JPH03293736A - 異方性導電膜およびその製造方法 - Google Patents
異方性導電膜およびその製造方法Info
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- JPH03293736A JPH03293736A JP15613090A JP15613090A JPH03293736A JP H03293736 A JPH03293736 A JP H03293736A JP 15613090 A JP15613090 A JP 15613090A JP 15613090 A JP15613090 A JP 15613090A JP H03293736 A JPH03293736 A JP H03293736A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching; Mechanical auxiliary parts therefor
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- Die Bonding (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩの実装や回路基板間の接続に用いられ
る異方性導電膜およびその製造方法に関する。
る異方性導電膜およびその製造方法に関する。
従来の異方性導電膜において、例えば膜状の樹脂材料お
よび該樹脂材料中に分散された多数の導電粒子から構成
されるものがある。このような異方性導電膜によりＬＳ
Ｉを実装する場合、まず、膜状の樹脂材料に多数の導電
粒子を分散して構成される膜状部材を準備し、次いで、
該膜状部材を回路基板上に載置し、Ａｕバンプ付きのＬ
ＳＩチップを位置合わせして重ねる。次いで、ＬＳＩチ
ップを回路基板に加圧し、樹脂材料を加熱溶融させると
、Ａｕバンプと回路基板の電極間の導電粒子が両者に当
接して、両者が電気的に接続される。
よび該樹脂材料中に分散された多数の導電粒子から構成
されるものがある。このような異方性導電膜によりＬＳ
Ｉを実装する場合、まず、膜状の樹脂材料に多数の導電
粒子を分散して構成される膜状部材を準備し、次いで、
該膜状部材を回路基板上に載置し、Ａｕバンプ付きのＬ
ＳＩチップを位置合わせして重ねる。次いで、ＬＳＩチ
ップを回路基板に加圧し、樹脂材料を加熱溶融させると
、Ａｕバンプと回路基板の電極間の導電粒子が両者に当
接して、両者が電気的に接続される。
すなわち、ＬＳＩチップは上述の膜状部材からなる異方
性導電膜により実装される。このような従来の異方性導
電膜は、例えば特開昭６１−１８８８１８号公報に記載
されている。
性導電膜により実装される。このような従来の異方性導
電膜は、例えば特開昭６１−１８８８１８号公報に記載
されている。
また、膜状のセラミックスからなる絶縁部材および絶縁
部材内に６０μｍ程度の微細ピッチで膜厚方向に埋め込
まれたＡ／！等の導電部材から構成される異方性導電膜
が知られている。
部材内に６０μｍ程度の微細ピッチで膜厚方向に埋め込
まれたＡ／！等の導電部材から構成される異方性導電膜
が知られている。
しかしながら、前者のような従来の異方性導電膜にあっ
ては、上述のような理由により、接続不良が発生し易く
、微細ピッチの高密度接続に対応することができないと
いった問題点があり、また、温度や湿度の影響を受は易
く、接続の信頼性が低下するといった問題点があった。
ては、上述のような理由により、接続不良が発生し易く
、微細ピッチの高密度接続に対応することができないと
いった問題点があり、また、温度や湿度の影響を受は易
く、接続の信頼性が低下するといった問題点があった。
一方、後者のような従来の異方性導電膜にあっては、上
述のような理由により、取扱いの操作性が低下し、また
、接続不良が発生し易いといった問題点があった。
述のような理由により、取扱いの操作性が低下し、また
、接続不良が発生し易いといった問題点があった。
すなわち、前者の異方性導電膜にあっては、ＬＳＩチッ
プの電極が微細ピッチ、例えば１５０μｍピッチ以下に
なると、電極面積が小さくなり、ＬＳＩチップおよび回
路基板の電極間に存在する導電粒子の数が減少する。ま
た樹脂材料が加熱溶融されるとき、導電粒子が樹脂材料
の溶融に伴って移動する可能性がある。このため、電極
の端子数の増加に対応して、電極間に導電粒子が存在し
なくなる可能性が確率的に増大し、接続不良が発生し易
くなる。一方、導電粒子の粒径を小さ（して、導電粒子
の数を多くすれば、電極間の導電粒子の存在確率は増大
するが、隣接する電極同士がショートする可能性が確率
的に増大して、接続不良が発生し易くなる。また、隣接
する電極同士を絶縁する樹脂材料は、高温や高湿度の環
境下で流動したり、変形したりするので、接続の信頼性
が低下する。
プの電極が微細ピッチ、例えば１５０μｍピッチ以下に
