JPS6135587A - 自己整合性リブ導波路高出力レーザー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 近年、光デイスク記録、プリンティング、光ファイバー
・データ分配システムなど、高出力で安定し定基本モー
ド動作を行うレーザーを必要とする応用が数多く見られ
る。この工つな基準に適合すると言゛われている素子構
造のいくつかを挙げると、ツイン・リッジ（ｔｗｉｎ　
ｒｉｄｇｅ　）基体〔アプライド・フイジクス・レター
ズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ
　）　、第４２巻、８５３頁（１９８３）参照〕、フン
ストリフテッド（ｃｏｎｓｔｒｉｃｔｅｄ　）　、ダブ
ルへテロ構造ラージ・オプティカル・キャビティ（（ａ
ｒｇｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｃａｖｉｔｙ　）　（アプラ
イド・フイジクス・レターズ、第３６巻、４頁（１９８
０）お工びアプライド・フイジクス・レターズ、第３８
巻、６５８頁（１９８１年）参照〕、チャネルド・サブ
ストレート・プレーナー（ｃｈａｎｎｅｌｅｄ　５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅｐｌａｎａｒ　）　（アイ・イー・イー・
イー・ジャーナル・オブ・クオンタム・エレクトロニク
ス（ｒＥＥＥＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｑｕａｎｔｕｍ　
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　）、キュー・イー（ぼ−）１
４巻、８７頁（１９７８）およびエレクトロニクス・レ
ターズ（Ｂｌｃｃｔｒｏｎｉｃｓ　ＬｅＬ　ｔｅｒｓ　
）、第１９巻、１頁（１６８３年）参照〕′、テラスト
（ｔｅｒｒａｃｅｄ）・ペテロ構造ラージ・オプティカ
ル・キャビティ〔アプライド・フイジクス・レターズ、
第４１巻、３１０頁（１９８２年）参照〕、亜鉛上注く
拡散させた細いストライプ構造のレーザー〔アプライド
・フイジクス・レターズ、第４０巻、２０８頁（１”ｌ
　８’２年）参照上ウィンドウ・ヴイー・チャネルド・
サブストレート・インナー、・ストライプ（ｗｉｎｄｏ
ｗ　Ｖ−ｃｈａｎｎｅｌｅｄｓｕｂｓｔｒａｔｅ　１ｎ
ｎｅｒ　５ｔｒｉｐｅ　）［アプライド・フイジクス・
レターズ、第４２巻、４０６頁（１９８３年）参照］、
および非プレーナー型ラージ・オプティカル・キャビテ
ィ〔アプライド・フイジクス・レターズ、第３５巻、７
３４頁（１９７９年）参照〕がある。これらの構造は、
長さ約２００ｔｕ′ｎの素子に対するしきい値電流の中
央値（メジアン）が２０２０−８Ｏであり、微分量子効
率が２０−６０％であり、連続波出力が２０２０−７Ｏ
であることに工す特徴づけられる。

しかしながらこれらの素子構造の作製には、典型的には
いくつかの臨界的（ｃｒ日１ｃａｌ　）工程が含まれる
：たとえば、ＺｒＬの拡散の、精密な制御、非プレーナ
ー型表面上のエピタキシャル成長のための基体の選択的
エツチング、およびコンタクトのストライプと表面下の
構造との精密な整合など。

本発明は、高出力単一モード動作用の新しいリブ（ｒｉ
ｂ　）導波路ラージ・オプティカル−キャビティであシ
、電流の制限および光の閉込めのために、プレーナー型
エピタキシャル成長と単一の自己整合型エツチング工程
だけを必要とする。我々はこの素子上リブ・ロック（Ｒ
ｉｂ−ＬＯＣ）構造と呼び、ここにその作製、動作原理
、素子の性質全定めるための測定の結果、およびいくつ
かの応用におけるその重要性に対する考察を示す。これ
らのデータは、リブ・ロック・レーザーの電気的および
光学的性質が、他のＡＩＧａＡＳ高出力レーザーのそれ
と同等またはそれを凌ぐものであることを示している。

リブ・ロック構造は、単一のエピタキシャル成長工程に
よって作製される。これを第１図に示す。この構造は、
単一の自己整合型コンタクトが電流注入用のストライプ
状オーミック・コンタクトおよびそのストライプの外側
の電流閉じ込め用のショットキー障壁として作用する、
利得導波型ショットキー障壁閉じ込め（ＳＢＲ）レーザ
〒の延長である。リブ・ロック内のＰ型三元層を深くエ
ツチングすることにニジ、屈折率導波型構造が形成され
る。

