャンバ−５０内面の間に伸縮ベロ
ーズ５３が設けられていてチャンバー内の真空が保たれ
るようになっている。
上記ベース部材５６は、ボルト５５．５５を正逆回転さ
せれば傾きおよび高さが変化し、これに伴い支持軸５４
の上下位置および傾きが変わる。
せれば傾きおよび高さが変化し、これに伴い支持軸５４
の上下位置および傾きが変わる。
そして、支持軸５４の上下位置おまび傾きの変化に伴い
、上下電極５１．５２の間隔および平行度が変わるので
ある。したがって、ボルト５５．５５を回転操作すれば
、上下両電極５１．５２の間隔および平行度を所望の値
に設定する調整が行えることになる。
、上下電極５１．５２の間隔および平行度が変わるので
ある。したがって、ボルト５５．５５を回転操作すれば
、上下両電極５１．５２の間隔および平行度を所望の値
に設定する調整が行えることになる。
しかしながら、上記プラズマ処理装置の場合、上下電極
５１．５２の間隔および平行度を適切な状態に調整する
ことは簡単ではなかった。これは、ボルト５５の回転は
高さと傾きを同時に変化させるからである。間隔だけを
少し変更しようとしても、平行度も同時に変動してしま
うので、間隔と平行度の両方を所望の値にすることが中
々できないのである。
５１．５２の間隔および平行度を適切な状態に調整する
ことは簡単ではなかった。これは、ボルト５５の回転は
高さと傾きを同時に変化させるからである。間隔だけを
少し変更しようとしても、平行度も同時に変動してしま
うので、間隔と平行度の両方を所望の値にすることが中
々できないのである。
この発明は、上記事情に鑑み、一対のプラズマ生成用電
極の平行度および間隔の調整が容易なプラズマ処理装置
を提供することを課題とする。
極の平行度および間隔の調整が容易なプラズマ処理装置
を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、この発明にかかるプラズマ処
理装置は、チャンバーと、このチャンバーに対し一定の
姿勢を取る固定球面座と、この固定球面座によりユニバ
ーサルな傾きを可能とするようにして支持された軸受は
部材と、この軸受は部材にスラスト軸受けされてその先
端がチャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、こ
の支持軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャン
バー内において前記一方の電極に対面する他方の電極を
備え、両電極間に放電が行われるようになっているとと
もに、前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段の
働きで前記他方の電極に対し離接可能となっている構成
をとるようにしている〔作 用〕 この発明のプラズマ処理装置では、一方の電極の支持軸
が軸受は部材にスラスト軸受けされ、この軸受は部材が
球面座によりユニバーサルな傾きを可能とするように支
持されているため、電極は、球面座を支点として自由に
傾きを変えることができる。
理装置は、チャンバーと、このチャンバーに対し一定の
姿勢を取る固定球面座と、この固定球面座によりユニバ
ーサルな傾きを可能とするようにして支持された軸受は
部材と、この軸受は部材にスラスト軸受けされてその先
端がチャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、こ
の支持軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャン
バー内において前記一方の電極に対面する他方の電極を
備え、両電極間に放電が行われるようになっているとと
もに、前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段の
働きで前記他方の電極に対し離接可能となっている構成
をとるようにしている〔作 用〕 この発明のプラズマ処理装置では、一方の電極の支持軸
が軸受は部材にスラスト軸受けされ、この軸受は部材が
球面座によりユニバーサルな傾きを可能とするように支
持されているため、電極は、球面座を支点として自由に
傾きを変えることができる。
そこで、この一方の電極（可動電極）を他方の電極（固
定電極）に押し付けると、この一方の電極は他方の電極
に対して面接触して平行度を自動的に調える。
定電極）に押し付けると、この一方の電極は他方の電極
に対して面接触して平行度を自動的に調える。
この発明のプラズマ処理装置では、支持軸が軸受は部材
によりスラスト軸受けされているので、支持軸をスラス
トさせると、一方の電極は他方の電極に対して平行度を
保った状態で離接する。
によりスラスト軸受けされているので、支持軸をスラス
トさせると、一方の電極は他方の電極に対して平行度を
保った状態で離接する。
ついで、この発明にかかるプラズマ処理装置の一実施例
を図面を参照しながら詳しく説明する。
を図面を参照しながら詳しく説明する。
第１図は、実施例のプラズマ処理装置の構成の概略をあ
られし、第２図は、この実施例のプラズマ処理装置の構
成の詳細をあられす。
られし、第２図は、この実施例のプラズマ処理装置の構
成の詳細をあられす。
このプラズマ処理装置では、チャンバー１内に上下一対
のプラズマ生成用の電極（一方の電極）２と電極（他方