なると、電極面積が小さくなり、ＬＳＩチップおよび回
路基板の電極間に存在する導電粒子の数が減少する。ま
た樹脂材料が加熱溶融されるとき、導電粒子が樹脂材料
の溶融に伴って移動する可能性がある。このため、電極
の端子数の増加に対応して、電極間に導電粒子が存在し
なくなる可能性が確率的に増大し、接続不良が発生し易
くなる。一方、導電粒子の粒径を小さ（して、導電粒子
の数を多くすれば、電極間の導電粒子の存在確率は増大
するが、隣接する電極同士がショートする可能性が確率
的に増大して、接続不良が発生し易くなる。また、隣接
する電極同士を絶縁する樹脂材料は、高温や高湿度の環
境下で流動したり、変形したりするので、接続の信頼性
が低下する。
一方、後者の異方性導電膜にあっては、微細ピ、７チ接
続には対応可能であるが、絶縁部材がセラミックスから
なるため、振動や外力により割れたり、欠けたりし易（
、またロール状にして保管したり、運搬したりすること
ができないので、取扱いの操作性が低下する。また、異
方性導電膜に熱応力が生した場合、該熱応力により絶縁
部材が割れて接続不良が発生し易い。
続には対応可能であるが、絶縁部材がセラミックスから
なるため、振動や外力により割れたり、欠けたりし易（
、またロール状にして保管したり、運搬したりすること
ができないので、取扱いの操作性が低下する。また、異
方性導電膜に熱応力が生した場合、該熱応力により絶縁
部材が割れて接続不良が発生し易い。
〔発明の目的］
そこで本発明は、接続不良を防止するとともに取扱いの
操作性の向上を図りながら、微細ピッチの高密度接続に
対応可能な異方性導電膜およびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
操作性の向上を図りながら、微細ピッチの高密度接続に
対応可能な異方性導電膜およびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
請求項１に記載された発明による異方性導電膜は、上記
目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する絶
縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロッ
クを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と
、！！ｍブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備えたことを特徴と
するものである。
目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する絶
縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロッ
クを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と
、！！ｍブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出
する突出部を有する導電部材と、を備えたことを特徴と
するものである。
請求項２に記載された発明による異方性導電膜の製造方
法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程と
、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を
複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブロックを
互いに結合した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両面
の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出さ
せる工程と、を含むことを特徴とするものである。
法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程と
、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を
複数のブロックに分割して、樹脂材料によりブロックを
互いに結合した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両面
の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出さ
せる工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項３に記載された発明による異方性導電膜は、上記
目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する絶
縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロッ
クを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と
、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出す
る突出部を有する導電部材と、を備え、前記絶縁ブロッ
クが所定方向に並ぶように配設されたことを特徴とする
ものである。
目的を達成するため、厚さ方向に貫通した孔を有する絶
縁材料からなる複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロッ
クを互いに結合する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と
、絶縁ブロックの孔内に設けられ、絶縁部材から突出す
る突出部を有する導電部材と、を備え、前記絶縁ブロッ
クが所定方向に並ぶように配設されたことを特徴とする
ものである。
請求項４に記載された発明による異方性導電膜の製造方
法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程と
、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を
所定方向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料に
よりブロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程と
、絶縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の
両面から突出させる工程と、を含むことを特徴とするも
のである。
法は、上記目的を達成するため、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程と、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込む工程と
、陽極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を
所定方向に並ぶ複数のブロックに分割して、樹脂材料に
よりブロックを互いに結合した絶縁膜を形成する工程と
、絶縁膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の
両面から突出させる工程と、を含むことを特徴とするも
のである。
以下、請求項１〜４に記載の発明を実施例に基づいて具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１〜１３図は請求項１に記載された発明に係る異方性
導電膜の一実施例を示す図である。
導電膜の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。
第１．２図において、１は異方性導電膜であり、異方性
導電膜１は絶縁部材２および導電部材３を備えている。
導電膜１は絶縁部材２および導電部材３を備えている。
絶縁部材２は絶縁ブロック４および樹脂部材５からなり
、絶縁ブロック４は絶縁材料、例えばＡ４２．０３から
なり、厚膜部４ａおよび厚膜部４ａを囲む薄膜部４ｂか
ら構成され、厚さ方向に貫通した複数の孔６を有する。
、絶縁ブロック４は絶縁材料、例えばＡ４２．０３から
なり、厚膜部４ａおよび厚膜部４ａを囲む薄膜部４ｂか
ら構成され、厚さ方向に貫通した複数の孔６を有する。
またこれらの絶縁ブロック４は例えば第２図に示すよう
に四方に拡がるように配設されており、樹脂部材５はこ
れらの絶縁ブロック４を互いに結合している。導電部材
３は絶縁ブロック４の厚膜部４ａの孔６内に設けられて
おり、絶縁部材２から突出する突出部３ａを有している
。
に四方に拡がるように配設されており、樹脂部材５はこ
れらの絶縁ブロック４を互いに結合している。導電部材
３は絶縁ブロック４の厚膜部４ａの孔６内に設けられて
おり、絶縁部材２から突出する突出部３ａを有している
。
一方、異方性導電膜１を例えばＬＳＩの実装に用いる場
合、絶縁ブロー２り４の厚膜部４ａの大きさはＬＳＩの
電極パッドの大きさより小さい。例えば、ＬＳＩの電極
パッドの縦横寸法が１００μｍであるとき、厚膜部４ａ
の縦横寸法を２０μｍにして、薄膜部４ｂの幅寸法を１
０μｍにすればよい。
合、絶縁ブロー２り４の厚膜部４ａの大きさはＬＳＩの
電極パッドの大きさより小さい。例えば、ＬＳＩの電極
パッドの縦横寸法が１００μｍであるとき、厚膜部４ａ
の縦横寸法を２０μｍにして、薄膜部４ｂの幅寸法を１
０μｍにすればよい。
このとき、ＬＳＩの電極パッドが９個の厚膜部４ａによ
り接続されることになる。
り接続されることになる。
