JPH0330328A - 半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法に使用する半導体ウェハ処理装置 - Google Patents
半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法に使用する半導体ウェハ処理装置Info
- Publication number
- JPH0330328A JPH0330328A JP16476489A JP16476489A JPH0330328A JP H0330328 A JPH0330328 A JP H0330328A JP 16476489 A JP16476489 A JP 16476489A JP 16476489 A JP16476489 A JP 16476489A JP H0330328 A JPH0330328 A JP H0330328A
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- semiconductor wafer
- wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び
該方法に使用する半導体ウェハ処理装置（以下、処理装
置という）に関する。
該方法に使用する半導体ウェハ処理装置（以下、処理装
置という）に関する。
従来から、半導体ウェハの洗浄やエツチングなどのよう
な処理プロセスでは、第３図で示すように構成された処
理装置２０が一般的に用いられており、この処理装置２
０は、洗浄液などの処ｌ：１１１佼２１が満たされた処
理槽２２と、その内底面に取り付けられて半導体ウェハ
Ｗを垂直方向に沿う立姿勢で保持するウェハ支持台２３
とを備えている。
な処理プロセスでは、第３図で示すように構成された処
理装置２０が一般的に用いられており、この処理装置２
０は、洗浄液などの処ｌ：１１１佼２１が満たされた処
理槽２２と、その内底面に取り付けられて半導体ウェハ
Ｗを垂直方向に沿う立姿勢で保持するウェハ支持台２３
とを備えている。
そして、この処Ｉ′ｌ装置２０では、半導体ウェハＷを
処理液２１中に浸漬してウェハ支持台２３トζこａ置し
たのち、処理効率を高めるための超音波エネルギーを加
えながら処理１２１によって半導体ウヱハＷを処理する
ようになっている。あるいはまた、図示していないが、
処理ｔべき半導体ウェハをウェハ支持台上に載置したう
えで処理液を供給しながら必要な処理を行う方法も採用
されている。
処理液２１中に浸漬してウェハ支持台２３トζこａ置し
たのち、処理効率を高めるための超音波エネルギーを加
えながら処理１２１によって半導体ウヱハＷを処理する
ようになっている。あるいはまた、図示していないが、
処理ｔべき半導体ウェハをウェハ支持台上に載置したう
えで処理液を供給しながら必要な処理を行う方法も採用
されている。
ところで、半導体ウェハＷの表面上には、第４図＜ａ）
の要部拡大図で示すように、素子分離用のトレンチＴが
形成されているが、近年、半導体ウェハＷの表面上に形
成される回路（図示していない）の構造が微細化してく
るに従ってトレンチ′ｒの開口幅寸法がその深さ寸法に
比べて狭く、例えば、開口幅寸法が１μｍ以下で、しか
も、深さ寸法が２〜２０μｍというように狭くなってき
たことから、前記従来構成の処理装置２０を用いる処理
方法によってはトレンチＴの内部に付着しているｔη染
物や不要物を除去することが困難となってきた。
の要部拡大図で示すように、素子分離用のトレンチＴが
形成されているが、近年、半導体ウェハＷの表面上に形
成される回路（図示していない）の構造が微細化してく
るに従ってトレンチ′ｒの開口幅寸法がその深さ寸法に
比べて狭く、例えば、開口幅寸法が１μｍ以下で、しか
も、深さ寸法が２〜２０μｍというように狭くなってき
たことから、前記従来構成の処理装置２０を用いる処理
方法によってはトレンチＴの内部に付着しているｔη染
物や不要物を除去することが困難となってきた。
すなわち、従来の処理方法を採用した場合、トレンチＴ
の開口幅寸法がｉめて狭いため、第４図（ｂ）で示すよ
うに、半導体ウェハＷの表面に付着した処理液２１がそ
れ自身の表面張力によってトレンチＴの開口を塞いでし
まうことになり、処理液２１がトレンチＴの内部にまで