他のエピタキシャル成長技術を用いることもできたが、
ここに記述するレーザーは、閉じこめられたメルトのサ
ファイア・ボート内における液相エピタキシー（ＬＰＥ
）にエリ、１１−　ＱａＡＳ基体上に成長させたもので
ある〔ジャーナル・オブ・アプライド・フイジクス（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｊｉｅｄ　ｐｈｙｓｉｃｓ
　）、第５３巻、９２１７頁（１９８２年）参照〕。そ
の基本構造は基体上の次に挙げる５つの連続した層から
成っている： Ｎ　ＡＩｏ、４　ＧａＯ，ｌｌ　Ａｓ　：　Ｔｅ（２，
４１１ｍ　）（クラッド層） ｎ−Ａを．ｕ　ｃ”ｏ４ａ　ＡＳ　：　Ｔｅ　（０，１
−０，１５Ａｍ　）（ラージ・オプティカル・キャビテ
ィ）Ａ’（Ｍｌ　？　Ｇ”０．０３　Ａｓ　　ニド−ピ
ングせず（０，０５−０，１μｍ）（活性層） Ｐ’　Ａ’０．４　Ｇａｏ、ａ　ＡＳ：　Ｍｇ　（１，
３ｔｔｔｎ）ｐ−ＧａＡＳ　：　Ｇｅ　（０，３ｔｔｍ
）成長の後、ウェハにＺｎを拡散させてｐ＋コンタクト
層全全形成、ｎ−Ｇ　ｒｌＡＳ基体をラッピングして約
１００μｍとし、みがき仕上げを行う。Ｎ側金属被覆（
Ｎ−ｍｃｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　）　ノｆｔ−め、ｓ
ｎ／ｐｄ／Ａｕ　ｔスパッタリング堆積させ、合金化す
る。ｐ側にホトリソグラフィーで６μｍ幅のストライプ
を描き、そのｐ層ｉ　Ｈ３Ｐ０．　：ＨｔＯｚ　：　Ｈ
ｔＯ（１：　１　’：　８　）で、活性層から０．２ｐ
ｔｎ以内の所までエツチングして、幅５μｍのリブ導波
路を形成′する。矢に、ｐ側に従来の金属被覆たとえば
ＴＶＰＶＡｕ　ｋ堆積させて合金化し、続いて両側にＴ
ｉ／Ａｕ　ｆ堆積させる。２種の鏡面コーティング法全
採用した。端面当り３３％の反射率を有する対称コーテ
ィング、お工び一方の端面全反射防止（ＡＲ）コーティ
ングとし他方を３３％の反射率とした非対称鏡面コーテ
ィングである。これらのレーザーチップは幅２５０μ？
＋Ｌお工゛び長さ３８０μｍで、Ｃｕヒートシンク上に
ｐｌｕｌｌ　ｅ下にして工ｎフラックスで接着される。

本発明の効力全実証するために用いられたレーザーの構
造および作製に関する前記の詳細な記述は、当分野に既
知の広い選択範囲から代表例を示したものである。たと
えば、活性層はドーピングされていなくてもよいし、わ
ずかにｐ型またはｎ型にドープされて隣り合う層の１つ
とｐ−ｎ接合を形成していてもよい。種々の既知のドー
プ剤が選択しうる。第１図に示された構造と同等な構造
は用いることができる。第１図に付された表中の各層の
厚さは模範的に示したものである。活性層の厚さｆ′ｉ
０．（’＋３乃至０．２μｍの比較的広い範囲内で変え
ることができ、５０６層の厚さは０．０５乃至１．０μ
ｍの間で変えることができる。

