JPH0330925B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0330925B2 JPH0330925B2 JP60045821A JP4582185A JPH0330925B2 JP H0330925 B2 JPH0330925 B2 JP H0330925B2 JP 60045821 A JP60045821 A JP 60045821A JP 4582185 A JP4582185 A JP 4582185A JP H0330925 B2 JPH0330925 B2 JP H0330925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- disk
- source
- magnetic
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜概要＞
スパツタ法で磁気膜を付ける場合にもスピンコ
ード法で行つている様に内径と外径との中間にお
いて形成膜厚に傾斜が付けられて、周速差に伴う
感度の補償が出来る様にする。
ード法で行つている様に内径と外径との中間にお
いて形成膜厚に傾斜が付けられて、周速差に伴う
感度の補償が出来る様にする。
また上記傾斜の程度が変えられる様にする。
＜産業上の利用分野＞
本発明は磁気デイスク装置の磁気デイスク（記
録媒体）の製造方法に係り、特に径方向の周速差
に係る特性を補償するため径方向に分布的に膜厚
を変化させた磁気デイスクをスパツタ法により製
造する方法に関する。
録媒体）の製造方法に係り、特に径方向の周速差
に係る特性を補償するため径方向に分布的に膜厚
を変化させた磁気デイスクをスパツタ法により製
造する方法に関する。
＜従来技術＞
こうした磁気デイスクはアルミ材等の非磁性の
円板上に磁性の記録膜を形成したものであり、回
転させながら磁気ヘツドにより書込、再生を行う
ものであるが、記録トラツクと外側と内側では周
速が異るため外周側の法が出力が大きくなり重ね
書き特性が悪いと云う問題があり、回転中心から
の距離に対応して外周側の膜厚を薄くすることで
均一化を図つて来た。
円板上に磁性の記録膜を形成したものであり、回
転させながら磁気ヘツドにより書込、再生を行う
ものであるが、記録トラツクと外側と内側では周
速が異るため外周側の法が出力が大きくなり重ね
書き特性が悪いと云う問題があり、回転中心から
の距離に対応して外周側の膜厚を薄くすることで
均一化を図つて来た。
これは記録膜が塗装により形成されていた時代
のものについては、スピンコード法と通称される
デイスク基板を高速で回転させつつ膜形成材を塗
布ことで半径が増加するにつれて増加する遠心力
と膜が固まる時間とのバランスを取るために混合
溶剤の選択及びスピンドル回転数を変化させ径方
向に膜厚が制御された記録膜を製造していた。
のものについては、スピンコード法と通称される
デイスク基板を高速で回転させつつ膜形成材を塗
布ことで半径が増加するにつれて増加する遠心力
と膜が固まる時間とのバランスを取るために混合
溶剤の選択及びスピンドル回転数を変化させ径方
向に膜厚が制御された記録膜を製造していた。
しかし記録密度は要求のさらに高いところで使
用される簿膜デイスクは蒸着やスパツタ等でCo
−Ni−Crx Co−Niの磁性膜、またNiやパーマ
ロイ等を付着させるのでこうした技術は使用出来
ず膜厚を径方向に分布的に制御するための適当な
方法が求められていた。
用される簿膜デイスクは蒸着やスパツタ等でCo
−Ni−Crx Co−Niの磁性膜、またNiやパーマ
ロイ等を付着させるのでこうした技術は使用出来
ず膜厚を径方向に分布的に制御するための適当な
方法が求められていた。
＜従来技術の問題点＞
蒸着、あるいはスパツタ法による膜形成は基本
的には均一に膜が出来、径方向に分布的に傾斜を
持たせる様な制御をすることがむつかしい点にあ
り、下手にやろうとすると円周方向にも不均一が
出来る点にある。一方基本的には一つのヘツドで
内側から外側のトラツクまでアクセスする方式を
