JPH0330413A - アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0330413A JPH0330413A JP1166441A JP16644189A JPH0330413A JP H0330413 A JPH0330413 A JP H0330413A JP 1166441 A JP1166441 A JP 1166441A JP 16644189 A JP16644189 A JP 16644189A JP H0330413 A JPH0330413 A JP H0330413A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造工程、特に、フォトリソグ
ラフィー工程において、マスク合せに供される、半導体
基体上に形成されたアライメントマーク構造と、アライ
メントマークの検出に用いられる空間フィルタに関する
。
ラフィー工程において、マスク合せに供される、半導体
基体上に形成されたアライメントマーク構造と、アライ
メントマークの検出に用いられる空間フィルタに関する
。
［発明の概要］
第１請求項記載の発明は、半導体基体上に形成された凸
形状又は凹形状のアライメントマークと該基体表面中心
との間に、該アライメントマーク上に塗布されるレジス
トの段差被覆性の非対称化を抑制するための凸形状又は
凹形状である防波パターンを形成して成るアライメント
マーク構造において、 前記防波パターンからの回折光の進行方向が前記アライ
メントマークからの回折光の進行方向と異なるように、
該防波パターンを回折格子状に形成したことにより、 アライメント精度を向上させるものである。
形状又は凹形状のアライメントマークと該基体表面中心
との間に、該アライメントマーク上に塗布されるレジス
トの段差被覆性の非対称化を抑制するための凸形状又は
凹形状である防波パターンを形成して成るアライメント
マーク構造において、 前記防波パターンからの回折光の進行方向が前記アライ
メントマークからの回折光の進行方向と異なるように、
該防波パターンを回折格子状に形成したことにより、 アライメント精度を向上させるものである。
第２請求項記載の発明は、回折光の検出に用いられる空
間フィルタにおいて、 半導体基体上に形成されたアライメントマークからの回
折光を選択的に通過させるスリット形状の光透過部を有
することにより、 アライメントマーク部の回折光のみを検出し得るように
して、アライメント精度の向上を図ったものである。
間フィルタにおいて、 半導体基体上に形成されたアライメントマークからの回
折光を選択的に通過させるスリット形状の光透過部を有
することにより、 アライメントマーク部の回折光のみを検出し得るように
して、アライメント精度の向上を図ったものである。
［従来の技術］
半導体デバイスの微細化が進むと伴に、アライメント（
マスク合わせ）も高い精度が要求されており、一般にデ
ザインルールの１／４〜１／３程度の精度を必要とされ
る。従来、ステッパのアライメントマークとしては、第
７図に示すような、回折格子状の凸形成パターンｌａを
半導体基板（ウェハ）上に形成してなるアライメントマ
ーク１が用いられている。
マスク合わせ）も高い精度が要求されており、一般にデ
ザインルールの１／４〜１／３程度の精度を必要とされ
る。従来、ステッパのアライメントマークとしては、第
７図に示すような、回折格子状の凸形成パターンｌａを
半導体基板（ウェハ）上に形成してなるアライメントマ
ーク１が用いられている。
一方、このような半導体基板上にフォトレジストを回転
塗布する場合、半導体基板の中心（回転中心）に位置す
るアライメントマーク１では、第１１図に示すように、
フォトレノスト２の段差被覆性（ステップカバレッジ）
は、該半導体基板の半径方向の断面で見ると対称性を有
しているが、半導体基板の周辺部に位置するアライメン
トマークｌでは、第１２図に示すように、非対称となり
、このため、アライメントマークｌを光学的に検出する
際にアライメントずれが生じる問題があった。
塗布する場合、半導体基板の中心（回転中心）に位置す
るアライメントマーク１では、第１１図に示すように、
フォトレノスト２の段差被覆性（ステップカバレッジ）
は、該半導体基板の半径方向の断面で見ると対称性を有
