JPH0330183A - Memory control system - Google Patents

Memory control system

Info

Publication number
JPH0330183A
JPH0330183A JP1166205A JP16620589A JPH0330183A JP H0330183 A JPH0330183 A JP H0330183A JP 1166205 A JP1166205 A JP 1166205A JP 16620589 A JP16620589 A JP 16620589A JP H0330183 A JPH0330183 A JP H0330183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data bus
page
cpu
bus width
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1166205A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Kato
秀章 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1166205A priority Critical patent/JPH0330183A/en
Publication of JPH0330183A publication Critical patent/JPH0330183A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the probability of page hit by dividing a memory into blocks of a multiple of a data bus width of a CPU and enabling an output data bus alternatively in a block at page mode access. CONSTITUTION:A memory 2 is divided into plural blocks equal to a data bus width of a CPU 1, each memory output data bus of the blocks is in wired-logic connection and the memory output data bus of each block is enabled alternatively at page mode access. Thus, since the memory data bus width is expanded to a multiple of 2<m> of the physical data bus width of the CPU 1 to expand the size of one page to 2<m> similarly, the probability of page hit is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はメモリ制御方式に関し、特にベージモード動作
可能なランダムアクセスメモリの高速アクセス制御方式
に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a memory control system, and more particularly to a high-speed access control system for a random access memory capable of operating in a page mode.

従来技術 DRAM (ダイナミックランダムアクセスメモリ)の
高速アクセスの一方式として、ページモードのアクセス
方式がある。
BACKGROUND OF THE INVENTION A page mode access method is one of the high-speed access methods for conventional DRAMs (dynamic random access memories).

DRAMでは、1つのメモリのアドレス情報は、ローア
ドレスで指定されるページ数と、カラムアドレスで指定
されるページ内アドレスとからなっている。ベージモー
ドにあっては、DRAMにローアドレスを与えてページ
指定を行うと、以降ぺ−ジを変えるまで同一ページ内の
アクセスに対してはカラムアドレスのみの指定で良い。
In a DRAM, address information for one memory consists of a page number specified by a row address and an intra-page address specified by a column address. In the page mode, if a page is specified by giving a row address to the DRAM, only a column address can be specified for subsequent accesses within the same page until the page is changed.

よって、ローアドレスの指定をアクセス毎に行う方式に
比較して、高速なアクセスが可能となるものである。
Therefore, compared to a method in which a row address is specified for each access, faster access is possible.

従来のこの種のメモリ制御方式では、上記の様なページ
モードアクセスを採用していてもCPUの物理データバ
ス幅とメモリのデータバス幅とは等しく設計されている
。よって、使用しているDRAMのベージモードにおけ
る1ページのサイズは、使用している当該DRAMによ
って一義的に決定されてしまうことになる。この場合の
ページサイズyはカラムアドレスのビット数がXてあれ
ば、y−2′となり、一義的なものとなっている。
In this type of conventional memory control system, the physical data bus width of the CPU and the data bus width of the memory are designed to be equal even if page mode access as described above is employed. Therefore, the size of one page in the page mode of the DRAM being used is uniquely determined by the DRAM being used. In this case, the page size y is y-2' if the number of bits in the column address is X, and is unique.

この様に、従来のメモリアクセス制御方式では、CPU
のデータバス幅と、DRAMのデータバス拓とが等しい
ので、ページサイズか一義的に決定されてしまい、走行
するプログラムによっては、ページを越えたアクセスが
頻発してしまい、ページヒット(同一ページ内アクセス
)の場合に高速アクセスが可能となるページモードの特
性か十分に生かされず、システムの性能が発揮されない
という欠点がある。
In this way, in the conventional memory access control method, the CPU
Since the data bus width of the DRAM is equal to the data bus width of the DRAM, the page size is uniquely determined, and depending on the program being run, accesses across pages may occur frequently, resulting in page hits (within the same page). The disadvantage is that the characteristics of the page mode, which enables high-speed access, are not fully utilized in the case of (access), and the performance of the system is not fully utilized.