成立させるためには出力レベルの補正をこれ以外
の方法で行うとすれば、トラツク監視、ゲイン補
正と云つた連動制御が付加されることになりあま
りおもしろくない。
的には均一に膜が出来、径方向に分布的に傾斜を
持たせる様な制御をすることがむつかしい点にあ
り、下手にやろうとすると円周方向にも不均一が
出来る点にある。一方基本的には一つのヘツドで
内側から外側のトラツクまでアクセスする方式を
成立させるためには出力レベルの補正をこれ以外
の方法で行うとすれば、トラツク監視、ゲイン補
正と云つた連動制御が付加されることになりあま
りおもしろくない。
＜解決手段＞
本願の意図するところは上記にかんがみスパツ
タ法においても半径方向の膜厚分布を制御出来る
磁気デイスクの製造方法を提供することである。
タ法においても半径方向の膜厚分布を制御出来る
磁気デイスクの製造方法を提供することである。
そのため本願においては必要なスパツタ装置と
しては対象とするデイスク基板の外形よりは大き
な長辺BYと、デイスク基板の外形Doより小さな
幅Bxを持つスパツタ源（膜形成材の発生源）と、
スパツタ源と平行に所定距離離れた位置（平行平
面上）で相対指定するなら幅方向と略平行で長辺
の中央と、デイスク基板の中心がほぼ一致する移
動軸線上において、デイスク基板を保持し、移動
および位置決め停止、およびデイスク基板の中心
を軸として回転する手段と、スパツタを行い停止
する機能が、少なくとも必要であるが、これらを
前提として本願においては、上記移動軸線上にお
いてデイスク基板の中心を、上記スパツタ源の幅
方向の中心に対して所定量のδだけオフセツトさ
せた位置を選んで回転させつつ、スパツタを行
い、（必要あれば膜厚を監視し）所定厚分布にな
つたところで終了させることにより解決しようと
するものである。
しては対象とするデイスク基板の外形よりは大き
な長辺BYと、デイスク基板の外形Doより小さな
幅Bxを持つスパツタ源（膜形成材の発生源）と、
スパツタ源と平行に所定距離離れた位置（平行平
面上）で相対指定するなら幅方向と略平行で長辺
の中央と、デイスク基板の中心がほぼ一致する移
動軸線上において、デイスク基板を保持し、移動
および位置決め停止、およびデイスク基板の中心
を軸として回転する手段と、スパツタを行い停止
する機能が、少なくとも必要であるが、これらを
前提として本願においては、上記移動軸線上にお
いてデイスク基板の中心を、上記スパツタ源の幅
方向の中心に対して所定量のδだけオフセツトさ
せた位置を選んで回転させつつ、スパツタを行
い、（必要あれば膜厚を監視し）所定厚分布にな
つたところで終了させることにより解決しようと
するものである。
＜作用＞
以上の様な手段で以上の様なプロセスを取れ
ば、まずデイスク基板を回転させることにより円
周方向の膜厚分布が均一化されること、第２にス
パツタ源には幅方向に発生濃度分布があるため
Zsを一定とすれば上記オフセツトδがゼロの時、
内側から外側に到る膜厚分付の傾斜が最大となる
こと、第３にスパツタ源の幅Bxが対象とするデ
イスク基板の外形Doに比して小さく（Bx／Do
が小）なるにつれ上記最大の傾斜が大きくなるこ
と、第４に前記オフセツトδを大きくしてゆくこ
とにより膜厚分付の傾斜が減少する方向に分配を
変化させることができること、を條件選定の要素
として組み合わせると條件選定によつて同じ装置
でデイスク基板に対して各種の径方向の傾斜を持
つ、かつ円周方向には均一の分布を持つスパツタ
膜が形成出来る。
ば、まずデイスク基板を回転させることにより円
周方向の膜厚分布が均一化されること、第２にス
パツタ源には幅方向に発生濃度分布があるため
Zsを一定とすれば上記オフセツトδがゼロの時、
内側から外側に到る膜厚分付の傾斜が最大となる
こと、第３にスパツタ源の幅Bxが対象とするデ
イスク基板の外形Doに比して小さく（Bx／Do
が小）なるにつれ上記最大の傾斜が大きくなるこ
と、第４に前記オフセツトδを大きくしてゆくこ
とにより膜厚分付の傾斜が減少する方向に分配を
変化させることができること、を條件選定の要素
として組み合わせると條件選定によつて同じ装置
