JPH0330490A - 集積型光学的デバイスの製造方法 - Google Patents
集積型光学的デバイスの製造方法Info
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- JPH0330490A JPH0330490A JP2155574A JP15557490A JPH0330490A JP H0330490 A JPH0330490 A JP H0330490A JP 2155574 A JP2155574 A JP 2155574A JP 15557490 A JP15557490 A JP 15557490A JP H0330490 A JPH0330490 A JP H0330490A
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- etching
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- mirror
- etched
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、平坦でないストライプ導波路を持つ集積型光
学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良する方法に関
するものである。本発明は具体的には、山脈型（リッジ
： ｒｉｄｇｅ ）半導体１ノーザ又は溝型（グループ
： ８ｒｏｏｖｅ ）半導体レーザのような活性導波路
及び不活性導波路を持つデバイス、さらに集積型光学変
調器及び集積型光学切換器のエツチング鏡面（ｃｔｃｈ
ｅｄ ｍ１ｒｒｏｒ ｆａｃｅｔ）の平坦性を改良する
方法に関するものである。
学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良する方法に関
するものである。本発明は具体的には、山脈型（リッジ
： ｒｉｄｇｅ ）半導体１ノーザ又は溝型（グループ
： ８ｒｏｏｖｅ ）半導体レーザのような活性導波路
及び不活性導波路を持つデバイス、さらに集積型光学変
調器及び集積型光学切換器のエツチング鏡面（ｃｔｃｈ
ｅｄ ｍ１ｒｒｏｒ ｆａｃｅｔ）の平坦性を改良する
方法に関するものである。
［従来の技術］
平坦でないストライプ導波路構造を持つ集積型光学デバ
イスは、半導体技術分野だけでなく広範囲の情報を扱う
システムにおいても適用されてきた。なぜなら、小型で
あり、関連する電子回路機構の技術と互換性があるから
である。
イスは、半導体技術分野だけでなく広範囲の情報を扱う
システムにおいても適用されてきた。なぜなら、小型で
あり、関連する電子回路機構の技術と互換性があるから
である。
今日使用されている最も重要なストライプ導波路構造体
の１つに、半導体ダイオードレーザがある。これは特に
データ通信、光メモリ及びレーザ印刷システムの分野で
の応用に適する。性能をさらに改善するために、オプト
エレクトロニクス集積回路の集積化のスケールを増やす
努力がなされている。即ち、半導体レーザの少なくとも
一つの襞間鏡面を、エツチング鏡面で置き換えることが
要求される。もし良質のエツチング鏡面が製造できるな
らば、モニターダイオード及び電気回路の集積化が実現
されるばかりでなく、ウェーハレベルにおける鏡面コー
ティング及び鏡面試験のようなプロセスも実施可能とな
る。このことは、処理工程の削減、小止りの向上並びに
製造及び試験コストの減少に寄与する。
の１つに、半導体ダイオードレーザがある。これは特に
データ通信、光メモリ及びレーザ印刷システムの分野で
の応用に適する。性能をさらに改善するために、オプト
エレクトロニクス集積回路の集積化のスケールを増やす
努力がなされている。即ち、半導体レーザの少なくとも
一つの襞間鏡面を、エツチング鏡面で置き換えることが
要求される。もし良質のエツチング鏡面が製造できるな
らば、モニターダイオード及び電気回路の集積化が実現
されるばかりでなく、ウェーハレベルにおける鏡面コー
ティング及び鏡面試験のようなプロセスも実施可能とな
る。このことは、処理工程の削減、小止りの向上並びに
製造及び試験コストの減少に寄与する。
集積化及び製造の改善に加えて、エツチング鏡面は、非
常に短い共振レーザ、溝型結合共振Ｉフープ、ビーム偏
向器及び面発光体の実現を可能にする。また、湾曲しか
つ傾斜した鏡面を有する新型のレーザ及び導波路構造体
は、エツチング技術を用いて製造できる。
常に短い共振レーザ、溝型結合共振Ｉフープ、ビーム偏
向器及び面発光体の実現を可能にする。また、湾曲しか
つ傾斜した鏡面を有する新型のレーザ及び導波路構造体
は、エツチング技術を用いて製造できる。
高性能の応用に適するとして選択されてきたレーザ構造
体の１つに、いわゆるリッジＧＲＩＮＳＣＨ（クレーデ
ッド形分離閉込めヘテロ接合（Ｇｒａｄｅｄ −１ｎｄ
ｅｘ Ｓ ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎ
ｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ） ）半導体レー
ザがある。例えば、「高出力リツジ導波路アルミニウム
ガリウムヒ素ＧＩｔｌＮＳＣＨ半導体レーザ（Ｈｉｇｈ
−ｐ ｏｗｅｒＲｉｄ８ｅ−Ｗａｒｅｇｕ！ｄｅ Ａ）
ＧａＡｓ ＧＲＩＮ、５ＣＨＬａｓｅｒ １）ｉｏｄ
ｅ） Ｊ （ａｈ、 Ｈａｒｄｅｒらによる。
体の１つに、いわゆるリッジＧＲＩＮＳＣＨ（クレーデ
ッド形分離閉込めヘテロ接合（Ｇｒａｄｅｄ −１ｎｄ
ｅｘ Ｓ ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎ
ｔＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ） ）半導体レー
ザがある。例えば、「高出力リツジ導波路アルミニウム
ガリウムヒ素ＧＩｔｌＮＳＣＨ半導体レーザ（Ｈｉｇｈ
−ｐ ｏｗｅｒＲｉｄ８ｅ−Ｗａｒｅｇｕ！ｄｅ Ａ）
ＧａＡｓ ＧＲＩＮ、５ＣＨＬａｓｅｒ １）ｉｏｄ
ｅ） Ｊ （ａｈ、 Ｈａｒｄｅｒらによる。
Ｅ １ｅｃｔｒ、 ｌ、ｅｔｔ、、 Ｖｏｌ、 ２２、
Ｎｏ、２２．１９８６年９月２５日ｐｐ、 １０８１〜
１０８２参照）の論文に記載されている。これは、きわ
めて低い電力で質の高いビームを与え、しかも効率が非
常に良い。従って、特に高速光学相互接続にきわめて重
要な高信頼性の可能性を有する。簡易で確立されたプロ
セスを用いて製造されるリッジ導波路は、横モードを効
果的に安定させる。きわめて低いしきい値電流及び電流
密度を持つＧＲＩＮＳＣＨ半導体レーザ構造体が発表さ
れてきた。
Ｎｏ、２２．１９８６年９月２５日ｐｐ、 １０８１〜
１０８２参照）の論文に記載されている。これは、きわ
めて低い電力で質の高いビームを与え、しかも効率が非
常に良い。従って、特に高速光学相互接続にきわめて重
要な高信頼性の可能性を有する。簡易で確立されたプロ
セスを用いて製造されるリッジ導波路は、横モードを効
果的に安定させる。きわめて低いしきい値電流及び電流
密度を持つＧＲＩＮＳＣＨ半導体レーザ構造体が発表さ
れてきた。
