JPH0329863B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0329863B2 JPH0329863B2 JP106088A JP106088A JPH0329863B2 JP H0329863 B2 JPH0329863 B2 JP H0329863B2 JP 106088 A JP106088 A JP 106088A JP 106088 A JP106088 A JP 106088A JP H0329863 B2 JPH0329863 B2 JP H0329863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- target
- anode
- sputtering
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はスパツタリング装置に係り、特にター
ゲツトを陰極に容易、かつ着実に着脱できるとと
もに、ターゲツトを効率的に冷却し得るスパツタ
ガンを備えたスパツタリング装置に関する。
ゲツトを陰極に容易、かつ着実に着脱できるとと
もに、ターゲツトを効率的に冷却し得るスパツタ
ガンを備えたスパツタリング装置に関する。
（従来の技術）
半導体その他の各種エレクトロニクス素子など
の製造に際しては、スパツタリング装置が多用さ
れている。
の製造に際しては、スパツタリング装置が多用さ
れている。
このスパツタリング装置は、真空容器内の、上
下方向に対向して一対の電極を配置し、一方の電
極（陰極）にターゲツト（スパツタ源）を取付け
るとともに、他方の電極（陽極）に被処理物を取
付け、スパツタ電源により陰極にマイナス電位を
与えてプラズマを発生させ、このプラズマによつ
て生成したイオンスパツタまたは反応性イオンス
パツタを被処理物表面に導いて被着させるもので
ある。
下方向に対向して一対の電極を配置し、一方の電
極（陰極）にターゲツト（スパツタ源）を取付け
るとともに、他方の電極（陽極）に被処理物を取
付け、スパツタ電源により陰極にマイナス電位を
与えてプラズマを発生させ、このプラズマによつ
て生成したイオンスパツタまたは反応性イオンス
パツタを被処理物表面に導いて被着させるもので
ある。
このスパツタリング装置において、ターゲツト
を陰極に装着させる場合には、従来から、メタル
ボンデイング法あるいはボルト固定法が使用され
ていた。
を陰極に装着させる場合には、従来から、メタル
ボンデイング法あるいはボルト固定法が使用され
ていた。
メタルボンデイング法は第４図ａに示すよう
に、ターゲツト１をボンデイング剤２によつて陰
極３に張付けるものであり、また、ボルト固定法
は第５図ａ，ｂに示すように、ターゲツト１に適
度の間隔をおいて複数個の孔１ａを形成してお
き、これらの孔に通したボルト４を陰極３側にね
じこむことによりターゲツト４を陰極３に固定さ
せるものである。
に、ターゲツト１をボンデイング剤２によつて陰
極３に張付けるものであり、また、ボルト固定法
は第５図ａ，ｂに示すように、ターゲツト１に適
度の間隔をおいて複数個の孔１ａを形成してお
き、これらの孔に通したボルト４を陰極３側にね
じこむことによりターゲツト４を陰極３に固定さ
せるものである。
（発明が解決しようとする課題）
上述したメタルボンデイング法においては、ボ
ンデイング剤としては主として「はんだ」が使用
されるが、このはんだは、第４図ｂに示すよう
に、はんだむら２ａを生じやすい上、ターゲツト
へのはんだ拡散による汚染を発生させるおそれが
ある。はんだむら２ａが発生すると、陰極との金
属接触面積が減少するため、スパツタリング中に
ターゲツトの温度が上昇し、ターゲツトの保持が
不確実になりやすい。
ンデイング剤としては主として「はんだ」が使用
されるが、このはんだは、第４図ｂに示すよう
に、はんだむら２ａを生じやすい上、ターゲツト
へのはんだ拡散による汚染を発生させるおそれが
ある。はんだむら２ａが発生すると、陰極との金
属接触面積が減少するため、スパツタリング中に
ターゲツトの温度が上昇し、ターゲツトの保持が
不確実になりやすい。
なお、ターゲツトへのはんだ拡散は、ターゲツ
トのボンデイング面を前処理し、バリアメタルを
被着させておくことにより防止することができる
が、これにはかなりの時間と手数を要するという
欠点がある。
トのボンデイング面を前処理し、バリアメタルを
被着させておくことにより防止することができる
が、これにはかなりの時間と手数を要するという
欠点がある。
一方、ボルト固定法は大形のターゲツトの取付
け方法としては確実で有用であるが、高価なター
ゲツト材料に孔明け加工を施すことになり、材料