は侵入しな（なる。そして、このようになると、超音波
エネルギーを加えても、トレンチＴ内に閉じ込められて
残存した気体と処理液２１との置換が行われなくなって
しまうからである。
の開口幅寸法がｉめて狭いため、第４図（ｂ）で示すよ
うに、半導体ウェハＷの表面に付着した処理液２１がそ
れ自身の表面張力によってトレンチＴの開口を塞いでし
まうことになり、処理液２１がトレンチＴの内部にまで
は侵入しな（なる。そして、このようになると、超音波
エネルギーを加えても、トレンチＴ内に閉じ込められて
残存した気体と処理液２１との置換が行われなくなって
しまうからである。
本発明は、このような不都合に迄みて創案されたもので
あって、トレンチの開口幅寸法が狭くても、その内部に
残存する気体と処理液とを置換することができ、トレン
チの内部に付着した汚染物などを完全に除去することが
可能な半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法
に使用する処理装置の提供を目的としている。
あって、トレンチの開口幅寸法が狭くても、その内部に
残存する気体と処理液とを置換することができ、トレン
チの内部に付着した汚染物などを完全に除去することが
可能な半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法
に使用する処理装置の提供を目的としている。
本件にかかる第１の発明は、トレンチが形成された半導
体ウェハの表面上に、粒径がトレンチの開口幅寸法以下
とされた氷粒を堆積し、かつ、該氷粒を圧縮してトレン
チの内部に押し込んだのち、半導体ウェハを加熱してト
１／ンチ内の氷粒を融解することを特徴とする半導体ウ
ェハのトレンチへの注水方法である。
体ウェハの表面上に、粒径がトレンチの開口幅寸法以下
とされた氷粒を堆積し、かつ、該氷粒を圧縮してトレン
チの内部に押し込んだのち、半導体ウェハを加熱してト
１／ンチ内の氷粒を融解することを特徴とする半導体ウ
ェハのトレンチへの注水方法である。
また、本件にかかる第２の発明は、半導体ウェハを水平
方向に沿って保持するウェハ支持台と、半導体ウェハの
表面上に粒径がトレンチの開口幅寸法以下とされた氷粒
を供給する氷粒供給部と、半導体ウェハの表面上に堆積
した氷粒を圧縮する圧縮機部と、半導体ウェハをその裏
面側から加熱する加熱部とを備えたことを特徴とする半
導体ウェハ処理装置であり、前記第１の方法に使用され
るものである。
方向に沿って保持するウェハ支持台と、半導体ウェハの
表面上に粒径がトレンチの開口幅寸法以下とされた氷粒
を供給する氷粒供給部と、半導体ウェハの表面上に堆積
した氷粒を圧縮する圧縮機部と、半導体ウェハをその裏
面側から加熱する加熱部とを備えたことを特徴とする半
導体ウェハ処理装置であり、前記第１の方法に使用され
るものである。
〔作用）
上記手段によれば、氷粒供給部から供給されたトレンチ
の開口幅寸法よりも細かい粒径の氷粒を半導体ウェハの
表面上に堆積したのち、該氷粒を圧縮機部で圧縮するこ
とによってトレンチの内部に押し込むので、このトレン
チ内では氷粒と気体とが互いに混じり合って共存するこ
とになる。そして、加熱部によって半導体ウェハを加熱
すると、トレンチ内に押し込まれていた氷粒が融解する
ことになり、このトレンチ内には水が存在することにな
る。そこで、この半導体ウェハの表面上に処理液を供給
すれば、トレンチの開口幅寸法が狭くても、その内部に
存在する水によって処理液力刊き込まれ、水と処理液と
が！換される結果、処理液はトレンチの内部にまで侵入
するごとになる。
の開口幅寸法よりも細かい粒径の氷粒を半導体ウェハの
表面上に堆積したのち、該氷粒を圧縮機部で圧縮するこ
とによってトレンチの内部に押し込むので、このトレン
チ内では氷粒と気体とが互いに混じり合って共存するこ
とになる。そして、加熱部によって半導体ウェハを加熱
すると、トレンチ内に押し込まれていた氷粒が融解する
ことになり、このトレンチ内には水が存在することにな
る。そこで、この半導体ウェハの表面上に処理液を供給
すれば、トレンチの開口幅寸法が狭くても、その内部に
存在する水によって処理液力刊き込まれ、水と処理液と
が！換される結果、処理液はトレンチの内部にまで侵入