速いエツチング速度（４μｍ〜６μｍのエツチング深さ
）、レーザ構造体の様々な材料に対する遅いエツチング
速度選択性、損傷の少ない垂直のなめらかな面及びλ／
１０より小さい表面粗さが、レーザ鏡のエツチングプロ
セスに要求される主なものである。
）、レーザ構造体の様々な材料に対する遅いエツチング
速度選択性、損傷の少ない垂直のなめらかな面及びλ／
１０より小さい表面粗さが、レーザ鏡のエツチングプロ
セスに要求される主なものである。
アルミニウム濃度を変化させた層と、ともに、ｌｌｌ−
■型化合物（例えばＡ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓ）レーザ構
造体内に垂直なエツチング鏡面を製造するためのこれま
で知られている最良の方法は、化学的補助イオンビーム
エツチング（ＣＡＩＢＥ）である。
■型化合物（例えばＡ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓ）レーザ構
造体内に垂直なエツチング鏡面を製造するためのこれま
で知られている最良の方法は、化学的補助イオンビーム
エツチング（ＣＡＩＢＥ）である。
例えば、「高品質レーザ鏡面のための化学的補助イオン
ビームエツチング（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｓ５ｉｓ
ｔｅｄＩｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎ８Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ ｆｏｒ ＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙ Ｌａ５ｅｒ Ｍ
ｉｒｒｏｒｓ） Ｊ （Ｐ、 Ｂｕｃｈｍａｎｎらに
よる。Ｉｎｔ、Ｃｏｎｆ、 ｏｎ Ｍ！ｃｒｏｌｆｔｈ
ｏ８ｒａｐｈｙ。
ビームエツチング（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ Ａｓ５ｉｓ
ｔｅｄＩｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎ８Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ ｆｏｒ ＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙ Ｌａ５ｅｒ Ｍ
ｉｒｒｏｒｓ） Ｊ （Ｐ、 Ｂｕｃｈｍａｎｎらに
よる。Ｉｎｔ、Ｃｏｎｆ、 ｏｎ Ｍ！ｃｒｏｌｆｔｈ
ｏ８ｒａｐｈｙ。
Ｖｉｅｎｎａ、 １９８８年９月）の論文や、「高出
力エツチングし面レーザ（Ｈ１３ｈ−Ｐ ｏｗｅｒ Ｅ
ｔｃｈｅｄ−Ｆ ａｃｅｔＬａｓｅｒ） Ｊ （Ｐ
、 Ｔ １ｈａｎｙｉらによる。Ｅｌｅｃｔｒ。
力エツチングし面レーザ（Ｈ１３ｈ−Ｐ ｏｗｅｒ Ｅ
ｔｃｈｅｄ−Ｆ ａｃｅｔＬａｓｅｒ） Ｊ （Ｐ
、 Ｔ １ｈａｎｙｉらによる。Ｅｌｅｃｔｒ。
１、ｅｔｔ、、 Ｖｏｌ、２３、Ｎｏ、１５．１９８７
年７月１６日、ｐｐ、 ７７２〜７７８参照）の論文に
、このようなプロセスは発表されている。
年７月１６日、ｐｐ、 ７７２〜７７８参照）の論文に
、このようなプロセスは発表されている。
しかし、光メモリ及び単一モードのファイバ通信に用い
られる単一モードのレーザに、特に重要となる追加の要
求がある。光モード領域内で鏡面が少しでも湾曲してい
ると、反射光及び透過光の両方に位相シフト歪曲（ゆが
み）が生じる。強い位相シフト歪曲（ゆがみ）を伴う反
射光は、後退導波モードの結合係数を持つ。言い換えれ
ば、単一モード導波路の湾曲した鏡面の効果的な反射性
は低下し、しきい値電流は増加する。そのような位相歪
曲（ゆがみ）は、レーザ出力ビームの遠視野パターンに
おいても目立つ（サイドローブ、マルチローブ）。遠視
野の非ガウスビームの形状は、簡易な光学系を用いて理
想解析限定スポットにビームの焦点を合わせることがで
きないので、磁気光学ディスクのようなものの可能記憶
帯／ｘ、を減少させるということを意味する。
られる単一モードのレーザに、特に重要となる追加の要
求がある。光モード領域内で鏡面が少しでも湾曲してい
ると、反射光及び透過光の両方に位相シフト歪曲（ゆが
み）が生じる。強い位相シフト歪曲（ゆがみ）を伴う反
射光は、後退導波モードの結合係数を持つ。言い換えれ
ば、単一モード導波路の湾曲した鏡面の効果的な反射性
は低下し、しきい値電流は増加する。そのような位相歪
曲（ゆがみ）は、レーザ出力ビームの遠視野パターンに
おいても目立つ（サイドローブ、マルチローブ）。遠視
野の非ガウスビームの形状は、簡易な光学系を用いて理
想解析限定スポットにビームの焦点を合わせることがで
きないので、磁気光学ディスクのようなものの可能記憶
帯／ｘ、を減少させるということを意味する。
リッジ導波路及びいくつかの溝を掘った基板レーザの場
合、即ち平坦でない導波管構造体が用いられる場合のよ
うに、レーザの構造体が明白な表面の凹凸（トポグラフ
ィ： ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ）を有する時には、鏡面
を平坦にすることは非常に困難であるとされてきた。鏡
面の湾曲を引き起こす２つの主な影響がある。
合、即ち平坦でない導波管構造体が用いられる場合のよ
うに、レーザの構造体が明白な表面の凹凸（トポグラフ
ィ： ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ）を有する時には、鏡面
を平坦にすることは非常に困難であるとされてきた。鏡
面の湾曲を引き起こす２つの主な影響がある。
１、トポグラフィ／リソグラフィ；エツチングマスク層
の付着はいくらかの平坦化を生む。即ち、リッジレーザ
に対して、マスクをその両側のエツチングされる水平面
よりもリッジ上で薄くする。
の付着はいくらかの平坦化を生む。即ち、リッジレーザ
に対して、マスクをその両側のエツチングされる水平面
よりもリッジ上で薄くする。
これは、マスクを製造している間にリッジの位置におい
てマスクエツジ内への凹部な引き起こす。
てマスクエツジ内への凹部な引き起こす。
この凹部は、異方性エツチングプロセスによって鏡面内
へ遷移する。この凹部は、わずか２０〜３Ｑｎｍないし
５００ｎｍにすぎないが、ＧａＡｓレーザ内のλ／２は
ｌｌＱｎｍに相当するためにレーザ光の波面に有害であ
る。実験において、鏡面の湾曲にウェーハ同志の大きな
変形が観察された。主な歪曲（ゆがみ）は、リッジのエ
ツジ下で生じる。
へ遷移する。この凹部は、わずか２０〜３Ｑｎｍないし
５００ｎｍにすぎないが、ＧａＡｓレーザ内のλ／２は
ｌｌＱｎｍに相当するためにレーザ光の波面に有害であ
る。実験において、鏡面の湾曲にウェーハ同志の大きな
変形が観察された。主な歪曲（ゆがみ）は、リッジのエ
ツジ下で生じる。
２．１面エツチングプロセス：鏡面の形成に使用される
プロセスは（例えばＣＡＩＢＥ）、異方性に依存する表
面の湾曲及びエツチングプロセスにおけるアンダーカッ
トも導入することができる。
プロセスは（例えばＣＡＩＢＥ）、異方性に依存する表