費と加工費が無駄になる上、固定用のボルトがプ
ラズマにさらされて蒸発するため、被処理物が汚
染されるという不都合がある。
け方法としては確実で有用であるが、高価なター
ゲツト材料に孔明け加工を施すことになり、材料
費と加工費が無駄になる上、固定用のボルトがプ
ラズマにさらされて蒸発するため、被処理物が汚
染されるという不都合がある。
そこで本発明の目的はターゲツトの着脱が容易
で、しかも効率よくターゲツトを冷却しうるスパ
ツタリング装置を提供することにある。
で、しかも効率よくターゲツトを冷却しうるスパ
ツタリング装置を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、真空排気
管およびガス導入管を備えた真空容器と、この真
空容器内に配置されて被処理物を保持する陽極
と、前記真空容器内に前記陽極に対向して配置さ
れた陰極と、前記陽極と陰極の間に電圧を印加し
てそれらの間にプラズマを発生させるスパツタ電
源とからなるスパツタリング装置において、前記
陰極内には、静電チヤツク電極と、それに静電的
にチヤツキングされるターゲツトとの間に冷却用
のガスを導入するガス導入孔を形成したことを特
徴とするものである。
管およびガス導入管を備えた真空容器と、この真
空容器内に配置されて被処理物を保持する陽極
と、前記真空容器内に前記陽極に対向して配置さ
れた陰極と、前記陽極と陰極の間に電圧を印加し
てそれらの間にプラズマを発生させるスパツタ電
源とからなるスパツタリング装置において、前記
陰極内には、静電チヤツク電極と、それに静電的
にチヤツキングされるターゲツトとの間に冷却用
のガスを導入するガス導入孔を形成したことを特
徴とするものである。
（作用）
上述のように構成した本発明のスパツタリング
装置においては、ターゲツトを静電方式により陰
極に固定しているので、ターゲツトに孔明け等の
加工を施す必要がなく、着脱が容易な上、被処理
物の汚染なども完全に防止される。
装置においては、ターゲツトを静電方式により陰
極に固定しているので、ターゲツトに孔明け等の
加工を施す必要がなく、着脱が容易な上、被処理
物の汚染なども完全に防止される。
（実施例）
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
第１図において、真空容器１０には、その内を
真空排気する排気装置（図示せず）へ連なる真空
排気管１１と、流量制御装置（図示せず）で制御
されたArガスまたは活性ガスを真空容器１０内
へ導入するガス導入管１２が連結されている。
真空排気する排気装置（図示せず）へ連なる真空
排気管１１と、流量制御装置（図示せず）で制御
されたArガスまたは活性ガスを真空容器１０内
へ導入するガス導入管１２が連結されている。
真空容器１０内の上方には被処理物を保持する
被処理物ホルダー１３を取付けた陽極１４が配置
されている。この陽極１４は被処理物への被着が
均一に行われるよう回転駆動機構（図示せず）に
より回転自在に支承されており、また、接地電位
に保たれている。
被処理物ホルダー１３を取付けた陽極１４が配置
されている。この陽極１４は被処理物への被着が
均一に行われるよう回転駆動機構（図示せず）に
より回転自在に支承されており、また、接地電位
に保たれている。
真空容器１０内の下方には陽極１４に対向して
陰極１５が配置されている。この陰極１５は静電
的にチヤツクされたターゲツト１を冷却すると共
に、その電位を所望のマイナス電位に保持するも
ので、その周囲は絶縁物１６を介してアースリン
グ１７で覆われている。
陰極１５が配置されている。この陰極１５は静電
的にチヤツクされたターゲツト１を冷却すると共
に、その電位を所望のマイナス電位に保持するも
ので、その周囲は絶縁物１６を介してアースリン
グ１７で覆われている。
陰極１５にはスパツタ電源１８が接続されてお
り、また陰極１５に内臓された冷却媒体通路（こ
の例では、第２図中に１５ａにて示す水路）には
冷却用の給水管１９と排水管２０が連結されてい
る。また、陰極１５の中央に設けたガス導入孔
（第２図の１５ｂ）にはガス導入管２１を介して
流量制御装置２２が連結されている。
り、また陰極１５に内臓された冷却媒体通路（こ
の例では、第２図中に１５ａにて示す水路）には
冷却用の給水管１９と排水管２０が連結されてい
る。また、陰極１５の中央に設けたガス導入孔
（第２図の１５ｂ）にはガス導入管２１を介して
流量制御装置２２が連結されている。
２３は真空容器１０内の圧力を測定する圧力計
を示す。
を示す。
第２図は第１図における陰極１５の近傍（スパ
ツタガン）を拡大して示すもので、スパツタガン
の導電性ベースプレート３０内にはマグネツト３