するごとになる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明にかかる処理装置の概略構成を示す断面
図であり、この図における符号ｌは処理装置、Ｗは半導
体ウェハ、Ｔは半導体ウェハＷの表面上に形成されたト
レンチを示している。
図であり、この図における符号ｌは処理装置、Ｗは半導
体ウェハ、Ｔは半導体ウェハＷの表面上に形成されたト
レンチを示している。
この処理装置ｌ！ｆ１は、必要に応じて注入される洗浄
液などの処理液２を貯溜する処理槽３を備えており、こ
の処理槽３の内底面には処理すべき半導体ウェハＷを水
平方向に沿って保持するウェハ支持台４が８宣されてい
る。なお、このウェハ支持台４の両側面には支持台ハン
ドル５が着脱自在で取り付けられており、このウェハ支
持台４は支持台ハンドル５を上下動することによって処
理槽３内に出し入れ操作されるようになっている。そし
て、この処理槽３の上側面には、洗浄液のような処理液
２を供給する処理液供給部６がバルブ７を介して連通接
続される一方、その内底面上に載置されたウェハ支持台
４に保持された半導体ウェハＷの表面上に氷粒８を供給
する氷粒供給部９がバルブｌＯを介して連通接続されて
いる。ところで、この氷粒供給部９からは、半導体ウェ
ハＷに形成されたトレンチＴの開口幅寸法以下の粒径と
された氷粒８、すなわち、トレンチ１゛の開口幅寸法が
１μｍである場合には０．１〜０，５μｍというような
粒径の氷粒８が供給されるようになっている。
液などの処理液２を貯溜する処理槽３を備えており、こ
の処理槽３の内底面には処理すべき半導体ウェハＷを水
平方向に沿って保持するウェハ支持台４が８宣されてい
る。なお、このウェハ支持台４の両側面には支持台ハン
ドル５が着脱自在で取り付けられており、このウェハ支
持台４は支持台ハンドル５を上下動することによって処
理槽３内に出し入れ操作されるようになっている。そし
て、この処理槽３の上側面には、洗浄液のような処理液
２を供給する処理液供給部６がバルブ７を介して連通接
続される一方、その内底面上に載置されたウェハ支持台
４に保持された半導体ウェハＷの表面上に氷粒８を供給
する氷粒供給部９がバルブｌＯを介して連通接続されて
いる。ところで、この氷粒供給部９からは、半導体ウェ
ハＷに形成されたトレンチＴの開口幅寸法以下の粒径と
された氷粒８、すなわち、トレンチ１゛の開口幅寸法が
１μｍである場合には０．１〜０，５μｍというような
粒径の氷粒８が供給されるようになっている。
また、この処理槽３上方の半導体ウェハＷと対向する所
定位置には、氷粒供給部９から供給されて半導体ウェハ
Ｗの表面上に堆積した氷粒８を圧縮するためのシリンダ
機構などからなる圧縮機部１１が設けられており、この
圧縮機部１１には下降動作によって半導体ウェハＷの表
面にまで到達しうる圧縮機１２が伸縮自在に取り付けら
れている。さらにまた、この処理槽３の下側面には、処
理時に注入されていた処理液２を処理終了後に排出する
ためのドレン管１３がバルブ１４を介して連通接続され
る一方、その内底面の内部には、半導体ウェハＷをその
裏面側から加熱するための電熱ヒータなどからなる加熱
部１５が配設されている。
定位置には、氷粒供給部９から供給されて半導体ウェハ
Ｗの表面上に堆積した氷粒８を圧縮するためのシリンダ
機構などからなる圧縮機部１１が設けられており、この
圧縮機部１１には下降動作によって半導体ウェハＷの表
面にまで到達しうる圧縮機１２が伸縮自在に取り付けら
れている。さらにまた、この処理槽３の下側面には、処
理時に注入されていた処理液２を処理終了後に排出する
ためのドレン管１３がバルブ１４を介して連通接続され
る一方、その内底面の内部には、半導体ウェハＷをその
裏面側から加熱するための電熱ヒータなどからなる加熱
部１５が配設されている。
つぎに、上記構成とされた処理装置ｌを用いて行うトレ
ンチへの注水方法を、第２図（ａ）〜（ｄ）で示す半導
体ウェハＷの要部拡大断面図に基づいて説明する。
ンチへの注水方法を、第２図（ａ）〜（ｄ）で示す半導
体ウェハＷの要部拡大断面図に基づいて説明する。
まず、処理すべき半導体ウェハＷをウェハ支持台４上に
！ｌＩ！して保持させたのら、支持台ハンドル５を用い
ることによってウェハ支持台４を処理槽３内に挿入し、
その内底面上に載置する。そして、処理槽３に連通接続
された氷粒供給部９のバルブ１０を開操作し、Ｏｌ〜０