次に、異方性導電膜１の製造方法を説明することにより
、請求項２に記載された発明に係る異方性導電膜の製造
方法の一例を説明する。
、請求項２に記載された発明に係る異方性導電膜の製造
方法の一例を説明する。
まず、Ａｌ基板１３の表層を、０〜２０°Ｃの５〜２０
％硫酸溶液中で５〜６０分、陽極酸化する。ただし、温
度変動幅を±２℃、電流密度を０．６〜３Ａ／ｄｍ２と
する。この陽極酸化により、第４図に示すようなＡ１１
ｇｎ５からなる表層部１１およびＡｌからなる本体部１
２を形成する。表層部１１はいわゆる陽極酸化膜であり
、第４図に示すような複数の微小な孔１１ａを有してい
る。表層部１１の厚さは１〜１００／／ｍ１孔１１ａの
孔径は１０〜３０ ｎ ｍ 、孔ピッチは３０〜１１０
０ｎである。すなわち本工程が、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程である。
％硫酸溶液中で５〜６０分、陽極酸化する。ただし、温
度変動幅を±２℃、電流密度を０．６〜３Ａ／ｄｍ２と
する。この陽極酸化により、第４図に示すようなＡ１１
ｇｎ５からなる表層部１１およびＡｌからなる本体部１
２を形成する。表層部１１はいわゆる陽極酸化膜であり
、第４図に示すような複数の微小な孔１１ａを有してい
る。表層部１１の厚さは１〜１００／／ｍ１孔１１ａの
孔径は１０〜３０ ｎ ｍ 、孔ピッチは３０〜１１０
０ｎである。すなわち本工程が、導電基板を陽極酸化し
て、厚さ方向に延在した孔を有する陽極酸化膜を形成す
る工程である。
次いで、第５図に示すように、表層部１１の孔１１ａ内
に例えば電解析出によりＡｕ材材種４形成する。
に例えば電解析出によりＡｕ材材種４形成する。
すなわち本工程が、陽極酸化膜の孔に導電材料を埋め込
む工程である。
む工程である。
次いで、第６図に示すように、表層部１１から本体部１
２を除去し、表層部１１の両面の表層を除去して、第７
図に示すような膜部材１５を形成する。次いで、膜部材
１５の一方の面あるいは両方の面をレーザ照射して除去
し、例えば第９．１０．１１図に示すような厚膜部１６
ａおよび薄膜部１６ｂからなる凹凸膜部材１６を形成す
る。このとき、第１２図に示すように、薄膜部１６ｂの
孔内のＡｕ材材種４端部も除去されて、Ａｕ材材種４長
さは薄膜部１６ｂの厚さと一致する。次いで、第１３図
に示すように、凹凸膜部材１６の全面にスプレー塗布法
またはデイ、７プ塗重性により樹脂材料１７を塗布する
０次いで、凹凸膜部材１６を樹脂材料１７の上から半球
面状の加工面１８ａ、１９ａを有する上型１８、下型１
９により加圧して、厚膜部１６ａより低強度の薄膜部１
６ｂを割り、凹凸膜部材１６を複数のブロックに分割し
て、該ブロックおよび樹脂材料１７により構成される絶
縁膜２０を形成する。なお、加圧ローラで凹凸膜部材１
６を分割するようにしてもよい。すなわち本工程が、陽
極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を複数
のブロックに分割して、樹脂材料によりブロックを互い
に結合した絶縁膜を形成する工程である。
２を除去し、表層部１１の両面の表層を除去して、第７
図に示すような膜部材１５を形成する。次いで、膜部材
１５の一方の面あるいは両方の面をレーザ照射して除去
し、例えば第９．１０．１１図に示すような厚膜部１６
ａおよび薄膜部１６ｂからなる凹凸膜部材１６を形成す
る。このとき、第１２図に示すように、薄膜部１６ｂの
孔内のＡｕ材材種４端部も除去されて、Ａｕ材材種４長
さは薄膜部１６ｂの厚さと一致する。次いで、第１３図
に示すように、凹凸膜部材１６の全面にスプレー塗布法
またはデイ、７プ塗重性により樹脂材料１７を塗布する
０次いで、凹凸膜部材１６を樹脂材料１７の上から半球
面状の加工面１８ａ、１９ａを有する上型１８、下型１
９により加圧して、厚膜部１６ａより低強度の薄膜部１
６ｂを割り、凹凸膜部材１６を複数のブロックに分割し
て、該ブロックおよび樹脂材料１７により構成される絶
縁膜２０を形成する。なお、加圧ローラで凹凸膜部材１
６を分割するようにしてもよい。すなわち本工程が、陽
極酸化膜に樹脂材料を付着させた後、陽極酸化膜を複数
のブロックに分割して、樹脂材料によりブロックを互い
に結合した絶縁膜を形成する工程である。
次いで、絶縁膜２０の両面の表層を除去して、厚膜部１
６ａの孔内のＡｕ材１４を絶縁膜２０から突出させると
、第１図の異方性導電膜１が成形される。
６ａの孔内のＡｕ材１４を絶縁膜２０から突出させると
、第１図の異方性導電膜１が成形される。
すなわち本工程が、絶縁膜の両面の表層を除去して、導
電材料を絶縁膜の両面から突出させる工程である。
電材料を絶縁膜の両面から突出させる工程である。
上述のように本実施例では、Ａ２基板１３の表層を陽極
酸化することにより形成される孔１１ａ内にＡｕ材１４
を形成して、異方性導電膜１を成形しでいるので、導電
部材３の直径を１０〜３０ｎｍ、ピンチを３０〜１１０
０ｎにすることができ、微細ピッチの高密度接続に対応
することができる。
酸化することにより形成される孔１１ａ内にＡｕ材１４
を形成して、異方性導電膜１を成形しでいるので、導電
部材３の直径を１０〜３０ｎｍ、ピンチを３０〜１１０
０ｎにすることができ、微細ピッチの高密度接続に対応
することができる。
また、導電部材３が樹脂等より強固な１ｔＯ。
からなる絶縁ブロック４により確実に支持されているの
で、例えば高密度接続でＬＳＩを実装する場合でも、Ｌ
ＳＩチップおよび回路基板の電極間に導電部材３を確実
に配置することができ、電極間の接続や隣接電極間のシ
ョートの可能性が導電粒子の存在確率により支配されて
いた従来のものに比較すると、接続不良を確実に防止す
ることができる。
で、例えば高密度接続でＬＳＩを実装する場合でも、Ｌ
ＳＩチップおよび回路基板の電極間に導電部材３を確実
に配置することができ、電極間の接続や隣接電極間のシ
ョートの可能性が導電粒子の存在確率により支配されて
いた従来のものに比較すると、接続不良を確実に防止す
ることができる。
さらに、絶縁ブロック４がＡｆ、０３からなるので、絶
縁ブロック４が環境温度や湿度に影響されるのを防止す
ることができ、これらの影響を受は易い樹脂からなる従
来のものに比較すると、接続の信転性を向上することが
できる。
縁ブロック４が環境温度や湿度に影響されるのを防止す
ることができ、これらの影響を受は易い樹脂からなる従
来のものに比較すると、接続の信転性を向上することが
できる。
またさらに、四方に広がる絶縁ブロック４が樹脂部材５
により互いに結合されているので、５％方性導電膜１に
柔軟性をもたすことができ、異方性導電膜ｌを例えばロ
ール状に巻いて保管したり、運搬したりすることができ
、異方性導電膜１の取扱いの操作性を向上することがで
きる。
により互いに結合されているので、５％方性導電膜１に
柔軟性をもたすことができ、異方性導電膜ｌを例えばロ
ール状に巻いて保管したり、運搬したりすることができ
、異方性導電膜１の取扱いの操作性を向上することがで
きる。
さらにまた、絶縁ブロック４が樹脂部材５により互いに
結合されているので、異方性導電膜１に熱応力が生じた
場合でも、該熱応力を絶縁ブロック４の集合構造により
吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れによ
って生じる接続不良を防止することができる。
結合されているので、異方性導電膜１に熱応力が生じた
場合でも、該熱応力を絶縁ブロック４の集合構造により
吸収することができ、熱応力による絶縁部材の割れによ
って生じる接続不良を防止することができる。
第１４〜１７図は請求項３に記載された発明に係る異方
性導電膜の一実施例を示す図である。
性導電膜の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。
第１４．１５図において、３１は異方性導電膜であり、
異方性導電膜３１は絶縁部材３２および導電部材３３を
備えている。絶縁部材３２は絶縁ブロック３４および樹
脂部材３５からなり、絶縁ブロック３４は絶縁材料、例
えばＡｆｆｉ、 Ｏ，からなり、厚さ方向に貫通した複
数の孔３６を有する。またこれらの絶縁ブロック３４は
所定方向に一列に並ぶように配設され、樹脂部材３５は
これらの絶縁ブロック３４を互いに結合している。した
がって、異方性導電膜３１はテープ状に構成されている
。導電部材３３は絶縁ブロック３４の孔３６内に設けら
れており、絶縁部材３２がら突出する突出部３３ａを有
している。
異方性導電膜３１は絶縁部材３２および導電部材３３を
備えている。絶縁部材３２は絶縁ブロック３４および樹
脂部材３５からなり、絶縁ブロック３４は絶縁材料、例
えばＡｆｆｉ、 Ｏ，からなり、厚さ方向に貫通した複
数の孔３６を有する。またこれらの絶縁ブロック３４は
所定方向に一列に並ぶように配設され、樹脂部材３５は
これらの絶縁ブロック３４を互いに結合している。した
がって、異方性導電膜３１はテープ状に構成されている
。導電部材３３は絶縁ブロック３４の孔３６内に設けら
れており、絶縁部材３２がら突出する突出部３３ａを有
している。
次に、異方性導電膜３１の製造方法を第３〜７図および
第１６．１７図に従って説明することにより、請求項４
ムこ記載された発明に係る異方性導電膜の製造方法の一
例を説明する。
第１６．１７図に従って説明することにより、請求項４
ムこ記載された発明に係る異方性導電膜の製造方法の一
例を説明する。
まず、前述した第３〜７図に示す工程と同し工程により
、膜部材１５を得る。したがって、これらの工程に、導
電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔を有する
陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材
料を埋め込む工程とが含まれている。
、膜部材１５を得る。したがって、これらの工程に、導
電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔を有する
陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔に導電材
料を埋め込む工程とが含まれている。
次いで、第１６図に示すように、膜部材１５の一方の面
にスプレー塗布法またはローラ塗布法により樹脂材料４
６を塗布する。次いで、第１７図に示すように、外周に
突起を有する分割ローラ４７により膜部材１５の他方の
面を押圧して、膜部材１５を細かく分割する。ただし、
規則正しく膜部材１５をり割する必要はない０次いで、
第１７図に示すように、分割された膜部材１５の他方の
面に樹脂塗布ローラ４８により樹脂材料４６を塗布して
、分割された膜部材１５お−よびこれらの膜部材１５を
結合する樹脂材料４６からなるテープ状の絶縁膜４９を
成形する。すなわち本工程が、陽極酸化膜に樹脂材料を
付着させた後、陽極酸化膜を所定方向に並ぶ複数のブロ
ックに分割して、樹脂材料によりブロックを互いに結合
した絶縁膜を形成する工程である。
にスプレー塗布法またはローラ塗布法により樹脂材料４
６を塗布する。次いで、第１７図に示すように、外周に
突起を有する分割ローラ４７により膜部材１５の他方の
面を押圧して、膜部材１５を細かく分割する。ただし、
規則正しく膜部材１５をり割する必要はない０次いで、
第１７図に示すように、分割された膜部材１５の他方の
面に樹脂塗布ローラ４８により樹脂材料４６を塗布して
、分割された膜部材１５お−よびこれらの膜部材１５を
結合する樹脂材料４６からなるテープ状の絶縁膜４９を
成形する。すなわち本工程が、陽極酸化膜に樹脂材料を
付着させた後、陽極酸化膜を所定方向に並ぶ複数のブロ
ックに分割して、樹脂材料によりブロックを互いに結合
した絶縁膜を形成する工程である。
次いで、絶縁膜４９の両面の表層を除去して、Ａｕ材１
４を絶縁膜４９から突出させると、第１４．１５図の異
方性導電膜３１が成形される。すなわち本工程が、絶縁
膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面か
ら突出させる工程である。
４を絶縁膜４９から突出させると、第１４．１５図の異
方性導電膜３１が成形される。すなわち本工程が、絶縁
膜の両面の表層を除去して、導電材料を絶縁膜の両面か
ら突出させる工程である。
上述のように本実施例では、１基板１３の表層を陽極酸
化することにより形成される孔１１ａ内にＡｕ材１４を
形成して、異方性導電膜３１を成形しているので、導電
部材３３の直径を１０〜３０ｎｍ、ピッチを３０〜１１
００ｎにすることができ、微細ピッチの高密度接続に対
応することができる。
化することにより形成される孔１１ａ内にＡｕ材１４を
形成して、異方性導電膜３１を成形しているので、導電
部材３３の直径を１０〜３０ｎｍ、ピッチを３０〜１１
００ｎにすることができ、微細ピッチの高密度接続に対
応することができる。
また、導電部材３３が樹脂等より強固なＡｎ！０３から
なる絶縁ブロック３４により確実に支持されているので
、例えば１５０ａｍピッチ以下の高密度接続でＬＳＩを
実装する場合でも、ＬＳＩチップおよび回路基板の電極
間に導電部材３３を確実に配置することができ、電極間
の接続や隣接電極間のショートの可能性が導電粒子の存
在確率により支配されていた従来のものに比較すると、
接続不良を確実に防止することができる。
なる絶縁ブロック３４により確実に支持されているので
、例えば１５０ａｍピッチ以下の高密度接続でＬＳＩを
実装する場合でも、ＬＳＩチップおよび回路基板の電極
間に導電部材３３を確実に配置することができ、電極間
の接続や隣接電極間のショートの可能性が導電粒子の存
在確率により支配されていた従来のものに比較すると、
接続不良を確実に防止することができる。
さらに、絶縁ブロック３４がＡｆ、Ｏ，からなるので、
絶縁ブロック３４が環境温度や湿度に影響されるのを防
止することができ、これらの影響を受は易い樹脂からな
る従来のものに比較すると、接続の信転性を向上するこ
とができる。
絶縁ブロック３４が環境温度や湿度に影響されるのを防
止することができ、これらの影響を受は易い樹脂からな
る従来のものに比較すると、接続の信転性を向上するこ
とができる。
またさらに、所定方向に一列に並ぶ絶縁ブロック３４が
樹脂部材３５により互いに結合されて、異方性導電膜３
１がテープ状に構成されているので、異方性導電膜３１
をロール状に巻いて保管したり、運搬したりすることが
でき、異方性導電膜３１の取扱いの操作性を向上するこ
とができる。
樹脂部材３５により互いに結合されて、異方性導電膜３
１がテープ状に構成されているので、異方性導電膜３１
をロール状に巻いて保管したり、運搬したりすることが
でき、異方性導電膜３１の取扱いの操作性を向上するこ
とができる。
さらにまた、絶縁ブロック３４が樹脂部材３５により互
いに結合されているので、異方性導電膜３１に熱応力が
生じた場合でも、該熱応力を絶縁ブロック３４の集合構
造により吸収することかでき、熱応力による絶縁部材の
割れによって生しる接続不良を防止することができる。
いに結合されているので、異方性導電膜３１に熱応力が
生じた場合でも、該熱応力を絶縁ブロック３４の集合構
造により吸収することかでき、熱応力による絶縁部材の
割れによって生しる接続不良を防止することができる。
［効果］
本発明によれば、陽極酸化膜を分割して形成される絶縁
ブロックを樹脂部材により結合しているので、異方性導
電膜をロール状に巻くことができ、取扱いの操作性を向
上することができる。
ブロックを樹脂部材により結合しているので、異方性導
電膜をロール状に巻くことができ、取扱いの操作性を向
上することができる。
また、絶縁ブロックが樹脂部材により互いに結合されて
いるので、異方性導電膜に熱応力が生じた場合でも、該
熱応力を容易に吸収することができ、接続不良を防止す
ることができる。
いるので、異方性導電膜に熱応力が生じた場合でも、該
熱応力を容易に吸収することができ、接続不良を防止す
ることができる。
さらに、絶縁ブロックが導電基板を陽極酸化して形成さ
れる陽極酸化膜により構成されるので、導電部材を微細
ピッチで絶縁ブロックの孔内に配設することができ、接
続不良を防止するとともに、接続の信転性を向上しなが
ら、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
れる陽極酸化膜により構成されるので、導電部材を微細
ピッチで絶縁ブロックの孔内に配設することができ、接
続不良を防止するとともに、接続の信転性を向上しなが
ら、微細ピッチの高密度接続に対応することができる。
第１〜１３図は請求項１記載の発明に係る異方性導電膜
の一実施例を示す図であり、第１図はその正面図、第２
図はその斜視図、第３〜１３図はその製造方法を説明す
るための図、第１４〜１７図は請求項３記載の発明に係
る異方性導電膜の一実施例を示す図であり、第１４図は
その正面図、第１５図はその斜視図、第１６．１７図は
その製造方法を説明するための図である。 １．３１・・・・・・異方性導電膜、 ２．３２・・・・・・絶縁部材、 ３．３３・・・・・・導電部材、 ３ａ、３３ａ・・・・・・突出部、 ４．３４・・・・・・絶縁ブロック、 ５．３５・・・・・・樹脂部材、 ６．３６・・・・・・絶縁ブロックの孔、１１ａ・・・
・・・表層部（陽極酸化膜）、１３・・・・・・Ａ！基
板（導電基板）、１４・・・・・・導電材料、 １７．４６・・・・・・樹脂材料、 ２０．４９・・・・・・絶縁膜。 代 理 人
の一実施例を示す図であり、第１図はその正面図、第２
図はその斜視図、第３〜１３図はその製造方法を説明す
るための図、第１４〜１７図は請求項３記載の発明に係
る異方性導電膜の一実施例を示す図であり、第１４図は
その正面図、第１５図はその斜視図、第１６．１７図は
その製造方法を説明するための図である。 １．３１・・・・・・異方性導電膜、 ２．３２・・・・・・絶縁部材、 ３．３３・・・・・・導電部材、 ３ａ、３３ａ・・・・・・突出部、 ４．３４・・・・・・絶縁ブロック、 ５．３５・・・・・・樹脂部材、 ６．３６・・・・・・絶縁ブロックの孔、１１ａ・・・
・・・表層部（陽極酸化膜）、１３・・・・・・Ａ！基
板（導電基板）、１４・・・・・・導電材料、 １７．４６・・・・・・樹脂材料、 ２０．４９・・・・・・絶縁膜。 代 理 人
Claims (4)
- （１）厚さ方向に貫通した孔を有する絶縁材料からなる
複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロックを互いに結合
する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と、絶縁ブロック
の孔内に設けられ、絶縁部材から突出する突出部を有す
る導電部材と、を備えたことを特徴とする異方性導電膜
。 - （２）導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔
を有する陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔
に導電材料を埋め込む工程と、陽極酸化膜に樹脂材料を
付着させた後、陽極酸化膜を複数のブロックに分割して
、樹脂材料によりブロックを互いに結合した絶縁膜を形
成する工程と、絶縁膜の両面の表層を除去して、導電材
料を絶縁膜の両面から突出させる工程と、を含むことを
特徴とする異方性導電膜の製造方法。 - （３）厚さ方向に貫通した孔を有する絶縁材料からなる
複数の絶縁ブロックおよび該絶縁ブロックを互いに結合
する樹脂部材からなる膜状の絶縁部材と、絶縁ブロック
の孔内に設けられ、絶縁部材から突出する突出部を有す
る導電部材と、を備え、前記絶縁ブロックが所定方向に
並ぶように配設されたことを特徴とする異方性導電膜。 - （４）導電基板を陽極酸化して、厚さ方向に延在した孔
を有する陽極酸化膜を形成する工程と、陽極酸化膜の孔
に導電材料を埋め込む工程と、陽極酸化膜に樹脂材料を
付着させた後、陽極酸化膜を所定方向に並ぶ複数のブロ
ックに分割して、樹脂材料によりブロックを互いに結合
した絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の両面の表層を除
去して、導電材料を絶縁膜の両面から突出させる工程と
、を含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156130A JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-78523 | 1990-03-27 | ||
| JP7852490 | 1990-03-27 | ||
| JP2-78524 | 1990-03-27 | ||
| JP7852390 | 1990-03-27 | ||
| JP2156130A JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293736A true JPH03293736A (ja) | 1991-12-25 |
| JP2786316B2 JP2786316B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=27302740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156130A Expired - Fee Related JP2786316B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-06-14 | 異方性導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786316B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050145A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 異方性導電膜及びその製造方法 |
| JP2009170153A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Fujifilm Corp | 金属充填微細構造体の製造方法ならびに金属充填微細構造体および異方導電性部材 |
| US20210104854A1 (en) * | 2017-05-18 | 2021-04-08 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108538792A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 导电物质分布状态可控的异方性导电胶及其制备方法 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156130A patent/JP2786316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1050145A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 異方性導電膜及びその製造方法 |
| JP2009170153A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Fujifilm Corp | 金属充填微細構造体の製造方法ならびに金属充填微細構造体および異方導電性部材 |
| US20210104854A1 (en) * | 2017-05-18 | 2021-04-08 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
| US11637406B2 (en) * | 2017-05-18 | 2023-04-25 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electrical connector and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2786316B2 (ja) | 1998-08-13 |
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