面の湾曲及びエツチングプロセスにおけるアンダーカッ
トも導入することができる。
もしエツチングの系に化学的反応性ガスを導入するなら
ば、活性種の局部密度は生じたトポグラフィに従って変
化し、その結果、エツチングされた面をさらに湾曲させ
る。
ば、活性種の局部密度は生じたトポグラフィに従って変
化し、その結果、エツチングされた面をさらに湾曲させ
る。
湾曲の問題は以前から認識されており、「イオンビーム
エツチングを用いたフォトダイオードを半導体集積回路
に組み込んだＧａＡｓ／ＡノＧａＡＳリッジ導波路レー
ザ（ＧａＡｓ／Ａ）ＧａＡｓ ＲｉｄｇｅＷａｖｅ８ｕ
ｉｄｅ Ｌａ５ｅｒ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ
Ｉ ｎｔｅ８ｒａｔｅｄｗｉｔｈ ａ Ｐｈｏｔｏ
ｄｉｏｄｅ Ｌｌｓｉｎｇ Ｉ ｏｎ Ｂｅａｍ
Ｅｔｃｈｉｎｇ） Ｊ（Ｎ 、 Ｂ ｏｕａｄｍａ
らによる。Ｅｌｅｃｔｒ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ。
エツチングを用いたフォトダイオードを半導体集積回路
に組み込んだＧａＡｓ／ＡノＧａＡＳリッジ導波路レー
ザ（ＧａＡｓ／Ａ）ＧａＡｓ ＲｉｄｇｅＷａｖｅ８ｕ
ｉｄｅ Ｌａ５ｅｒ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ
Ｉ ｎｔｅ８ｒａｔｅｄｗｉｔｈ ａ Ｐｈｏｔｏ
ｄｉｏｄｅ Ｌｌｓｉｎｇ Ｉ ｏｎ Ｂｅａｍ
Ｅｔｃｈｉｎｇ） Ｊ（Ｎ 、 Ｂ ｏｕａｄｍａ
らによる。Ｅｌｅｃｔｒ、 Ｌｅｔｔ、、 Ｖｏｌ。
２３、Ｎｏ、１６．１９８７年７月号、ｐｐ、 ８５５
〜８５７参照）の論文で報告されている。この中で、鏡
面領域で数ミクロンだけリッジを短かくすることによっ
て問題は解決できたことが記述されている。この方法を
用いるとトポグラフィの影響を回避できるが、波面及び
遠視野が犠牲になり、リッジ型で与えられる導波路に起
因する歪曲（ゆがみ）が生じる。
〜８５７参照）の論文で報告されている。この中で、鏡
面領域で数ミクロンだけリッジを短かくすることによっ
て問題は解決できたことが記述されている。この方法を
用いるとトポグラフィの影響を回避できるが、波面及び
遠視野が犠牲になり、リッジ型で与えられる導波路に起
因する歪曲（ゆがみ）が生じる。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の主な目的は、平坦でないストライプ導波路を持
つ集積型光学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良す
る方法を提供することである。
つ集積型光学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良す
る方法を提供することである。
本発明のもう１つの目的は、従来の高品質呻開技術を用
いて得られる鏡面と同等の品質の半導体ダイオードレー
ザ鏡をエツチングする方法を提供することである。
いて得られる鏡面と同等の品質の半導体ダイオードレー
ザ鏡をエツチングする方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、簡単で容易な制御プロセス
工程を用いてきわめて平坦でなめらかな水平面を持った
半導体レーザ鏡面をエツチングする方法を提供すること
である。
工程を用いてきわめて平坦でなめらかな水平面を持った
半導体レーザ鏡面をエツチングする方法を提供すること
である。
さらに別の目的は、従来の高品質襞開技ｍｔ用いて得ら
れる鏡面と同等の品質の少なくとも１つのエツチング鏡
面を有する半導体レーザ構造体を提供することである。
れる鏡面と同等の品質の少なくとも１つのエツチング鏡
面を有する半導体レーザ構造体を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の目的を満足させ、従来のエツチング技
術の欠点を改善することを意図する。本発明の方法は、
エツチングした鏡面近傍の終端部分で幅広にした導波路
を用いることによって、鏡面の湾曲に起因する従来の問
題を解決する。この簡単な変更を行なうと、光モード領
域から、湾曲が顕著でない表面の領域まで、湾曲面領域
はシフトされる。
術の欠点を改善することを意図する。本発明の方法は、
エツチングした鏡面近傍の終端部分で幅広にした導波路
を用いることによって、鏡面の湾曲に起因する従来の問
題を解決する。この簡単な変更を行なうと、光モード領
域から、湾曲が顕著でない表面の領域まで、湾曲面領域
はシフトされる。
トポグラフィ及びリソグラフィのエツチングした鏡面へ
の影響による問題を解決できることが、本発明の主な利
点である。例えば、リッジ導波路及び溝を掘った基板レ
ーザのようなものに対して重要な利点である。得られる
鏡面は、光モード領域において平坦であり、単一モード
のエツチング鏡面レーザの遠視野特性と同じ位に反射性
及び吸光係数を改善する。一方、非導波輻広リッジ部分
に起因する結合損失は、無視できる程度である。
の影響による問題を解決できることが、本発明の主な利
点である。例えば、リッジ導波路及び溝を掘った基板レ
ーザのようなものに対して重要な利点である。得られる
鏡面は、光モード領域において平坦であり、単一モード
のエツチング鏡面レーザの遠視野特性と同じ位に反射性
及び吸光係数を改善する。一方、非導波輻広リッジ部分
に起因する結合損失は、無視できる程度である。
［実施例］
本発明を詳細に記述する前に、本発明の応用例としてエ
ツチング鏡面を持つリッジＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓ単一
量子ウエル（ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ
： ５ＱＷ）ＧＲＩＮＳＣＨ構造体を用いて、本発明
の方法と従来の方法とを比べて一般的概念を略述する。
ツチング鏡面を持つリッジＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓ単一
量子ウエル（ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ
： ５ＱＷ）ＧＲＩＮＳＣＨ構造体を用いて、本発明
の方法と従来の方法とを比べて一般的概念を略述する。
第２図は、従来のリッジＧＲＩＮＳＣＨレーザ構造体１
０の主要素を示す図である。図は鏡面エツチングプロセ
ス完了後の構造体を示す。ＧａＡｓ基板１１上には、Ａ
ＪＧａＡｓクラッド下層１２、量子ウェルを形成する活
性ＧａＡｓ層１３、及びＡノＧａＡｓクラッド上層１４
を付着する。リッジ１７を形成するために、ＡノＱａＡ
ｓクラッド上層１４をエツチングする。リッジ１７の両
側のエツチング表面を絶縁層１５でおおう、電気的接点
として用いられる層状レーザ構造体の上に、メタライゼ
ーション膜１６を付着させる。エツチング鏡面の溝の垂
直壁面１８が鏡面を与える。溝の底面２０は、初期レー
ザ構造休部ち参照番号２１で表わされる”遷移リッジ゛
°の上表面と同じ輪郭を示す。
０の主要素を示す図である。図は鏡面エツチングプロセ