．５μｍというような粒径の氷粒８を供給すると、第２
図（ａ）で示すように、ウェハ支持台４で保持された半
導体ウェハＷの表面上には供給された氷粒８が堆積する
。ついで、圧縮機部１１をｎｉｉ進方向に起動すること
によって圧縮板１２を下降動作させ、半導体ウェハＷの
表面上に堆積していた氷粒８を圧縮板１２で圧縮すると
、第２図（ｂ）で示すように、これらの氷粒８は半導体
ウェハＷの表面上に形成されていたトレンチＴの内部に
押し込まれ、このトレンチＴ内に残存していた気体と混
じり合って共存することになる。
！ｌＩ！して保持させたのら、支持台ハンドル５を用い
ることによってウェハ支持台４を処理槽３内に挿入し、
その内底面上に載置する。そして、処理槽３に連通接続
された氷粒供給部９のバルブ１０を開操作し、Ｏｌ〜０
．５μｍというような粒径の氷粒８を供給すると、第２
図（ａ）で示すように、ウェハ支持台４で保持された半
導体ウェハＷの表面上には供給された氷粒８が堆積する
。ついで、圧縮機部１１をｎｉｉ進方向に起動すること
によって圧縮板１２を下降動作させ、半導体ウェハＷの
表面上に堆積していた氷粒８を圧縮板１２で圧縮すると
、第２図（ｂ）で示すように、これらの氷粒８は半導体
ウェハＷの表面上に形成されていたトレンチＴの内部に
押し込まれ、このトレンチＴ内に残存していた気体と混
じり合って共存することになる。
さらに、圧縮機部１１を後退方向に起動して圧縮板１２
を上昇動作させたのち、加熱部１５を用゛いて半導体ウ
ェハＷを加熱すると、第２図（ｃ）で示すように、トレ
ンチＴ内に押し込まれていた氷粒８が融解させられるこ
とになり、このトレンチＴ内には水が存在することにな
る。そこで、加熱部１５を停止したうえで、処理槽３に
連通接続された処理液供給部６のバルブ７を開操作して
処理槽３の内部に処理液２を注入し、この処理槽３を満
たした処理液２に半導体ウェハＷを浸漬する。
を上昇動作させたのち、加熱部１５を用゛いて半導体ウ
ェハＷを加熱すると、第２図（ｃ）で示すように、トレ
ンチＴ内に押し込まれていた氷粒８が融解させられるこ
とになり、このトレンチＴ内には水が存在することにな
る。そこで、加熱部１５を停止したうえで、処理槽３に
連通接続された処理液供給部６のバルブ７を開操作して
処理槽３の内部に処理液２を注入し、この処理槽３を満
たした処理液２に半導体ウェハＷを浸漬する。
すると、トレンチＴ内に存在する水によって処理液２が
引き込まれて水と処理？＆２とがＺ＋ａされることにな
り、第２図（ｄ）で示すように、トレンチＴの内部にま
で処理液２が侵入することになる。
引き込まれて水と処理？＆２とがＺ＋ａされることにな
り、第２図（ｄ）で示すように、トレンチＴの内部にま
で処理液２が侵入することになる。
そして、一定時間にわたって行われた洗浄というような
所要の処理が終了すると、バルブ１４が開操作されるこ
とによって処理槽３内を満たしていた処理液２がドレイ
ン管１３を通じて排出されることになり、処理が終了し
た半導体ウェハＷを保持したウェハ支持台４は支持台ハ
ンドル５によって処理槽３の外部に取り出される。なお
、この処理は、従来例と同様に処理効率を高めるためめ
超音波エネルギーを加えながら行われるようになってい
る。
所要の処理が終了すると、バルブ１４が開操作されるこ
とによって処理槽３内を満たしていた処理液２がドレイ
ン管１３を通じて排出されることになり、処理が終了し
た半導体ウェハＷを保持したウェハ支持台４は支持台ハ
ンドル５によって処理槽３の外部に取り出される。なお
、この処理は、従来例と同様に処理効率を高めるためめ
超音波エネルギーを加えながら行われるようになってい
る。
以上説明したように、この発明によれば、半導体ウェハ
の表面上に形成されたトレンチの開１」幅寸法が狭くて
も、この内部に存在する水によって処理）夜が引き込ま
れることになり、水と処理液との置換が行われる結果、
処理液はトレンチの内部にまで侵入することになる。し
たがって、侵入した処理液によってトレンチの内部に付
着しているンη染物や不要物を完全に除去するごとがで
きるという優れた効果が得られる。
の表面上に形成されたトレンチの開１」幅寸法が狭くて
も、この内部に存在する水によって処理）夜が引き込ま
れることになり、水と処理液との置換が行われる結果、
処理液はトレンチの内部にまで侵入することになる。し