発明の目的 本発明の目的は、メモリのデータバス幅をCPUのデー
タバス幅に対してより大として、1ページのサイズを実
質的にそれだけ大とすることにより、ページヒットの確
率をより高めてDRAMのページモードにおける高速性
を生かし、システム性能の向上を図ったメモリ制御方式
を提供することである。
OBJECTS OF THE INVENTION An object of the present invention is to increase the probability of a page hit by making the memory data bus width larger than the CPU data bus width and making the size of one page substantially that much larger. The object of the present invention is to provide a memory control method that takes advantage of the high speed performance of DRAM in page mode and improves system performance.

発明の構戊 本発明によれば、ページモードアクセスが可能なメモリ
の制御方式であって、前記メモリを、各々がCPUのデ
ータバス幅と等しいデータバス幅を有する複数のブロッ
クに分割し、これ等ブロックの各メモリ出力データバス
をワイヤードロジック接続しこのワイヤードロジック出
力を前記CPUのデータバスに接続して構成し、前記ペ
ージモードアクセス時前記ブロックのメモリ出力データ
バスを択一的にイネーブル化するようにしたことを特徴
とするメモリdi{J 1方式が得られる。
According to the present invention, there is provided a control method for a memory that can be accessed in page mode, wherein the memory is divided into a plurality of blocks each having a data bus width equal to the data bus width of a CPU; each memory output data bus of the same block is configured by wired logic connection, and the wired logic output is connected to the data bus of the CPU, and the memory output data bus of the block is selectively enabled during the page mode access. A memory di{J1 system is obtained which is characterized by the following.

実施例 以下に図面を用いて本発明の実施例を説明する。Example Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の実施例のシステムブロック図である。FIG. 1 is a system block diagram of an embodiment of the present invention.

図において、CPUIは例えば16ビットのデータバス
を有しており、このデータバス幅の2倍のバス幅を有す
るメモリ2と接続されている。
In the figure, the CPUI has, for example, a 16-bit data bus, and is connected to a memory 2 having a bus width twice the data bus width.

このメモリ2は各々が16ビットのデータバス幅を有す
る2つのメモリブロック21及び22により構成されて
おり、2つのメモリブロックの各データバスはワイヤー
ドロジック接続されることにより、CPUIのデータバ
ス幅と等しくなる様に集線されている。この集線出力が
CPUIのデータバスと接続されている。
This memory 2 is composed of two memory blocks 21 and 22, each having a data bus width of 16 bits, and each data bus of the two memory blocks is connected by wired logic, so that it can match the data bus width of the CPUI. The lines are concentrated so that they are equal. This concentrated line output is connected to the data bus of the CPUI.

メモリ制御回路3はCPUIからのアクセスアドレスを
アドレスバスを介して受け、メモリ2に対するアドレス
に適する様に変換処理を行ってメモリ2へ供給する。ま
た、メモリ制御回路3はCPUIからのアドレスからこ
のアドレスが直前にアクセスされたアドレスに対して同
一ページ内であるか否か(ページヒットかミスヒットか
)を判断し、その旨を線aを介してCPUIへ通知する
The memory control circuit 3 receives an access address from the CPUI via the address bus, performs conversion processing to make the address suitable for the memory 2, and supplies the converted address to the memory 2. Furthermore, the memory control circuit 3 determines from the address from the CPUI whether or not this address is within the same page as the address accessed immediately before (page hit or miss), and indicates this by indicating the line a. Notify the CPUI via the CPU.

更にまた、メモリ制御回路3はCPUIからのアドレス
により線b,cを夫々駆動し、当該ぺ−ジのどこをアク
セスするかを制御する機能を存する。すなわち、メモリ
2内のブロック21.22のうちどのブロックの出力を
イネーブルとするかを選択するものである。
Furthermore, the memory control circuit 3 has a function of driving lines b and c, respectively, based on addresses from the CPUI, and controlling which part of the page is accessed. That is, it selects which block among the blocks 21 and 22 in the memory 2 is to be enabled for its output.