でデイスク基板に対して各種の径方向の傾斜を持
つ、かつ円周方向には均一の分布を持つスパツタ
膜が形成出来る。
＜効果＞
こうしてスパツタしたものを、対象装置で使用
する特定の磁気ヘツドと組合せて、均一出力特性
となる磁気デイスクの（膜厚の傾斜）が得られる
條件でスパツタすることにより、目的に合つた磁
気デイスクが容易に再現的に製造出来るし、製造
装置側の汎用性を保つことも出来る。
する特定の磁気ヘツドと組合せて、均一出力特性
となる磁気デイスクの（膜厚の傾斜）が得られる
條件でスパツタすることにより、目的に合つた磁
気デイスクが容易に再現的に製造出来るし、製造
装置側の汎用性を保つことも出来る。
＜実施例＞
第１図は本発明の基本説明図、第２図は第１図
の補足図で夫々XY平面よりXZ平面より見たス
パツタ源１と、デイスク２、の関係を移動ステー
ジ３の介在下で相対位置関係と寸法とを、直交す
るXYZ軸を方向定義の座標系を用いて説明する
ものである。
の補足図で夫々XY平面よりXZ平面より見たス
パツタ源１と、デイスク２、の関係を移動ステー
ジ３の介在下で相対位置関係と寸法とを、直交す
るXYZ軸を方向定義の座標系を用いて説明する
ものである。
そして上記の定義下において、スパツタ源１の
中心OsはOs＝（Xs、Ｏ、Zs）にあり、スパツタ
用粒子の分布中心O′sはO′s＝（Xs、Ｏ、Ｏ）にあ
る。デイスク２を保持している移動ステージの中
心、すなわち保持されたデイスク２の中心Odあ
るいはOdδはOdx＝（Ｘ、Ｏ、Ｏ）またOdδ＝（Xs
−δ、Ｏ、Ｏ）にあり、デイスク２はOdδあるい
はOdxを中心に回転可能に構成されているし、ス
テージ３上で位置を選んで停止することも出来る
し、Zsを変更することも、スパツタすることも
可能に構成されている。そして、円板２はステー
ジの途中でZs、δの選ばれた位置で回転させつ
つスパツタを行いデイスク２のは半径方向定義で
Ri（トラツクの最内側相当）とRo（トラツクの最
外側相当）の間で例えば層の厚みをＴサフイツク
ス付で表現するならTRi＞TRpであつて、例えば磁
気デイスクヘツドとの特性とRo／Riの比を見て
出力特性が均一になるTRi／TRp＝1.5〜1.8程度の
中の所定の膜厚比を実現する條件を選んで、TRp
＝５×10-8〜20×10-8ｍ程度の厚さになる様、磁
性記録膜（あるいはそのもととなる膜）をスパツ
タで形成することにより所望の磁気デイスク媒体
を製造するわけである。
中心OsはOs＝（Xs、Ｏ、Zs）にあり、スパツタ
用粒子の分布中心O′sはO′s＝（Xs、Ｏ、Ｏ）にあ
る。デイスク２を保持している移動ステージの中
心、すなわち保持されたデイスク２の中心Odあ
るいはOdδはOdx＝（Ｘ、Ｏ、Ｏ）またOdδ＝（Xs
−δ、Ｏ、Ｏ）にあり、デイスク２はOdδあるい
はOdxを中心に回転可能に構成されているし、ス
テージ３上で位置を選んで停止することも出来る
し、Zsを変更することも、スパツタすることも
可能に構成されている。そして、円板２はステー
ジの途中でZs、δの選ばれた位置で回転させつ
つスパツタを行いデイスク２のは半径方向定義で
Ri（トラツクの最内側相当）とRo（トラツクの最
外側相当）の間で例えば層の厚みをＴサフイツク
ス付で表現するならTRi＞TRpであつて、例えば磁
気デイスクヘツドとの特性とRo／Riの比を見て
出力特性が均一になるTRi／TRp＝1.5〜1.8程度の
中の所定の膜厚比を実現する條件を選んで、TRp
＝５×10-8〜20×10-8ｍ程度の厚さになる様、磁
性記録膜（あるいはそのもととなる膜）をスパツ
タで形成することにより所望の磁気デイスク媒体
を製造するわけである。
なを第３図以下はこうして條件を選び出すにあ
たり條件を支配する各パラメータの動きの特徴を
説明するためのものであり、第３図はパラメータ
Zsに関するものである。
たり條件を支配する各パラメータの動きの特徴を
説明するためのものであり、第３図はパラメータ
Zsに関するものである。
第３図と第５図に示す様にZsは大きくしてゆ
くにつれ他は同一の條件下では付着量が拡がる分
