JPH0330281B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0330281B2 JPH0330281B2 JP57021450A JP2145082A JPH0330281B2 JP H0330281 B2 JPH0330281 B2 JP H0330281B2 JP 57021450 A JP57021450 A JP 57021450A JP 2145082 A JP2145082 A JP 2145082A JP H0330281 B2 JPH0330281 B2 JP H0330281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platinum
- thin film
- pattern
- resistance
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜白金温度センサの製造方法に関す
る。
る。
従来、薄膜白金温度センサの抵抗パターン形成
法としては、レーザトリミング法あるいはマスク
蒸着法が用いられてきた。
法としては、レーザトリミング法あるいはマスク
蒸着法が用いられてきた。
レーザトリミング法では、微細で精度の良い抵
抗パターンを形成できるため、小形で、高抵抗
で、抵抗値精度の高いものが作られるが、半面一
度に大量の抵抗パターンを形成することができな
いため、量産化という点で難点がある。
抗パターンを形成できるため、小形で、高抵抗
で、抵抗値精度の高いものが作られるが、半面一
度に大量の抵抗パターンを形成することができな
いため、量産化という点で難点がある。
一方、マスク蒸着法では、一度に大量の抵抗パ
ターンを容易に形成できるが、微細パターンを形
成できないため、高抵抗のものを作るにはセンサ
自体の形状を大きくしなければならなく、抵抗値
精度も悪い。
ターンを容易に形成できるが、微細パターンを形
成できないため、高抵抗のものを作るにはセンサ
自体の形状を大きくしなければならなく、抵抗値
精度も悪い。
これに対してレーザトリミング法とマスク蒸着
法の両者の欠点を補い、一度に大量の微細抵抗パ
ターンを形成できる薄膜白金温度センサの製造方
法を得ることを目的とし、絶縁基板上に形成され
た白金薄膜上にフオトレジストパターンを形成
し、白金薄膜をエツチングすることにより、所要
の抵抗値パターンを作る製造方法が提案されてい
る。しかしながら、白金は化学的に非常に安定な
金属であるため、通常のエツチング液（王水）を
用いるのでは、精密な抵抗パターンにエツチング
することは困難であつた。王水を用いたエツチン
グでは、80〜90℃に熱しないとエツチング反応が
進まないため、熱王水を用いていたが、レジスト
が薬品に侵される反応が熱により加速されてしま
う。このようにレジストパターンが目的とするパ
ターンと異なつてしまうため、精密なパターンの
白金薄膜が得られなかつた。
法の両者の欠点を補い、一度に大量の微細抵抗パ
ターンを形成できる薄膜白金温度センサの製造方
法を得ることを目的とし、絶縁基板上に形成され
た白金薄膜上にフオトレジストパターンを形成
し、白金薄膜をエツチングすることにより、所要
の抵抗値パターンを作る製造方法が提案されてい
る。しかしながら、白金は化学的に非常に安定な
金属であるため、通常のエツチング液（王水）を
用いるのでは、精密な抵抗パターンにエツチング
することは困難であつた。王水を用いたエツチン
グでは、80〜90℃に熱しないとエツチング反応が
進まないため、熱王水を用いていたが、レジスト
が薬品に侵される反応が熱により加速されてしま
う。このようにレジストパターンが目的とするパ
ターンと異なつてしまうため、精密なパターンの
白金薄膜が得られなかつた。
本発明は、上記欠点を解消するために、塩酸と
過酸化水素、あるいは王水と過酸化水素を主成分
とするエツチング液で白金薄膜をエツチングし、
所要の抵抗パターンを作ることを特徴とするもの
である。本発明のエツチング液では、過酸化水素
が加えられることでエツチング反応が促進される
ため、室温で十分にエツチングされる。従つて、
レジストが薬品に侵される反応を促進してしまう
加熱を施さないため、レジストパターンがやられ
ることがなくなり、精密なパターンの白金薄膜が
得られ、これにより抵抗値の精度が良い薄膜白金
温度センサを大量生産できるに至つた。
過酸化水素、あるいは王水と過酸化水素を主成分
とするエツチング液で白金薄膜をエツチングし、
所要の抵抗パターンを作ることを特徴とするもの
である。本発明のエツチング液では、過酸化水素
が加えられることでエツチング反応が促進される
ため、室温で十分にエツチングされる。従つて、
レジストが薬品に侵される反応を促進してしまう
加熱を施さないため、レジストパターンがやられ
ることがなくなり、精密なパターンの白金薄膜が
得られ、これにより抵抗値の精度が良い薄膜白金
温度センサを大量生産できるに至つた。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図、第２図において、幅３mm、長さ10
mm、厚さ１mmのアルミナ基盤１上に白金を約1μ
ｍの厚さで着膜し、そのあと、フオトエツチング
により、白金を所要パターンにエツチングして抵
抗膜２を形成し、その端部に形成されたリード線
引き出し電極部分３にリード線４を接続し、さら
に抵抗膜２を被覆する保護膜５を設ける。
る。第１図、第２図において、幅３mm、長さ10
mm、厚さ１mmのアルミナ基盤１上に白金を約1μ
ｍの厚さで着膜し、そのあと、フオトエツチング
により、白金を所要パターンにエツチングして抵
抗膜２を形成し、その端部に形成されたリード線
引き出し電極部分３にリード線４を接続し、さら