ス完了後の構造体を示す。ＧａＡｓ基板１１上には、Ａ
ＪＧａＡｓクラッド下層１２、量子ウェルを形成する活
性ＧａＡｓ層１３、及びＡノＧａＡｓクラッド上層１４
を付着する。リッジ１７を形成するために、ＡノＱａＡ
ｓクラッド上層１４をエツチングする。リッジ１７の両
側のエツチング表面を絶縁層１５でおおう、電気的接点
として用いられる層状レーザ構造体の上に、メタライゼ
ーション膜１６を付着させる。エツチング鏡面の溝の垂
直壁面１８が鏡面を与える。溝の底面２０は、初期レー
ザ構造休部ち参照番号２１で表わされる”遷移リッジ゛
°の上表面と同じ輪郭を示す。
第２図において、光モード領域は活性層１８の中央付近
の楕円２４として示され、ストライプリッジ１７によっ
て横方向は規定される。図中の膨部１９は、面１８に実
在する湾曲の屈曲＠域を示す。これらの屈曲領域は、本
発明の解決しようとする不利益なレーザビーム波面歪曲
（ゆがみ）を生む。
の楕円２４として示され、ストライプリッジ１７によっ
て横方向は規定される。図中の膨部１９は、面１８に実
在する湾曲の屈曲＠域を示す。これらの屈曲領域は、本
発明の解決しようとする不利益なレーザビーム波面歪曲
（ゆがみ）を生む。
第１図は、本発明の原理に従って製造したリッジＳＱＷ
ＧＲＩＮＳＣＨ構造体２２を示す。これらの要素は
第１図及び第２図の構造体の要素と共通であり、両方の
図において同じ参照番号を採用している。
ＧＲＩＮＳＣＨ構造体２２を示す。これらの要素は
第１図及び第２図の構造体の要素と共通であり、両方の
図において同じ参照番号を採用している。
第１図に示す構造体では、鏡面近傍の終端においてリッ
ジｌ７ｔ−広げ、幅広の部分２８を形成する。輻Ｗは光
モード領域２４の横幅よりも広い。
ジｌ７ｔ−広げ、幅広の部分２８を形成する。輻Ｗは光
モード領域２４の横幅よりも広い。
従って、リッジのエツジ（第２図の１９）の下に形成さ
れる屈曲領域を光モード領域２４内に湾曲がなくなるよ
うに領域２９ヘシフトさせる。その結果、光モード領域
２４内では、鏡面は領域２９の湾曲の影響を受けないの
で完全に平坦である。
れる屈曲領域を光モード領域２４内に湾曲がなくなるよ
うに領域２９ヘシフトさせる。その結果、光モード領域
２４内では、鏡面は領域２９の湾曲の影響を受けないの
で完全に平坦である。
光モード領域２４内の少しの湾曲も効果的に排除させる
ために、幅広導波！！８部分２３は放射レーザービーム
の強度部分の半値全幅（ＦＷＨＭ）の横幅よりも広い必
要がある。
ために、幅広導波！！８部分２３は放射レーザービーム
の強度部分の半値全幅（ＦＷＨＭ）の横幅よりも広い必
要がある。
横方向非導波幅広リッジ部分２３の長さしは、後退導波
モードに対する発散ビームの結合損失を最小にするため
に、できるだけ短かくしなければならない。１ないし５
μｍが好ましい。光モード領域２４内でのいかなるトポ
グラフィの影響も回避させ、同時にモード結合損失を無
視できる程度に保つために、長さしは２μｍで十分であ
る。
モードに対する発散ビームの結合損失を最小にするため
に、できるだけ短かくしなければならない。１ないし５
μｍが好ましい。光モード領域２４内でのいかなるトポ
グラフィの影響も回避させ、同時にモード結合損失を無
視できる程度に保つために、長さしは２μｍで十分であ
る。
第３八図ないし第３Ｇ図は、リッジＳＱＷ ＧＲＩＮ
ＳＣＨレーザの発生に応用させた本発明の方法の連続す
る工程の詳細図である。各図面は、各プロセスでの構造
体の断面図（左）及び上面図（右）の２枚からなる。
ＳＣＨレーザの発生に応用させた本発明の方法の連続す
る工程の詳細図である。各図面は、各プロセスでの構造
体の断面図（左）及び上面図（右）の２枚からなる。
これらの図面とともに記述される実施例において、レー
ザ構造体は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）プロセス
を用いてｎ型ＧａＡｓウェーへの＜１００＞表面に成長
させるＡ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ層の積層体からなる。積
層体内にエツチングされた溝の垂直壁面によって鏡面が
与えられる。
ザ構造体は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）プロセス
を用いてｎ型ＧａＡｓウェーへの＜１００＞表面に成長
させるＡ１ＧａＡｓ／ＧａＡｓ層の積層体からなる。積
層体内にエツチングされた溝の垂直壁面によって鏡面が
与えられる。
第３Ａ図に示されるように、このプロセスは層’ＵＡｉ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓレーザ構造体３０の油除去及び洗浄
、即ちリッジ及び鏡面の製造に要求されるプロセス工程
のための準備から開始される。図をわかりやすくするた
めに、積層体の全層のうちの活性層３１のみを示す。
ＧａＡｓ／ＧａＡｓレーザ構造体３０の油除去及び洗浄
、即ちリッジ及び鏡面の製造に要求されるプロセス工程
のための準備から開始される。図をわかりやすくするた
めに、積層体の全層のうちの活性層３１のみを示す。
まずポジ型レジストを塗布し、レーザリッジパターンで
露光し、現像する（接触リソグラフィ及びクロムマスク
を用いる）。バターニングされたフォトレジスト３２に
は（通常は長くて）細い部分３２．１及び幅広の部分８
２．２があり、ウェットエツチング工程のマスクとして
作用する。そしてフォトレジストのパターニング通りに
リッジ３３を形成する。エツチング表面部分は、参照番
号５１で示される（第３Ｂ図参照）。
露光し、現像する（接触リソグラフィ及びクロムマスク
を用いる）。バターニングされたフォトレジスト３２に
は（通常は長くて）細い部分３２．１及び幅広の部分８
２．２があり、ウェットエツチング工程のマスクとして
作用する。そしてフォトレジストのパターニング通りに
リッジ３３を形成する。エツチング表面部分は、参照番
号５１で示される（第３Ｂ図参照）。
単一モードの導波路の一般的な寸法は、リッジ高さ１．
５μｍ、リッジ幅３μｍ及びリッジ（又はレーザ共振器
）長さ２００ないし１０００μｍである。幅広導波路の
終端部分は少なくとも８μｍ幅でなければならず、鏡面
のエツチング後は約２μｍの長さにすべきである。
５μｍ、リッジ幅３μｍ及びリッジ（又はレーザ共振器
）長さ２００ないし１０００μｍである。幅広導波路の
終端部分は少なくとも８μｍ幅でなければならず、鏡面
のエツチング後は約２μｍの長さにすべきである。
続いてプラズマ増速ＣＶＤ （ＰＥＣＶＤ ）を使用し
て、Ｓ ｉ Ｎ ４絶縁層３４を２００ｎｍの厚さで付
着させ、リッジ３３及びフォトレジストマスク３２の両
方を取り囲む。そしてレジストを剥離しくアセトンを用
いる）、リッジ３３の表面には自己整合非分離接点スト
ライプのみを残すが、エツチングされた部分５１は絶縁
層３４におおわれたままである（第３Ｃ図参照）。
て、Ｓ ｉ Ｎ ４絶縁層３４を２００ｎｍの厚さで付
着させ、リッジ３３及びフォトレジストマスク３２の両
方を取り囲む。そしてレジストを剥離しくアセトンを用
いる）、リッジ３３の表面には自己整合非分離接点スト