いく分低くなる傾向と、TRpとTRd間の比が小さ
く山がなだらかになる傾向はあるが、第５図の様
にあまりはなすと急に付着率が少なくなるのでパ
ラメータとしてあまり大きく動かせない。
くにつれ他は同一の條件下では付着量が拡がる分
いく分低くなる傾向と、TRpとTRd間の比が小さ
く山がなだらかになる傾向はあるが、第５図の様
にあまりはなすと急に付着率が少なくなるのでパ
ラメータとしてあまり大きく動かせない。
また第４図は蒸発源の幅Bx（Bxeと云つても前
記によりあまり変わりない）とデイスクのスパツ
タ外径Doの比をパラメータとしたTR／TRpの実
験例の結果をまとめたグラフであるが、Bx／Do
が小さくなるにつれTR／TRpは小さくなり膜厚の
半径方向に対する分布の傾斜が急になることがわ
かる。
記によりあまり変わりない）とデイスクのスパツ
タ外径Doの比をパラメータとしたTR／TRpの実
験例の結果をまとめたグラフであるが、Bx／Do
が小さくなるにつれTR／TRpは小さくなり膜厚の
半径方向に対する分布の傾斜が急になることがわ
かる。
また第６図はオフセツト量δをパラメータとし
た付着膜厚の分布の実験例をまとめたグラフであ
るが、オフセツト量δを増すにつれて最大膜厚の
位置がデイスク２の中じ（Ｒ＝ｏ）の位置より外
径の方向に移動する傾向とTRi／TRpの値を小さい
方にシフトさせる傾向を併せ持つが、TRi／TRpの
値を変化させるパラメータとしては先の第４図で
示したBx／Doよりもシヤープであり、主として
この二つのパラメータの両方又は一方を摂動パラ
メータとして條件をさがすことにより、装置とし
ては同じスパツタ装置で所望の内外径膜厚を持つ
た（内外径で、ヘツド検出感度を均一化した）磁
気デイスクを製造することが出来る。また第７図
はこれらを組合せて無次元化した條件を見付けや
すくまとめたものである。
た付着膜厚の分布の実験例をまとめたグラフであ
るが、オフセツト量δを増すにつれて最大膜厚の
位置がデイスク２の中じ（Ｒ＝ｏ）の位置より外
径の方向に移動する傾向とTRi／TRpの値を小さい
方にシフトさせる傾向を併せ持つが、TRi／TRpの
値を変化させるパラメータとしては先の第４図で
示したBx／Doよりもシヤープであり、主として
この二つのパラメータの両方又は一方を摂動パラ
メータとして條件をさがすことにより、装置とし
ては同じスパツタ装置で所望の内外径膜厚を持つ
た（内外径で、ヘツド検出感度を均一化した）磁
気デイスクを製造することが出来る。また第７図
はこれらを組合せて無次元化した條件を見付けや
すくまとめたものである。
またこの方法では所定の範囲内であれば條件を
見付けることが出来るので同一の製造装置で仕様
の異る磁気デイスクを再現性良く製造すること
も、ヘツドや、ヘツドアンプの周波数特性に応じ
て膜厚比で感度バランスを徴調することも出来
る。
見付けることが出来るので同一の製造装置で仕様
の異る磁気デイスクを再現性良く製造すること
も、ヘツドや、ヘツドアンプの周波数特性に応じ
て膜厚比で感度バランスを徴調することも出来
る。
なを本実施例でのＹ方向のデイメンジヨン
Do／BYの関係はBY≫Doとして２次元で説明して
いるがBY≧Doであれば第４図の山の傾斜が多少
きつくなるだけで同じ様にして、せつ動用のデー
タを実験して定め直しさえすれば再現條件を満た
すので実用出来る。
Do／BYの関係はBY≫Doとして２次元で説明して
いるがBY≧Doであれば第４図の山の傾斜が多少
きつくなるだけで同じ様にして、せつ動用のデー
タを実験して定め直しさえすれば再現條件を満た
すので実用出来る。
＜効果＞
以上説明した如く本発明によれば支配的なパラ
メータδや、Bx／Doを選ぶことにより磁気デイ
スクの径方向の膜厚比をスパツタによる製造にお
いても再現的に動かすことが出来るので磁気デイ
スク装置、あるいは使用ヘツドの條件に合わせて
内外径部分をアクセスする場合の感度差を膜厚で
補償することがスパツタデイスクにおいても容易
に実現出来る様になると云う効果を有するので、
アクセスによつてゲインが変わらず径方向にも均
一で分解能にすぐれたスパツタデイスク装置を効