１が配置されている。このマグネツト３１は回転
軸３２を介してマグネツト駆動機構３３に連結さ
れている。
ツタガン）を拡大して示すもので、スパツタガン
の導電性ベースプレート３０内にはマグネツト３
１が配置されている。このマグネツト３１は回転
軸３２を介してマグネツト駆動機構３３に連結さ
れている。
陰極１５の上面には静電チヤツク３４が固着さ
れている。この静電チヤツク３４は第３図ａ，ｂ
に示すように銅フイルム等から成る電極３４ａの
全表面をポリイミドフイルム等から成る絶縁膜３
４ｂで被覆して構成されており、電極３４ａは絶
縁リード線３５を介して直流の静電チヤツク電源
３６に連結されている。
れている。この静電チヤツク３４は第３図ａ，ｂ
に示すように銅フイルム等から成る電極３４ａの
全表面をポリイミドフイルム等から成る絶縁膜３
４ｂで被覆して構成されており、電極３４ａは絶
縁リード線３５を介して直流の静電チヤツク電源
３６に連結されている。
上述のように構成した本発明のスパツタリング
装置において、被処理物を陽極１４側の被処理物
ホルダー１３に取付け、マグネツト駆動機構３３
によりマグネツト３１を回転軸３２を中心として
回転させ、静電チヤツク電源３６から直流電圧を
静電チヤツク電極３４ａに印加する。
装置において、被処理物を陽極１４側の被処理物
ホルダー１３に取付け、マグネツト駆動機構３３
によりマグネツト３１を回転軸３２を中心として
回転させ、静電チヤツク電源３６から直流電圧を
静電チヤツク電極３４ａに印加する。
この状態で、排気管１１に連結した排気装置
（図示せず）により真空容器１０内を真空排気し
た後、流量制御装置（図示せず）により制御され
た流量のArガスまたは活性ガスを導入管１２を
通して真空容器１０内に導入し、スパツタ電源１
８により陰極１５に所定のマイナス直流電圧また
はマイナスバイアスの高周波電圧を印加する。
（図示せず）により真空容器１０内を真空排気し
た後、流量制御装置（図示せず）により制御され
た流量のArガスまたは活性ガスを導入管１２を
通して真空容器１０内に導入し、スパツタ電源１
８により陰極１５に所定のマイナス直流電圧また
はマイナスバイアスの高周波電圧を印加する。
これによりターゲツト１の上面にはプラズマ４
０が形成され、ターゲツト１は静電チヤツク３４
の電極３４ａにより静電的にチヤツクされ、スパ
ツタガンの陰極１５表面に固定される。また、タ
ーゲツト１からはイオンスパツタまたは反応性イ
オンスパツタが発生し、被処理物ホルダー１３側
に取付けた被処理物はターゲツト材料によつて被
覆される。
０が形成され、ターゲツト１は静電チヤツク３４
の電極３４ａにより静電的にチヤツクされ、スパ
ツタガンの陰極１５表面に固定される。また、タ
ーゲツト１からはイオンスパツタまたは反応性イ
オンスパツタが発生し、被処理物ホルダー１３側
に取付けた被処理物はターゲツト材料によつて被
覆される。
このスパツタリングに際し、ターゲツト１はプ
ラズマ４０により加熱されるが、本実施例装置に
おいては、冷却水が給水管１９を介して、陰極１
５内に設けた水路１５ａ内に導入され、そこを冷
却した後、排水管２０から排出されるので、陰極
１５、静電チヤツクおよびこれに取付けられたタ
ーゲツト１は冷却される。
ラズマ４０により加熱されるが、本実施例装置に
おいては、冷却水が給水管１９を介して、陰極１
５内に設けた水路１５ａ内に導入され、そこを冷
却した後、排水管２０から排出されるので、陰極
１５、静電チヤツクおよびこれに取付けられたタ
ーゲツト１は冷却される。
なお、ターゲツト１は静電的な力によつて、静
電チヤツク３４にしつかりとホールデイングされ
ているが、静電チヤツク３４とターゲツト１の間
にはそれらの表面の不整によつて微少な空〓が形
成される。このような空〓は静電チヤツク３４と
ターゲツト１の間の熱抵抗を著しく増大させ、ホ
ストスポツトを形成させることになるが、本実施
例においては、流量制御装置２２からガス導入管
２１およびガス導入孔１５ｂを通して窒素ガスそ
の他のガスが、静電チヤツク３４とターゲツト１
の間に供給されるので、上記ホツトスポツトの形
成は阻止される。
電チヤツク３４にしつかりとホールデイングされ
ているが、静電チヤツク３４とターゲツト１の間
にはそれらの表面の不整によつて微少な空〓が形
成される。このような空〓は静電チヤツク３４と
ターゲツト１の間の熱抵抗を著しく増大させ、ホ
ストスポツトを形成させることになるが、本実施
例においては、流量制御装置２２からガス導入管
２１およびガス導入孔１５ｂを通して窒素ガスそ
の他のガスが、静電チヤツク３４とターゲツト１
の間に供給されるので、上記ホツトスポツトの形
成は阻止される。
［発明の効果］