ライプのみを残すが、エツチングされた部分５１は絶縁
層３４におおわれたままである（第３Ｃ図参照）。
次に、酸素を用いる活性イオンエツチング（ＲＩＥ）プ
ロセスを使用してポリイミド層を付着させ、レーザの頂
部（Ｐ−）接点パッドを規定するための剥離マスク３５
として作用させる。第３Ｄ図に示されるように、マスク
３５は幅広リッジ終端部分３３．２から約２μｍで終わ
っている。
ロセスを使用してポリイミド層を付着させ、レーザの頂
部（Ｐ−）接点パッドを規定するための剥離マスク３５
として作用させる。第３Ｄ図に示されるように、マスク
３５は幅広リッジ終端部分３３．２から約２μｍで終わ
っている。
そして、チタンプラチナ金（ＴｉＰｔＡｕ））１１を付
着させ、頂部接点３６がリッジに広がっているが、幅広
リッジ終端部分から約２μｍで終わるように、この膜を
剥離する。これによって、鏡面の溝をエツチングするた
めの窓を残す（第３Ｅ図参照八次の工程又は一連の工程
において、鏡面の溝をエツチングするためのマスク３７
を形成する。単層マスクを利用できるが多層構造が好ま
しい。なぜならなめらかな垂直鏡面を提供するからであ
る。
着させ、頂部接点３６がリッジに広がっているが、幅広
リッジ終端部分から約２μｍで終わるように、この膜を
剥離する。これによって、鏡面の溝をエツチングするた
めの窓を残す（第３Ｅ図参照八次の工程又は一連の工程
において、鏡面の溝をエツチングするためのマスク３７
を形成する。単層マスクを利用できるが多層構造が好ま
しい。なぜならなめらかな垂直鏡面を提供するからであ
る。
オプトエレクトロニクス半導体の構造体の製造における
このような多層エツチングマスク及びその使用について
は、欧州特許第８８８１０６１３５号に記述されている
。それは２枚のフォトレジスト層即ち堅焼き底層及び軟
焼き上層からなり、それぞれの層の間には薄いアモルフ
ァス誘電中間層を有する。リソグラフィで上のレジスト
層に形成したエツチングパターンをまず中間層に遷移さ
せ、そして底の堅焼きレジスト層に遷移させる。後者は
、次の鏡面の溝のエツチングプロセスの際、活性マスク
３７として作用する。下にある半導体の構造体部分３Ｂ
を露出させるために、活性マスク３７をバターニングす
る（第３Ｆ図参照）。
このような多層エツチングマスク及びその使用について
は、欧州特許第８８８１０６１３５号に記述されている
。それは２枚のフォトレジスト層即ち堅焼き底層及び軟
焼き上層からなり、それぞれの層の間には薄いアモルフ
ァス誘電中間層を有する。リソグラフィで上のレジスト
層に形成したエツチングパターンをまず中間層に遷移さ
せ、そして底の堅焼きレジスト層に遷移させる。後者は
、次の鏡面の溝のエツチングプロセスの際、活性マスク
３７として作用する。下にある半導体の構造体部分３Ｂ
を露出させるために、活性マスク３７をバターニングす
る（第３Ｆ図参照）。
鏡面の溝をエツチングするために、供給リングを通る５
００ｅＶのエネルギーのアルゴン及び１５ｓＣｅｍ流量
の塩素を用いたＣノ２ ／ Ａ ｒ ＣＡ Ｉ Ｂ
Ｅプロセスを使用する。サンプルを室温において１５分
間回転させる。エツチング後、堅焼きレジスト８７をア
ッシングによって酸素プラズマ中で除去する。この後、
溶剤で洗浄する（第３Ｇ図参ＩＱ ）。
００ｅＶのエネルギーのアルゴン及び１５ｓＣｅｍ流量
の塩素を用いたＣノ２ ／ Ａ ｒ ＣＡ Ｉ Ｂ
Ｅプロセスを使用する。サンプルを室温において１５分
間回転させる。エツチング後、堅焼きレジスト８７をア
ッシングによって酸素プラズマ中で除去する。この後、
溶剤で洗浄する（第３Ｇ図参ＩＱ ）。
結果として得られる鏡面の溝３９は、鏡面４０を提供し
、深さ４μｍないし６μｍである。鏡面は２Ｏｒ＋ｍよ
り小さな粗さである。面の湾曲は、幅広リッジ終端部分
のエツジ４１で観察されるが、光モード領域は絶対的に
鏡面の平面領域のみに閉じ込められる。
、深さ４μｍないし６μｍである。鏡面は２Ｏｒ＋ｍよ
り小さな粗さである。面の湾曲は、幅広リッジ終端部分
のエツジ４１で観察されるが、光モード領域は絶対的に
鏡面の平面領域のみに閉じ込められる。
第３図は半導体レーザの鏡面の一面のみの製造を示す。
同時に導波路の別の終端における面も製造できる。曲げ
られたイオンビームスパッタリングによって、前面及び
後面に低い反射性及び高い反射性コーティングを付着で
きる。もつとも簡単なプロセスは、各面にＡｌ２Ｏ８の
パッシベーション層を付着させることである。そして、
簡単なレジストマスク及びＣＦ４−ＲＩＢ工程を用いて
結合パッドに接続させるコーティングによって、バイア
・ホールをエツチングする。
られたイオンビームスパッタリングによって、前面及び
後面に低い反射性及び高い反射性コーティングを付着で
きる。もつとも簡単なプロセスは、各面にＡｌ２Ｏ８の
パッシベーション層を付着させることである。そして、
簡単なレジストマスク及びＣＦ４−ＲＩＢ工程を用いて
結合パッドに接続させるコーティングによって、バイア
・ホールをエツチングする。
チップのり開を簡単にするために、基板の裏面（構造体
の底面）を１５０μｍの厚さにラッピングするか又はウ
ェットエツチングする。アルコ′ンスバツタ洗浄後、底
面（ｎ−）接点を形成するために、３９０℃で６０秒間
ＧｅＡｕＮｌＡｕメタライゼーションを蒸着合金させる
。
の底面）を１５０μｍの厚さにラッピングするか又はウ
ェットエツチングする。アルコ′ンスバツタ洗浄後、底
面（ｎ−）接点を形成するために、３９０℃で６０秒間
ＧｅＡｕＮｌＡｕメタライゼーションを蒸着合金させる
。
本発明は、リッジ半導体１ノ−ザの製造、特にリッジＳ
ＱＷ ＧＩｔ［Ｎ５ＣＩ（レーザの製造について詳細
に記述している。しかし、例えば溝型半導体レーザ（ネ
ガ型チボグラフイを伴う）又は受動導波路のような、平
坦でないストライプ導波路を持つ他の集積光学構造体並
びに変調器及び切換器のようなデバイスにも本発明が応
用できることがわかる。
ＱＷ ＧＩｔ［Ｎ５ＣＩ（レーザの製造について詳細
に記述している。しかし、例えば溝型半導体レーザ（ネ
ガ型チボグラフイを伴う）又は受動導波路のような、平
坦でないストライプ導波路を持つ他の集積光学構造体並
びに変調器及び切換器のようなデバイスにも本発明が応
用できることがわかる。
また、一連のプロセス工程を変更できることもわかる。
前述の実施例において、幅広の終端部分を有するストラ
イプ導波路を鏡面のエツチング前に形成した。この順番
を変えて、まず初期層構造体に鏡面を形成する溝をエツ
チングし、そして幅広の終端部分を有するストライプ導
波路を形成することもできる。本発明の方法の重要な特
色は、（１）鏡面（導波路をさきに形成する場合）又は
（２）導波路構造体く鏡面をさきにエツチングする場合
）をエツチングする間に、光モード領域内の鏡面を導波
路の幅広の終端部分で保護しなければならないというこ
とである。
イプ導波路を鏡面のエツチング前に形成した。この順番
を変えて、まず初期層構造体に鏡面を形成する溝をエツ
チングし、そして幅広の終端部分を有するストライプ導
波路を形成することもできる。本発明の方法の重要な特
色は、（１）鏡面（導波路をさきに形成する場合）又は
（２）導波路構造体く鏡面をさきにエツチングする場合