たがって、侵入した処理液によってトレンチの内部に付
着しているンη染物や不要物を完全に除去するごとがで
きるという優れた効果が得られる。
第１図及び第２図は本発明にかかり、第１図は半導体ウ
ェハ処理装置の概略構成を示す断面図であり、第２図（
ａ）〜（ｄ）はトレンチへの注水方法を示す半導体ウェ
ハの要部拡大断面図である。また、第３図及び第４図は
従来例にかかり、第３図は半導体ウェハ処理装置の概略
構成を示す断面図、第４図（ａ）、 （ｂ）は半導体ウ
ェハの要部拡大断面図である。 図における符号１は処理装置（半導体ウェハ処理装置）
、４はウェハ支持台、９は氷粒供給部、１１は圧縮機部
、１５は加熱部、Ｗは半導体ウェハ、Ｔはトレンチであ
るゆ
ェハ処理装置の概略構成を示す断面図であり、第２図（
ａ）〜（ｄ）はトレンチへの注水方法を示す半導体ウェ
ハの要部拡大断面図である。また、第３図及び第４図は
従来例にかかり、第３図は半導体ウェハ処理装置の概略
構成を示す断面図、第４図（ａ）、 （ｂ）は半導体ウ
ェハの要部拡大断面図である。 図における符号１は処理装置（半導体ウェハ処理装置）
、４はウェハ支持台、９は氷粒供給部、１１は圧縮機部
、１５は加熱部、Ｗは半導体ウェハ、Ｔはトレンチであ
るゆ
Claims (2)
- （１）トレンチが形成された半導体ウェハの表面上に、
粒径がトレンチの開口幅寸法以下とされた氷粒を堆積し
、かつ、該氷粒を圧縮してトレンチの内部に押し込んだ
のち、半導体ウェハを加熱してトレンチ内の氷粒を融解
することを特徴とする半導体ウェハのトレンチへの注水
方法。 - （２）半導体ウェハを水平方向に沿って保持するウェハ
支持台と、半導体ウェハの表面上に粒径がトレンチの開
口幅寸法以下とされた氷粒を供給する氷粒供給部と、半
導体ウェハの表面上に堆積した氷粒を圧縮する圧縮機部
と、半導体ウェハをその裏面側から加熱する加熱部とを
備えたことを特徴とする半導体ウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16476489A JPH0330328A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法に使用する半導体ウェハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16476489A JPH0330328A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法に使用する半導体ウェハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330328A true JPH0330328A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15799484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16476489A Pending JPH0330328A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体ウェハのトレンチへの注水方法及び該方法に使用する半導体ウェハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7431149B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-10-07 | Sanki Engineering Co., Ltd. | Belt junction conveyor |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16476489A patent/JPH0330328A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7431149B2 (en) | 2004-03-17 | 2008-10-07 | Sanki Engineering Co., Ltd. | Belt junction conveyor |
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