しているが、半導体基板の周辺部に位置するアライメン
トマークｌでは、第１２図に示すように、非対称となり
、このため、アライメントマークｌを光学的に検出する
際にアライメントずれが生じる問題があった。
この問題を解決するため、第８図に示すように、アライ
メントマークｌの周囲に所謂防波堤となる凸条体でなる
防波パターン３を半導体基板上に形成したものが創案さ
れている。斯る半導体基板上にフォトレジスト２を回転
塗布したときの対称性は、第１３図で示すように、基板
中心に近い側の防波パターン３上でやや乱れるものの、
アライメントマークＩ（Ｉａ）上では対称となり、光学
的位置検出による検出ずれの防止を図っている。
メントマークｌの周囲に所謂防波堤となる凸条体でなる
防波パターン３を半導体基板上に形成したものが創案さ
れている。斯る半導体基板上にフォトレジスト２を回転
塗布したときの対称性は、第１３図で示すように、基板
中心に近い側の防波パターン３上でやや乱れるものの、
アライメントマークＩ（Ｉａ）上では対称となり、光学
的位置検出による検出ずれの防止を図っている。
斯るアライメントマークｌを位置検出する場合、第１４
図に示すような方法が行なわれる。
図に示すような方法が行なわれる。
即ち、この方法は、露光波長とは異なる単色光（例えば
レーザ光など）のビームを半導体基板上に照射し、アラ
イメントマーク１からの反射光を、レンズ４９反射鏡５
及び空間フィルタ６を介して、図示しない信号処理系へ
導き信号波形の検出を行なうものであり、前記空間フィ
ルタ６は第１５図に示す通りある。この空間フィルタ６
は中央の両脇に矩形状のスリット６ａが形成され、この
スＩＪット６ａが回折光のうち１次光〜３次光Ａ１．Ａ
２゜Ａ３のみを通過させるように設定されている。
レーザ光など）のビームを半導体基板上に照射し、アラ
イメントマーク１からの反射光を、レンズ４９反射鏡５
及び空間フィルタ６を介して、図示しない信号処理系へ
導き信号波形の検出を行なうものであり、前記空間フィ
ルタ６は第１５図に示す通りある。この空間フィルタ６
は中央の両脇に矩形状のスリット６ａが形成され、この
スＩＪット６ａが回折光のうち１次光〜３次光Ａ１．Ａ
２゜Ａ３のみを通過させるように設定されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記したような従来例にあっては、以下
に述べるような問題点を有している。
に述べるような問題点を有している。
即ち、アライメントマークｌの周囲に防波パターン３を
形成した従来例にあっては、そのアライメント信号の波
形が第１Ｏ図に示すように両脇に広がった形状となり、
位置検出に悪影響を与える問題点を有する。なお、第９
図は、第７図に示したアライメントマーク１のアライメ
ント信号を示す波形図である。
形成した従来例にあっては、そのアライメント信号の波
形が第１Ｏ図に示すように両脇に広がった形状となり、
位置検出に悪影響を与える問題点を有する。なお、第９
図は、第７図に示したアライメントマーク１のアライメ
ント信号を示す波形図である。
また、従来の空間フィルタ６を用いてアライメント信号
を検出した場合、特にアルミニウム等のように表面が荒
く、高反射率を有する基板では、乱反射が強いため、第
１６図に示すように、アライメント信号の波形の両脇部
にノイズ（破線で示す）が生じる問題点があり、このた
め、アライメントの誤差が大きいものであった。
を検出した場合、特にアルミニウム等のように表面が荒
く、高反射率を有する基板では、乱反射が強いため、第
１６図に示すように、アライメント信号の波形の両脇部
にノイズ（破線で示す）が生じる問題点があり、このた
め、アライメントの誤差が大きいものであった。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、防波パターンからの反射が抑制され、
アライメント精度の向上を可能にするアライメントマー
ク構造及び空間フィルタを得んとするものである。
たものであって、防波パターンからの反射が抑制され、
アライメント精度の向上を可能にするアライメントマー
ク構造及び空間フィルタを得んとするものである。
［課題を解決するための手段］
そこで、第１の発明は、半導体基体上に形成された凸形
状又は凹形状のアライメントマークと該基体表面中心と
の間に、該アライメントマーク上に塗布されるレジスト