上述のように、本発明によれば静電チヤツクに
よりターゲツトを陰極に取付けるようにしたの
で、メタルボンデイング法やボルト固定法のよう
に取付けが不安定になつたり無駄な材料費や加工
費を必要とするという欠点を除去し、簡単かつ確
実にターゲツトを陰極に着脱自在に取付けること
ができる。
よりターゲツトを陰極に取付けるようにしたの
で、メタルボンデイング法やボルト固定法のよう
に取付けが不安定になつたり無駄な材料費や加工
費を必要とするという欠点を除去し、簡単かつ確
実にターゲツトを陰極に着脱自在に取付けること
ができる。
第１図は本発明のスパツタリング装置の実施例
を示す概略構成図、第２図は第１図におけるスパ
ツタガンの近傍の拡大説明図、第３図ａ，ｂは本
発明のスパツタリング装置において使用れる静電
チヤツクを例示する横断面図と概略図、第４図
ａ，ｂは従来のメタルボンデイング法を示す陰極
近傍の正面図と横断面図、第５図ａ，ｂは従来の
ボルト固定法を示す陰極近傍の正面図と横断面図
である。 １……ターゲツト、２……ボンデイング剤、３
……陰極、１０……真空容器、１１……排気管、
１２……導入管、１３……被処理物ホルダー、１
４……陽極、１５……陰極、１５ａ……冷却路、
１５ｂ……ガス導入孔、１６……絶縁物、１７…
…アースリング、１８……スパツタ電源、１９…
…給水管、２０……排水管、２１……ガス導入
管、２２……流量制御装置、２３……圧力計、３
０……ベースプレート、３１……マグネツト、３
２……回転軸、３３……マグネツト駆動機構、３
４……静電チヤツク、３４ａ……電極、３４ｂ…
…絶縁膜、３５……絶縁リード線、３６……静電
チヤツク電源、４０……プラズマ。
を示す概略構成図、第２図は第１図におけるスパ
ツタガンの近傍の拡大説明図、第３図ａ，ｂは本
発明のスパツタリング装置において使用れる静電
チヤツクを例示する横断面図と概略図、第４図
ａ，ｂは従来のメタルボンデイング法を示す陰極
近傍の正面図と横断面図、第５図ａ，ｂは従来の
ボルト固定法を示す陰極近傍の正面図と横断面図
である。 １……ターゲツト、２……ボンデイング剤、３
……陰極、１０……真空容器、１１……排気管、
１２……導入管、１３……被処理物ホルダー、１
４……陽極、１５……陰極、１５ａ……冷却路、
１５ｂ……ガス導入孔、１６……絶縁物、１７…
…アースリング、１８……スパツタ電源、１９…
…給水管、２０……排水管、２１……ガス導入
管、２２……流量制御装置、２３……圧力計、３
０……ベースプレート、３１……マグネツト、３
２……回転軸、３３……マグネツト駆動機構、３
４……静電チヤツク、３４ａ……電極、３４ｂ…
…絶縁膜、３５……絶縁リード線、３６……静電
チヤツク電源、４０……プラズマ。
Claims (1)
- １ 真空排気管およびガス導入管を備えた真空容
器と、この真空容器内に配置されて被処理物を保
持する陽極と、前記真空容器内に前記陽極に対向
して配置された陰極と、前記陽極と陰極の間に電
圧を印加してそれらの間にプラズマを発生させる
スパツタ電源とからなるスパツタリング装置にお
いて、前記陰極内には、静電チヤツク電極と、そ
れに静電的にチヤツキングされるターゲツトとの
間に冷却用のガスを導入するガス導入孔が形成さ
れていることを特徴とするスパツタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106088A JPH01177368A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106088A JPH01177368A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01177368A JPH01177368A (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0329863B2 true JPH0329863B2 (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=11490994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP106088A Granted JPH01177368A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01177368A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5221403A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