第2図はこのメモリ制御回路3の具体的ブロック図であ
る。ページヒット検出同路32はCPU1からのアドレ
スを入力とし、直前のアクセスアドレスと今回のアクセ
スアドレスとが同一ページ内のものかどうかの検出を行
う。同一であればペジヒットであり、そうでなければペ
ージミスヒットであり、このヒット.ミスヒットに応じ
てl?AS/CAS生成回路33を駆動する。
FIG. 2 is a concrete block diagram of this memory control circuit 3. The page hit detection circuit 32 receives the address from the CPU 1 and detects whether the previous access address and the current access address are in the same page. If they are the same, it is a page hit, otherwise it is a page miss hit, and this hit. l depending on the miss hit? The AS/CAS generation circuit 33 is driven.

RAS/CAS生成回路33はRAS信号(ローアドレ
スストローブ信号)及びCAS信号(カラムアドレスス
トローブ信号)とを出力するものであり、ページヒット
であればはRAS信号はアクティブのままとしつつCA
S信号をアクティブとする。
The RAS/CAS generation circuit 33 outputs a RAS signal (row address strobe signal) and a CAS signal (column address strobe signal), and if there is a page hit, the RAS signal remains active and CA is generated.
Make the S signal active.

このRAS/CAS生成回路33の動作により、ローア
ドレス,カラムアドレスの両方またはカラムアドレスの
みをメモリ2へ供給するかどうかか決定され、マルチプ
レクサ31の動作が制御される。
The operation of the RAS/CAS generation circuit 33 determines whether to supply both the row address and column address or only the column address to the memory 2, and the operation of the multiplexer 31 is controlled.

一方、ページヒット検出回路32の出力はウェイト制御
回路35へ人力され、ページミスヒッ1・の場合は、ロ
ーアドレスとカラムアドレスとの両者をメモリ2へ供給
するに必要でかつ充分な時間が確保されるべく、CPU
Iが次のサイクルヘ進まない様に指示するためのウェイ
ト信号aが導出される。
On the other hand, the output of the page hit detection circuit 32 is inputted to the wait control circuit 35, and in the case of page miss hit 1, the necessary and sufficient time is ensured to supply both the row address and the column address to the memory 2. CPU should be
A wait signal a is derived to instruct I not to proceed to the next cycle.

OEデコード回路34はCPUIからのアドレスを受け
て、2つのメモリブロック21.22のうちどのメモリ
ブロックからの出力データをイネーブル化するかを信号
線b,cに夫々指示するものである。
The OE decoding circuit 34 receives an address from the CPUI and instructs signal lines b and c from which of the two memory blocks 21 and 22 output data is to be enabled.

第3図は第2図のメモリ制御回路の動作例を示す各部信
号のタイミングチャートである。尚、図においては、ロ
ーレベルがアクティブであり、ハイレベルがインアクテ
ィブであるとする。例えば、信号線b,cは論理“0”
のときにデータバスにデータを出力して良いことを示し
、RAS信号及びCAS信号は論理“0”のときにスト
ローブオンであることを示す。尚、ウェイト信号線aは
論理“0”のとき、CPUIに対して先のサイクルへ進
んで良いことを示すものとしている。
FIG. 3 is a timing chart of signals of various parts showing an example of the operation of the memory control circuit of FIG. In the figure, it is assumed that a low level is active and a high level is inactive. For example, signal lines b and c are logic “0”
, it indicates that data can be output to the data bus, and when the RAS signal and CAS signal are logic "0", it indicates that the strobe is on. Note that when the wait signal line a is at logic "0", it indicates to the CPU that it is OK to proceed to the next cycle.