の段差被覆性の非対称化を抑制するための凸形状又は凹
形状である防波パターンを形成して成るアライメントマ
ーク構造において、前記防波パターンからの回折光の進
行方向が前記アライメントマークからの回折光の進行方
向と異なるように、該防波パターンを回折格子状に形成
したことを、その解決手段としている。
状又は凹形状のアライメントマークと該基体表面中心と
の間に、該アライメントマーク上に塗布されるレジスト
の段差被覆性の非対称化を抑制するための凸形状又は凹
形状である防波パターンを形成して成るアライメントマ
ーク構造において、前記防波パターンからの回折光の進
行方向が前記アライメントマークからの回折光の進行方
向と異なるように、該防波パターンを回折格子状に形成
したことを、その解決手段としている。
また、第２の発明は、回折光の検出に用いられる空間フ
ィルタにおいて、半導体基体上に形成されたアライメン
トマークからの回折光を選択的に通過させるスリット形
状の光透過部を有することを、その解決手段としている
。
ィルタにおいて、半導体基体上に形成されたアライメン
トマークからの回折光を選択的に通過させるスリット形
状の光透過部を有することを、その解決手段としている
。
［作用］
第１の発明にあっては、防波パターンからの回折光は、
アライメントマークからの回折光とその進行方向と異な
るため、アライメントマークからの回折光のみを検出す
ることが可能となる。このため、アライメント信号のＳ
／Ｎ比を向上出来、アライメント精度を向上する。
アライメントマークからの回折光とその進行方向と異な
るため、アライメントマークからの回折光のみを検出す
ることが可能となる。このため、アライメント信号のＳ
／Ｎ比を向上出来、アライメント精度を向上する。
第２の発明にあっては、光透過部が、アライメントマー
クからの回折光のみを選択的に通過させ、アライメント
マークからの回折光の信号波形にノイズが入るのを防止
する。
クからの回折光のみを選択的に通過させ、アライメント
マークからの回折光の信号波形にノイズが入るのを防止
する。
［実施例］
以下、本発明に係るアライメントマーク構造及び空間フ
ィルタの詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
ィルタの詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図Ａは、本発明に係るアライメントマーク構造を示
す実施例の平面図であり、第１図Ｂは、同図ＡのＲ−Ｂ
視断面図である。
す実施例の平面図であり、第１図Ｂは、同図ＡのＲ−Ｂ
視断面図である。
図中、１１はアライメントマークであって、基体である
半導体基板（ウェハ）１０の表面へ、直線上に間欠的に
凸段させた複数のアライメント突起１１ａ＝ＩＩａで回
折格子状に構成されている。
半導体基板（ウェハ）１０の表面へ、直線上に間欠的に
凸段させた複数のアライメント突起１１ａ＝ＩＩａで回
折格子状に構成されている。
斯るアライメントマークＩＩの両側方には、アライメン
トマーク１１と平行を成す防波パターン１２が半導体基
板１０上に形成されている。この防波パターン１２は、
アライメントマーク１１上方で細長い突堤形状の防波突
堤１２ｂと、この防波突堤！２ｂの両端の長手方向に間
欠的に延設した複数の防波突起１２ａとから構成されて
いる。
トマーク１１と平行を成す防波パターン１２が半導体基
板１０上に形成されている。この防波パターン１２は、
アライメントマーク１１上方で細長い突堤形状の防波突
堤１２ｂと、この防波突堤！２ｂの両端の長手方向に間
欠的に延設した複数の防波突起１２ａとから構成されて
いる。
なお、アライメントマーク１１のピッチｐと防波突起１
２ａの回折格子のピッチＱとは、４λ／ｐ≦λ／Ｑ 、
１２＜ｐ／４の関係を有するように設定されている。
２ａの回折格子のピッチＱとは、４λ／ｐ≦λ／Ｑ 、
１２＜ｐ／４の関係を有するように設定されている。
そして、アライメントマーク１１からの回折光は、第１
５図に示すように、１次光〜３次光Ａ＋。
５図に示すように、１次光〜３次光Ａ＋。
Ａｔ、Ａｓのみが空間フィルタ６のスリット６ａ。
６ａを通過出来、また、防波突起１２ａからの光は、ア
ライメントマーク１１からの光の４次以上の高次の回折
方向に進むように設定されている。