に抵抗膜２を被覆する保護膜５を設ける。
白金膜のフオトエツチングの工程としては、フ
オトレジストパターンの形成と白金膜のエツチン
グの二つの工程に分かれる。フオトレジストには
ネガ型とポジ型があるが、耐酸性に優れるポジ型
のレジスト（例えば東京応化(株)製OFPR−２）を
用いた。まず、基板１とフオトレジストの密着性
を良くするため、アセトン等の有機溶剤で脱塵、
脱脂をした後、150℃で１時間乾燥を行なう。そ
のあと、スピンナーに基板をセツトし、レジスト
を約３c.c.滴下、300rpmで30秒間回転し、厚さ約
1.5μｍのレジストを形成し、その後プリベークと
して80℃で10分間乾燥する。次に所定のマスクを
用い、かつ紫外線を20秒間照射し、現像液に３分
間浸漬することにより、露光された部分のレジス
トを除去する。さらに水洗後、125℃30分間のホ
ツトベークを行ない、所要のレジストパターンを
形成する。本実施例では、このような工程を経
て、白金巾レジスト巾）50μｍ、溝巾30μｍのレ
ジストパターンを形成した。
オトレジストパターンの形成と白金膜のエツチン
グの二つの工程に分かれる。フオトレジストには
ネガ型とポジ型があるが、耐酸性に優れるポジ型
のレジスト（例えば東京応化(株)製OFPR−２）を
用いた。まず、基板１とフオトレジストの密着性
を良くするため、アセトン等の有機溶剤で脱塵、
脱脂をした後、150℃で１時間乾燥を行なう。そ
のあと、スピンナーに基板をセツトし、レジスト
を約３c.c.滴下、300rpmで30秒間回転し、厚さ約
1.5μｍのレジストを形成し、その後プリベークと
して80℃で10分間乾燥する。次に所定のマスクを
用い、かつ紫外線を20秒間照射し、現像液に３分
間浸漬することにより、露光された部分のレジス
トを除去する。さらに水洗後、125℃30分間のホ
ツトベークを行ない、所要のレジストパターンを
形成する。本実施例では、このような工程を経
て、白金巾レジスト巾）50μｍ、溝巾30μｍのレ
ジストパターンを形成した。
白金のエツチング液としては、塩酸と過酸化水
素を主成分とする混合液または王水と過酸化水素
を主成分とする混合液がよいが、本実施例では、
塩酸と過酸化水素の混合液（体積比５：１）で約
５分間室温においてエツチングすることにより所
要のパターン以外の白金を完全に除去し、500Ω
±10Ωの抵抗値を得ることができた。
素を主成分とする混合液または王水と過酸化水素
を主成分とする混合液がよいが、本実施例では、
塩酸と過酸化水素の混合液（体積比５：１）で約
５分間室温においてエツチングすることにより所
要のパターン以外の白金を完全に除去し、500Ω
±10Ωの抵抗値を得ることができた。
また、他の実施例としては、王水と過酸化水素
との混合液（塩酸と硝酸と過酸化水素の体積比
６：２：１）で、約７分間室温においてエツチン
グすることにより、500Ω±10Ωの抵抗値を得る
ことができた。
との混合液（塩酸と硝酸と過酸化水素の体積比
６：２：１）で、約７分間室温においてエツチン
グすることにより、500Ω±10Ωの抵抗値を得る
ことができた。
さらに抵抗膜２に設けた抵抗値微調整部分６を
レーザトリミングすることにより、より精度の良
い抵抗値を得ることができる。
レーザトリミングすることにより、より精度の良
い抵抗値を得ることができる。
上記のように、本発明によれば、フオトエツチ
ングにより薄膜白金の所要抵抗パターンを形成
し、塩酸と過酸化水素あるいは王水と過酸化水素
を主成分とする液で白金薄膜をエツチングするこ
とにより、精密な抵抗パターンにエツチングを行
なうことができる。また、一度に大量の抵抗パタ
ーンを容易に形成でき、量産化が容易で、コスト
も安くなるとともに、微細パターンを形成するこ
とができ、小形で高抵抗で精度の高いものが得ら
れる利点を有する。
ングにより薄膜白金の所要抵抗パターンを形成
し、塩酸と過酸化水素あるいは王水と過酸化水素
を主成分とする液で白金薄膜をエツチングするこ
とにより、精密な抵抗パターンにエツチングを行
なうことができる。また、一度に大量の抵抗パタ
ーンを容易に形成でき、量産化が容易で、コスト
も安くなるとともに、微細パターンを形成するこ
とができ、小形で高抵抗で精度の高いものが得ら
れる利点を有する。
さらに、抵抗膜に抵抗値微調整部分を形成して
レーザ修正するようにすれば、より高精度のもの
も作製可能である。
レーザ修正するようにすれば、より高精度のもの
も作製可能である。
第１図および第２図は本発明の製造方法を説明
するための薄膜白金温度センサの抵抗体パターン
の一実施例を示す平面図および薄膜白金温度セン
サの断面図である。 １……アルミナ基板、２……白金抵抗膜、３…
…リード線引き出し電極部分、４……リード線、
５……保護膜。
するための薄膜白金温度センサの抵抗体パターン
の一実施例を示す平面図および薄膜白金温度セン
サの断面図である。 １……アルミナ基板、２……白金抵抗膜、３…
…リード線引き出し電極部分、４……リード線、
５……保護膜。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に形成された白金薄膜上に、フオ
トレジストパターンを形成し、塩酸と過酸化水
素、あるいは王水と過酸化水素を主成分とするエ
ツチング液で白金薄膜をエツチングし、所要の抵