の電極）３が対面するようにして配設されている。画電
極２．３間の放電現象により生成させたプラズマにより
、画電極２．３間に配された被処理体（ウェハなど）２
５をプラズマ処理する。ｌｂは排気口である。
のプラズマ生成用の電極（一方の電極）２と電極（他方
の電極）３が対面するようにして配設されている。画電
極２．３間の放電現象により生成させたプラズマにより
、画電極２．３間に配された被処理体（ウェハなど）２
５をプラズマ処理する。ｌｂは排気口である。
このプラズマ装置でも、上電極２がチャンバー外からチ
ャンバー内↓こ臨む支持軸５の先端に取り付けられて支
持されている。
ャンバー内↓こ臨む支持軸５の先端に取り付けられて支
持されている。
しかし、この支持軸５は軸受は部材６でスラストベアリ
ング１９を介してスラスト軸受けされ、この軸受は部材
６は下面に球面６ａを有して、この球面６ａで、チャン
バー１の天井壁部材１ａの上面に固定された球面座７上
に載置支持されており、この点で従来と異なる。軸受は
部材６は、その球面６ａで球面座７に支持されているた
めに、ユニバーサルな傾きを可能とする。すなわち、支
持軸５が第１図に矢印Ａで示すように左ないし右に振れ
て上電極２の下電極３に対する傾きが自由に変化し平行
度が変わるようになっているのである。
ング１９を介してスラスト軸受けされ、この軸受は部材
６は下面に球面６ａを有して、この球面６ａで、チャン
バー１の天井壁部材１ａの上面に固定された球面座７上
に載置支持されており、この点で従来と異なる。軸受は
部材６は、その球面６ａで球面座７に支持されているた
めに、ユニバーサルな傾きを可能とする。すなわち、支
持軸５が第１図に矢印Ａで示すように左ないし右に振れ
て上電極２の下電極３に対する傾きが自由に変化し平行
度が変わるようになっているのである。
支持軸５の他端に設けられたベース部材１０は、パルス
モータ１１で正逆回転駆動されるネジ棒１２にネジ結合
していて、ネジ棒１２の正逆回転に伴い第１図に矢印Ｂ
で示すように上下に移動する。そして、ベース部材１０
の上下移動に伴い、支持軸５が上下移動して、上電極２
と下電極３の間隔が変わるようになっている。つまり、
上記ベース部材１０、パルスモータ１１およびネジ棒１
２は、電極２．３が離接する方向に支持軸５を動かす駆
動手段を構成しているのである。
モータ１１で正逆回転駆動されるネジ棒１２にネジ結合
していて、ネジ棒１２の正逆回転に伴い第１図に矢印Ｂ
で示すように上下に移動する。そして、ベース部材１０
の上下移動に伴い、支持軸５が上下移動して、上電極２
と下電極３の間隔が変わるようになっている。つまり、
上記ベース部材１０、パルスモータ１１およびネジ棒１
２は、電極２．３が離接する方向に支持軸５を動かす駆
動手段を構成しているのである。
この場合も、上電極２の裏面とチャンバ−１内面との間
に伸縮ベローズ４が設けられているが、この伸縮ベロー
ズ４は、支持軸５の動きに応じて柔軟に伸び縮みするた
め、上電極２の動きを妨げることがない。
に伸縮ベローズ４が設けられているが、この伸縮ベロー
ズ４は、支持軸５の動きに応じて柔軟に伸び縮みするた
め、上電極２の動きを妨げることがない。
パルスモータ１１の働きで支持軸５がチャンバー１内に
伸びて上電極２が下電極３に密接して、上電極２は自然
に下電極３に対して完全に平行するので、ここでクラン
プ１５で軸受は部材６の球面座７に対する傾きを固定す
る。この状態でパルスモータ１１を駆動し支持軸５を上
下方向に動かせば、上電極２は下電極３に対し完全に平
行を保った状態で離接する。
伸びて上電極２が下電極３に密接して、上電極２は自然
に下電極３に対して完全に平行するので、ここでクラン
プ１５で軸受は部材６の球面座７に対する傾きを固定す
る。この状態でパルスモータ１１を駆動し支持軸５を上
下方向に動かせば、上電極２は下電極３に対し完全に平
行を保った状態で離接する。
このプラズマ処理装置では、支持軸５の軸線は球面６ａ
の法線に一致している。このようになっていると、平行
度を変えたときの上下の移動量と下電極に対する上電極
の軸芯のズレのいずれもが最小にできるといった利点が
ある。
の法線に一致している。このようになっていると、平行
度を変えたときの上下の移動量と下電極に対する上電極
の軸芯のズレのいずれもが最小にできるといった利点が
ある。
続いて、実施例のプラズマ処理装置のその他の構成につ
いて説明する。
いて説明する。
上電極２および下電極３は、流路２ａ、３ａを流れる水
で冷却される。また、上電極２の流路２ｂおよびパイプ
１６を介して必要な処理ガスの導入がなされる。上電極
２の下面には処理ガスを噴出させるための多数の細孔２
ｃ・・・が設けられている。下電極３には高周波電力の
供給手段ＲＦが設けられている。また、下電極３の中央
付近には被処理体２５を下電極３上に載置するための昇
降手段（例えば、ウェハつき上げピン）２６が設けられ
ている。
で冷却される。また、上電極２の流路２ｂおよびパイプ
１６を介して必要な処理ガスの導入がなされる。上電極
２の下面には処理ガスを噴出させるための多数の細孔２
ｃ・・・が設けられている。下電極３には高周波電力の
供給手段ＲＦが設けられている。また、下電極３の中央
付近には被処理体２５を下電極３上に載置するための昇
降手段（例えば、ウェハつき上げピン）２６が設けられ
ている。