ライメントマーク１１からの光の４次以上の高次の回折
方向に進むように設定されている。
本実施例によれば、半導体基板１０上にフォトレジスト
を回転塗布した場合、防波突堤＋２ｈがアライメントマ
ーク１１上に被覆するフォトレジストのステップカバレ
ッジの非対称化を防止する。
を回転塗布した場合、防波突堤＋２ｈがアライメントマ
ーク１１上に被覆するフォトレジストのステップカバレ
ッジの非対称化を防止する。
また、防波突起１２ａからの回折光は、空間フィルタ６
で遮光されるため、防波パターン１２からの回折光がア
ライメンＩ・信号に悪影響を及ぼすのを抑制することが
出来る。
で遮光されるため、防波パターン１２からの回折光がア
ライメンＩ・信号に悪影響を及ぼすのを抑制することが
出来る。
なお、第３図及び第４図は、格子間隔（ピッチ）ｐのア
ライメントマーク１１に垂直に波長λの単色光を入射さ
せるとき、１個の格子（アライメント突起１１λ）によ
る入射光の回折角をθとすると、それぞれのアライメン
ト突起１！ユから回折した光がすべて同位相となり強め
合う状態（第３図）と、回折角がθ、で位相がズして弱
め合う状態（第４図）を示している。
ライメントマーク１１に垂直に波長λの単色光を入射さ
せるとき、１個の格子（アライメント突起１１λ）によ
る入射光の回折角をθとすると、それぞれのアライメン
ト突起１！ユから回折した光がすべて同位相となり強め
合う状態（第３図）と、回折角がθ、で位相がズして弱
め合う状態（第４図）を示している。
第２図は、本発明に係るアライメント構造の他の実施例
を示す平面図である。この実施例に係るアライメントマ
ーク構造は、上記した実施例と同様のピッチｐで間欠的
に突設されたアライメント突起１１ａ〜Ｉｌａで成るア
ライメントマーク１１と、このアライメントマーク１１
の両側方に当該アライメントマーク１１と平行で、１つ
ピッチＱで間欠的に形成された防波宋起１２ａ〜１２ａ
で成る防波パターン１２．１２と、から構成されている
。本実施例においても、上記実施例と同様にアライメン
トマークＩＩのピッチｐと防波パターン！２のピッチＱ
との間に、４λ／ｐ≦λ／１２、ｇ≦ｐ／４の関係を有
し、防波パターン１２の回折光が、アライメントマーク
１１からの回折光の４次以上の高次の回折方向に進むよ
うに設定されている。
を示す平面図である。この実施例に係るアライメントマ
ーク構造は、上記した実施例と同様のピッチｐで間欠的
に突設されたアライメント突起１１ａ〜Ｉｌａで成るア
ライメントマーク１１と、このアライメントマーク１１
の両側方に当該アライメントマーク１１と平行で、１つ
ピッチＱで間欠的に形成された防波宋起１２ａ〜１２ａ
で成る防波パターン１２．１２と、から構成されている
。本実施例においても、上記実施例と同様にアライメン
トマークＩＩのピッチｐと防波パターン！２のピッチＱ
との間に、４λ／ｐ≦λ／１２、ｇ≦ｐ／４の関係を有
し、防波パターン１２の回折光が、アライメントマーク
１１からの回折光の４次以上の高次の回折方向に進むよ
うに設定されている。
このため、第１５図に示すような空間フィルタ６を用い
た場合、該フィルタに形成したスリット６ａには、防波
パターン１２からの回折光が透過することがなく、アラ
イメントマーク精度を向上することが可能となる。
た場合、該フィルタに形成したスリット６ａには、防波
パターン１２からの回折光が透過することがなく、アラ
イメントマーク精度を向上することが可能となる。
次に、本発明に係る空間フィルタの実施例を第５図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
同図中、１３は空間フィルタを示しており、この空間フ
ィルタ暑３には、第１５図に示すような１次光〜３次光
、Ａ＋、Ａｔ、Ａｓのみが透過し得るように、中央部両
側部に夫々３条のスリット１３ａ、１３ａ、１３ａが形
成されている。
ィルタ暑３には、第１５図に示すような１次光〜３次光
、Ａ＋、Ａｔ、Ａｓのみが透過し得るように、中央部両
側部に夫々３条のスリット１３ａ、１３ａ、１３ａが形
成されている。
斯る空間フィルタ１３を用いる場合、アライメント光の
方向をθとすると、ｓｉｎθ＝ｎλ／ｐであり、且つ防
波突起１２ａからの回折光方向をψとするとｓｉｎψ＝
ｎλ／Ｑであり、整数ｎが（ｎ ＋ １ ／ ２ ）に