率よく安価に提供することが出来ると云う効果を
有する。
メータδや、Bx／Doを選ぶことにより磁気デイ
スクの径方向の膜厚比をスパツタによる製造にお
いても再現的に動かすことが出来るので磁気デイ
スク装置、あるいは使用ヘツドの條件に合わせて
内外径部分をアクセスする場合の感度差を膜厚で
補償することがスパツタデイスクにおいても容易
に実現出来る様になると云う効果を有するので、
アクセスによつてゲインが変わらず径方向にも均
一で分解能にすぐれたスパツタデイスク装置を効
率よく安価に提供することが出来ると云う効果を
有する。
第１図は本発明の基本構成を兼ねる一実施例の
説明図、第２図は第１図の補足図、第３図、第４
図、第５図、第６図、第７図は本発明の一実施例
の補足説明図でスパツタにおける膜厚の径方向分
布を支配する摂動パラメータに関する説明図を示
す。 また図中の１はスパツタ源、２はデイスク、３
は移動ステージを示す。
説明図、第２図は第１図の補足図、第３図、第４
図、第５図、第６図、第７図は本発明の一実施例
の補足説明図でスパツタにおける膜厚の径方向分
布を支配する摂動パラメータに関する説明図を示
す。 また図中の１はスパツタ源、２はデイスク、３
は移動ステージを示す。
Claims (1)
- １ 帯状の幅Bxを持ちかつ組成が一定であるス
パツタ源と、該スパツタ源よりＸ方向とＺ方向に
関して所定間隔離れた位置にデイスク基板を保持
し、Ｘ方向に移動し、軸中心に回転させる手段を
有し、上記スパツタ源とデイスク基板の相対関係
を制御しつつスパツタを行う磁気デイスクの製造
法において、上記スパツタ源の幅Bxを上記デイ
スク基板の外形より小さく設定するとともに、上
記デイスク基板の中心を、上記スパツタ源の幅の
中心よりＸ方向に所定量オフセツトさせた位置
で、上記デイスク基板を回転させつつスパツタを
行うことを特徴とする磁気デイスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4582185A JPS61222031A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4582185A JPS61222031A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222031A JPS61222031A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0330925B2 true JPH0330925B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=12729912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4582185A Granted JPS61222031A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222031A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325718A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-04 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862829A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-14 | Nec Corp | 磁気記録体及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4582185A patent/JPS61222031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61222031A (ja) | 1986-10-02 |
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