ここでは本発明が実施できる範囲の可能ケ限りの変化を
網羅しようという試みはなされていない。

リブロック構造内への電流の閉込めはＳＢＲレーザーと
同様であシ、金属と高濃度にドーピングされたＧａＡＳ
Ｏｐ型キャップ層とのコンタクト（オーミック・コンタ
クト）、お工びＰ　−ＡＩ　ＧａＡＳクラッド層とのコ
ンタクト（ショットキー障壁）の間の質的相違によるも
のである。リブ・ロック・レーザーにおいては、リブ領
域外への電流の広がりは薄い（０，２Ｐ以下）クラッド
層のために制限される。ｐ型クラッド層の厚さの急激な
変化による屈折率の相対的変化が横方尚の屈折率導波作
用をもたらすのである。このため、リブ・ロック・レー
ザーは単−横モード動作を行う。同様の電流閉込め方式
が低出力のＱａＡＳレーザー圧おいて報告されている〔
エレクトロニクス・レターズ、第１５巻、４４１頁（１
９７９年）参照〕。リッジ・レーザーそれ自身は、Ｉｎ
ＧａＡｓＰでも作製されている〔エレクトロミス・レタ
ーズ、第１５巻、７６３頁（１９７９年）およびアイ・
イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・クオンタム・エ
レクトロニクス、キュー・イー１９巻、１３１２頁（１
９８３年）参照〕。（また、プレーナー型利得導波型構
造については、米国特許第４．２３８．７６４号も参照
されたい。）。ラージ・オプティカル・キャビティは端
面におけるレーザー作用スポットの大きさ全増大させる
ことにエリ、得らｎる最大出力全増大させ、出力ビーム
の広がりを減少させる。以下に、５枚のウェハから製造
したレーザー（複数個）について、七の試験結果を示す
。

非対称鏡面コーティングを有するリブ°ロック・レーザ
ーの電流に対する連続波光出力の特性全第２図に示す。

非対称鏡面コーティング金有するリブ・ロック・レーザ
ーは反射防止コーティングを施された端面における最大
光出力が４５〜５ＱｍＷであり出力効率（ｓｌｏｐｅ　
ｅｆｆｉＣｉｅｎｃｙ　）がＱ、　７　ｎｔＷ　／　ｍ
Ａであるのに対し、対称鏡面コーティングを有するし一
ザ−は１端面、当り３０〜３５　ｔｎＷ以下および出力
効率０．３５　ｐｎＷ　／　ｎｔｌ−Ｑ単−横モードで
動作する。最大光出力は制量的な劣化にエフ制限される
。ロックを有しないリブ導波路構造は多数横モード動作
お工び１０ｆｆ！Ｗ以下でのロールオーバー（ｒｏｌｌ
ｏｖｃｒ　）　を示した。

第３図は、２種類の鏡面コーティング方式を有するリブ
・ロック・レーザーのしきい値電流の分布を示す。しき
い直電流の中央値は、対称鏡面コーティングを有するレ
ーザーで４ＱｍＡ、非対称鏡面コーティングを有するレ
ーザーで５５　ｙｎＡである。両方の分布の中から、１
０ｍＷまでの直線性および良好な電気的特性を有するレ
ーザーを選んだ。１つの反射防止端面コーティングを有
するレーザーにおけるしきい値の中央値の上昇は、端面
の反射率の低下に帰因する。同じチップサイズの利得導
波型ＳＢＲレーザーのしきい値電流の中央値は９７ｍＡ
であり、リブ・ロック構造はしきい値電流密度の４０乃
至６０％の低Ｔ下をもたらす。

リブ・ロック・レーザーに′おけるしきい値電流の温度
感受性は、６０℃以−上においてもＴｏ　が高い値であ
るという・ことにニジ特徴づけらｎる。低いデユーティ
・ファクター（０，１％）でパルス発振させたときのリ
ブ・ロック・レーザーのＬ−Ｉ曲線を、１０℃乃至１０
０℃の温度範囲において第４図に記録する。このＬ−Ｉ
曲線は直線であシ、出力効率は１００℃まで一定である
。第４図内挿入図に示された温度に対するＩｔｌｌの対
数値の関係から、６０℃以下におけるＴｏ　が２７０に
であり６０℃以上におけるＴｏ　　が１９２にであると
求まる。Ｔｏ　に対するこれらの値は、利得導波型ＡＩ
ＧａＡ’ｉレーザーにおける０℃と６０℃の間のＴｏ　
の値が典型的には１６０〜１９０にであることと比較さ
れるべきである。リブ・ロック構造における温度に対す
るしきい値電流の相対的非感受性は、リブ導波路に工っ
てもたらさｎる強力な電流閉込めによるものである〔ア
イ・イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・クオンタム
・エレクトロニクス、キュー・イー１７巻、２２９０頁
（１９８１年）、およびアイ・イー・イー・イー・ジャ
ーナル・オブ・クオンタム・エレクトロニクス、キュー
・イー１８巻、４４頁（１９８矛り参照〕。