なると光の振幅が打ち消し合って暗くなる方向とすると
、アライメント光に、防波堤からの光が紛れ込まないよ
うにすればよいため、 ｎ入／ ｐ＝ （ｎ ＋ Ｉ ／ ２ ）λ／ｉ２ 。
方向をθとすると、ｓｉｎθ＝ｎλ／ｐであり、且つ防
波突起１２ａからの回折光方向をψとするとｓｉｎψ＝
ｎλ／Ｑであり、整数ｎが（ｎ ＋ １ ／ ２ ）に
なると光の振幅が打ち消し合って暗くなる方向とすると
、アライメント光に、防波堤からの光が紛れ込まないよ
うにすればよいため、 ｎ入／ ｐ＝ （ｎ ＋ Ｉ ／ ２ ）λ／ｉ２ 。
ぐ＝ｐ（２ｎ＋１）／２ｎ
の関係が成立するように設定すればよい。また、（ｎ
＋Ｉ ／ ２ ）λ／ｐの方向は空間フィルタ１３で遮
断されているため、この方向に防波突起１２λの回折光
を集中させてもよい。この場合、ピッチＱとピッチｐと
の関係は１２＝ｐ２ｎ／（２ｎ＋１）で表わされる。
＋Ｉ ／ ２ ）λ／ｐの方向は空間フィルタ１３で遮
断されているため、この方向に防波突起１２λの回折光
を集中させてもよい。この場合、ピッチＱとピッチｐと
の関係は１２＝ｐ２ｎ／（２ｎ＋１）で表わされる。
なお、上記空間フィルタＩ３にあってスリット１３ａを
中央部で挾むように夫々３条ずつ形成して、アライメン
ト突起１１ａの回折光のうら１〜３次光を透過させるよ
うにしたが、スリット１３λの数を変更してもよい。
中央部で挾むように夫々３条ずつ形成して、アライメン
ト突起１１ａの回折光のうら１〜３次光を透過させるよ
うにしたが、スリット１３λの数を変更してもよい。
本実施例によれば、第６図に示すように、アライメント
信号のＳ／Ｎ比が向上出来、アライメント精度が向上す
る。特に、半導体基板１０上にアルミニウム粒などや、
下地の荒れによる反射光がある場合、本実施例に係る空
間フィルタ１３を用いれば、アライメント信号にノイズ
が発生するのを防止することが可能である。
信号のＳ／Ｎ比が向上出来、アライメント精度が向上す
る。特に、半導体基板１０上にアルミニウム粒などや、
下地の荒れによる反射光がある場合、本実施例に係る空
間フィルタ１３を用いれば、アライメント信号にノイズ
が発生するのを防止することが可能である。
以上、実施例について説明したが、本発明は、この他に
各種設計変更が可能であり、例えば、アライメントマー
ク及び防波パターンは凸形状に限らず凹形状のものであ
ってもよい。
各種設計変更が可能であり、例えば、アライメントマー
ク及び防波パターンは凸形状に限らず凹形状のものであ
ってもよい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係るアライメ
ントマーク構造によれば、防波パターンからの反射光を
抑制できるため、アライメント精度を向上する効果があ
る。
ントマーク構造によれば、防波パターンからの反射光を
抑制できるため、アライメント精度を向上する効果があ
る。
また、本発明に係る空間フィルタによればアライメント
マークの回折光のみを取り出してアライメントできるた
め、アライメント信号のＳ／Ｎ比が向上でき、アライメ
ント精度を高める効果がある。
マークの回折光のみを取り出してアライメントできるた
め、アライメント信号のＳ／Ｎ比が向上でき、アライメ
ント精度を高める効果がある。
ｍ１図Ａは本発明に係るアライメントマーク構造の実施
例を示す平面図、第１図Ｂは同図へのＢ−Ｂ視断面図、
第２図はアライメントマーク構造の他の実施例を示す平
面図、第３図は同位惧の回折光を示す説明図、第４図は
位相がズした回折光を示す説明図、第５図は本発明に係
る空間フィルタを示す平面図、第６図はアライメント信
号を示す波形図、第７図及び第８図は従来のアライメン
トマークを示す平面図、第９図及び東１０図はアライメ
ント信号を示す波形図、第１１図〜第１３図は従来例の
断面図、第１４図は位相検出方法の概略説明図、第１５
図は空間フィルタの平面図、第１６図はアライメント信
号を示す波形図である。 １０・・・半導体基板、１１・・・アライメントマーク
、１１ａ・・・アライメント突起、１２・・・防波パタ
ーン、１２ａ・・・防波突起、１２ｂ・・・防波突堤、
１３・・・空間フィルタ、１３ａ・・・スリット。 第４ 図 アライメントイ吉号 第６図 アライメントイ忘号 第９図 アライメント化ち 第１０図 布！ｌＩ孜出刃出方法勢説明図 第１４図 基板中１ｕ杏しの断面図（凝釆イグｌｌ）第１１図 ０ 第１２図 イ亡のイ疋釆イ列の基括Ｉ′ｆｌ瓜訃の訴面口第１３図 安間フィルグの平面図 第１５図 アライメント４号 第１６図