）をエツチングする間に、光モード領域内の鏡面を導波
路の幅広の終端部分で保護しなければならないというこ
とである。
［発明の効果］
本発明は、平坦でないストライプ導波路を持つ集積型光
学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良する方法を提
供できる。
学構造体のエツチング鏡面の平坦性を改良する方法を提
供できる。
第１図は、本発明に従って製造したリッジＳＱＷ Ｇ
Ｒ［Ｎ５ＣＨ構造休２２を示す図である。 第２図は、従来のリッジＧＲＩＮＳＣＨレーザ構造体１
０を示す図である。 第３Ａ図ないし第３Ｇ図は、リッジＳＱＷ Ｇｒｔｌ
ＮｓｃＨレーザの発生に応用させた本発明の方法の連続
工程図であり、左側は断面図で右側は上面図である。 １１・・・・基板、１２・・・・Ａ）ＧａＡｓクラッド
下層、１３・・・・活性ＧａＡｓ層、１４・・・・Ａノ
ＧａＡｓクラッド上層、１５・・・・絶縁層、１６・・
・・メタライゼーション膜、１７・・・・リッジ、１８
・・・・壁面、１９．２９・・・・屈曲領域、２０・・
・・溝の底面、２１・・・・遷移リッジ上表面、２８・
・・・横方向非導波幅広リッジ部分、２４・・・・光モ
ード領域、３０・・・・層状ＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓレ
ーザ構造体、３１・・・・活性層、３２・・・・フォト
レジスト、３３・・・・リッジ、３４・・・・Ｓ ｉ
Ｎ ４絶縁層、８５・・・・ポリイミド層、３６・・・
・ＴｉＰｔＡｕ７１％、３７・・・・レジスト、３９・
・・・鏡面の溝、４０・・・・鏡面、４１・・・・リッ
ジ終端部分のエツジ、５１・・・・エツチング部分。 ２ む」Ｎ−
Ｒ［Ｎ５ＣＨ構造休２２を示す図である。 第２図は、従来のリッジＧＲＩＮＳＣＨレーザ構造体１
０を示す図である。 第３Ａ図ないし第３Ｇ図は、リッジＳＱＷ Ｇｒｔｌ
ＮｓｃＨレーザの発生に応用させた本発明の方法の連続
工程図であり、左側は断面図で右側は上面図である。 １１・・・・基板、１２・・・・Ａ）ＧａＡｓクラッド
下層、１３・・・・活性ＧａＡｓ層、１４・・・・Ａノ
ＧａＡｓクラッド上層、１５・・・・絶縁層、１６・・
・・メタライゼーション膜、１７・・・・リッジ、１８
・・・・壁面、１９．２９・・・・屈曲領域、２０・・
・・溝の底面、２１・・・・遷移リッジ上表面、２８・
・・・横方向非導波幅広リッジ部分、２４・・・・光モ
ード領域、３０・・・・層状ＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓレ
ーザ構造体、３１・・・・活性層、３２・・・・フォト
レジスト、３３・・・・リッジ、３４・・・・Ｓ ｉ
Ｎ ４絶縁層、８５・・・・ポリイミド層、３６・・・
・ＴｉＰｔＡｕ７１％、３７・・・・レジスト、３９・
・・・鏡面の溝、４０・・・・鏡面、４１・・・・リッ
ジ終端部分のエツジ、５１・・・・エツチング部分。 ２ む」Ｎ−
Claims (3)
- （１）平坦でないストライプ導波路を有する集積型光学
構造体のエッチング鏡面の平坦性を改善する方法で、次
の（ａ）及び（ｂ）の各工程からなる方法。 （ａ）少なくとも一つの幅広終端部分を持つストライプ
導波路を有する前記構造体をウェーハ上に形成する工程
。 （ｂ）非導波の幅広部分の長さを最小にするために導波
路の幅広終端部分を横切る鏡面をそのうちの短い部分だ
け残るように異方性エッチングする工程。 - （２）平坦でないストライプ導波路を有する集積型光学
構造体のエッチング鏡面の平坦性を改善する方法で、次
の（ａ）〜（ｃ）の各工程からなる方法。 （ａ）ウェーハ上に前記構造体が形成される積層体を成
長させる工程。 （ｂ）前記鏡面を形成するために、鏡面の溝を異方性エ
ッチングする工程。 （ｃ）光モードの強度分布の半値全幅の横幅よりも広く
、エッチング鏡面の近傍の短い幅広終端部部を有するス
トライプ導波路をエッチングする工程。 - （３）狭くて長い導波路部分及び、エッチング鏡面の近
傍の終端において、デバイスの光モード部分の強度分布
の半値全幅の横幅よりも広くて短い幅広終端部分からな
る、平坦でないストライプ導波路を有する集積型光学デ
バイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP89810463A EP0402556B1 (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | A method for improving the flatness of etched mirror facets |
| EP89810463.3 | 1989-06-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330490A true JPH0330490A (ja) | 1991-02-08 |
| JPH07105573B2 JPH07105573B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=8203159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155574A Expired - Lifetime JPH07105573B2 (ja) | 1989-06-16 | 1990-06-15 | 集積型光学的デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5032219A (ja) |
| EP (1) | EP0402556B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07105573B2 (ja) |
| CA (1) | CA2017303C (ja) |
| DE (1) | DE68909779T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7197220B2 (en) | 2002-03-13 | 2007-03-27 | Nec Corporation | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| JP2023124651A (ja) * | 2022-02-25 | 2023-09-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2023549379A (ja) * | 2020-11-13 | 2023-11-24 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 複数の半導体レーザーを製造する方法および半導体レーザー |