リブ・ロック・レーザーの最も魅力的な性質の１つは、
その光ビームの質の高さである。

他の屈折率導波型レーザーに見られるように、リブ・ロ
ック・レーザーは非点収差が零である。４　Ｑ　ｍＷ出
力時（パルス発振、０．１％デユーティ・サイクル動作
）における典型的な低しきい値レーザーの接合に平行な
方向の遠視野像を第５図に示す。遠視Ｊはなめらかで半
値全幅（ＦＷＨＭ　）ビーム角が約９°の単一のローブ
を有し、しきい値から瞬間破壊限界に至るまで本質的に
は一定である。直角方向の遠視野像もなめらかで単一の
ローブを有し、ビームの偏平比は典型的には３：１であ
る。

この出力ビーム特性のため、リブ・ロック・レーザーは
単一モード・ファイバーとの結合が可能である。コア直
径５μｍの０．８２μｍ単一モード偏光保持型ファイバ
ーをリブ・ロック・レーザーの端面（つき合わせ結合し
た。

それから得られたファイバーを介した場合と介さない場
合のＬ−Ｉ曲線を第６図にプロットする。結合効率が２
５％であること々；示される。この結合効率はレンズ端
付ファイバーを用いることにより２．５倍向上させるこ
とができ友。リブ・ロックからの出力光は典型的な５０
μｍコア多モード・ファイバーあるいは光学的結像用の
レンズ・システムに容易に結合されると考えられる。

リブ・ロック・レーザーの動的性質もまた興味深い。第
７図は縦モードスペクトルに対する高周波変調の影響を
示す。しきい値電流が４５　ｍＡのレーザーの直流５４
Ｆ７１１Ａにおける連続波スペクトル金第７図（ａ）に
示す。単一モードは波長８４８１Ａにあシ、より弱い副
モードに対する強度比は約４０：１である。第７図中）
は直流レベルに重ねた１　８　ｆｆ！Ａ　（ピーク・ト
ウ・ピーク）、５００　ＭＩ（ｚの正弦波変調によるス
ペクトルを示す。第７図（Ｃ）は変調周波数ｆ　９００
　ＭＨｚに増加させたときのスペクトルを示す。第７図
（ｂ）における単一モードの強度は連続波スペクトルに
比べて約５％低下している。この低下はおそらく変調に
よるスペクトル線の広がりによるものであり、主モード
の時間平均強度は第７図（ａ）と同じであろう。

９００　ＭＨ２においては強度の低下はより著しく、レ
ーザー線幅が約２Ａに増加するのはモード・チャーピン
グによる。他のレーザーも屈折率導波型ＡｔＧａＡＳレ
ーザーに対して以前に報告された結果と一致、する同様
な挙動を示す〔アプライド・フィジクス・レターズ、第
４３巻、６１９貞（１り８：３年）参照〕。

第８図は、同じレーザーをしきい値にバイアスし、１５
ｍＡの正弦波発振？加えた場合である。光出力は信号分
析器に接続さＪＬｊＣ高速検知器で検知される。変調周
波数は１００ＭＩ（２から２　ＧＨ２’Ｅで掃引される
。測定は組直の矢印の所で始まり、水平の矢印は掃引の
向きを示している。−ｏオシロスコープに描−かせると
周波数応答曲線が示さ、れた。垂直スケールは１目盛５
　ｄＢであるので、３ｄＢロスの点は２０Ｈ２である。