| GB2318590B (en) * | 1995-07-10 | 1999-04-14 | Cvc Products Inc | Magnetron cathode apparatus and method for sputtering |
| US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
| US6039848A (en) * | 1995-07-10 | 2000-03-21 | Cvc Products, Inc. | Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition. |
| JPH11509273A (ja) * | 1995-07-10 | 1999-08-17 | シーヴィシー、プラダクツ、インク | 永久磁石配列装置とその方法 |
| KR100291330B1 (ko) * | 1998-07-02 | 2001-07-12 | 윤종용 | 반도체장치제조용스퍼터링설비및이를이용한스퍼터링방법 |
-
1988
- 1988-01-06 JP JP106088A patent/JPH01177368A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01177368A (ja) | 1989-07-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4865712A (en) | Apparatus for manufacturing planarized aluminum films | |
| US4661228A (en) | Apparatus and method for manufacturing planarized aluminum films | |
| US5556500A (en) | Plasma etching apparatus | |
| JPH01251735A (ja) | 静電チャック装置 | |
| JPS5844742B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP3173693B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
| JPH04279044A (ja) | 試料保持装置 | |
| US5080772A (en) | Method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate | |
| JPH0329863B2 (ja) | ||
| JPH06182645A (ja) | 静電チャック | |
| US5753089A (en) | Sputter coating station | |
| JP4185179B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3372244B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH08167595A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07122399A (ja) | プラズマ処理装置およびその制御方法 | |
| JPH07122398A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002129320A (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| JPH05226289A (ja) | 被処理体用載置装置及びそれを用いた処理装置 | |
| JPH02130915A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3066673B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2004124171A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| JPH03177020A (ja) | エッチング装置 | |
| JP2687012B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP3173692B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH06232088A (ja) | プラズマ装置及びプラズマ処理方法 |