ダイアルゲージ２０は、ベース部材ＩＯの上下方向の移
動量（すなわち上下電極２．３間の間隔に対応する量）
を示す。すなわち、ベース部材１０の肩１０ａに上から
当接する測定棒２１がヘス部材１０の上下動に伴って上
下移動し、この動きがダイアルゲージ２０で表示される
のである。
動量（すなわち上下電極２．３間の間隔に対応する量）
を示す。すなわち、ベース部材１０の肩１０ａに上から
当接する測定棒２１がヘス部材１０の上下動に伴って上
下移動し、この動きがダイアルゲージ２０で表示される
のである。
パルスモータ１１の回転は、プーリー１７および伝達ベ
ルト１８を介してネジ棒１２に伝えられる。絶縁材Ｇは
電極２．３の必要な電気的絶縁状態を確保するためのも
のである。
ルト１８を介してネジ棒１２に伝えられる。絶縁材Ｇは
電極２．３の必要な電気的絶縁状態を確保するためのも
のである。
なお、上記プラズマ処理装置には、図示の構成以外に、
チャンバー１内を必要な真空雰囲気にするための真空排
気手段、不活性ガスや使用材料ガス等の供給手段、ある
いは、プラズマ生成用の高周波電圧を各電極に印加する
電源手段等がそれぞれ、通常用いらる構成でもって設け
られていることはいうまでもない。
チャンバー１内を必要な真空雰囲気にするための真空排
気手段、不活性ガスや使用材料ガス等の供給手段、ある
いは、プラズマ生成用の高周波電圧を各電極に印加する
電源手段等がそれぞれ、通常用いらる構成でもって設け
られていることはいうまでもない。
この発明は、上記実施例に限らない。例えば、上記支持
軸５の軸線が球面６ａの法線と一致していなくてもよい
のである。
軸５の軸線が球面６ａの法線と一致していなくてもよい
のである。
この発明のプラズマ処理装置では、プラズマ生成用の一
対の電極の間の間隔が平行度の調整とは独立に変えるこ
とができるため、電極極の間隔の調整が極めて容易であ
る。
対の電極の間の間隔が平行度の調整とは独立に変えるこ
とができるため、電極極の間隔の調整が極めて容易であ
る。
第１図は、この発明の実施例にかかるプラズマ処理装置
の構成をあられす概略断面図、第２図は、このプラズマ
処理装置の構成の詳細をあられす一部所面図、第３図は
、従来のプラズマ処理装置の構成をあられす概略断面図
である。 １・・・チャンバー ２・・・上電極（一方の電極）３
・・・下電極 ５・・・支持軸 ６・・・軸受は部材
６ａ・・・球面 ７・・・球面座（固定球面座）
１０・・・ベース部材 ｌｌ・・・パルスモータ
１２・・・ネジ棒 ２５・・・被処理体
の構成をあられす概略断面図、第２図は、このプラズマ
処理装置の構成の詳細をあられす一部所面図、第３図は
、従来のプラズマ処理装置の構成をあられす概略断面図
である。 １・・・チャンバー ２・・・上電極（一方の電極）３
・・・下電極 ５・・・支持軸 ６・・・軸受は部材
６ａ・・・球面 ７・・・球面座（固定球面座）
１０・・・ベース部材 ｌｌ・・・パルスモータ
１２・・・ネジ棒 ２５・・・被処理体
Claims (1)
- １ チャンバーと、このチャンバーに対し一定の姿勢を
取る固定球面座と、この固定球面座によりユニバーサル
な傾きを可能とするようにして支持された軸受け部材と
、この軸受け部材にスラスト軸受けされてその先端がチ
ャンバー外からチャンバー内に臨む支持軸と、この支持
軸の先端に取り付けられた一方の電極と、チャンバー内
において前記一方の電極に対面する他方の電極を備え、
両電極間に放電が行われるようになっているとともに、
前記一方の電極が前記支持軸を動かす駆動手段の働きで
前記他方の電極に対し離接可能となっているプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095721A JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2095721A JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292731A true JPH03292731A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2734734B2 JP2734734B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=14145342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2095721A Expired - Fee Related JP2734734B2 (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734734B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114271A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 |
| US20140158299A1 (en) * | 2011-07-29 | 2014-06-12 | Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd | Multi-Chamber Semiconductor Processing Device |