リブ・ロック・レーザーの性質を評価するためには、そ
れを他の高出力ＡＩＧａＡＳレーザーと比較するのが有
用である。現在入手できる最も成功をおさめた２つの高
出力レーザーはチャネルド・サブストレート・プレーナ
ー（ｃｓｐ＞お工びコンストリクテッド・ダブルへテロ
構造ラージ・オプティカル・キャビティ（ＣＤＩ−ＬＯ
Ｃ　）である。これら両者の構造は単一のＬＰＥ成長を
必要とするだけであるが、横方向光閉込め効果をもたら
す非プレーナー基体上に成長させることになる。この為
、基体全エツチングする際にはその方向づけに細心の注
意を払わねばならず、またセのエピタキシャル層の厚み
全非常な注意を払って制御しなくてはならない。という
のは、これらの因子はレーザーの性能に強く影響全お工
ぼすからである。電流閉込めにはまた別の整合性が要求
され、酸化膜またはｐ−ｎ接合のいずれかに対するエツ
チング工程が必要になる。この整合性もやけシレーザー
の性能および歩出シにとって臨界的である。一方、リブ
・ロック・レーザーは、液相のみならず気相まｔは分子
線でも成長を行えるプレーナー型エピタキシャル成長技
術と整合を必要としない１回のエツチングの歩走Ｄｅ必
要とするだけである。層の厚みの一様性はエツチングの
法止り全向上させるが、層の厚みの絶対値はレーザーの
動作に対して臨界的ではない。

リブ・ロックのしきい値ＪＣ流は長さ３８０μｍの素子
に対して典型的には４０〜６０ｍＡであるのに比べ、Ｃ
ＤＨ−ＬＯＣのしきい値は長さ１３０μｍの素子に対し
て７５　ｍＡである〔アプライド・フィシクス・レター
ズ、第３６８１１９０頁（１９８０年）参照〕。非対称
鏡面コーティングを有するリブ・ロック・レーザーの出
力効率は０．７　ｍＷ　／　ｍＡであるのに比べ、Ｌ　
＝　１３　’Ｏμｍ　ＣＤＨ−ＬＯＣのそれは帆４　ｔ
ｎＷ　／ｍＡである。出力効率はキャビティの長さが減
少するにしたがって上昇することが期待させる。

第２図に示されるリブ・ロック・レーザーのＬ−Ｉ特性
は４０　ｍＷまで直腺性があるが、ＣＤＨ−ＬＯＣＶｉ
２０　ｍＷ連続波を越、ｔルトロ−／Ｌ−オーバーを示
す。我々はリブ・ロック・レーザーをヒート・シンク温
度１００℃にて連続波で動作させたのに対し、ＣＤＩ−
ＬＯＣにおいては７０℃が上限であり、また１０℃と６
０℃の間でリブ・ロックのＴｏ　　が２７０　Ｋでアル
１７）　Ｋ　７１　Ｌ、ＣＤＨ−ＬＯＣ（７Ｄ　Ｔｏ　
ｎ　１３５　ｒ（Ｔ：ある。

これはラージ・オプティカル・キャビティを有する構造
に対してこれまで報告されたうちで最も高いＴｏであっ
た。接合に平行な遠視野像はリブ・ロックの場合は単一
のローブを示すのに対し、ＣＤＨ−ＬＯＣは高出力時に
おいて副ローブを示し、これが外部光学要素に対する結
合効率を制限する可能性がある。

リブ・ロック・レーザーの性能ｈｃｓｐレーザーにも勝
るとも劣らな・いものである。リブ・ロックはＣ８Ｐに
比べてより低いしきい値電流と工す高い出力効率金示す
とともに、安定した横モードおよび単一の縦モード金維
持する。

リブ・ロックはまた高い変調電流に対してｃｓｐ工９も
広い３ｄＢＩ７）帯域幅（ｂａｎｄ　ｗｉｄｔｈ）を有
する。

リブ・ロック・レーザーの質の高い出力ビームは光デイ
スク記録への応用お工び単一モード・ファイバー・シス
テムとの結合を可能にする。その高い゛出力光はデータ
分配システムたとえばカプラー、スイッチおよびフィル
ターからの損失がシステム全体の損失を支配するローカ
ル・エリア・ネットワークのための光源として魅力のあ
る存在である。リブ・ロック・レーザーの温度に対する
非感受性は広い範囲の環境条件において有用である。

上記の記述はガリウムヒ素ダブルへテロ構造レーザーを
対象としたものであるが、その知見にしたがって他のへ
テロ構造レーザーを作ることもできる。たとえば、長波
長高出力リブ・ロック・レーザーはイン゛ジウム・ガリ
ウム・アルミニウム・リレをもどにして作ることができ
る。種々の他の■−■族および■−■族ヘテロ構造も提
案されている。リブ・ロック構造の本質は、ラージ・オ
プティカルキャビティとメサ様（１り造（リブ）との結
合にあり、これがリブとその周囲（エツチング除去され
た部分）との間の屈折率差による両方の光閉込めおよび
ショットキー障壁（エツチング除去された部分）による
電流閉込めに寄与しているのである。この新しい構造的
結合はさまざまな材料の組み会わせによって実施するこ
とができる。