例を示す平面図、第１図Ｂは同図へのＢ−Ｂ視断面図、
第２図はアライメントマーク構造の他の実施例を示す平
面図、第３図は同位惧の回折光を示す説明図、第４図は
位相がズした回折光を示す説明図、第５図は本発明に係
る空間フィルタを示す平面図、第６図はアライメント信
号を示す波形図、第７図及び第８図は従来のアライメン
トマークを示す平面図、第９図及び東１０図はアライメ
ント信号を示す波形図、第１１図〜第１３図は従来例の
断面図、第１４図は位相検出方法の概略説明図、第１５
図は空間フィルタの平面図、第１６図はアライメント信
号を示す波形図である。 １０・・・半導体基板、１１・・・アライメントマーク
、１１ａ・・・アライメント突起、１２・・・防波パタ
ーン、１２ａ・・・防波突起、１２ｂ・・・防波突堤、
１３・・・空間フィルタ、１３ａ・・・スリット。 第４ 図 アライメントイ吉号 第６図 アライメントイ忘号 第９図 アライメント化ち 第１０図 布！ｌＩ孜出刃出方法勢説明図 第１４図 基板中１ｕ杏しの断面図（凝釆イグｌｌ）第１１図 ０ 第１２図 イ亡のイ疋釆イ列の基括Ｉ′ｆｌ瓜訃の訴面口第１３図 安間フィルグの平面図 第１５図 アライメント４号 第１６図
Claims (2)
- （１）半導体基体上に形成された凸形状又は凹形状のア
ライメントマークと該基体表面中心との間に、該アライ
メントマーク上に塗布されるレジストの段差被覆性の非
対称化を抑制するための凸形状又は凹形状である防波パ
ターンを形成して成るアライメントマーク構造において
、 前記防波パターンからの回折光の進行方向が前記アライ
メントマークからの回折光の進行方向と異なるように、
該防波パターンを回折格子状に形成したことを特徴とす
るアライメントマーク構造。 - （２）回折光の検出に用いられる空間フィルタにおいて
、 半導体基体上に形成されたアライメントマークからの回
折光を選択的に通過させるスリット形状の光透過部を有
することを特徴とする空間プール
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166441A JP2906451B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166441A JP2906451B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330413A true JPH0330413A (ja) | 1991-02-08 |
| JP2906451B2 JP2906451B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=15831462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166441A Expired - Lifetime JP2906451B2 (ja) | 1989-06-28 | 1989-06-28 | アライメントマーク構造及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906451B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020036739A (ko) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | 가네꼬 히사시 | 정렬마크 |
-
1989
- 1989-06-28 JP JP1166441A patent/JP2906451B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020036739A (ko) * | 2000-11-10 | 2002-05-16 | 가네꼬 히사시 | 정렬마크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906451B2 (ja) | 1999-06-21 |
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