CPU1からアドレスが供給されると、ページヒット検
出回路32にてページヒットの検出が行われ、ページヒ
ットすなわち、同一ページ内のアクセスであれば、CP
U1に対してウエイ+− 1rl (8回路35からウ
ェイト信号a(ローレベル)が生成され、CPU1に先
のサイクルへ進んで良いことが通知される。逆にページ
ミスヒットの場合は、ウェイト信号aをハイレベル(イ
ンアクティブ)として、CPUIに苅してウェイト制御
を行う。
When an address is supplied from the CPU 1, a page hit is detected in the page hit detection circuit 32, and if it is a page hit, that is, an access within the same page, the CP
A wait signal a (low level) is generated from the circuit 35 for U1, and the wait signal a (low level) is notified to the CPU 1 that it is OK to proceed to the next cycle.On the other hand, in the case of a page miss, the wait signal Set a to high level (inactive) and use the CPU to perform weight control.

更に、以上の動作と並行して、OEデコード回路34か
ら信号線b,cに対して2つのメモリブロックのうちど
ちらの出力を有効とするかの制1卸信号が発生される。
Further, in parallel with the above operation, a control signal is generated from the OE decoding circuit 34 to the signal lines b and c to determine which output of the two memory blocks is to be valid.

第3図の例では、3回の連続するアドレスが同一ページ
内をアクセスするページヒットのモードが前半に示され
ており、これに対応してウェイト信号aが夫々アクティ
ブとなり、連続3回のうち第1回がメモリブロック22
に対してページヒットとなり、第2,3回がメモリブロ
ック2]に対してページヒットとなった状態が示されて
いる。
In the example shown in Figure 3, the first half shows a page hit mode in which three consecutive addresses access the same page, and correspondingly, the wait signal a becomes active for each of the three consecutive addresses. The first time is memory block 22
There is a page hit for the memory block 2], and a page hit for the second and third memory block 2 is shown.

よって、当該第1回に対応してメモリブロック22の出
力をアクティブとする信号線Cがアクティブ化され、第
2.3回に対応してメモリブロック21の出力をアクテ
ィブとする信号線bがアクティブ化されることになる。
Therefore, corresponding to the first time, the signal line C that activates the output of the memory block 22 is activated, and corresponding to the second and third times, the signal line b that activates the output of the memory block 21 is activated. will be made into

以上のことから判る様に、CPUIからみた場合、ペー
ジモード時に同時に開かれているページ数がメモリブロ
ック21及び22の2つとなって全体として見たとき、
あたかもメモリブロック数倍だけのページサイズになっ
たことと等価となる。
As can be seen from the above, when viewed from the CPUI, the number of pages opened simultaneously in page mode is two, memory blocks 21 and 22, and when viewed as a whole,
This is equivalent to the page size being multiplied by the number of memory blocks.

メモリブロックは一般に2a個とすることができる(m
は1,2,3,・・・・・・)ので、ページサイズyは
みかけ上2′″×yに増大したことになり、よってペー
ジヒットの確率がそれだけ向上して、べ−ジモードの高
速性が生かされるのである。
The number of memory blocks can generally be 2a (m
(1, 2, 3, ...), the page size y has apparently increased to 2''' Gender is brought to life.