本発明の１つの重要な局面Ｖｉ第１図に示さの両側圧作
製するように工夫することもできる。この２つの厚みを
持つ贋金形成する方法としては、一様に第１層を堆積さ
せてから、リフト・オフ（１ｉｆｔ−ｏｆｆ）−”Ｊ　
ｆｃは同様の技術によってリブを形成する方法が考えら
れる。

このように、リブを形成するのに用いられる方法は本発
明にとって臨界的なものではない。

リブの厚みとリブに隣接するクラッド層の厚みとの関係
は素子の性能には影響を及ぼさないと思われる。素子は
クラッド層のステップ部において屈折率差が形成される
工うに設計される。リブに隣接するクラッド層は、この
ステップ状屈折率が活性層における光導波作用金もたら
すために、十分に薄＜（０，５μｍ以下）作られる。こ
のステップは有効な屈折率のステップΔｎが１０１以上
好ましくは３×１０１以上生ずるのに十分であることが
望ましい。この結果を生ずる相対的厚み（第１図におけ
るａ対ｂ）はある程度質わり得る（例えば１００対１）
。

いくつかの応用においては単一の基体上に多数のリブ全
作製してレーザー配列を作り出すと有利であることも見
い出され工う。ここで記述された閉込め方式は、そのよ
うなデバイスの設計に特に適していると思われる。複雑
で非常に密度の濃いリブ・パターンを、既知の選択的エ
ツチング技術によって信頼性高く作９得−るのである。

【図面の簡単な説明】

第１図はリブ・ロック構造であり、層組成、ドーピング
、および素子の形を示す。 第２図は、非対称鏡面コーティングを有するリブ・ロッ
ク・レーザーにおける電流に対する光出力（Ｌ−Ｉ）の
プロットである。 第３図は、対称鏡面コーティングを有する３個のウェハ
および非対称鏡面コーティングを有する２個のウェハに
Ｉるレーザーのしきい値電流の確率分布のプロットであ
る。 第４図は、Ｔ＝１０℃〜１００℃におけるパルス発振の
Ｌ−Ｉ曲線からＴｏｆ求めたものである。 第５図は、４０ｍＷにおけるリブ・ロック・レーザーの
接合に平行な方向の遠視野像である。 第６図は、レーザ一端面からの光お工びリブ・ロック・
レーザーに結合された単一モード・ファイバーの端から
の光に対するＬ−Ｉ曲線である。η＝２５％。 第７図は、リブ・ロック・レーザーの縦モード・スペク
トルで、ａ）連続波ｂ）　５００　ＭＨ２Ｃ）　９００
　ＭＨ２である。 第８図は、リブ・ロック・レーザーの変調周波数スペク
トルである（垂直な矢は試験の開始を示し、水平め矢は
掃引の方向を示す。）。 ＦＩＧ、　７ ＦＩＧ、　２ Ｉ（＋ｎ＾） ＦＩＧ、Ｊ 縦軸の値よりも小さい値を示す割合（％）ＦＩＧ、４ 冨 〇− Ｉ（ｍ＾） Ｈ６５ Ｆｌ６．６ １（ｓＡ） Ｆｌ（５，７ ＦＩＣθ １ＩｌｉＩ′Ｉｚ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体クラッド層、該クラッド層の上のラージ・オプテ
   ィカルキャビティ（ＬＯＣ）層、該ＬＯＣ層の上の活性
   層、該活性層の上のクラッド層を有し、該活性層は該ク
   ラッド層の１つとともにｐ−ｎ接合を形成し、このｐ−
   ｎ接合は電気的にバイアスされたときに活性層中に光を
   発生し、該光をＬＯＣ層中に放出することが可能であり
   、該クラッド層の少なくとも１つがリブ部を有し、該リ
   ブ部はそのクラッド層の残りの部分よりも厚く、そのリ
   ブの頂部をオーミック・コンタクト層が被い、障壁層が
   そのリブの側面およびそのクラッド層の残りの部分を被
   い、該障壁層は、バイアスされたとき、クラッド層中に
   該リブのエッジ部において１０＾−＾３以上の屈折率の
   違いΔｎを生ぜしめることができることを特徴とする半
   導体レーザー。