| JP2024506137A (ja) * | 2021-02-15 | 2024-02-09 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 複数の半導体レーザを製造する方法、及び半導体レーザ |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0532816B1 (en) * | 1991-09-19 | 1995-08-09 | International Business Machines Corporation | Self-aligned optical waveguide to laser structure and method for making the same |
| JPH05173046A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sony Corp | 光導波路装置 |
| FR2694099B1 (fr) * | 1992-07-21 | 1994-12-09 | Louis Menigaux | Procédé pour former une structure à guide de lumière et miroir intégrés, et structure ainsi réalisée. |
| US5379359A (en) * | 1992-09-29 | 1995-01-03 | Eastman Kodak Company | Laser diode coupling to waveguide and method of making same using substrate etching |
| KR0138006B1 (ko) * | 1992-10-26 | 1998-06-15 | 모리시타 요이찌 | 광도파로 및 그 제조방법 |
| US6090635A (en) * | 1992-11-17 | 2000-07-18 | Gte Laboratories Incorporated | Method for forming a semiconductor device structure having a laser portion |
| EP0598966B1 (en) * | 1992-11-24 | 1999-02-10 | International Business Machines Corporation | Optical waveguide isolator |
| US5311539A (en) * | 1992-11-25 | 1994-05-10 | International Business Machines Corporation | Roughened sidewall ridge for high power fundamental mode semiconductor ridge waveguide laser operation |
| ES2111707T3 (es) * | 1992-11-26 | 1998-03-16 | Nederland Ptt | Procedimiento de fabricacion de bifurcaciones pronunciadas de una guia de ondas en componentes opticos integrados. |
| US5320981A (en) * | 1993-08-10 | 1994-06-14 | Micron Semiconductor, Inc. | High accuracy via formation for semiconductor devices |
| US6204189B1 (en) | 1999-01-29 | 2001-03-20 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of precision high quality facets on molecular beam epitaxy material |
| US6304587B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-10-16 | Corning Incorporated | Buried ridge semiconductor laser with aluminum-free confinement layer |
| US6596557B1 (en) * | 2000-03-02 | 2003-07-22 | Orchid Lightwave Communications, Inc. | Integrated optical devices and methods of making such devices |
| KR100908623B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2009-07-21 | 호야 코포레이션 유에스에이 | 광출력의 횡단 전달을 이용하는 광학적 접합 장치 및 방법 |
| US6985646B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-01-10 | Xponent Photonics Inc | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US20050083982A1 (en) * | 2003-10-20 | 2005-04-21 | Binoptics Corporation | Surface emitting and receiving photonic device |
| US7481545B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-01-27 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of forming and mounting an angled reflector |
| US7496120B2 (en) * | 2005-10-14 | 2009-02-24 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Compact laser output monitoring using reflection and diffraction |
| WO2007048110A2 (en) * | 2005-10-19 | 2007-04-26 | University Of Notre Dame Du Lac | High-index-contrast waveguide |
| GB2432456A (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-23 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diode |
| US7995892B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-08-09 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Low loss, high and low index contrast waveguides in semiconductors |