発明の効果 以上説明した様に、本発明によれば、メモリデータバス
幅をCPUの物理データバス幅の2″倍に広げて1ペー
ジのサイズを同じく26倍と拡大することができるので
、ページヒットの確率が向上し、DRAMの有するベー
ジモードの高速性が生かされるという効果がある。
Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, the memory data bus width can be expanded to 2'' times the physical data bus width of the CPU, and the size of one page can be expanded to 26 times. This has the effect of improving the probability of a hit and making use of the high speed of the page mode of DRAM.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例のシステムブロック図、第2図
は第1図のメモリ制御回路の具体的ブロック図、第3図
はメモリ制御回路の動作を示すタイミングチャートであ
る。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・CPU 2・・・・・・DRAM 3・・・・・・メモリ制御回路 21.22・・・・・・メモリブロック31・・・・・
・マルチプレクサ 32・・・・・・ページヒット検出回路33・・・・・
・RAS/CAS生成回路34・・・・・・OEデコー
ド回路 35・・・・・・ウェイト制御回路 出廟人 LI本電気株式会社
FIG. 1 is a system block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a concrete block diagram of the memory control circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the memory control circuit. Explanation of symbols of main parts 1...CPU 2...DRAM 3...Memory control circuit 21.22...Memory block 31...
・Multiplexer 32...Page hit detection circuit 33...
・RAS/CAS generation circuit 34... OE decoding circuit 35... Weight control circuit output person LI Hon Electric Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ページモードアクセスが可能なメモリの制御方式
であって、前記メモリを、各々がCPUのデータバス幅
と等しいデータバス幅を有する複数のブロックに分割し
、これ等ブロックの各メモリ出力データバスをワイヤー
ドロジック接続しこのワイヤードロジック出力を前記C
PUのデータバスに接続して構成し、前記ページモード
アクセス時前記ブロックのメモリ出力データバスを択一
的にイネーブル化するようにしたことを特徴とするメモ
リ制御方式。
(1) A control method for a memory that can be accessed in page mode, in which the memory is divided into a plurality of blocks each having a data bus width equal to the data bus width of the CPU, and each memory output data of these blocks is Connect the bus with wired logic and send this wired logic output to the C
A memory control system, characterized in that the memory control system is configured to be connected to a data bus of a PU, and selectively enables a memory output data bus of the block during the page mode access.
JP1166205A 1989-06-28 1989-06-28 Memory control system Pending JPH0330183A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1166205A JPH0330183A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Memory control system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1166205A JPH0330183A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Memory control system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0330183A true JPH0330183A (en) 1991-02-08

Family

ID=15827041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1166205A Pending JPH0330183A (en) 1989-06-28 1989-06-28 Memory control system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0330183A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0589663A (en) * 1991-09-27 1993-04-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory and its output control method
EP0570977A3 (en) * 1992-05-22 1995-03-22 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor memory device.
JP2006331016A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Koha Co Ltd Illumination device for exhibition items and vending machine equipped with the same
CN107665174A (en) * 2016-07-27 2018-02-06 爱思开海力士有限公司 Storage system with nonvolatile memory and volatile memory

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0589663A (en) * 1991-09-27 1993-04-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor memory and its output control method
EP0570977A3 (en) * 1992-05-22 1995-03-22 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor memory device.
JP2006331016A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Koha Co Ltd Illumination device for exhibition items and vending machine equipped with the same
CN107665174A (en) * 2016-07-27 2018-02-06 爱思开海力士有限公司 Storage system with nonvolatile memory and volatile memory
CN107665174B (en) * 2016-07-27 2021-04-27 爱思开海力士有限公司 Storage system with non-volatile memory and volatile memory

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1984003968A1 (en) Apparatus for controlling access to a memory
JPH05205477A (en) Randomly accessible memory having time overlap memory-access
JPH11328007A (en) Memory controller provided with continuous page mode and its method
US6948046B2 (en) Access controller that efficiently accesses synchronous semiconductor memory device
JPH0330183A (en) Memory control system
US6292867B1 (en) Data processing system
JP2003217279A (en) Semiconductor memory device having divided cell array and memory cell access method of the device
JPH07248963A (en) Dram controller
US5949736A (en) Memory control circuit reducing a consumed power of memory
JP4012393B2 (en) Storage device, internal control method and system for storage device, and control method for storage means in system
JPH09237492A (en) Memory controller
JP4606725B2 (en) High speed memory access controller
JP4050042B2 (en) Storage device and address control method thereof, system and control method of storage means in system
JPH05108471A (en) Memory device
JPS5960787A (en) Memory access system
JPH05210569A (en) Memory controller
JPH1097788A (en) Information processing device
JPH09185883A (en) Memory access controller
JPH0731439Y2 (en) Static column DRAM access device
JPH07281992A (en) Dma controller
JPH08101792A (en) Computer system
JPH0612622B2 (en) Dynamic memory refresh method
JPH1049437A (en) Dynamic RAM controller
KR0184456B1 (en) Dynamic dram page mode control circuit
JP2822913B2 (en) Semiconductor storage device