抗パターンを作る薄膜白金温度センサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021450A JPS58138002A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜白金温度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021450A JPS58138002A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜白金温度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138002A JPS58138002A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH0330281B2 true JPH0330281B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=12055297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021450A Granted JPS58138002A (ja) | 1982-02-12 | 1982-02-12 | 薄膜白金温度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138002A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2860799B2 (ja) * | 1989-07-21 | 1999-02-24 | ティーディーケイ株式会社 | 感温抵抗器の製造方法 |
| CN104807554B (zh) * | 2015-03-03 | 2019-01-01 | 江苏多维科技有限公司 | 一种铜热电阻薄膜温度传感器芯片及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4375056A (en) * | 1980-02-29 | 1983-02-22 | Leeds & Northrup Company | Thin film resistance thermometer device with a predetermined temperature coefficent of resistance and its method of manufacture |
-
1982
- 1982-02-12 JP JP57021450A patent/JPS58138002A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58138002A (ja) | 1983-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0330281B2 (ja) | ||
| US3649392A (en) | Thin-film circuit formation | |
| JPS649601A (en) | Manufacture of thin film platinum temperature sensor | |
| JPS5784876A (en) | Manufacture of thermal head | |
| GB1597403A (en) | Temperature-measuring resistors for resistance thermometers and methods of manufacturing same | |
| JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS605230B2 (ja) | ジヨセフソン素子の製造方法 | |
| JPS5952804A (ja) | 膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60216304A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPS5941872B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH0114683B2 (ja) | ||
| JPS61130061A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPS55162232A (en) | Forming thin film pattern | |
| JPS5694741A (en) | Positioning mark for electronic beam exposure | |
| JPH07230905A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPS5450284A (en) | Forming method of electrode wiring layers | |
| JPS5780074A (en) | Preparation of thermal head | |
| JPS63299160A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59124726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS54139557A (en) | Production of thermal head | |
| JPH07176412A (ja) | 角形チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH05283765A (ja) | 磁気センサ用基板の製造方法 | |
| JPH01316901A (ja) | 薄膜チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JPS61189503A (ja) | 回折格子の製造方法 |