| US7889993B2 (en) * | 2007-08-17 | 2011-02-15 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd | Optical transceiver module having a front facet reflector and methods for making and using a front facet reflector |
| US8982921B2 (en) * | 2013-02-07 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor lasers and etched-facet integrated devices having H-shaped windows |
| US9214786B2 (en) | 2013-04-09 | 2015-12-15 | Nlight Photonics Corporation | Diode laser packages with flared laser oscillator waveguides |
| US9166369B2 (en) | 2013-04-09 | 2015-10-20 | Nlight Photonics Corporation | Flared laser oscillator waveguide |
| US10186836B2 (en) | 2014-10-10 | 2019-01-22 | Nlight, Inc. | Multiple flared laser oscillator waveguide |
| WO2016197137A1 (en) | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Nlight, Inc. | Angled dbr-grating laser/amplifier with one or more mode-hopping regions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225681A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0095826B1 (en) * | 1982-05-28 | 1988-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US4725112A (en) * | 1985-08-06 | 1988-02-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Buried undercut mesa-like waveguide |
| US4773720A (en) * | 1986-06-03 | 1988-09-27 | General Electric Company | Optical waveguide |
| US4815084A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-21 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor laser with integrated optical elements |
| US4886538A (en) * | 1987-07-28 | 1989-12-12 | Polaroid Corporation | Process for tapering waveguides |
| NL8800939A (nl) * | 1988-04-12 | 1989-11-01 | Philips Nv | Stralingskoppelinrichting. |
-
1989
- 1989-06-16 EP EP89810463A patent/EP0402556B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-16 DE DE89810463T patent/DE68909779T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-22 CA CA002017303A patent/CA2017303C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-06 US US07/533,748 patent/US5032219A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-15 JP JP2155574A patent/JPH07105573B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-15 US US07/669,817 patent/US5103493A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225681A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7197220B2 (en) | 2002-03-13 | 2007-03-27 | Nec Corporation | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| US7477823B2 (en) | 2002-03-13 | 2009-01-13 | Nec Corporation | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| US7672559B2 (en) | 2002-03-13 | 2010-03-02 | Nec Corporation | Optical waveguide device and fabricating method thereof |
| JP2023549379A (ja) * | 2020-11-13 | 2023-11-24 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 複数の半導体レーザーを製造する方法および半導体レーザー |
| JP2024506137A (ja) * | 2021-02-15 | 2024-02-09 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 複数の半導体レーザを製造する方法、及び半導体レーザ |
| JP2023124651A (ja) * | 2022-02-25 | 2023-09-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE68909779T2 (de) | 1994-05-05 |
| US5032219A (en) | 1991-07-16 |
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