| US20200328065A1 (en) * | 2018-04-17 | 2020-10-15 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2095721A patent/JP2734734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114271A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Tokyo Electron Ltd | 可動ガス導入構造物及び基板処理装置 |
| US20140158299A1 (en) * | 2011-07-29 | 2014-06-12 | Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd | Multi-Chamber Semiconductor Processing Device |
| US9859134B2 (en) * | 2011-07-29 | 2018-01-02 | Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd | Multi-chamber semiconductor processing device |
| US20200328065A1 (en) * | 2018-04-17 | 2020-10-15 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US11915911B2 (en) * | 2018-04-17 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734734B2 (ja) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE47275E1 (en) | Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber | |
| JP2596422B2 (ja) | プラズマ・エッチング装置 | |
| JP2005150725A (ja) | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 | |
| US6080272A (en) | Method and apparatus for plasma etching a wafer | |
| JPH0617267A (ja) | プラズマ補助化学エッチングにおける可変空間周波数制御方法および装置 | |
| WO2018028558A1 (zh) | 一种低压扩散炉炉门密封装置 | |
| JPH03292731A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2005240121A (ja) | 真空蒸着用アライメント装置 | |
| JPH06181187A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0323631B2 (ja) | ||
| JPS6012734A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR102651307B1 (ko) | 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법 | |
| JP2687012B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP6750182B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS63266826A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2686996B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2590867Y2 (ja) | 半導体処理装置の電極支持構造 | |
| JPH05318350A (ja) | 真空用ロボットの昇降機構 | |
| JP3165948B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH02224231A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01220447A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPS61119684A (ja) | スパツタエツチング装置 | |
| JPS63153824A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH02294029A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR19980032872A (ko) | 큰 기판 상에서 박막 층을 에칭하기 위한 방법 및 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |