JPH03295427A - 温度センサー - Google Patents
温度センサーInfo
- Publication number
- JPH03295427A JPH03295427A JP9879890A JP9879890A JPH03295427A JP H03295427 A JPH03295427 A JP H03295427A JP 9879890 A JP9879890 A JP 9879890A JP 9879890 A JP9879890 A JP 9879890A JP H03295427 A JPH03295427 A JP H03295427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- temp
- temperature
- sample
- temperature sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は真空装置内において温度を測定する温度セン
サーに関するものである。
サーに関するものである。
［従来の技術］
第３図は例えば刊行物（理化学辞典岩波書店刊Ｐ、１０
０１）に示されている、従来から温度を測定するために
用いられてきた熱電対により、真空装置内で所定の試料
の温度を測定する状態を示す構成図である０図において
（１）は真空装置、（２）は真空ポンプ、（４）はハー
メチックシール、（６）は被温度測定用試料、（７）は
ヒーター、（８）は試料台、（９）はヒーター電源、（
１０）は熱電対、（１１）は電圧計である。
０１）に示されている、従来から温度を測定するために
用いられてきた熱電対により、真空装置内で所定の試料
の温度を測定する状態を示す構成図である０図において
（１）は真空装置、（２）は真空ポンプ、（４）はハー
メチックシール、（６）は被温度測定用試料、（７）は
ヒーター、（８）は試料台、（９）はヒーター電源、（
１０）は熱電対、（１１）は電圧計である。
次に動作について説明する。ヒーター（７）により加熱
された被温度測定用試料（６）の温度は、熱電対（３）
によって測定され電圧計（５）にその起電力が表示され
る。この起電力の値から被温度測定用試料（６）の温度
を知ることができる。
された被温度測定用試料（６）の温度は、熱電対（３）
によって測定され電圧計（５）にその起電力が表示され
る。この起電力の値から被温度測定用試料（６）の温度
を知ることができる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の、一種の温度センサーである熱電対による温度測
定は上記のようにしておこなわれるので、真空装置内に
熱電対用の配線を施す必要があり、温度を測定する位置
と数が制限されるという課題があった。
定は上記のようにしておこなわれるので、真空装置内に
熱電対用の配線を施す必要があり、温度を測定する位置
と数が制限されるという課題があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、真空装置内の温度センサー用の配線を無くシ、真空
装置内の配線の困難な場所でも温度が測定でき、−度に
何か所でも温度を測定できる温度センサーを得ることを
目的とする。
で、真空装置内の温度センサー用の配線を無くシ、真空
装置内の配線の困難な場所でも温度が測定でき、−度に
何か所でも温度を測定できる温度センサーを得ることを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明の温度センサーは加熱により水素ガスを放出す
る水素化アモルファスシリコンで構成される水素放出素
子、および１−記放出した水素ガスを検出する水素ガス
検出器を備えたものである。
る水素化アモルファスシリコンで構成される水素放出素
子、および１−記放出した水素ガスを検出する水素ガス
検出器を備えたものである。
［作用コ
この発明の温度センサーは真空装置内での配線が無いこ
とにより、装置内の任意の場所の温度を図ることができ
る。また水素放出後は膜面に形状変化がみられることか
ら、同時に何箇所もの温度を測定でき、どの場所で温度
」−屏があったかも知ることができる。
とにより、装置内の任意の場所の温度を図ることができ
る。また水素放出後は膜面に形状変化がみられることか
ら、同時に何箇所もの温度を測定でき、どの場所で温度
」−屏があったかも知ることができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例の温度センサーを用いて、
真空装置内で被温度測定用試料を測定する状態を示す構
成図である０図において（３）は水素放出素子、（５）
は水素検出器である。
真空装置内で被温度測定用試料を測定する状態を示す構
成図である０図において（３）は水素放出素子、（５）
は水素検出器である。
即ち、ヒーター（７）により被温度測定用試料（６）が
加熱され、ある一定温度以上になると被温度測定用試料
（６）の脇に置かれたこの発明の一実施例の温度センサ
ーに係わる水素放出素子から水素が放出され、これを水
素検出器が感知することにより被温度測定用試料（６）
の温度を知ることができる。
加熱され、ある一定温度以上になると被温度測定用試料
（６）の脇に置かれたこの発明の一実施例の温度センサ
ーに係わる水素放出素子から水素が放出され、これを水
素検出器が感知することにより被温度測定用試料（６）
の温度を知ることができる。
この発明の一実施例の温度センサーに係わる水素放出素
子は、加熱により水素を放出する水素化アモルファスシ
リコンで構成されるが、どのような状態で構成されるか
によって水素放出開始温度が異なる。即ち、水素放出素
子と１７で例えば膜厚が１μｍ程度の膜状の水素化アモ
ルファスシリコンのもので、水素放出開始温度は３００
℃付近であり、膜厚が薄くなると水素放出開始温度が低
くなり、膜厚が厚くなると水素放出開始温度が高くなり
、一般的に２００〜４５０℃の水素放出開始温度を示す
ものが用いられる。第２図はこの発明の一実施例の温度
センサーに係わる水素放出素子を構成する水素化アモル
ファスシリコンの加熱による水素放出量変化を示す特性
図であり、横軸は温度（’Ｃ）縦軸は水素放出量であり
、この場合は水素放出開始温度が２００℃の場合である
。即ち、この発明の温度センサーは使用前に水素放出開
始温度を予め測定しておくことにより、水素を検出した
時の温度を知ることができる。
子は、加熱により水素を放出する水素化アモルファスシ
リコンで構成されるが、どのような状態で構成されるか
によって水素放出開始温度が異なる。即ち、水素放出素
子と１７で例えば膜厚が１μｍ程度の膜状の水素化アモ
ルファスシリコンのもので、水素放出開始温度は３００
℃付近であり、膜厚が薄くなると水素放出開始温度が低
くなり、膜厚が厚くなると水素放出開始温度が高くなり
、一般的に２００〜４５０℃の水素放出開始温度を示す
ものが用いられる。第２図はこの発明の一実施例の温度
センサーに係わる水素放出素子を構成する水素化アモル
ファスシリコンの加熱による水素放出量変化を示す特性
図であり、横軸は温度（’Ｃ）縦軸は水素放出量であり
、この場合は水素放出開始温度が２００℃の場合である
。即ち、この発明の温度センサーは使用前に水素放出開
始温度を予め測定しておくことにより、水素を検出した
時の温度を知ることができる。
また、上記実施例では被温度測定用試料の脇にこの発明
の一実施例の温度センサーを置いて−１−記被温度測定
用試料の温度を測定したが、水素化アモルファスシリコ
ンは水素放出後は膜面に形状変化がみられることから、
上記のように例えば各種膜厚の水素化アモルファスシリ
コン膜で構成された。即ち各種水素放出開始温度を有す
る水素放出素子を作製し、それらを真空装置内に同時に
設置することにより、この発明の実施例の温度センサー
の設置された場所の上昇温度領域を知ることができる。
の一実施例の温度センサーを置いて−１−記被温度測定
用試料の温度を測定したが、水素化アモルファスシリコ
ンは水素放出後は膜面に形状変化がみられることから、
上記のように例えば各種膜厚の水素化アモルファスシリ
コン膜で構成された。即ち各種水素放出開始温度を有す
る水素放出素子を作製し、それらを真空装置内に同時に
設置することにより、この発明の実施例の温度センサー
の設置された場所の上昇温度領域を知ることができる。
さらに、上記実施例では温度センサーにより温度を測定
するだけであったが、温度コントローラーを設けて測定
した温度により測定点の温度が一定の温度域」二に上が
らなくなる機能を付けてもよい。
するだけであったが、温度コントローラーを設けて測定
した温度により測定点の温度が一定の温度域」二に上が
らなくなる機能を付けてもよい。
［発明の効果］
以上説明した通り、この発明は加熱により水素ガスを放
出する水素化アモルファスシリコンで構成される水素放
出素子、および上記放出した水素ガスを検出する水素ガ
ス検出器を備えたものを用いることにより、真空装置内
の温度センサー用の配線を無くシ、真空装置内のどの様
な場所でも温度が測定でき、−度に何か所でも温度を測
定できる温度センサーを得ることができる。
出する水素化アモルファスシリコンで構成される水素放
出素子、および上記放出した水素ガスを検出する水素ガ
ス検出器を備えたものを用いることにより、真空装置内
の温度センサー用の配線を無くシ、真空装置内のどの様
な場所でも温度が測定でき、−度に何か所でも温度を測
定できる温度センサーを得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の温度センサーを用いて、
真空装置内で被温度測定体を測定する状態を示す構成図
、第２図はこの発明の一実施例の温度センサーに係わる
水素放出素子を構成する水素化アモルファスシリコンの
加熱による水素放出量変化を示す特性図、第３図は、従
来の熱電対により、真空装置内で所定の試料の温度を測
定する状態を示す構成図である。 図において（３）は水素放出素子、（５）は水素検出器
、（６）は被温度測定用試料である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
真空装置内で被温度測定体を測定する状態を示す構成図
、第２図はこの発明の一実施例の温度センサーに係わる
水素放出素子を構成する水素化アモルファスシリコンの
加熱による水素放出量変化を示す特性図、第３図は、従
来の熱電対により、真空装置内で所定の試料の温度を測
定する状態を示す構成図である。 図において（３）は水素放出素子、（５）は水素検出器
、（６）は被温度測定用試料である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 加熱により水素ガスを放出する水素化アモルファスシリ
コンで構成される水素放出素子、および上記放出した水
素ガスを検出する水素ガス検出器を備えた温度センサー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9879890A JPH03295427A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 温度センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9879890A JPH03295427A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 温度センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03295427A true JPH03295427A (ja) | 1991-12-26 |
Family
ID=14229376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9879890A Pending JPH03295427A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 温度センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03295427A (ja) |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9879890A patent/JPH03295427A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5303167A (en) | Absolute pressure sensor and method | |
| US7234860B2 (en) | Dynamic dew point analysis method and a device for determining the dew point temperature and relative humidity | |
| US3266307A (en) | Adiabatic calorimeter | |
| JP3310430B2 (ja) | 計測装置および計測方法 | |
| US3857284A (en) | Device and method for measuring the water-vapor content of a liquid or gaseous medium | |
| Parsons Jr et al. | Transient free convection from a suddenly heated horizontal wire | |
| JPS6250639A (ja) | 高温・低温引張り試験機 | |
| JPH06281605A (ja) | 熱伝導率と動粘性率の同時測定方法 | |
| US3534809A (en) | Temperature measuring devices | |
| JPH03295427A (ja) | 温度センサー | |
| CN120538707A (zh) | 基于标定积分方程方法的后处理式多用途测量传感器和测量方法 | |
| US4475392A (en) | Skin friction gage for time-resolved measurements | |
| Hansen | Theoretical and Experimental Investigation of Heat Conduction in Air, Including Effects of Oxygen Dissociation | |
| Mokdad et al. | A Self-Validation Method for High-Temperature Thermocouples Under Oxidizing Atmospheres | |
| JP2004294433A (ja) | 抵抗温度計用のキャリブレーション装置、気体組成分析計および抵抗温度計のキャリブレーション方法 | |
| JPH0469531A (ja) | 放射温度計による温度測定方法 | |
| US1274635A (en) | Measuring device. | |
| JPH07248285A (ja) | 表面物性評価装置 | |
| JPS5930436Y2 (ja) | 精密恒温槽 | |
| JPH02168131A (ja) | 恒温槽炉内温度検出器及びその校正方法 | |
| Hubble et al. | Development and evaluation of the time-resolved heat and temperature array | |
| JPS5932875A (ja) | 半導体熱抵抗測定装置 | |
| JPH0225721A (ja) | 極低温用温度計 | |
| JP2750720B2 (ja) | 温度検出器劣化補正装置 | |
| SU934255A1 (ru) | Способ определени коэффициента температуропроводности материала |